TWI671782B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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中尾亘孝
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明旨在提升被處理基板之蝕刻率的均勻性。本發明提供一種電漿處理裝置，具有：處理容器；氣體供給部，對處理容器內供給處理氣體；載置台，設於處理容器內，載置被處理基板；上部電極，設於載置台上方；電漿產生部，藉由對上部電極及載置台中之至少任一方供給高頻電力，而在處理容器內產生處理氣體的電漿；排氣流路，係藉由處理容器之側壁及載置台之側面所形成；整流板，具有導電性，設於該排氣流路，調整藉由排氣流路而排出至處理容器之外部之處理氣體的氣流；導電體，在高於排氣流路中之整流板的位置、且係低於載置於載置台之被處理基板的位置，配置成與上部電極之至少局部相向，而相對於被處理基板之被處理面之高度方向的距離係設定在既定範圍內。

Description

電漿處理裝置
本發明之各層面及實施形態係有關於電漿處理裝置。
於半導體之製造程序，廣泛地使用電漿處理裝置，其執行以堆積薄膜或蝕刻等為目的之電漿處理。電漿處理裝置可舉例如進行薄膜之堆積處理的電漿CVD（Chemical Vapor Deposition）裝置、或進行蝕刻處理的電漿蝕刻裝置等。
電漿處理裝置具備：區劃出電漿處理空間的處理容器、於處理容器內設置被處理基板的載置台、設於載置台之上方的上部電極、以及對處理容器內導入電漿反應所需之處理氣體的氣體供給系統等。再者，電漿處理裝置為了使處理室內的處理氣體電漿化，還具有供給微波、射頻波等電磁能的電漿產生機構等。再者，於電漿處理裝置，藉由處理容器之側壁及載置台之側面，形成用以將處理氣體排出至處理容器外部的排氣流路。於排氣流路，設有調整處理氣體之氣流的折流板。折流板發揮整流的功能，將處理容器內的氣體均勻地排出。再者，折流板通常具有導電性。
走筆至此，於電漿處理裝置，所產生之電漿中的電子會被導電性之折流板所吸引，而在折流板表面產生反應產生物，因此已知為了阻斷電子而在排氣流路設置導電體。例如，有習知技術係在排氣流路中，於比折流板還高的位置、且係比載置於載置台之被處理基板還低的位置，配置導電體製之接地電極，以使電漿中的電子釋放到接地電極。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2007－258471號公報
[發明所欲解決的問題] 然而，於上述習知技術，由於在排氣流路並不存在與上部電極相向之電極，因此所產生之電漿會集中到載置於載置台的被處理基板之中央部，而在基板中央部就會蝕刻率高，周邊部就會蝕刻率低。就結果而言，會產生被處理基板之蝕刻率均勻性降低的問題。 [解決問題之技術手段]
於本發明之一形態的電漿處理裝置，具有：處理容器；氣體供給部，對該處理容器內供給處理氣體；載置台，設於該處理容器內，載置被處理基板；上部電極，設於該載置台上方；電漿產生部，藉由對該上部電極及該載置台中之至少任一方供給高頻電力，而在該處理容器內產生處理氣體的電漿；排氣流路，係藉由該處理容器之側壁及該載置台之側面所形成；整流板，具有導電性，設於該排氣流路，調整藉由該排氣流路而排出至該處理容器之外部之處理氣體的氣流；導電體，在高於該排氣流路中之該整流板的位置、且係低於載置於該載置台之該被處理基板的位置，配置成與該上部電極之至少局部相向，而相對於被處理基板之被處理面之高度方向的距離係設定在既定範圍內。 [發明之效果]
藉由本發明之各種層面及實施形態，可實現一種電漿處理裝置，其能提升被處理基板之蝕刻的面內均勻性。
本案說明書所揭露之電漿處理裝置，於1個實施形態，具有：處理容器；氣體供給部，對處理容器內供給處理氣體；載置台，設於處理容器內，載置被處理基板；上部電極，設於載置台上方；電漿產生部，藉由對上部電極及載置台中之至少任一方供給高頻電力，而在該處理容器內產生處理氣體的電漿；排氣流路，係藉由該處理容器之側壁及該載置台之側面所形成；整流板，具有導電性，設於該排氣流路，調整藉由該排氣流路而排出至該處理容器之外部之處理氣體的氣流；導電體，在高於該排氣流路中之該整流板的位置、且係低於載置於該載置台之該被處理基板的位置，配置成與該上部電極之至少局部相向，而相對於被處理基板之被處理面之高度方向的距離係設定在既定範圍內。
再者，所揭露之電漿處理裝置於1種實施形態，其導電體係設於排氣流路之處理容器的側壁側、及載置台的側面側中之至少任一方。
以下，將參照圖式，針對實施形態進行詳細說明。又，於各圖式中，對於相同或相當之部分，標註相同符號。
［電漿處理裝置的整體結構］ 首先，針對一實施形態之電漿處理裝置1的整體結構，參照圖1進行說明。圖1係顯示一實施形態之電漿處理裝置之縱剖面的圖。於本實施形態，舉平行平板型之電漿處理裝置1為例進行說明，該電漿處理裝置1係於處理容器10內部，將下部電極（載置台20）與上部電極25（噴淋頭）相向配置，並由上部電極25對處理容器10內部供給氣體。
如圖1所示，電漿處理裝置1具有氣體供給源15，對例如表面經防蝕鋁處理（陽極氧化處理）之鋁等的導電性材料所構成之處理容器10及處理容器10內供給氣體。處理容器10有施行接地。處理容器10係於內部區劃出電漿處理空間A。於處理容器10之內壁中與電漿處理空間A相向的部分，以例如矽或石英等氣化物109所包覆。處理容器10係處理容器之一例。氣體供給源15，在蝕刻、清洗等各電漿處理步驟，分別供給特定氣體。氣體供給源15係氣體供給部之一例。
處理容器10有施行電氣接地，於處理容器10內部具有載置晶圓W的載置台20。晶圓W係被處理基板之一例，可適用於平面顯示器基板等。載置台20係發揮下部電極的功能。於相向於載置台20之天井部，設有上部電極25。
於載置台20之頂面，設有用以靜電吸附晶圓W之靜電夾頭106。靜電夾頭106，係於絶緣體106b之間夾入夾頭電極106a之結構。於夾頭電極106a連接有直流電壓源112，藉由從直流電壓源112對夾頭電極106a施加直流電壓，而藉由庫倫力使晶圓W吸附在靜電夾頭106上。為了提高蝕刻之面內均勻性，於靜電夾頭106之周緣部，配置有例如由矽所構成之對焦環101。
載置台20係藉由例如鋁等導電體之電極（下部電極）104所支持。於下部電極104之內部，形成有冷媒流路104a。於冷媒流路104a，循環有例如冷却水等適當的冷媒，以冷却晶圓W。
傳熱氣體供給源85經由氣體供給管路130而對靜電夾頭106與晶圓W之間供給氦氣（He）或氬氣（Ar）等傳熱氣體。藉由該結構，靜電夾頭106就以循環於冷媒流路104a的冷却水、以及供給至晶圓W背面的傳熱氣體而控制溫度。
載置台20係隔著保持構件103而由支持構件105所支持。支持構件105係由絶緣體所構成，與處理容器10絶緣，使下部電極104處於浮動狀態。
第1高頻電源32透過第1匹配器33而與上部電極25電性連接。第2高頻電源35透過第2匹配器34而與下部電極104電性連接。第1高頻電源32對上部電極25供給例如60MHz之第1高頻電力。第2高頻電源35對下部電極104供給例如13.56MHz之第2高頻電力。再者，高頻電源之連接形態，除了上下兩部的形態以外，下部兩頻率的形態亦可，亦可係其他形態。
第1及第2匹配器33、34，分別係用以對第1及第2高頻電源32、35之內部（或輸出）阻抗進行負荷阻抗之匹配，在對處理容器10內產生電漿時，發揮使第1、第2高頻電源32、35之內部阻抗與負荷阻抗表面上一致的功能。
第1及第2高頻電源32、35，係對處理容器10施加電磁波能量的電源之一例。就對處理容器10施加電磁波能量的電源之其他例子而言，可舉微波電漿、電感耦合電漿（ICP：Inductively Coupled Plasma）。
上部電極25係透過被覆其周緣部之屏蔽環40而安裝於處理容器10的天井部。上部電極25有施行電氣接地。上部電極25之與電漿處理空間A相向之部分，係由矽、石英等氣化物100覆蓋。
於上部電極25，形成有用以由氣體供給源15導入氣體之氣體導入口45。再者，於上部電極25內部設有用以從氣體導入口45分岐並擴散氣體之中央側的擴散室50a及邊緣側的擴散室50b。
於上部電極25，形成有對處理容器10內供給來自擴散室50a、50b之氣體的多數氣體供給孔55。各氣體供給孔55係配置成可以對載置於下部電極之晶圓W與上部電極25之間供給氣體。
來自氣體供給源15之氣體係透過氣體導入口45而供給至擴散室50a、50b，在此擴散而分配至各氣體供給孔55，由氣體供給孔55朝向下部電極而導入至處理容器10內。藉由此種構成，上部電極25亦發揮供給氣體之氣體噴淋頭的功能。
於處理容器10之側壁102、與載置台20之側面之間，形成有環狀之排氣流路62。排氣流路62之內周面，係由含釔的熔射膜107所包覆。於排氣流路62，設有整流板（折流板）108。整流板（折流板）108係將藉由排氣流路62而排出至處理容器10之外部的處理氣體之氣流，加以調整。整流板（折流板）108係由金屬等具有導電性之材料所形成。於排氣流路62之底部，配設著形成排氣口61的排氣管60。排氣管60連接著排氣裝置65。排氣裝置65具有未圖示的真空泵，將處理容器10內之處理空間減壓至既定的真空度。
於排氣流路62中之處理容器10的側壁102及載置台20的側面，分別設有導電體201及導電體202。導電體201及導電體202係環狀地配置成與排氣流路62呈正交。導電體201及導電體202係藉由例如矽等導電體所形成。此外，亦可由聚矽、碳化矽（SiC）、玻璃狀碳等所形成。針對導電體201及導電體202之設置態樣，容待後述。
於處理容器10之側壁設有閘閥G。閘閥G係在將晶圓W搬入至處理容器10或從處理容器10搬出時，開閉搬出入口。
藉由此種結構的電漿處理裝置1，對晶圓W施作電漿處理。例如，於進行蝕刻處理的情況下，首先控制閘閥G之開閉，將晶圓W搬入至處理容器10，並藉由靜電吸附以載置於載置台20。接著，導入蝕刻用氣體，並對上部電極25供給第1高頻電力，對下部電極104供給第2高頻電力，以產生電漿。藉由所產生的電漿而對晶圓W施作電漿蝕刻等所要的處理。處理後，控制閘閥G之開閉，以將晶圓W從處理容器10搬出。
接著，針對圖1所示之導電體201及導電體202的設置態樣加以說明。圖2A係係顯示導電體之設置態樣一例的圖。如圖2A所示，導電體201及導電體202係在高於排氣流路62中之折流板108的位置、且係低於載置於載置台20之晶圓W的位置，配置成與上部電極25之至少局部相向。再者，導電體201與導電體202較佳係配置成在排氣流路62之中心區域重疊。具體而言，導電體201係設於處理容器10之側壁102，於高於折流板108之位置、且係低於載置於載置台20之晶圓W的位置，配置成與上部電極25之至少局部相向。在沿著相對於晶圓W之被處理面的高度方向上，導電體201與晶圓W之被處理面間的距離L1，較佳是例如1～70mm。距離L1係設定在能使導電體201發揮相對於上部電極25之接地電極之功能的範圍內。再者，導電體202係設於載置台20之側面，在高於折流板108之位置、且係低於載置於載置台20之晶圓W的位置，配置成與上部電極25之至少局部相向。在沿著相對於晶圓W之被處理面的高度方向上，導電體202與晶圓W之被處理面間的距離L2，較佳是例如15～85mm。距離L2係設定在能使導電體202發揮相對於上部電極25之接地電極之功能的範圍內。此外，在沿著相對於晶圓W之被處理面的高度方向上，導電體201與導電體202間的距離L3，較佳是例如20～40mm。
此外，導電體201與導電體202之配置，較佳係由相對於晶圓W之被處理面的高度方向觀察下，係局部重疊。藉此，就可以避免存在於排氣流路62的微粒侵入處理容器10的電漿處理空間A。導電體201和導電體202若是配置成局部重疊，則導電體201與導電體202之重複部分的寬度L4，相對於導電體201或導電體202的比例，較佳係設定為1.5～22.5％，設定為1.5～15％更佳。藉由在排氣流路62，將導電體201及導電體202配置於上述範圍內，可以均勻地將處理容器10內的氣體進行有效率之排出，並且可以一方面加大A／C比，一方面使產生在處理容器10內的電漿區域均勻地擴展，因此可以使對晶圓W所進行的處理，能均勻地處理。
又，於上述說明中，係以導電體201與導電體202之配置，係由相對於晶圓W之被處理面的高度方向觀察下為局部重疊的情形為例，然而導電體201與導電體202亦可不配置成局部重疊。
在此，針對導電體201及導電體202作為接地電極之功能，進行說明。
首先，作為比較例，針對排氣流路62不具有導電體之電漿處理裝置進行說明。圖3係顯示，於比較例之電漿處理裝置產生了電漿之狀態的圖。比較例的電漿處理裝置，係在排氣流路62不具有導電體這一點上，與本實施形態的電漿處理裝置1不同，而其他部分則皆與本實施形態的電漿處理裝置1相同。因此，於圖3係對於與本實施形態同樣的部位，標註相同符號，進行說明。
比較例的電漿處理裝置，於排氣流路62並不具有導電體。換言之，於排氣流路62，和上部電極25相向的電極較遠（乍看之下有如折流板即為對向電極，但其實並沒有作為對向電極之功能）。因此，如圖3所示，於處理容器10之內部產生電漿P的情況下，所產生之電漿P，會沿著設於排氣流路62之導電性折流板108的方向迴旋進來，而集中在載置於載置台20之晶圓W的中央部上方。其結果，對應晶圓W中央部的蝕刻率、與對晶圓W周緣部的蝕刻率間的差異，有時會有增大的情形，因此恐有導致晶圓W之蝕刻率均勻性降低之虞。
相對於此，針對本實施形態之電漿處理裝置1進行說明。圖4係顯示，於本實施形態之電漿處理裝置產生了電漿之狀態的圖。於本實施形態之電漿處理裝置1，導電體201及導電體202係配置成在高於排氣流路62之折流板108的位置、且係低於載置於載置台20之晶圓W的位置，與上部電極25之至少局部相向。例如將距離L1、L2、L3、L4，分別設定成30mm、66mm、30.5mm、6.5mm，而使導電體201及導電體202設定在具有作為相對於上部電極25之接地電極功能的範圍內，進行蝕刻處理。
如圖4所示，在處理容器10內部產生電漿P´之情況下，所產生之電漿P´，不會沿著設於排氣流路62之導電性折流板108的方向迴旋進來，而會向晶圓W中央部上方及導電體201與導電體202上方擴散。其結果，對應晶圓W中央部的蝕刻率、與對晶圓W周緣部的蝕刻率間的差異，得到抑制，因此會提升晶圓W的面內均勻性。
又，於圖2A係繪示導電體201係設於處理容器10之側壁102、且導電體202設於載置台20側面之例，但本揭露的技術並不限定於此。例如，亦可僅將導電體201設於處理容器10之側壁102，或者僅將導電體202設於載置台20之側面。一言以蔽之，導電體較佳係環狀地設置成在排氣流路62中之處理容器10的側壁102、及載置台20的側面中之至少任一方，而與排氣流路62之剖面呈正交。於圖2B繪示省略了導電體201，且導電體202僅設置在載置台20之側面的狀態，作為一例。
再者，由加大陽極／陰極比（A／C比）的觀點來看，導電體較佳係於排氣流路62中之處理容器10之側壁102、及載置台20之側面的雙方皆設置。若是越為增大相對於陰極側面積之陽極側面積，則A／C比越會增大。藉由於排氣流路62中之處理容器10之側壁102、及載置台20之側面的雙方皆設置導電體，表面上的陽極側面積會增大，A／C比會增大。藉此，對於作為陽極之處理容器10之側壁102的濺鍍力會減弱，就結果而言，可以抑制構件之消耗。
接著，針對本實施形態之電漿處理裝置的效果（蝕刻率），進行說明。圖5係顯示以既定之處理氣體蝕刻晶圓的有機膜之情況的蝕刻率的圖。
於圖5中，橫軸顯示以晶圓W的中心位置作為基準之情況下，晶圓W直徑方向的位置［mm］；縱軸顯示以既定的處理氣體蝕刻晶圓W的有機膜之情況下的蝕刻率［nm／min］。
再者，於圖5中，曲線252係使用排氣流路62不具有導電體之比較例的電漿處理裝置，蝕刻晶圓W之有機膜的情況下之蝕刻率的曲線。曲線254係使用排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面分別設有導電體201及導電體202之本實施形態的電漿處理裝置1，蝕刻晶圓W之有機膜的情況下之蝕刻率的曲線。又，於曲線254中，導電體201及導電體202係配置成距離L1、L2、L3、L4分別設定為30mm、66mm、30.5mm、6.5mm。曲線256係顯示使用排氣流路62之載置台20側面設有導電體202、且於處理容器10側壁102設有介電體以取代導電體201之本實施形態的電漿處理裝置1，蝕刻晶圓W之有機膜的情況下之蝕刻率的曲線。又，取代導電體201之介電體，係例如由石英等介電體所形成者。再者，於曲線256中，導電體201及介電體係配置成距離L1、L2、L3、L4分別設定為30mm、66mm、30.5mm、6.5mm。
如圖5之曲線252所示，於排氣流路62不具有導電體之比較例的電漿處理裝置，沿著晶圓W之直徑方向的蝕刻率平均値係25.9nm／min，相對於蝕刻率平均値的偏差係±23.8％。此蝕刻率平均値與偏差，皆不滿足預先制定之容許規格。
相對於此，如圖5之曲線254所示，排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面分別設有導電體201及導電體202之本實施形態的電漿處理裝置1，沿著晶圓W之直徑方向的蝕刻率平均値係23.9nm／min，相對於蝕刻率平均値的偏差係±17.9％。此蝕刻率平均値與偏差，皆滿足預先制定的容許規格。再者，如圖5之曲線256所示，於排氣流路62之載置台20側面設有導電體202、且於處理容器10側壁102設有介電體板以取代導電體201之本實施形態的電漿處理裝置1，沿著晶圓W之直徑方向之蝕刻率平均值係21.2nm／min，相對於蝕刻率平均値的偏差係±19.4％。此蝕刻率平均値與偏差，皆滿足預先制定之容許規格。亦即，於排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面中之至少任一方設有導電體之情況，與在排氣流路62不設置導電體的情況相較，晶圓W之蝕刻率均勻性有所提升。此推測係由於在排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面中之至少任一方設置導電體的情況下，藉由導電體作為接地電極之功能，而使電漿擴散至晶圓W的中央部上方及導電體201與導電體202的上方所致。
圖6係顯示以既定之處理氣體蝕刻晶圓的氧化膜之情況的蝕刻率的圖。於圖6中，橫軸顯示以晶圓W的中心位置作為基準之情況下，晶圓W直徑方向的位置［mm］；縱軸顯示以既定的處理氣體蝕刻晶圓W的氧化膜之情況下的蝕刻率［nm／min］。
再者，於圖6中，曲線262係使用排氣流路62不具有導電體之比較例的電漿處理裝置，蝕刻晶圓W之氧化膜的情況下之蝕刻率的曲線。曲線264係使用排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面分別設有導電體201及導電體202之本實施形態的電漿處理裝置1，蝕刻晶圓W之氧化膜的情況下之蝕刻率的曲線。又，於曲線264中，導電體201及導電體202係配置成距離L1、L2、L3、L4分別設定為30mm、66mm、30.5mm、6.5mm。曲線266係顯示使用處理容器10側壁102設有導電體201、且於載置台20側面設有介電體以取代導電體202之本實施形態的電漿處理裝置1，蝕刻晶圓W之氧化膜的情況下之蝕刻率的曲線。又，取代導電體202之介電體，係例如由石英等介電體所形成者。再者，於曲線266中，導電體201及介電體係配置成距離L1、L2、L3、L4分別設定為30mm、66mm、30.5mm、6.5mm。曲線268係顯示使用排氣流路62之載置台20側面設有導電體202、且於處理容器10側壁102設有介電體以取代導電體201之本實施形態的電漿處理裝置1，蝕刻晶圓W之氧化膜的情況下之蝕刻率的曲線。又，取代導電體201之介電體，係例如由石英等介電體所形成者。再者，在曲線268中，介電體及導電體202係配置成距離L1、L2、L3、L4分別設定為30mm、66mm、30.5mm、6.5mm。
如圖6之曲線262所示，在排氣流路62不具有導電體之比較例的電漿處理裝置，沿著晶圓W之直徑方向之蝕刻率平均值係66.1nm／min，相對於蝕刻率平均値之偏差係±10.9％。此蝕刻率平均値與偏差，皆不滿足預先制定之容許規格。
相對於此，如圖6的曲線264所示，在排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面分別設有導電體201及導電體202之本實施形態的電漿處理裝置1，沿著晶圓W之直徑方向之蝕刻率平均值係59.3nm／min，相對於蝕刻率平均値之偏差係±4.4％。此蝕刻率平均値與偏差，皆滿足預先制定之容許規格。再者，如圖6的曲線266所示，在處理容器10側壁102設有導電體201、且載置台20側面設有介電體板以取代導電體202之本實施形態的電漿處理裝置1，沿著晶圓Ｗ之直徑方向之蝕刻率平均值係59.7nm／min，相對於蝕刻率平均値之偏差係±7.3％。此蝕刻率平均値與偏差，皆滿足預先制定之容許規格。再者，如圖6的曲線268所示，在排氣流路62之載置台20側面設有導電體202、且處理容器10側壁102設有介電體板以取代導電體201之本實施形態的電漿處理裝置1，沿著晶圓W之直徑方向之蝕刻率平均值係58.6nm／min，相對於蝕刻率平均値之偏差係±5.8％。此蝕刻率平均値與偏差，皆滿足預先制定之容許規格。亦即，於排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面中之至少任一方設置導電體的情況，相較於在排氣流路62不設置導電體的情況，晶圓W之蝕刻率均勻性有所提升。此推測係由在排氣流路62之處理容器10側壁102及載置台20側面中之至少任一方設置導電體的情況下，藉由導電體作為接地電極之功能，而使電漿擴散至晶圓W的中央部上方及導電體201與導電體202的上方所致。
以上，於本實施形態之電漿處理裝置1，使導電體201及導電體202與上部電極25之至少局部相向地配置於排氣流路62，並使導電體在相對於晶圓W之被處理面的高度方向上的距離設定於既定範圍內。藉此，在處理容器10內部產生電漿P´之情況下，所產生之電漿P´，不會沿著設於排氣流路62之導電性折流板108的方向迴旋進來，而會向晶圓W中央部上方及導電體201與導電體202上方擴散。其結果，對應晶圓W中央部的蝕刻率、與對晶圓W周緣部的蝕刻率間的差異，得到抑制，因此會提升晶圓W的面內均勻性。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧處理容器
15‧‧‧氣體供給源
20‧‧‧下部電極（載置台）
25‧‧‧上部電極（噴淋頭）
32‧‧‧第1高頻電源
33‧‧‧第1匹配器
34‧‧‧第2匹配器
35‧‧‧第2高頻電源
40‧‧‧屏蔽環
45‧‧‧氣體導入口
50a‧‧‧中央側的擴散室
50b‧‧‧邊緣側的擴散室
55‧‧‧氣體供給孔
60‧‧‧排氣管
61‧‧‧排氣口
62‧‧‧排氣流路
65‧‧‧排氣裝置
85‧‧‧傳熱氣體供給源
100‧‧‧氣化物
101‧‧‧對焦環
102‧‧‧側壁
103‧‧‧保持構件
104‧‧‧電極（下部電極）
104a‧‧‧冷媒流路
105‧‧‧支持構件
106‧‧‧靜電夾頭
106a‧‧‧夾頭電極
106b‧‧‧絶緣體
107‧‧‧熔射膜
108‧‧‧整流板（折流板）
109‧‧‧氣化物
112‧‧‧直流電壓源
130‧‧‧氣體供給管路
201‧‧‧導電體
202‧‧‧導電體
252，254，256‧‧‧曲線
262，264，266，268‧‧‧曲線
A‧‧‧電漿處理空間
G‧‧‧閘閥
L1～L3‧‧‧距離
L4‧‧‧寬度（距離）
P，P´‧‧‧電漿
W‧‧‧晶圓
【圖1】圖1係顯示一實施形態之電漿處理裝置之縱剖面的圖。 【圖2A】圖2A係顯示導電體之設置態樣一例的圖。 【圖2B】圖2B係顯示導電體只設於載置台之側面之狀態的圖。 【圖3】圖3係顯示，於比較例之電漿處理裝置產生了電漿之狀態的圖。 【圖4】圖4係顯示，於本實施形態之電漿處理裝置產生了電漿之狀態的圖。 【圖5】圖5係顯示以既定之處理氣體蝕刻晶圓的有機膜之情況的蝕刻率的圖。 【圖6】圖6係顯示以既定之處理氣體蝕刻晶圓的氧化膜之情況的蝕刻率的圖。
無

Claims (7)

  1. 一種電漿處理裝置，包括：處理容器；氣體供給部，對該處理容器內供給處理氣體；載置台，設於該處理容器內，用來載置被處理基板；上部電極，設於該載置台上方；電漿產生部，藉由對該上部電極與該載置台中之至少任一方供給高頻電力，而在該處理容器內產生處理氣體的電漿；排氣流路，係藉由該處理容器之側壁及該載置台之側面所形成；整流板，具有導電性，設於該排氣流路，用來調整藉由該排氣流路而排出至該處理容器之外部之處理氣體的氣流；導電體，配置在高於該排氣流路中之該整流板的位置、且係低於載置於該載置台之該被處理基板的位置，且配置成與該上部電極之至少局部相向，而相對於該被處理基板之被處理面之高度方向的距離係設定在既定範圍內，該導電體具有：第1導電體，設在該處理容器的側壁側，並接地；以及第2導電體，設在該載置台的側面側，並接地；且將該第1導電體與該第2導電體配置成：由相對於該被處理基板之被處理面之高度方向觀察之情形下，一部分係重複。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，該第1導電體配置在高於該第2導電體之位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中，該第1導電體發揮相對於該上部電極之接地電極之功能，在沿著相對於該被處理基板之被處理面的高度方向上，該第1導電體與被處理基板之被處理面間的距離，係1~70mm之範圍內。
  4. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，其中，該第2導電體發揮相對於該上部電極之接地電極之功能，在沿著相對於該被處理基板之被處理面的高度方向上，該第2導電體與被處理基板之被處理面間的距離，係15~85mm之範圍內。
  5. 如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置，其中，在沿著相對於該被處理基板之被處理面的高度方向上，該第1導電體與該第2導電體間的距離，係20~40mm之範圍內。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電漿處理裝置，其中，該第1導電體與該第2導電體之重複部分的寬度，相對於該第1導電體或該第2導電體之寬度的比例，係1.5~22.5%之範圍內。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中，該第1導電體與該第2導電體之重複部分的寬度，相對於該第1導電體或該第2導電體之寬度的比例，係1.5~15%之範圍內。
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