JP2006270017A - プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ10に互いに対向して配置される上部電極34およびウエハ支持用の下部電極16を有し、上部電極34に相対的に周波数の高い第1の高周波電力を印加する第1の高周波電源48を接続し、下部電極16に相対的に周波数の低い第2の高周波電力を印加する第2の高周波電源90を接続し、上部電極34に可変直流電源50を接続し、チャンバ10内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。
【選択図】図1
Description
の圧力が高くかつ使用するエッチングガスが負性ガス(例えば、CxFy、O2など)の場合に、チャンバ中心部のプラズマ密度が低くなるが、このような場合にプラズマ密度をコントロールすることは困難である。
また、エッチストップ層としての下地SiC層に対して高いエッチング選択比でLow−k膜のエッチングを行なうことができるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
構成とすることができる。
000Wであることが好ましい。
まず、第1の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略断面図である。
図1の装置において、半導体ウエハをチャンバ内に装入してサセプタ上に載置し、BARC(有機反射防止膜)およびエッチング対象膜のエッチングを行った。BARCのエッチングの際には、第1の高周波電力を2500W、第2の高周波電力を2000Wとし、処理ガスとしてCH2F2、CHF3、Ar、O2を用いた。また、エッチング対象膜のエッチングの際には、第1の高周波電力を1500W、第2の高周波電力を4500Wとし、処理ガスとしてCH4F6、CF4、Ar、O2を用い、ホールのエッチングを行った。その際に、上部電極に印加する直流電圧を−800V、−1000V、−1200Vと変化させた。その際の電子密度(プラズマ密度)の径方向の分布を図9に示す。この図に示すように、−800Vから−1200Vへと直流電圧の絶対値が増加するほどセンターの電子密度が上昇し、プラズマ密度が均一になる傾向が見られる。この際の、センターとエッジにおけるエッチング形状を模式的に図10に示す。この図から、直流電圧が−800Vから−1000Vとなることによりエッチングの均一性が増加することがわかる。一方、−1000Vから−1200Vになることにより、電子密度の均一性は増加するが、センターにおいてエッチング性が高くなりすぎ、かえってエッチング均一性は低下する。このことから−1000Vがエッチングの均一性が最もよいことが確認された。いずれにしても、直流電圧を調整することにより、均一なエッチングを行うことができることがわかる。
図11は、第1の高周波電源48からプラズマ生成用の高周波電力(60MHz)のパワーを変えて上部電極34に印加した場合に、上部電極34の表面に発生する自己バイアス電圧Vdcと、上部電極34に印加する直流電圧との関係を示すグラフである。ここでは、チャンバ内圧力=2.7Pa、上部電極34に650W、1100Wまたは2200Wの高周波電力、下部電極としてのサセプタ16に2100Wの高周波電力を印加し、処理ガス流量 C4F6/Ar/O2=25/700/26mL/min、上下部電極間距離=25mm、バックプレッシャー(センター部/エッジ部)=1333/4666Pa、上部電極34の温度=60℃、チャンバ10側壁の温度=50℃、サセプタ16の温度=0℃の条件でプラズマを生成させ、上部電極34表面の自己バイアス電圧Vdcを測定した。
チャンバ内圧力=6.7Pa;
高周波電力(上部電極/下部電極)=400W/1500W;
処理ガス流量 C4F8/Ar/N2=6/1000/180mL/min;
上下部電極間距離=35mm;
処理時間=25〜35秒
バックプレッシャー(ヘリウムガス:センター部/エッジ部)=2000/5332Pa;
上部電極34の温度=60℃;
チャンバ10側壁の温度=60℃;
サセプタ16の温度=0℃
高周波電力(上部電極/下部電極)を800W/2500Wに変更した以外はエッチング条件1と同様とした。
また、ビア頂部のCD(Critical Dimension)の拡大を抑制しながら、エッチングレートを大きく改善できることも確認された。エッチングレートの向上とCDの制御(CD拡大の抑制)とは、従来のエッチング技術では両立させることが困難であったが、直流電圧を印加することにより、両者を両立させ得ることが示された。
表2は、エッチング条件1を基準に、上部電極34への高周波電力を変化させた場合のエッチング特性である。この表2から、上部電極34へ供給する高周波電力を大きくするとエッチングレートは向上するが、対SiC選択比は小さくなる傾向が示された。一方、この条件では、上部電極34へ供給する高周波電力の変化がCDに与える影響は少なく、また、対レジスト選択比は高周波パワー400Wが突出して優れていた。以上の結果から、上部電極34への高周波パワーとしては、概ね200〜800Wの範囲が好ましいことが示された。
チャンバ内圧力=26.7Pa;
高周波電力(上部電極/下部電極)=300W/1000W;
処理ガス流量 CF4/N2/Ar/CHF3=180/100/180/50mL/min;
上下部電極間距離=35mm;
処理時間=10秒
バックプレッシャー(センター部/エッジ部)=2000/5332Pa;
上部電極34の温度=60℃;
チャンバ10側壁の温度=60℃;
サセプタ16の温度=20℃
チャンバ内圧力=4.0Pa;
高周波電力(上部電極/下部電極)=1000W/1000W;
処理ガス流量 C4F8/N2/Ar=6/260/1000mL/min;
オーバーエッチ量:30%
上下部電極間距離=35mm
※他の条件は、上記メインエッチング条件と同様とした。
また、上記エッチング条件の下では、上部電極34に−900Vの直流電圧を印加することにより、対SiC選択比だけでなく、表6に示すように、対レジスト選択比も改善された。さらに、溝の幅に相当するCDを大きくせずに制御しながら、SiOC系膜302のエッチングレートを大幅に向上させることが可能であった。そして、エッチング後の溝を構成するラインの粗さ(ラインエッチングラフネス;LER)についても、大幅に低減することができた。
図34は、本発明の第2の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略断面図である。なお、図34において、図1と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
Lo=K・ln(b/ao) ‥‥‥(1)
ただし、Kは導波路の移動度および誘電率で決まる定数である。
Li=K・ln(b/ai) ‥‥‥(2)
Pmax/Eomax 2=ao2[ln(b/ao)]2/2Zo ‥‥(3)
ただし、Zoは整合器46側からみた当該同軸線路の入力インピーダンスであり、EomaxはRF伝送系の最大電界強度である。
16…サセプタ(下部電極)
34,34′…上部電極
44…給電棒
46,88…整合器
48…第1の高周波電源
50…可変直流電源
51…コントローラ
52…オン・オフスイッチ
66…処理ガス供給源
84…排気装置
90…第2の高周波電源
91…GNDブロック
W…半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (97)
- 被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、
処理容器内に対向して配置される第1電極および被処理基板を支持する第2電極と、
前記第1電極に相対的に周波数の高い第1の高周波電力を印加する第1の高周波電力印加ユニットと、
前記第2電極に相対的に周波数の低い第2の高周波電力を印加する第2の高周波電力印加ユニットと、
前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットと
前記直流電源から前記第1電極への印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを制御する制御装置と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記直流電源は、前記第1電極への印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが可変であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御装置は、前記直流電源から前記第1電極への直流電圧の印加可否を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 生成されたプラズマの状態を検出する検出器をさらに具備し、この検出器の情報に基づいて前記制御装置が前記直流電源から前記第1電極への印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを制御することを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加される第1の高周波電力の周波数は13.56MHz以上であることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加される第1の高周波電力の周波数は40MHz以上であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2電極に印加される第2の高周波電力の周波数は13.56MHz以下であることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記直流電源は、−2000〜+1000Vの範囲の電圧を印加することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記直流電源から印加される直流電圧の絶対値が500V以上であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記直流電圧は、前記第1電極に印加される第1の高周波電力によって該第1電極の表面に発生する自己バイアス電圧より絶対値が大きい負の電圧であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極の前記第2電極との対向面は、シリコン含有物質で形成されていることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加された前記直流電源からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材を前記処理容器内に設けることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第2電極の周囲に設置されることを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第1電極の近傍に配置されることを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、前記第1電極の外側にリング状に配置されることを特徴とする請求項15に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、プラズマ処理の際の飛翔物の付着を防止するための凹所を有していることを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材の一部を覆う保護板を有し、前記保護板を前記導電性部材に対して相対移動させる駆動機構により、前記導電性部材のプラズマに露出される部分が変化することを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材はその一部がプラズマに露出される円柱形状であり、前記導電性部材を円柱の軸を中心に回転させる駆動機構により、前記導電性部材のプラズマに露出される部分が変化することを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材の一部を覆いかつプラズマによりエッチングされ得る材質を有する段差形状の保護膜を有し、前記保護膜がエッチングされることにより、前記導電性部材のプラズマに露出される部分が変化することを特徴とする請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加された前記直流電源からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、全体制御装置からの指令に基づいて接地される導電性部材を前記処理容器内に設けることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第2電極の周囲に設置されることを特徴とする請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第1電極の近傍に配置されることを特徴とする請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、前記第1電極の外側にリング状に配置されることを特徴とする請求項23に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、プラズマ処理の際の飛翔物の付着を防止するための凹所を有していることを特徴とする請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、プラズマエッチング時に接地されることを特徴とする請求項21に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材には、直流電圧または交流電圧が印加可能となっており、全体制御装置からの指令に基づいて直流電圧または交流電圧が印加されることによりその表面がスパッタまたはエッチングされることを特徴とする請求項21から請求項26のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、クリーニング時に直流電圧または交流電圧が印加されることを特徴とする請求項27に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材の接続を、前記直流電源側と接地ラインとで切り替える切替機構をさらに具備し、前記切替機構により前記導電性部材を前記直流電源側に接続した際に、前記直流電源から前記導電性部材へ直流電圧または交流電圧が印加されることによりその表面がスパッタまたはエッチングされることを特徴とする請求項27に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材には負の直流電圧が印加可能となっていることを特徴とする請求項27に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内に、前記導電性部材に負の直流電圧が印加された際に前記処理容器内に流入した直流電子電流を排出するために、接地された導電性補助部材を設けることを特徴とする請求項30に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第1電極の近傍に配置され、前記導電性補助部材は、前記第2電極の周囲に設置されることを特徴とする請求項31に記載のプラズマ処理装置。
- 全体制御装置からの指令に基づいて、前記第1電極に供給された前記直流電源からの直流電流をプラズマを介して逃がすために接地される第1の状態、および前記直流電源から直流電圧が印加されてその表面がスパッタまたはエッチングされる第2の状態のいずれかをとる導電性部材を前記処理容器内に設け、前記直流電源の負極が前記第1電極に接続され、かつ前記導電性部材が接地ラインに接続される第1の接続と、前記直流電源の正極が前記第1電極に接続され、前記直流電源の負極が前記導電性部材に接続される第2の接続との間で切り替え可能であり、その切り替えにより、それぞれ前記第1の状態および前記第2の状態を形成可能な接続切替機構をさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の状態はプラズマエッチング時に形成され、前記第2の状態は前記導電性部材のクリーニング時に形成されることを特徴とする請求項33に記載のプラズマ処理装置。
- 被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、
処理容器内に対向して配置される第1電極および被処理基板を支持する第2電極と、
前記第1電極に相対的に周波数の高い第1の高周波電力を印加する第1の高周波電力印加ユニットと、
前記第2電極に相対的に周波数の低い第2の高周波電力を印加する第2の高周波電力印加ユニットと、
前記第1電極に直流電圧を印加する直流電源と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットと
前記直流電源から前記第1電極への印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを制御する制御装置と
を具備し、
前記第1電極は、内側電極と外側電極とに分割されており、前記第1の高周波電力は、前記内側電極と前記外側電極に分配されて印加され、前記直流電源はこれらのうち少なくとも一方に接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記直流電源は、前記内側電極と前記外側電極に印加する直流電圧をそれぞれ独立に変化させることが可能であることを特徴とする請求項35に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内側電極と前記外側電極には、それぞれ異なる直流電源から直流電圧が印加されることを特徴とする請求項36に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電源の一方の極を前記内側電極に接続し、他方の極を前記外側電極に接続することを特徴とする請求項35に記載のプラズマ処理装置。
- 前記直流電源は、前記第1電極への印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかが可変であることを特徴とする請求項35に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御装置は、前記直流電源から前記第1電極への直流電圧の印加可否を制御することを特徴とする請求項35に記載のプラズマ処理装置。
- 生成されたプラズマの状態を検出する検出器をさらに具備し、この検出器の情報に基づいて前記制御装置が前記直流電源から前記第1電極への印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを制御することを特徴とする請求項39に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であることを特徴とする請求項35から請求項41のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加される第1の高周波電力の周波数は13.56MHz以上であることを特徴とする請求項42に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加される第1の高周波電力の周波数は40MHz以上であることを特徴とする請求項43に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2電極に印加される第2の高周波電力の周波数は13.56MHz以下であることを特徴とする請求項42から請求項44のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記直流電源は、−2000〜+1000Vの範囲の電圧を印加することを特徴とする請求項35から請求項45のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記直流電源から印加される直流電圧の絶対値が500V以上であることを特徴とする請求項35から請求項46のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記直流電圧は、前記第1電極に印加される第1の高周波電力によって該第1電極の表面に発生する自己バイアス電圧より絶対値が大きい負の電圧であることを特徴とする請求項35から請求項47のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極の前記第2電極との対向面は、シリコン含有物質で形成されていることを特徴とする請求項35から請求項48のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加された前記直流電源からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材を前記処理容器内に設けることを特徴とする請求項35から請求項49のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第2電極の周囲に設置されることを特徴とする請求項50に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第1電極の近傍に配置されることを特徴とする請求項50に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、前記第1電極の外側にリング状に配置されることを特徴とする請求項52に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、プラズマ処理の際の飛翔物の付着を防止するための凹所を有していることを特徴とする請求項50に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材の一部を覆う保護板を有し、前記保護板を前記導電性部材に対して相対移動させる駆動機構により、前記導電性部材のプラズマに露出される部分が変化することを特徴とする請求項50に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材はその一部がプラズマに露出される円柱形状であり、前記導電性部材を円柱の軸を中心に回転させる駆動機構により、前記導電性部材のプラズマに露出される部分が変化することを特徴とする請求項50に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材の一部を覆いかつプラズマによりエッチングされ得る材質を有する段差形状の保護膜を有し、前記保護膜がエッチングされることにより、前記導電性部材のプラズマに露出される部分が変化することを特徴とする請求項50に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に印加された前記直流電源からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、全体制御装置からの指令に基づいて接地される導電性部材を前記処理容器内に設けることを特徴とする請求項35から請求項49のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第2電極の周囲に設置されることを特徴とする請求項58に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第1電極の近傍に配置されることを特徴とする請求項58に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、前記第1電極の外側にリング状に配置されることを特徴とする請求項60に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、プラズマ処理の際の飛翔物の付着を防止するための凹所を有していることを特徴とする請求項58に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、プラズマエッチング時に接地されることを特徴とする請求項58から請求項62のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材には、直流電圧または交流電圧が印加可能となっており、全体制御装置からの指令に基づいて直流電圧または交流電圧が印加されることによりその表面がスパッタまたはエッチングされることを特徴とする請求項58から請求項63のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材は、クリーニング時に直流電圧または交流電圧が印加されることを特徴とする請求項64に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材の接続を、前記直流電源側と接地ラインとで切り替える切替機構をさらに具備し、前記切替機構により前記導電性部材を前記直流電源側に接続した際に、前記直流電源から前記導電性部材へ直流電圧または交流電圧が印加されることによりその表面がスパッタまたはエッチングされることを特徴とする請求項64に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性部材には負の直流電圧が印加可能となっていることを特徴とする請求項64に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内に、前記導電性部材に負の直流電圧が印加された際に前記処理容器内に流入した直流電子電流を排出するために、接地された導電性補助部材を設けることを特徴とする請求項67に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であり、前記導電性部材は、前記第1電極の近傍に配置され、前記導電性補助部材は、前記第2電極の周囲に設置されることを特徴とする請求項68に記載のプラズマ処理装置。
- 全体制御装置からの指令に基づいて、前記第1電極に供給された前記直流電源からの直流電流をプラズマを介して逃がすために接地される第1の状態、および前記直流電源から直流電圧が印加されてその表面がスパッタまたはエッチングされる第2の状態のいずれかをとる導電性部材を前記処理容器内に設け、前記直流電源の負極が前記第1電極に接続され、かつ前記導電性部材が接地ラインに接続される第1の接続と、前記直流電源の正極が前記第1電極に接続され、前記直流電源の負極が前記導電性部材に接続される第2の接続との間で切り替え可能であり、その切り替えにより、それぞれ前記第1の状態および前記第2の状態を形成可能な接続切替機構をさらに具備することを特徴とする請求項35から請求項49のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の状態はプラズマエッチング時に形成され、前記第2の状態は前記導電性部材のクリーニング時に形成されることを特徴とする請求項70に記載のプラズマ処理装置。
- 処理容器内に、第1電極および被処理基板を支持する第2電極を対向して配置し、前記第1電極に相対的に周波数の高い第1の高周波電力を印加し、前記第2電極に相対的に周波数の低い第2の高周波電力を印加しながら、前記処理容器内に処理ガスを供給し、該処理ガスのプラズマを生成させて、前記第2電極に支持された被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記第1電極に直流電圧を印加する工程と、前記第1電極に直流電圧を印加しながら、前記被処理基板にプラズマ処理を施す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は下部電極であることを特徴とする請求項72に記載のプラズマ処理方法。
- 前記直流電圧は、前記第1電極に印加される第1の高周波電力によって該第1電極の表面に発生する自己バイアス電圧より絶対値が大きい負の電圧であることを特徴とする請求項72または請求項73に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1電極に印加される第1の高周波電力の周波数が13.56〜60MHzであり、前記下部電極に印加される第2の高周波電力の周波数が200kHz〜13.56MHz以下であることを特徴とする請求項72から請求項74のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理ガスが、フルオロカーボンを含むガスであることを特徴とする請求項72から請求項75のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記フルオロカーボンを含むガスが、少なくともC4F8を含むことを特徴とする請求項76に記載のプラズマ処理方法。
- 前記フルオロカーボンを含むガス中に、さらに不活性ガスを含むことを特徴とする請求項77に記載のプラズマ処理方法。
- 前記直流電圧の絶対値が、1500V以下であることを特徴とする請求項72から請求項78のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 処理圧力が、1.3〜26.7Paであることを特徴とする請求項72から請求項79のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1電極に印加される第1の高周波電力が3000W以下であることを特徴とする請求項72から請求項80のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2電極に印加される第2の高周波電力が100〜5000Wであることを特徴とする請求項72から請求項81のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2電極に支持された被処理基板へのプラズマ処理が被処理基板に設けられた絶縁膜のエッチングであることを特徴とする請求項72から請求項82のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記絶縁膜は有機系絶縁膜であることを特徴とする請求項83に記載のプラズマ処理方法。
- 前記有機系絶縁膜が、SiOC系膜であることを特徴とする請求項84に記載のプラズマ処理方法。
- 前記SiOC系膜の下地膜が、炭化珪素(SiC)により形成されることを特徴とする請求項85に記載のプラズマ処理方法。
- 前記絶縁膜をエッチングする際、前記処理ガスが、C4F8とN2とArの混合ガスであり、その流量比が、C4F8/N2/Ar=4〜20/100〜500/500〜1500mL/minであることを特徴とする請求項83から請求項86のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記絶縁膜をエッチングする際に、オーバーエッチングステップに適用されるものである請求項83から請求項87のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記絶縁膜をエッチングする際、前記絶縁膜の下地膜との選択比を大きくするために、前記処理ガスとして、C5F8、Ar、N2の組み合わせを使用することを特徴とする請求項83から請求項86のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記絶縁膜をエッチングする際、前記絶縁膜のマスクとの選択比を大きくするために、前記処理ガスとして、CF4、またはC4F8、CF4、Ar、N2、O2の組み合わせを使用することを特徴とする請求項83から請求項86のずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記絶縁膜をエッチングする際、前記絶縁膜のエッチング速度を大きくするために、前記処理ガスとして、C4F6、CF4、Ar、O2、およびC4F6、C3F8、Ar、O2、およびC4F6、CH2F2、Ar、O2のいずれかの組み合わせを使用することを特徴とする請求項83から請求項86のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 処理容器内に、第1電極および被処理基板を支持する第2電極を対向して配置し、内側電極と外側電極とに分割された前記第1電極に相対的に周波数の高い第1の高周波電力を印加し、前記第2電極に相対的に周波数の低い第2の高周波電力を印加しながら、前記処理容器内に処理ガスを供給し、該処理ガスのプラズマを生成させて、前記第2電極に支持された被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記内側電極と前記外側電極の少なくとも一方に直流電圧を印加する工程と、
前記第1電極に直流電圧を印加しながら、前記被処理基板にプラズマ処理を施す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記第2電極に支持された被処理基板の絶縁膜をエッチングする際、前記絶縁膜の下地膜との選択比を大きくするために、前記処理ガスとして、C5F8、Ar、N2の組み合わせを使用することを特徴とする請求項92に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2電極に支持された被処理基板の絶縁膜をエッチングする際、前記絶縁膜のマスクとの選択比を大きくするために、前記処理ガスとして、CF4、またはC4F8、CF4、Ar、N2、O2の組み合わせを使用することを特徴とする請求項92に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2電極に支持された被処理基板の絶縁膜をエッチングする際、前記絶縁膜のエッチング速度を大きくするために、前記処理ガスとして、C4F6、CF4、Ar、O2、およびC4F6、C3F8、Ar、O2、およびC4F6、CH2F2、Ar、O2のいずれかの組み合わせを使用することを特徴とする請求項92に記載のプラズマ処理方法。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項72から請求項91のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法が行われるように、プラズマ処理装置を制御することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項92から請求項95のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法が行われるように、プラズマ処理装置を制御することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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