JP2018129330A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
また、処理後に膜の特性を変化させるプラズマ処理が行われている。例えば、特許文献2に記載の技術が有る。
以下、本開示の一実施形態を図面に即して説明する。
まず、本開示の一実施形態に係る基板処理装置について説明する。
処理空間201(上部容器202a)には、処理空間201の雰囲気を排気する第1排気部としての第1排気口262が設けられている。第1排気口262には排気管224が接続されており、排気管224には、処理空間201内を所定の圧力に制御するAPC(Auto Pressure Controller)等の圧力調整器227と真空ポンプ223が順に直列に接続されている。主に、第1排気口262、排気管224、圧力調整器227により第一の排気系(排気ライン)が構成される。なお、真空ポンプ223も第一の排気系の構成としても良い。また、移載室203の内壁側面には、移載室203の雰囲気を排気する第2排気口1481が設けられている。また、第2排気口1481には排気管1482が設けられている。排気管1482には、移載室203内を所定の圧力に制御するAPC等の圧力調整器228と真空ポンプ229が順に直列に接続されている。主に、第2排気口1482、排気管1482、圧力調整器228により第二の排気系(排気ライン)が構成される。なお、真空ポンプ229も第二の排気系の構成としても良い。なお、ポンプ229は、上述の真空ポンプ223と共通に構成しても良い。
処理空間201の上部には、処理空間201内に各種ガスを供給するためのガス導入口241が設けられている。処理ガス供給部の一構成であるガス導入口241に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。
プラズマ生成容器202cの外側には、活性化部としての電極234が設けられている。電極234は、誘導結合型のプラズマ260を生成可能に構成される。具体的には、アンテナであって、コイルで構成される。なお、コイル長は、好ましくは、(λ/4)×n(λ:供給される低周波の波長、n:偶数)とならない長さで形成される。この長さは、コイルと処理空間201の少なくともいずれかに定在波が生じ難い長さである。好ましくは、(λ/4)×nよりも短い長さである。この様に構成することで、プラズマの局所的な集中によって生じるプラズマ密度分布の不均一性を解消させることができる。電極234には、フィード線235を介して絶縁部236が接続されている。絶縁部236は、低周波電源部252の基準電位(アース)と絶縁するための構造物である。絶縁部236は、例えば絶縁トランスで構成される。絶縁部236には、電力供給部としての整合器251と低周波電源部252が接続されている。低周波電源部252、整合器251、絶縁部236を介して電極234に電磁波(低周波電力)が供給可能に構成されている。これにより、処理空間201内に供給されたガスを活性化(プラズマ化)させることができる。活性化部は、少なくとも電極部234で構成される。ここで、低周波電力とは、0.1MHz以上2MHz以下の周波数の電力である。
ガス導入口241には、ガス供給管150が接続されている。ガス供給管150からは、後述の第1ガス、第2ガス、パージガスが供給される。なお、処理ガス供給部は、ガス導入口241と、後述の第1ガス供給部,第2ガス供給部,不活性ガス供給部の少なくともいずれかで構成される。
第1ガス供給部には、第1ガス供給管113a、マスフロ―コントローラ(MFC)115、バルブ116が設けられている。なお、第1ガス供給管113aに接続される第1ガス供給源113を第1ガス供給部に含めて構成しても良い。また、第1処理ガスの原料が液体や固体の場合には、気化器180aが設けられていても良い。なお、第1処理ガスは、改質ガス(トリートメントガスとも呼ぶ)が用いられる。改質ガスは、例えば、窒素(N)、酸素(O)、水素(H)、炭素(C)、臭素(B)の少なくとも何れかを含むガスである。具体的には、窒素(N2)ガス、亜酸化窒素(NO)ガス、アンモニア(NH3)ガス、等が有る。以下では、第1処理ガスとしてNH3ガスを用いる例を記す。
第2ガス供給部には、第2ガス供給管123a、MFC125、バルブ126が設けられている。なお、第2ガス供給管123aに接続される第2ガス供給源123を第2ガス供給部に含めて構成しても良い。また、処理ガスの原料が液体や固体の場合には、気化器180bが設けられていても良い。なお、第2処理ガスは、成膜に用いるガスが用いられる。例えば、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、チタニウム(Ti)、ゲルマニウム(Ge)の少なくとも何れかを含むガスである。例えば、アミノシラン系のガスが有る。アミノシラン系ガスとして、具体的には以下が有る。ブチルアミノシラン(BAS)ガス、ビスターシャリブチルアミノシラン(BTBAS)ガス、ジメチルアミノシラン(DMAS)ガス、ビスジメチルアミノシラン(BDMAS)ガス、トリスジメチルアミノシラン(3DMAS)ガス、ジエチルアミノシラン(DEAS)ガス、ビスジエチルアミノシラン(BDEAS)ガス、ジプロピルアミノシラン(DPAS)ガス、ジイソプロピルアミノシラン(DIPAS)ガス。
不活性ガス供給部には、不活性ガス供給管133a、MFC135、バルブ136が設けられている。なお、不活性ガス供給管133aに接続される不活性ガス供給源133を不活性ガス供給部に含めて構成しても良い。
次に、図3を用いてコントローラ280の詳細を説明する。基板処理装置100は、基板処理装置100の各部の動作を制御するコントローラ280を有している。
次に、半導体装置(半導体デバイス)の製造工程の一工程として、基板(ウエハ200)上に形成された絶縁膜を改質するフローとシーケンス例について説明する。なお、ここで絶縁膜としては、例えば、シリコン含有層が形成されている。シリコン含有層は、例えば、シリコンと窒素、不純物を含む層である。また、この製造工程の一工程は、上述の基板処理装置で行われる。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
成膜処理に際しては、先ず、ウエハ200を処理空間201に搬入させる。具体的には、基板支持部210を昇降部218によって下降させ、リフトピン207が貫通孔214から基板支持部210の上面側に突出させた状態にする。また、処理空間201内や移載室203を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ1490を開放し、ゲートバルブ1490からリフトピン207上にウエハ200を載置させる。ウエハ200をリフトピン207上に載置させた後、ゲートバルブ1490を閉じ、昇降部218によって基板支持部210を所定の位置まで上昇させることによって、ウエハ200が、リフトピン207から基板支持部210へ載置されるようになる。
続いて、処理空間201内が所定の圧力(真空度)となるように、排気管224を介して処理空間201内を排気する。この際、圧力センサ(不図示)が計測した圧力値に基づき、圧力調整器227の弁開度をフィードバック制御する。また、温度センサ(不図示)が検出した温度値に基づき、処理空間201内が所定の温度となるようにヒータ213への通電量をフィードバック制御する。具体的には、基板支持部210をヒータ213により予め加熱しておき、ウエハ200又は基板支持部210の温度変化が無くなってから一定時間置く。
続いて、第1処理として、ウエハ200上に形成されたシリコン含有層をトリートメント処理(改質処理とも呼ぶ)する例について説明する。第1処理工程S301の詳細について、図4、図5、図6、図7、図8を用いて説明する。図4は、基板処理工程のフロー図である。図5,図6,図7は、プラズマ生成例と、各インピーダンス制御部の制御関係を示す図である。図8は、プラズマの設定に対する各インピーダンス制御部の設定値を示すテーブル例である。
先ず、ウエハ200又は支持電極(サセプタ電極とも呼ぶ)256近傍のプラズマ状態を調整する第1インピーダンス調整工程S203が行われる。具体的には、図8に示す、インピーダンス設定テーブルの第1設定、第2設定、第3設定の何れかの設定を読み出す。インピーダンス設定テーブルは、例えば、記憶装置280cに記録されている。コントローラ280は、読み出されたインピーダンスの設定を各インピーダンス制御部に送信する。各インピーダンス制御部は、以下の様にインピーダンス調整を行う。第1インピーダンス制御部258は、上部電極231と第1電位部271との間のインピーダンスを調整する。第2インピーダンス制御部257は、支持電極256と第2電位部272との間のインピーダンスを調整する。第3インピーダンス制御部259は、電極234と第3電位部との間のインピーダンスを調整する。なお、各電極と各インピーダンス制御部との間に、切替部264,265,266が設けられている場合は、コントローラ280は、切替部264,265,266のON/OFFを設定する。なお、工程S203は、S202の後に行う例を示したが、これに限らず、S201の工程の後から後述の第1プラズマ生成工程までの間に行えば良い。
第1ガス供給工程S204では、第1ガス供給部から処理空間201内に第1処理ガスとしてNH3ガスを供給する。具体的には、第1ガス供給源113から供給されたNH3ガスをMFC115で流量調整した後、基板処理装置100に供給する。流量調整されたNH3ガスは、ガス導入口241から、減圧状態の処理空間201内に供給される。また、排気系による処理空間201内の排気を継続し処理空間201内の圧力を所定の圧力範囲(第1圧力)となるように制御する。このとき、ウエハ200に対してNH3ガスが供給されることとなる。NH3ガスは、所定の流量(例えば100〜20000sccm)または、所定の圧力(例えば10Pa以上1000Pa以下)で処理空間201内に供給する。このようにして、ウエハ200にNH3ガスを供給する。
処理空間201またはウエハ200にNH3ガスが供給された状態で、電力供給部(整合器251、低周波電源部252)から電極234に低周波電力を供給する。電極234に低周波電力が供給されることにより、処理空間201内に、NH3ガスのプラズマ260が生成される。電極234には、所定の電力(例えば、50W以上10000W以下)が供給される。この様な低周波電力を供給することで、表皮効果が薄れる。言い換えるとプラズマ生成容器202cの壁側へのプラズマの集中を抑制できる。この結果、処理空間201内で、ウエハ200と水平方向のプラズマ密度を均一化させることができる。
(第1設定の場合)
インピーダンスの設定が、第1設定に設定されている場合、プラズマは図5に示す様に、処理空間201の上部に引き寄せられた状態の第1プラズマ260aが生成される。これは、上部電極231から第1電位部271の経路のインピーダンスが小さく、低周波電源部252の出力する低周波電力が電極234と第1プラズマ260aを介して上部電極231の方に流れ易くなっていることで生じる。この第1プラズマ260aの状態でウエハ200を処理することにより、ウエハ200に到達するイオン量を低減させることができ、ウエハ200上に形成されたデバイス(構造体、凹凸構造とも呼ぶ)に対して、比較的等方性の処理を施すことができる。
インピーダンスの設定が、第2設定に設定されている場合、プラズマは図6に示す様に、支持電極256に引き寄せられた状態の第2プラズマ260bが生成される。これは、上部電極231から第1電位部271の経路のインピーダンスと支持電極256から第2電位部272の経路のインピーダンスの値が近く、低周波電源部252の出力する低周波電力が、電極234と第1プラズマ260bを介して上部電極231と支持電極256の両方に流れることで生じる。なお、第2設定では、電子の全てが支持電極256に流れ込むのではなく、一部は、上部電極231にも流れている。この第2プラズマ260bの状態でウエハ200を処理することにより、ウエハ200に形成された膜の一層程度を均一に改質させる処理が可能となる。
インピーダンスの設定が、第3設定に設定されている場合、プラズマは図7に示す様に、支持電極256に引き寄せられ、ウエハ200に接近した状態の第3プラズマ260cが生成される。これは、支持電極256から第2電位部272の経路のインピーダンスが小さく、低周波電源部252の出力する低周波電力がアンテナ234と第3プラズマ260cを介して支持電極256の方に流れ易くなっていることで生じる。なお、支持電極256近傍のプラズマ密度は、第2設定よりも高くなる。この第3プラズマ260cの状態でウエハ200を処理することにより、ウエハ200に形成された膜の改質レートを向上させることができる。
ウエハ200上のシリコン含有層が改質された後、第1ガス供給管113aのガスバルブ116を閉じ、NH3ガスの供給を停止する。第1ガスを停止することで、処理空間201中に存在する第1ガスを第1の排気部から排気されることによりパージ工程S206が行われる。
パージ工程S206の終了後、コントローラ280は、上記の第1処理工程S301(S203〜S206)に加えて他の処理を行う必要が有るかを判定しても良い。即ち、ウエハ200上に形成された膜や構造体の改質が終了したか否かを判定しても良い。
続いて、ウエハ200に第2処理を施す例について説明する。
第2処理に際しては、先ず、各インピーダンス制御部のインピーダンスを調整する。S403では、第1インピーダンス調整工程S203とは異なるインピーダンス設定に調整される。具体的には、S203で、第1設定に調整されている場合は、第2設定または第3設定に調整される。ここでは、第1処理工程S301で第1設定に調整され、第2処理工程S401で第2設定に調整された場合について説明する。第2インピーダンスに調整後、処理ガス供給工程S404、第2プラズマ生成工程S405、パージ工程S406が行われる。ここで行われる処理ガス供給工程S404とパージ工程S406は、上述の処理ガス供給工程S204とパージ工程S206と同様であるため説明を省略する。
上述の第1プラズマ生成工程S205と同様に電極234に低周波電力が供給されることにより、処理空間201内に、NH3ガスのプラズマが生成される。このとき、プラズマは、上述の様に第2プラズマ260bが生成される。
第2判定工程S407では、第1判定工程S207の様に他の処理を行う必要が有るかが判定される。他の処理を行う場合(Yes判定のとき)は、第3処理工程S501を行わせる。他の処理を行わない場合(No判定のとき)は、第2処理工程S401を終了し、搬送圧力調整工程S209と基板搬出工程S210を実行させる。
続いて、ウエハ200に第3処理を施す例について説明する。
第3処理に際しては、先ず、各インピーダンス制御部のインピーダンスを調整する。S503では、第1インピーダンス調整工程S203と第2インピーダンス調整工程S403とは異なるインピーダンス設定に調整される。具体的には、S203で第1設定に調整され、S403で第2設定に調整されている場合は、第3設定に調整される。ここでは、S301で第1設定に調整され、S403で第2設定に調整され、S503で第3設定に調整された場合について説明する。第3インピーダンスに調整後、処理ガス供給工程S504、第3プラズマ生成工程S505、パージ工程S506が行われる。ここで行われる処理ガス供給工程S504とパージ工程S506は、上述の処理ガス供給工程S204とパージ工程S206と同様であるため説明を省略する。
上述の第1プラズマ生成工程S205や、第2プラズマ生成工程S405と同様に電極234に低周波電力が供給されることにより、処理空間201内に、NH3ガスのプラズマが生成される。このとき、プラズマは、上述の様に第3プラズマ260cが生成される。
次に、搬送圧力調整工程S209について説明する。搬送圧力調整工程S209では、処理空間201内や移載室203が所定の圧力(真空度)となるように、第1排気口262と第2排気口1481のいずれかまたは両方で排気する。
搬送圧力調整工程S209で処理空間201と移載室203内が所定圧力になった後、基板支持部210を昇降部218によって下降させ、リフトピン207が貫通孔214から基板支持部210の上面側に突出させた状態にする。即ち、ウエハ200がリフタピン207に支持された状態とする。その後、ゲートバルブ1490を開き、移載室203から搬送モジュール(不図示)にウエハ200を搬出する。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理容器
212 基板載置台
213 ヒータ
262 第1排気口
234 電極
280 コントローラ
Claims (10)
- 基板が収容される処理容器と、
前記処理容器内で前記基板を支持し、支持電極を有する基板支持部と、
前記基板支持部と対向する上部電極と、
前記上部電極に一端が接続された第1インピーダンス制御部と、
前記支持電極に一端が接続された第2インピーダンス制御部と、
前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器の外側であって、絶縁部を介して電力供給部に接続され、前記処理ガスを活性化させる活性化部と、
前記絶縁部と前記活性化部との間に一端が接続された第3インピーダンス制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記第1インピーダンス制御部の他端に接続され、アース電位とは異なる電位の第1電位部と、
前記第2インピーダンス制御部の他端に接続され、アース電位とは異なる電位の第2電位部と、
前記第3インピーダンス制御部の他端に接続され、アース電位とは異なる電位の第3電位部と、
を有する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1電位部と前記第2電位部と前記第3電位部が接続される共通電位部と、
を有する請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第1インピーダンス制御部の第1インピーダンスと前記第2インピーダンス制御部の第2インピーダンスと前記第3インピーダンス制御部の第3インピーダンスと前記電力供給部の電力を設定する制御部と、
を有する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第2インピーダンスを前記第1インピーダンスと前記第3インピーダンスよりも大きくした第1設定に設定後、前記活性化部に電力を供給して、前記第1処理ガスを活性化させるように前記各部を制御させる、
請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1インピーダンスと前記第2インピーダンスとを前記第3インピーダンスよりも大きくした第2設定に設定後、前記活性化部に電力を供給して、前記第1処理ガスを活性化させるように前記各部を制御させる、
請求項4または5に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1インピーダンスを前記第2インピーダンスと前記第3インピーダンスよりも大きくした第3設定に設定後、前記活性化部に電力を供給して、前記第1処理ガスを活性化させるように前記各部を制御させる、
請求項4乃至6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1設定で前記基板を第1処理した後で、前記第2設定での第2処理または前記第3設定での第3処理を行わせる請求項7に記載の基板処理装置。
- 基板を処理容器に収容する工程と、
前記基板と対向する上部電極の第1インピーダンスを調整する工程と、
前記基板を支持する基板支持部に設けられた支持電極の第2インピーダンスを調整する工程と、
前記処理容器の外側に設けられた活性化部の第3インピーダンスを調整する工程と、
前記基板に処理ガスを供給する工程と、
前記各インピーダンスを調整した後に、前記活性化部に電力を供給して前記処理ガスを活性化させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理容器に収容させる手順と、
前記基板と対向する上部電極の第1インピーダンスを調整させる手順と、
前記基板を支持する基板支持部に設けられた支持電極の第2インピーダンスを調整させる手順と、
前記処理容器の外側に設けられた活性化部の第3インピーダンスを調整させる手順と、
前記基板に処理ガスを供給させる手順と、
前記各インピーダンスを調整した後に、前記活性化部に電力を供給して前記処理ガスを活性化させる手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
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US10541137B2 (en) * | 2018-06-01 | 2020-01-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for non line-of-sight doping |
US20210375650A1 (en) * | 2020-06-01 | 2021-12-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature and vacuum isolation processing mini-environments |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206072A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-08-13 | Applied Materials Inc | 誘導rf結合を用いたプラズマ加工装置とその方法 |
JPH09106979A (ja) * | 1995-06-07 | 1997-04-22 | Applied Materials Inc | 容量結合低減のためのフローティングコイルアンテナを有する誘導結合rfプラズマリアクタ |
JP2002043304A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-02-08 | Applied Materials Inc | プラズマ処理方法及び装置並びに成膜方法 |
JP2003273035A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-09-26 | Alps Electric Co Ltd | プラズマ処理装置及びその駆動方法並びにプラズマ処理方法 |
JP2005167283A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2006270017A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2016176129A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP2017017274A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理システム及び基板処理装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5556501A (en) | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
US6444137B1 (en) | 1990-07-31 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Method for processing substrates using gaseous silicon scavenger |
TW200300649A (en) | 2001-11-27 | 2003-06-01 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus, its driving method, matching circuit design system, and plasma processing method |
KR100786537B1 (ko) | 2006-03-29 | 2007-12-18 | 장근구 | 반도체 기판 공정 챔버에 사용되는 다중 플라즈마 발생소스 |
JP2012193457A (ja) | 2009-06-10 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
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JP2013084918A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-05-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206072A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-08-13 | Applied Materials Inc | 誘導rf結合を用いたプラズマ加工装置とその方法 |
JPH09106979A (ja) * | 1995-06-07 | 1997-04-22 | Applied Materials Inc | 容量結合低減のためのフローティングコイルアンテナを有する誘導結合rfプラズマリアクタ |
JP2002043304A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-02-08 | Applied Materials Inc | プラズマ処理方法及び装置並びに成膜方法 |
JP2005167283A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2003273035A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-09-26 | Alps Electric Co Ltd | プラズマ処理装置及びその駆動方法並びにプラズマ処理方法 |
JP2006270017A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2016176129A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP2017017274A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理システム及び基板処理装置 |
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