JP2005511109A - ガスクラスタイオンビーム技術を応用した人工関節の作用を改善する方法とシステム - Google Patents

ガスクラスタイオンビーム技術を応用した人工関節の作用を改善する方法とシステム Download PDF

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Abstract

本発明はガスクラスタイオンビーム(GCIB)技術を利用して人工関節部材表面を改良し、磨耗破片や骨軟化症状の発生を抑える。ガスクラスタイオン源(116)はガスクラスタ粒子を発生させ、イオン化(122)して加速する(126)。GCIBは非均質処理手段(132)によって所定の強度と紋様で人工関節(10)表面に対して照射されて望む紋様を形成する。

Description

関連出願
本出願は2001年5月9日出願の米国仮出願第60/289737号「ガスクラスタイオンビーム技術を応用した人工股関節の作用を改善する方法とシステム」の優先権を主張する。
発明の分野
本発明は人工関節等の医療具に関し、特にガスクラスタイオンビーム技術を利用した人工関節の磨耗を減少させる方法とシステムに関する。
発明の背景
関節交換すなわち関節形成術は外科処置であり、関節の疾患部分を取り除いて新しい人工部分と交換する。現在、これら人工関節は高架橋ポリエチレン、金属-金属およびセラミック-セラミック材料のごとき改良材料で製造されている。関節交換後は骨軟化が大きな問題であり、インプラント(埋込材)自体の破片による炎症が関与すると考えられている。例えば全股関節交換の場合、幾分かの骨軟化症状は術後10年以内に40%程度で発生する。
健康な動物関節の摩擦係数は非常に小さく、関節部材間で形成される軟骨や潤滑液(例えば体液)によりほとんど磨耗しない。しかしこのことは人工関節の場合には当てはまらない。人工関節を磨耗させる1つの問題はインプラント表面での潤滑液(剤)の不足である。摩擦によって病変組織に重要な影響を及ぼす磨耗破片が発生する。よって生理学的見地からインプラントの不都合を引き起こす長期的可能性はインプラントの表面間での不充分な潤滑液に起因する骨軟化症状による磨耗破片により増加する。
症状悪化の当初要因は、インプラントを包囲する骨の破壊を引き起こし、インプラントを緩める結果となる小片同士の摩擦や、この摩擦によって影響を受ける周辺細胞が関与する。これら小片の数、サイズおよび分布並びにタイプはこの症状の進行に影響を重要な及ぼすと考えられている。
インプラント接触面の孔部、凹部またはそれらの組み合わせの設計はインプラント部材間の接触部での潤滑剤を保持する構造を提供する。そのような形状を提供するために従来はモノマーイオンビームを利用した。このモノマーイオンビームは粗いエッジを有した深い溝を形成し、粗いエッジからの破片として磨耗片を増加させた。
一般的に人工関節部材の表面の粗さはインプラント接触面の摩擦を増加させ、磨耗小片を増加させる。しかし潤滑目的の形状を有した人工関節部材の表面は本質的には不規則な非平面形状であり、従来の処理技術では潤滑化が困難であった。
インプラント関節からの小片は厄介な組織反応を引き起こし、インプラント自体の磨耗を増進させる。
よって、本発明の1目的は磨耗面間に改良された潤滑性を提供する人工関節部材の表面処理である。
本発明の別目的は人工関節部材面の潤滑化である。
本発明の別目的はガスクラスタイオンビームによって人工関節の表面改質を提供し、部材磨耗と骨軟化に関係する問題点を解消させることである。
発明の概要
それら目的並びに他の目的は以下で解説する本発明によって達成される。
磨耗小片の発生を抑制するようにいくつかの提案がなされている:(1)磨いたコバルト合金またはセラミック製の大腿頭部は寛骨臼カップのポリエチレン表面に対して磨耗を減少させる;(2)新高架橋ポリエチレン寛骨臼カップは磨耗減少手段としてその外科利用頻度が高まっている;(3)金属-金属およびセラミック-セラミック等の硬-硬インプラントは磨耗小片を発生を抑える。
人工関節で使用される材料に関係なく、本発明は部材表面を改善させ、磨耗小片の発生、骨軟化症および磨耗の進行を抑制するためにガスクラスタイオンビーム(GCIB)技術を利用する。この表面改善の方法は関節インプラントの表面に所定の紋様を提供し、摩擦による磨耗を減少させるためにインプラント表面間の潤滑性を高めるよう新規な表面紋様を提供する目的でGCIBを利用した原子レベルの表面処理を実施することを含む。
関節補綴表面のGCIB処理による部材磨耗片の減少は磨耗と骨軟化の進行を同時に抑制し、ヘルスケアに関わるコストを抑え、患者の痛みを軽減する。
本発明の理解を助けるため以下にて添付の図面を使用して本発明をさらに詳細に解説する。真空内にて高電圧で加速されたエネルギーイオン、電荷原子または分子のビームは半導体装置ジャンクションの提供、スパッタリング処理による表面円滑化処理、および薄膜の特性向上等に幅広く活用されている。ガスクラスタイオンは多数の弱く結合し、共通の電荷を有して高電圧下で共に加速され、大きなエネルギーを有した原子または分子で形成される。クラスタイオンは衝突によって分解し、クラスタの全エネルギーは構成原子間で分配される。このエネルギー分散のおかげで原子はクラスタ状態ではない通常イオンの場合よりも個々のエネルギーが減少し、結果として原子は対象物の表面下深くには浸透しない。クラスタイオンによる表面スパッタリング効果は通常イオンによるものよりも優れており、他の方法ではできないような微小表面形状が提供される。
ガスクラスタイオン(GCIB)の概念はこの10年来のものである。ドライエッチング、クリーニングおよび材料円滑化でのGCIBの利用は知られており、例えばデグチ他の米国特許第5814194号「基板表面処理法」(1988年)に記載されている。数千のガス原子または分子を含有したイオン化クラスタは数千電子ボルト程度のエネルギーで形成されて加速されるため、クラスタ内の個々の原子または分子は数電子ボルト程度のエネルギーを有するだけである。例えばヤマダの米国特許第5459326で記載されているように、そのような個々の原子はプラズマ処理における残留表面下損傷を引き起こすほど強力ではない。クラスタ全体では充分にエネルギー(数千電子ボルト程度)を有しており、効果的に硬質面をエッチング処理し、円滑化処理し、あるいはクリーニング処理する。
ガスクラスタイオン内の個々の原子のエネルギーが非常に小さいため(数電子ボルト程度)、衝突時に原子はせいぜい数原子層程度しか対象物の表面下に浸透しない。この浅い浸透によりクラスタイオン全体のエネルギーは10-12秒程度で表面下層の非常に限られた体積内で衰退する。このことは物体内に浸透させることを目的とする通常イオンで行われるイオンインプランテーションの場合とは異なる。イオンインプランテーションの場合には数千オングストローム浸透することがあり、対象物質の表面特性を変化させる。クラスタイオンの高エネルギーと非常に限られた作用体積のために衝突箇所での堆積エネルギー密度は通常イオンによる衝突の場合よりも数段と大きい。
図1を解説する。図1は人工関節部材10の表面処理を行う本発明のガスクラスタイオンビーム(GCIB)プロセッサ100を示す。ここで説明する特定の部材には限定されないが、プロセッサ100は3連通チャンバに分割された真空容器102と、ソースチャンバ104と、イオン化/加速チャンバ106と、ガスクラスタイオンビームで均質な紋様処理を提供するように人工関節部材のポジションを整える独特設計の対象物ホルダ150とで構成されている。
本発明の紋様処理中にそれら3体のチャンバはそれぞれ真空ポンプ146a、146b、146cによって適当な圧力に真空処理される。シリンダ111に蓄えられた収束性ソースガス112(例えばアルゴンまたはN2)はガスメータバルブ113とガス供給管114を通じて滞留チャンバ116に供給され、低圧で適当な形状のノズル110を通して噴射され、超音速ガスジェット流118を提供する。ジェット流の膨張による冷却によってガスジェット流118の一部は収束してクラスタとなる。それぞれのクラスタは数個から数千個の弱く結合した原子または分子で成る。ガススキマ開口部120はクラスタジェット流からクラスタジェット流にならなかった分子を分離して下流域の圧力を最小とする。圧力が高いと不都合である(例えば、イオナイザ122、高圧電極126及び処理チャンバ108)。適当な収束性ソースガス112とはアルゴン、窒素、二酸化炭素、酸素等である。
ガスクラスタを含んだ超音速ガスジェット流118が形成された後にクラスタはイオナイザ122でイオン化される。イオナイザ122は典型的にはフィラメント124であり、電子を加速して方向付けし、ガスジェット流118内でガスクラスタと衝突させる。ジェット流はイオナイザ122を通過する。電子衝突でクラスタから電子が放出され、クラスタの一部を正にイオン化させる。一連の適当に印加された高圧電極126はイオナイザ122からクラスタイオンを引き出してビームを形成し、クラスタイオンを加速して望むエネルギー(典型的には1k電子ボルトから数十電子ボルト)を付与し、収束させて当初軌道154を有したGCIB128を形成させる。フィラメント電源136はイオナイザフィラメント124を加熱するために電圧VFを提供する。陽極電源134は電圧VAを提供してフィラメント124から放出される熱電子を加速し、ガスジェット流118を含んだクラスタに衝突させてイオンを発生させる。引出電源138は電圧VEを提供して高圧電極を印加し、イオナイザ122のイオン化領域からイオンを引き出し、GCIB128を形成する。加速電源140は電圧VACCを提供し、イオナイザ122の高圧電極を印加し、VACC電子ボルト(eV)に等しい全GCIB加速エネルギーを提供する。レンズ電源(例えば142、144)を提供して電圧(例えばVL1、VL2)で高圧電極を印加してGCIB128を焦点させることができる。
GCIBプロセッサ100で処理する人工関節部材10のごとき医療具はGCIB128の通路に置かれた対象物ホルダ150で保持される。関節部材10の均質な処理のために対象物ホルダ150は関節部材10のポジションを適切に操作するように以下のごとくに設計されている。
図2にて示す非平面状(球状、カップ状等)の人工関節面は直角のビーム入射角に対して特定の角度を保つように保持され、CGIBを利用して関節面の正確な処理が実行される。これには対象物ホルダ150の動きが充分にフレキシブルであって全非平面の角度を変えさせ、一定の露出レベルとさせるものでなければならない。直角入射角から±15°以上で処理ビームに露出される表面を有したどの人工関節部材10も操作が必要である。特に人工関節部材10を処理するとき、対象物ホルダ150はGCIBプロセッサ100の端に置かれた機構152で回転移動および関節移動される。関節移動/回転移動機構152は好適には長軸154周囲を360°回転できるものがよく、直角入射角から±15°以内で人工関節面を維持できるものである。
好適には、人工関節部材の表面の処理には拡散ビームが利用される。拡散ビームは大ビームを使用して提供される。特定の条件下と人工関節部材10のサイズとによっては望む紋様の提供にはスキャンシステムが望ましい。GCIB処理には必要がないこともあるが、直交静電スキャンプレート130、132の2ペアが使用され、広げられた処理領域でラスタまたは他のスキャン形状を発生させる。そのようなビームスキャンが実施されるときスキャン発生器156はX軸とY軸のスキャン信号をリード線ペア158、160をそれぞれ介してスキャンプレートペア130、132に提供する。スキャン信号電圧は、GCIB128をスキャン処理GCIB148に変換させる異なる周波数の三角波であり、関節部材10の全表面をスキャンする。
広い領域にわたるビームスキャンが望まれないときには、処理は一般的にビームの直径で定められた領域に限定される。表面のビーム径はレンズ電源(例えば142、144)の電圧(VL1及び/又はVL2)を選択することでセットでき、対象物での望むビーム径を提供する。
所定の表面処理はガスクラスタイオンビームでの表面の非均質照射による処理中に人工関節部材表面の領域で行われる。特に表面の特定領域のみをビームに照射させると衝突原子のエッチング効果で表面の体積減少が起こる。これで表面の高さに変動が発生し、潤滑剤を保持させる溝等が形成される。このようにして人工関節部材の接触面間の潤滑性が達成される。好適には高さの変化の大部分は1μm以内である。しかしインプラント材料やガスクラスタイオンビーム処理時間によっては数オングストロームから数ミクロンまでの深さとなる。処理紋様と高さの変化程度は使用予定する潤滑剤の量による。紋様は好適にはゴルフボールのごときディンプル模様が利用されるが他の形状であってもよい。
本発明の1実施例ではマスクが利用される。オープン領域形状がマスクにカット加工され、表面領域がマスクでカバーされるとオープン領域部分のみがビームに露出されてエッチングされる。マスクでブロックされた表面部分ではエッチング量は少ない。あるいはオープン領域の代り、またはそれとの組み合わせでマスクは種々な厚みを有することができる。マスクがビームに露出されるとエッチングされる。クラスタイオンビームの照射時間は特定の厚みを有するマスクが適度に分解し、人工関節部材をビームに露出する開口部を形成するように調整できる。これら表面はマスク領域がエッチングされてしまうまで露出されなため、さほどにはエッチングされない。このように種々な深度を有する溝や窪みが同一紋様内に形成される。本発明のマスクは光エッチングされた金属ホイルまたはフィルム、加工金属ホイルまたはフィルム、ポリマーフォトレジストあるいは他の物質でも提供できる。そのようなマスクは紋様処理される表面と接触状態で提供されても離れた状態で提供されてもよい。
図3、図4、図5で示す原子顕微鏡(AMF)画像が示すように、本発明を利用して人工関節部材10の表面の紋様加工をすることが可能である。図3は紋様がない当初GCIB処理後のコバルト-クロムで成る部材10の表面を示す。部材表面10はこの当初処理ステップを利用せずとも紋様加工できる。しかし、当初GCIB加工は有利である。図4と図5はさらなるGCIB処理後の表面を示す。表面は材料自体の物理的または構造的変化を発生させることなく処理された。図4と図5の実施例においては約0.2mm径のタンタルワイヤ製の約1.2mmX1.2mmメッシュの編ワイヤスクリーンがマスクとして使用された。GCIB後の紋様は約25オングストロームの深度で提供された。
材料の表面層を効果的に円滑化するためのガスクラスタイオンビーム処理の能力のおかげで紋様処理自体が紋様を劣化することなく表面円滑化が達成される。
人工関節は一般的に接触面を有した少なくとも2つの連動する部材で成る。紋様処理は望む潤滑材保持力に応じて一方または両方の表面にビーム処置を施す。潤滑物質は接触面に塗布してエッチングされた紋様溝に保持させる。あるいは人工関節部材を人体に埋め込んだ後に体液をエッチング溝に侵入させて保持させることもできる。
本発明を実施例を利用して解説した。本発明のスコープ内でのその改良は可能である。
図1は本発明のガスクラスタイオンビーム処理システムの概略図である。 図2はガスクラスタイオンビーム処理システムの一部であり、対象物ホルダーを示している。 図3は3次元原子顕微鏡画像であり、当初GCIB処理後の人工関節面を示している。 図4は2次元原子顕微鏡画像であり、さらなるGCIB処理後の人工関節部材表面を示している。 図5は図4の表面の3次元原子顕微鏡像であり、さらなるGCIB処理後の人工関節部材表面を示している。

Claims (20)

  1. ガスクラスタイオンビーム処理によって人工関節の部材表面を改良する装置であって、
    真空チャンバと、
    該真空チャンバと作動式に連動し、ガスクラスタイオンビームを発生させるガスクラスタイオンビーム源と、
    通路に沿ってガスクラスタイオンビームを加速させる加速器と、
    該ガスクラスタイオンビーム通路内で対象物を保持してポジション調整させる対象物ホルダと、
    加速されたガスクラスタイオンビームで対象物表面を非均質に照射して該対象物表面に所定の紋様をエッチングする手段と、
    を含んで構成されることを特徴とする装置。
  2. 所定の紋様は潤滑剤保持用の多数の凹形状部で成ることを特徴とする請求項1記載の装置。
  3. 潤滑剤は体液であることを特徴とする請求項2記載の装置。
  4. 紋様エッチング手段は加速されたガスクラスタイオンビームを照射する前に対象物表面上または直前に置かれるマスクを含んでおり、該マスクは開口部、多様な厚み、またはそれらの組み合わせを有しており、ガスクラスタイオンビームによる表面処理に影響を及ぼす紋様を形成していることを特徴とする請求項1記載の装置。
  5. ガスクラスタイオンビーム処理で人工関節部材の表面を改良する方法であって、
    真空チャンバ内でガスクラスタイオンビームを形成するステップと、
    ガスクラスタイオンビームを加速するステップと、
    前記真空チャンバ内のガスクラスタイオンビームの通路内に対象物を配置するステップと、
    ガスクラスタイオンビームで該対象物表面を非均質に照射して該表面に紋様を形成するステップと、
    を含んで成る方法。
  6. 紋様は潤滑剤を保持する多数の凹形状部で成ることを特徴とする請求項5記載の方法。
  7. 潤滑剤は体液であることを特徴とする請求項6記載の方法。
  8. 照射ステップでマスクを対象物表面上または直前に置いて照射紋様を制御するステップをさらに含んでおり、該マスクは開口部、多様な厚み、またはそれらの組み合わせを有しており、ガスクラスタイオンビームによる表面処理に影響を及ぼす紋様を形成していることを特徴とする請求項5記載の装置。
  9. マスクは金属ホイルまたはフィルムであることを特徴とする請求項8記載の方法。
  10. ガスクラスタイオンビームを所定の小径部に焦点させるステップをさらに含んでおり、非均質照射ステップは該小径部に対して対象物表面を制御下でポジションさせることで提供されることを特徴とする請求項5記載の方法。
  11. 少なくとも2つの相対移動する表面を有した人工関節を埋め込む方法であって、
    少なくとも一方の移動面に、潤滑剤を保持させるために多数の凹形状部にて所定の紋様を形成するステップと、
    前記人工関節を組み立てるステップと、
    該人工関節を埋め込むステップと、
    を含んでいることを特徴とする方法。
  12. 所定の紋様内に潤滑剤を導入するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項11記載の方法。
  13. 潤滑剤は体液であることを特徴とする請求項12記載の方法。
  14. 紋様形成ステップは、
    不活性ガスクラスタイオンビームを真空チャンバ内で形成するステップと、
    該ガスクラスタイオンビームを加速するステップと、
    前記真空チャンバ内の該ガスクラスタイオンビームの通路内に対象物を配置するステップと、
    該対象物表面を加速されたガスクラスタイオンビームで非均質に照射し、該表面に所定の紋様をエッチングするステップと、
    を含んでいることを特徴とする請求項11記載の方法。
  15. 凹形状部は10μm以内の深度の溝または窪みであることを特徴とする請求項11記載の方法。
  16. 潤滑剤保持用の少なくとも1つの表面に形成された溝と窪みの紋様を有した人工関節であって、該溝と窪みの大多数は10μm以内の深度であることを特徴とする人工関節。
  17. 紋様はガスクラスタイオンビームによる表面の非均質照射によって形成されることを特徴とする請求項16記載の人工関節。
  18. 潤滑剤は体液であることを特徴とする請求項16記載の人工関節。
  19. 大腿骨であることを特徴とする請求項16記載の人工関節。
  20. 少なくとも2つの相互移動面を有した人口関節であって、少なくとも一方はガスクラスタイオンビームで表面を非均質に照射することで形成された多数の凹形状部で成る紋様を有しており、それら相互移動面は組み合わされ、潤滑剤が該紋様内に導入されて該相互移動面間に潤滑性を提供することを特徴とする人工関節。
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