TWI452608B - 光阻塗布顯影裝置、基板運送方法、介面裝置 - Google Patents

光阻塗布顯影裝置、基板運送方法、介面裝置 Download PDF

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Description

光阻塗布顯影裝置、基板運送方法、介面裝置
本發明係關於在基板上形成光阻膜，對藉由曝光裝置經曝光之光阻膜進行顯影之光阻塗布顯影裝置，特別是關於適合與在真空下使光阻膜曝光之曝光裝置一併使用之光阻塗布顯影裝置，及該光阻塗布顯影裝置中之基板運送方法。
伴隨著半導體元件更為微細化，業界要求實現約20nm以下之線寬。為實現如此之線寬，使用極紫外線光(以下稱EUV光)為曝光光線之EUV曝光裝置，或使用電子束之電子束曝光裝置之研發正在進展中。EUV曝光裝置中EUV光無法在大氣中透射，故在真空下對光阻膜進行曝光。且電子束曝光裝置中係自電子槍發射電子束，故可在真空下對光阻膜進行曝光。另一方面，對晶圓塗布光阻或進行顯影係在大氣壓下進行，故在光阻塗布顯影裝置與曝光裝置之間作為介面之真空預備機構係不可或缺者(例如專利文獻1)。
<先前技術文獻>
<專利文獻>
<專利文獻1>日本特開2008-34739號公報
又，藉由曝光形成線寬在約20nm以下之光阻圖案時，因晶圓熱膨脹導致圖案重疊偏移之影響逐漸增大，故維持曝光中之晶圓於一定溫度之必要性逐漸升高。因此，於EUV曝光裝置或EB曝光裝置設有溫度調節裝置，嚴密調整晶圓溫度於例如23±0.02℃。
另一方面，就提升處理能力之觀點而言，需迅速調整晶圓溫度，為此，業界要求將晶圓送入曝光裝置前於光阻塗布顯影裝置中亦可調整晶圓溫度。
為因應該要求，本案發明人等檢討關於光阻塗布顯影裝置中晶圓之溫度調整時，得知於光阻塗布顯影裝置中即使嚴密調整晶圓溫度，因於上述真空預備裝置減壓時造成之隔熱冷卻，晶圓溫度亦會大幅降低，光阻塗布顯影裝置中溫度調整並無意義。
以下參照本案發明人等於完成本發明之過程中進行之實驗結果並同時說明關於晶圓溫度降低至何種程度。圖1顯示真空預備裝置中晶圓溫度之變化。具體而言，為進行此實驗，於真空預備裝置內配置恒溫板，預先調整恒溫板溫度於30℃。又，於該真空預備裝置內載置預先調整溫度至23℃之附有溫度計測感測器之晶圓(以下稱測試晶圓)，使真空預備室內減壓，並同時記錄測試晶圓溫度之時間變化。該實驗中，於圖中箭頭A1之時點載置測試晶圓於加熱板，使測試晶圓溫度昇溫至28℃，再於圖中箭頭A2之時點開始減壓。
由圖1可知，真空預備裝置一旦減壓，測試晶圓溫度即開始急劇降低。具體而言，於約40秒期間內測試晶圓溫度竟降低約15℃。其後雖欲嘗試藉由加熱板調整測試晶圓溫度至23℃，但即使在自減壓開始(箭頭A2之時點)起約經過4分鐘之箭頭A3之時點亦未回到23℃。
且已知測試晶圓溫度於送入時點(箭頭A1)在面內雖收斂於±0.4℃之範圍內，但於溫度最低之時點則呈現±約1℃之大幅差異(圖1中之複數曲線雖顯示於測試晶圓內各測定點之溫度變化，但關於具體之測定點則省略說明)。為將如此溫度變化，溫度呈現差異之晶圓送入曝光裝置，嚴密調整溫度需消耗長時間，而成為處理能力降低之要因。
鑑於上述問題，本發明提供一種光阻塗布顯影裝置及光阻塗布顯影方法，以及介面裝置，於經由真空預備裝置自光阻塗布顯影裝置運送晶圓至曝光裝置時，可減少晶圓溫度變化。
本發明之第1態樣提供一種光阻塗布顯影裝置，於基板上形成光阻膜，使經曝光之該光阻膜顯影。該光阻塗布顯影裝置包含：光阻膜形成部，於基板上形成光阻膜；加熱處理部，對於在該光阻膜形成部形成該光阻膜之該基板進行加熱；冷卻部，將在該加熱處理部被加熱且形成有該光阻膜之該基板加以冷卻至常溫；加熱部，對於在該冷卻部被冷卻至常溫之該基板進行加熱至既定溫度；真空預備室，為使該光阻膜曝光，而在減壓下送出該基板；及運送部，將該基板由該加熱部運送至該真空預備室。
本發明之第2態樣提供一種介面裝置，設於在基板上形成光阻膜，使經曝光之該光阻膜顯影之光阻塗布顯影裝置，與在減壓下使光阻膜曝光之曝光裝置之間。該介面裝置包含：加熱部，對於在該光阻塗布顯影裝置中形成該光阻膜，再經加熱後冷卻至常溫之該基板，進行加熱至既定溫度；真空預備室，為使該光阻膜曝光，而在減壓下送出該基板；及運送部，將該基板由該加熱部運送至該真空預備室。
本發明第3態樣提供一種基板運送方法，自於基板上形成光阻膜，使經曝光之該光阻膜顯影之光阻塗布顯影裝置朝在減壓下使光阻膜曝光之曝光裝置運送形成該光阻膜之該基板。該基板運送方法包含下列步驟：在該光阻塗布顯影裝置中對形成有該光阻膜之該基板進行加熱；將在該加熱處理部中經加熱之形成有該光阻膜之該基板冷卻至常溫；對在該冷卻步驟中冷卻至常溫之該基板進行加熱至既定溫度；及在減壓下，將該基板自該加熱部朝向配置於使光阻膜曝光之曝光裝置與該光阻塗布顯影裝置之間的真空預備室運送。
依本發明實施形態可提供一種光阻塗布顯影裝置及光阻塗布顯影方法，以及介面裝置，經由真空預備裝置自光阻塗布顯影裝置運送晶圓至曝光裝置時，減少晶圓溫度變化。
以下參照附圖並同時說明關於本發明未受限定之例示實施形態。所有附圖中就同一或對應之構件或零件賦予同一或對應之參照符號，省略重複之說明。
圖2係顯示依本發明一實施形態光阻塗布顯影裝置1構成之概略俯視圖，圖3係光阻塗布顯影裝置1之概略前視圖，圖4係光阻塗布顯影裝置1之概略後視圖。
如圖2所示，光阻塗布顯影裝置1包含晶圓匣盒站2、處理站3及介面部4。
晶圓匣盒站2包含：載置部6，載置收納有例如25片晶圓W之匣盒C；及晶圓運送體7，自載置於載置部6之匣盒C取出晶圓W，在匣盒C與處理站3之間送入送出晶圓W。
於載置台6上可沿圖中X方向(晶圓匣盒站2之長邊方向)載置複數(例如4個)匣盒C。晶圓運送體7配置於匣盒站2之載置部6與處理站3之間，可順著運送路8沿X方向移動。且晶圓運送體7包含可任意沿Y方向、Z方向(上下方向)及θ方向(以Z軸為中心之旋轉方向)移動之晶圓運送臂7a。藉由如此構成，晶圓運送體7可選擇性地接近載置於載置部6之匣盒C，依序將沿Z方向以多段之方式收納於匣盒C內之晶圓W取出，運送經取出之晶圓W至處理站3之第3處理裝置群組G3(後述)。且晶圓運送體7宜具有對準晶圓W之對準功能。
處理站3中，大致於其中心部設有主運送裝置13，於此主運送裝置13周邊配置有4座處理裝置群組G1、G2、G3、G4。此等處理裝置群組如後述，包含多段配置之各種處理裝置。第1處理裝置群組G1及第2處理裝置群組G2相對於主運送裝置13配置於+X方向側。且第3處理裝置群組G3及第4處理裝置群組G4沿主運送裝置13之Y方向配置於兩側。具體而言，第3處理裝置群組G3鄰接晶圓匣盒站2配置，第4處理裝置群組G4鄰接介面部4配置。且於主運送裝置13之-X方向側，可配置預備性配置，包含多段配置之各種處理裝置之第5處理裝置群組G5。
主運送裝置13可將晶圓W相對於配置於此等處理裝置群組G1、G2、G3、G4、G5之各種處理裝置(後述)送入送出。
第1處理裝置群組G1及第2處理裝置群組G2例如圖3所示包含：光阻塗布單元17，塗布光阻液於晶圓W以形成光阻膜；及顯影處理裝置18，配置於光阻塗布單元17上方，使經曝光之光阻膜顯影。
第3處理裝置群組G3例如圖4所示，自下而上依序包含：冷卻裝置30，使晶圓W冷卻；附著裝置31，進行用以提高光阻液對晶圓W之定著性之附著處理；延伸裝置32，傳遞晶圓W；預烤裝置33、34，進行使塗布於晶圓W之光阻液中的溶劑蒸發之烘烤處理；預備烘烤裝置35；及後烘烤裝置36，進行對經顯影之光阻膜進行加熱之後烘烤處理。
第4處理裝置群組G4例如圖4所示，自下而上依序包含：冷卻裝置40；延伸、冷卻裝置41，使晶圓W自然冷卻；延伸裝置42，在主運送裝置13與晶圓運送體50(後述)之間傳遞晶圓W；冷卻裝置43；曝後烤裝置44、45，對經曝光之光阻膜進行加熱；預備烘烤裝置46；及後烘烤裝置47。
又，可依該光阻塗布顯影裝置1中所處理或製造之元件種類任意選擇處理裝置群組數量及配置、配置於各處理裝置群組之處理裝置數量、種類及配置。
再參照圖2即知，介面部4包含：晶圓運送體50，將晶圓W相對於第4處理裝置群組G4送入送出；緩衝室63，維持晶圓W於既定溫度，並朝曝光裝置5送出；2座真空預備室L1、L2，設於光阻塗布顯影裝置1與曝光裝置5之間；運送臂64，自真空預備室L2取出晶圓W；及緩衝平台65，載置藉由運送臂64自真空預備室L2取出之晶圓W。
晶圓運送體50可沿Z方向移動，可將晶圓W相對於屬於第4處理裝置群組G4之延伸、冷卻裝置41、延伸裝置42送入送出。且晶圓運送體50可沿X方向移動，沿θ方向旋轉。藉此，可自第4處理裝置群組G4(主要係延伸、冷卻裝置41)取出晶圓W，將晶圓W送入緩衝室63之加熱室61(後述)。且晶圓運送體50亦可接近緩衝平台65。藉此，可接收載置於緩衝平台65之晶圓W，並運送至第4處理裝置群組G4。
緩衝室63包含加熱室61與運送室62。加熱室61可加熱經送入之晶圓W至既定溫度並維持於既定溫度。具體而言，加熱室61包含：加熱板61H，載置晶圓W，加熱經載置之晶圓W至既定溫度；及3根升降銷61P，可通過設於加熱板61H之穿通孔伸出沒入。
加熱板61H於其內部包含加熱器與溫度調節器(未經圖示)，可加熱晶圓W至例如約26℃至約100℃之溫度範圍內。
另一方面，於運送室62設有將在加熱室61加熱至既定溫度之晶圓W送入真空預備室L1之運送臂62A。運送臂62A可以例如鋁(Al)製作。且運送臂62A可藉由既定驅動機構沿Y方向移動，以約180°之角度水平旋轉。藉此，運送臂62A可自加熱室61取出晶圓W，並送入真空預備室L1。且運送臂62A具有長短2條狹縫。運送臂62A進入加熱室61時，即使在加熱板61H之升降銷61P自加熱板61H突出之情形下，藉由升降銷61P相對進入狹縫，運送臂62A亦可位於由升降銷61P前端支持之晶圓W下方。又，藉由升降銷61P下降，傳遞晶圓W至運送臂62A，並朝運送室62送出。
且運送臂62A包含於內部由流體流動之流體路與溫度調節器(未經圖示)。自未圖示之流體循環器對流體路供給維持於既定溫度之流體，維持運送臂62A溫度於既定溫度。此溫度可與例如加熱室61之加熱板61H之溫度相同。運送臂62A除2條狹縫外大致可以全面支持晶圓W，且如上述，可維持於與加熱室61之加熱板61H之溫度相同之溫度，故自加熱室61朝真空預備室L1運送晶圓W時，可防止晶圓W溫度降低。
且於運送室62設有調整內部空間氣溫之溫度調整裝置(未經圖示)。此溫度調整裝置例如可自設於運送室62頂棚部之送風口供給因既定過濾器而潔淨化，且經溫度調整之空氣，自設於底部之排氣口排氣而於運送室62內形成降流，藉此調整運送室62內之溫度。此時，運送室62內之氣溫例如可與加熱室61之加熱板61H之溫度相同。藉此，可有效防止晶圓W溫度降低。
且於介面部4設有面對真空預備室L2之閘閥GV3之運送臂64。運送臂64可沿Y方向及X方向伸縮，且可以運送臂64基端為中心旋轉。藉此，運送臂64可進入真空預備室L2內以接收晶圓W，並將其載置於緩衝平台65。
真空預備室L1隔著閘閥GV1連接介面部4，隔著閘閥GV2連接曝光裝置5。且於真空預備室L1具有未圖示之內壓調整裝置。內壓調整裝置包含：旋轉泵或乾式泵等粗抽泵；渦輪分子泵等高真空泵；及氣體供給裝置，對真空預備室L1內供給例如潔淨空氣或氮氣以維持真空預備室L1於大氣壓。
藉此，可選擇性地維持真空預備室L1內之壓力於大氣壓與減壓。另一方面，真空預備室L2隔著閘閥GV3連接介面部4，隔著閘閥GV4連接曝光裝置5。且真空預備室L2與真空預備室L1相同，具有內壓調整裝置。
且於真空預備室L1及L2此等者內部設有可昇降之支持銷(未經圖示)。晶圓W於真空預備室L1及L2內由支持銷支持。
又，本實施形態中，利用真空預備室L1自光阻塗布顯影裝置1朝曝光裝置5運送晶圓W，利用真空預備室L2與此相反自曝光裝置5朝光阻塗布顯影裝置1運送晶圓W。
且曝光裝置5具有可與真空預備室L1及L2連通之減壓室(未經圖示)，於該減壓室設有可沿X方向移動，沿Y方向伸縮之晶圓運送裝置51。藉此，可自真空預備室L1取出晶圓W，並將其送入真空預備室L2。
其次，參照圖2至圖4並同時說明關於依本實施形態之光阻塗布顯影裝置1之動作(光阻塗布顯影裝置1中之基板運送方法)。
首先藉由晶圓運送體7(圖2)，自匣盒C取出1片未處理晶圓W，將其運送至第3處理裝置群組G3之延伸裝置32(圖4)。其次，藉由主運送裝置13將晶圓W送入第3處理裝置群組G3之附著裝置31，為提升光阻液相對於晶圓W之密接性，對晶圓W塗布例如HMDS。接著，運送晶圓W至冷卻裝置30，使其冷卻至既定溫度後，將其運送至光阻塗布單元17。於光阻塗布單元17將光阻液旋轉塗布在晶圓W上，形成光阻膜。
藉由主運送裝置13將形成有光阻膜之晶圓W運送至預烤裝置33(圖4)，對晶圓W進行預烤。此後，藉由主運送裝置13將晶圓W運送至延伸、冷卻裝置41(圖4)，使其冷卻至常溫。如此晶圓W因經過溫度受到管理之預烤與其後之冷卻，光阻膜之面間(wafer-to-wafer)特性可均一化。又，所謂常溫可約為設置有光阻塗布顯影裝置之無塵室之室溫，例如可為23℃±3℃。
其次，藉由介面部4之晶圓運送體50將晶圓W自延伸、冷卻裝置41取出，送入緩衝室63之加熱室61。於加熱室61中，藉由加熱板61H之升降銷61P自晶圓運送體50接收晶圓W，藉由升降銷61P下降將其載置在加熱板61H上。加熱板61H維持於例如約50℃之溫度，藉由在加熱板61H上載置晶圓W既定期間，例如5秒至20秒相對較短之期間，加熱晶圓至該溫度。
接著，藉由運送室62之運送臂62A自加熱室61取出晶圓W，並將其送入真空預備室L1。亦即首先藉由升降銷61P自加熱板61H舉起晶圓W，藉由進入其下方之運送臂62A接收晶圓。接收晶圓W之運送臂62A朝運送室62後退，在此水平旋轉180°。接著，真空預備室L1之閘閥GV1開啟，因運送臂62A晶圓W進入真空預備室L1。於真空預備室L1中，藉由未圖示之支持銷自運送臂62A接收晶圓W，於運送臂62A退出後閘閥GV1關閉。接著藉由內壓調整裝置，真空預備室L1內排氣至例如約10-6 Torr(1.33×104 Pa)之壓力。此時，真空預備室L1內之空氣雖因隔熱膨脹而冷卻，故真空預備室L1內之晶圓W亦也應會受到隔熱冷卻，但晶圓W於加熱室61加熱至50℃，且防止溫度降低並同時自運送室62送入真空預備室L1。因此，即使受到隔熱冷卻，於曝光裝置5亦不自所要求之23℃±0.02℃大幅下降。
真空預備室L1內一旦到達既定壓力，閘閥GV2即開啟，藉由曝光裝置5之晶圓運送裝置51將晶圓W送入曝光裝置5。於曝光裝置5，在真空下對光阻膜進行使用既定光罩之曝光處理後，藉由晶圓運送裝置51，通過閘閥GV4將晶圓W送入預先經減壓之真空預備室L2。
其後，閘閥GV4一旦關閉，即藉由設於真空預備室L2之內壓調整裝置(未經圖示)使真空預備室L2內之壓力回到大氣壓。其次，閘閥GV3開啟，藉由運送臂64取出真空預備室L2內之晶圓W，將其載置在緩衝平台65上。接著，藉由晶圓運送體50將緩衝平台65上的晶圓W運送至處理站3中第4處理裝置群組G4之延伸裝置42。
其後，藉由主運送裝置13將晶圓W運送至曝後烤裝置44以進行曝後烤，將其運送至冷卻裝置43以進行冷卻。接著，藉由主運送裝置13將晶圓W運送至第1處理裝置群組G1或第2處理裝置群組G2之顯影處理裝置18，在此對晶圓W進行顯影處理。藉此在晶圓W上形成經圖案化之光阻膜(光阻遮罩)。
藉由主運送裝置13將顯影處理結束之晶圓W運送至第3處理裝置群組G3之後烘烤裝置36，在此進行後烘烤。接著，藉由主運送裝置13將晶圓W運送至第3處理裝置群組G3之冷卻裝置30以進行冷卻，其後經由延伸裝置32使其回到原來的匣盒C。藉此，針對晶圓W進行之一連串包含光阻塗布/曝光/顯影之處理步驟結束。
如以上，藉由依本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置及該光阻塗布顯影裝置內之基板運送方法，可將形成有光阻膜，光阻膜經加熱處理，並冷卻至常溫之晶圓W於加熱室61加熱至約50℃，且防止溫度降低並同時自運送室62送入真空預備室L1。真空預備室L1中減壓一旦開始，即如圖5中以符號T1所示，晶圓W之溫度雖急劇降低，但可收斂至接近於曝光裝置5所要求之溫度(23℃±0.02℃)。另一方面，未包含加熱室61之光阻塗布顯影裝置中，若於預烤後維持晶圓溫度於約23℃並直接將其送入真空預備室，使真空預備室減壓，即例如圖5中以符號T2所示，為回到約23℃之溫度需長時間。自處理能力之觀點而言，於例如圖5中箭頭B之時點運送晶圓至曝光裝置時，無法在短時間內進行於曝光前所進行之晶圓W之溫度調整，結果會招致曝光裝置中處理能力之降低。然而，按照依本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置及該光阻塗布顯影裝置中之基板運送方法，即使在於圖5箭頭B之時點運送晶圓至曝光裝置5之情形下，因晶圓W溫度接近於曝光裝置5所要求之溫度，亦可於短時間內進行曝光裝置5中之溫度調整。特別是如參照圖1所說明，晶圓溫度若甚至降低約15℃，即使假設欲於真空預備室配置加熱板以調整溫度，為回到接近23℃之溫度亦需花費約4分鐘之時間。然而，依本發明實施形態，溫度即使降低，降低後之溫度亦可為接近23℃之溫度，故可削減為回到接近23℃之溫度所需之時間(圖1中降低至約13℃之時點至箭頭A3之時點相當於約200秒之時間)，在處理能力之特點上可使效果大幅奏效。
又，為減少隔熱冷卻，可逐漸使真空預備室內排氣。然而，為以例如每1小時200片之處理能力進行處理，需在短時間內進行減壓。如此，為大幅冷卻晶圓，維持溫度於23℃需花費時間，故結果呈現難以於曝光裝置中維持圖案精度並同時維持高處理能力之事態。然而，按照依本實施形態之光阻塗布顯影裝置，藉由在將晶圓W送入真空預備室L1前提高晶圓W溫度之雖簡便但有效之方法，可實現高圖案精度與高處理能力。
且依本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置1中，真空預備室L1具有3根支持銷，藉由此等者支持晶圓W，故相較於例如於真空預備室L1設置晶圓平台，於其上載置晶圓W時，可抑制因隔熱冷卻造成之溫度變化之影響於最低限。亦即於真空預備室中載置晶圓W於晶圓平台時，由於因隔熱冷卻而冷卻之晶圓平台而導致熱自晶圓W被剝奪，故晶圓W之溫度可能低於作為目標之溫度。然而於真空預備室L1中，係藉由支持銷支持晶圓W，故不發生如此之問題。
以上雖已參照實施形態並同時說明本發明，但本發明不限定於上述實施形態，可按照所附之申請專利範圍進行各種變更。
例如上述說明中雖設定加熱室61之加熱板61H之溫度於50℃，但不限於此，可適當決定。因隔熱冷卻溫度降低之程度隨以連接真空預備室L1之泵的排氣能力、連接真空預備室L1與泵的配管內徑、使用的閥的種類(開合閥、流量調整閥)等決定之減壓速率而大幅不同，故加熱板61H之設定溫度宜進行預備實驗等以決定之。且如後述，亦可於真空預備室L1內或曝光裝置5內測定晶圓W之溫度及溫度分布，根據該測定結果決定之。
且加熱室61中之加熱板61H於其內部宜具有分割加熱器，俾不僅可控制晶圓W之(平均)溫度，亦可控制晶圓W面內之溫度均一性。以下參照圖6並同時說明如此之加熱板。
圖6之加熱板61H包含：3個環狀加熱器61a、61b、61c，呈同心圓狀配置；及圓弧形狀加熱器61d、61e、61f、61g，於此等者外側大致以一定之角度間隔配置。
此等者分別連接溫度調節器61C(包含溫度感測器及電源)，藉由溫度調節器61C獨立控制溫度。且於加熱板61H除既述之升降銷61P外，尚設有3根近接銷67。藉由升降銷61P下降至加熱板61H之晶圓W由近接銷67支持，藉此，在加熱板61H與晶圓W之間產生具有既定間隔之間隙。因此，可藉由因上述加熱器61a至61g而受到加熱之加熱板61H，通過該間隙以熱傳導之方式加熱晶圓W，防止產生與加熱板61H上表面接觸誤差而造成之溫度分布。
依如此之加熱板61H，可藉由使用例如上述測試晶圓之預備實驗，求取加熱板61H面內之溫度分布，調整圓弧形狀加熱器61d至61g，俾該分布均一化。如此，可以加熱板61H均一加熱晶圓W。
且於加熱室61中，可不使用加熱板61H而代之以藉由燈泡加熱加熱晶圓W，亦可構成加熱室61作為加熱爐。
且為維持運送室62內部氣溫於既定溫度，亦可不藉由供給加熱空氣而使用由電阻加熱體構成之加熱板或加熱燈泡。且運送臂62A中當然亦可不使流體循環而係藉由於內部嵌入加熱器而維持於既定溫度。
且亦可於真空預備室L1設置溫度測定器，測定因隔熱冷卻造成之溫度降低，根據測定結果調整加熱室61中晶圓W之溫度。關於溫度測定器，例如可於真空預備室L1內設置於上表面具有嵌入有複數熱電偶之矽板之基座，藉由複數熱電偶一併取得關於面內溫度部分之資料。且作為溫度測定器亦可使用紅外線幅射溫度。且如此之溫度測定亦可不於真空預備室L1進行而於曝光裝置5內進行。
緩衝室63之運送室62為在於加熱室61經加熱至既定溫度之晶圓溫度不降低之情形下將晶圓運送至真空預備室L1，雖包含調整運送室62內部空間氣溫之溫度調整裝置與運送臂62A之溫度調節機構，但不需包含此等者雙方，亦可僅包含例如溫度調整裝置。且運送室62亦可不包含此等者而代之以加熱燈泡，藉由加熱燈泡防止晶圓溫度降低。
且於另一實施形態中，運送室62為內部空間亦可不包含溫度調整裝置與運送臂62A之溫度調節機構及加熱燈泡等。此時，晶圓溫度自加熱室61通過運送室62朝真空預備室L1運送時降低，故宜考慮該溫度降低，設定加熱室61之加熱板61H之溫度，俾可抵銷於真空預備室L1內之隔熱冷卻。
且運送室62不需可密封，亦可例如作為藉由以非發塵性素材製作之簾幕等分隔之運送路構成。即使在此時亦可供給經溫度調整之潔淨空氣(例如以降流)，且運送臂62A可具有溫度調節功能。
且依本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置介面部4亦可作為自光阻塗布顯影裝置1獨立之一裝置構成。亦即，可構成包含下列者之介面裝置：晶圓運送體50，接收於光阻塗布顯影裝置中經光阻塗布工序之晶圓W；及緩衝室63，加熱並維持由晶圓運送體50運送之晶圓W之溫度於既定溫度，並朝用以將經溫度維持之晶圓W朝曝光裝置5送出之真空預備室L1運送晶圓。
依如此之介面裝置，可將既存之光阻塗布顯影裝置組合於EUV曝光裝置或EB曝光裝置，可抑制成本並同時製造具有經更微細化之圖案之半導體裝置。
雖已說明使用半導體晶圓之例，但本發明不限於半導體晶圓，亦可適用於使用平面顯示器(FPD)用基板時。
A1~A3、B．．．箭頭
C．．．匣盒
G1~G5．．．處理裝置群組
GV1~GV4．．．閘閥
L1、L2．．．真空預備室
T1、T2．．．符號
W．．．晶圓
1．．．光阻塗布顯影裝置
2．．．晶圓匣盒站
3．．．處理站
4．．．介面部
5．．．曝光裝置
6．．．載置部
7、50．．．晶圓運送體
7a．．．晶圓運送臂
8．．．運送路
13．．．主運送裝置
17．．．光阻塗布單元
18．．．顯影處理裝置
30、40、43．．．冷卻裝置
31．．．附著裝置
32、42．．．延伸裝置
33、34．．．預烤裝置
35、46．．．預備烘烤裝置
36、47．．．後烘烤裝置
41．．．延伸、冷卻裝置
44、45．．．曝後烤裝置
51．．．晶圓運送裝置
61．．．加熱室(加熱部)
61H．．．加熱板
61P．．．升降銷
61a、61b、61c．．．環狀加熱器
61d、61e、61f、61g．．．圓弧形狀加熱器
61C．．．溫度調節器
62．．．運送室(運送部)
62A、64．．．運送臂
63．．．緩衝室
65．．．緩衝平台
67．．．近接銷
圖1係顯示於光阻塗布顯影裝置與在真空下使光阻膜曝光之曝光裝置之間設置之真空預備裝置中晶圓溫度變化一例之曲線圖。
圖2係顯示依本發明實施形態光阻塗布顯影裝置構成之概略俯視圖。
圖3係依本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置之概略前視圖。
圖4係依本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置概略後視圖。
圖5係用以說明依本發明實施形態光阻塗布顯影裝置中基板運送方法效果之概念圖。
圖6係顯示依本發明實施形態光阻塗布顯影裝置所包含之加熱板變形例之上表面圖。
C．．．匣盒
G1~G5．．．處理裝置群組
GV1~GV4．．．閘閥
L1、L2．．．真空預備室
W．．．晶圓
1．．．光阻塗布顯影裝置
2．．．晶圓匣盒站
3．．．處理站
4．．．介面部
5．．．曝光裝置
6．．．載置部
7、50．．．晶圓運送體
7a．．．晶圓運送臂
8．．．運送路
13．．．主運送裝置
18．．．顯影處理裝置
51．．．晶圓運送裝置
61．．．加熱室(加熱部)
61H．．．加熱板
61P．．．升降銷
62．．．運送室(運送部)
62A、64．．．運送臂
63．．．緩衝室
65．．．緩衝平台

Claims (13)

  1. 一種光阻塗布顯影裝置，用以在基板上形成光阻膜，並使經曝光之該光阻膜顯影，其特徵在於包含：光阻膜形成部，於基板上形成光阻膜；加熱處理部，對於在該光阻膜形成部形成該光阻膜之該基板進行加熱；冷卻部，將在該加熱處理部被加熱且形成有該光阻膜之該基板加以冷卻至常溫；加熱部，對於在該冷卻部被冷卻至常溫之該基板進行加熱至既定溫度；真空預備室，為使該光阻膜曝光，而在減壓下送出該基板；及運送部，將該基板由該加熱部運送至該真空預備室，包含保溫機構，以對於在該運送部內運送之該基板進行保溫。
  2. 如申請專利範圍第1項之光阻塗布顯影裝置，其中，以該保溫機構對於該運送部內之氣溫進行調整，藉此將該基板加以保溫。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光阻塗布顯影裝置，其中，該運送部更包含用以運送該基板的運送夾具；且以該保溫機構對於該運送夾具之溫度進行調整，藉此將該基板加以保溫。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光阻塗布顯影裝置，其中，該真空預備室包含溫度測定部，以測定送入該真空預備室之該基板的溫度。
  5. 一種介面裝置，於一光阻塗布顯影裝置中，為使光阻膜曝光而送出形成有該光阻膜之基板；且為使經曝光之該光阻膜顯影，而將曝光後之該基板送入該光阻塗布顯影裝置，其特徵在於包含：加熱部，對於在該光阻塗布顯影裝置中形成該光阻膜，再經加熱後冷卻至常溫之該基板，進行加熱至既定溫度；真空預備室，為使該光阻膜曝光，而在減壓下送出該基板；及 運送部，將該基板由該加熱部運送至該真空預備室，包含保溫機構，以對於在該運送部內運送之該基板進行保溫。
  6. 如申請專利範圍第5項之介面裝置，其中，以該保溫機構對於該運送部內之氣溫進行調整，藉此將該基板加以保溫。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之介面裝置，其中，該運送部更包含用以運送該基板的運送夾具；且以該保溫機構對於該運送夾具之溫度進行調整，藉此將該基板加以保溫。
  8. 如申請專利範圍第5或6項之介面裝置，其中，該真空預備室包含溫度測定部，以測定送入至該真空預備室之該基板的溫度。
  9. 一種基板運送方法，自在基板上形成有光阻膜並使經曝光之該光阻膜顯影的光阻塗布顯影裝置，在減壓下將形成有該光阻膜之該基板，朝向使光阻膜曝光之曝光裝置運送，其特徵在於包含下列步驟：加熱處理步驟，在該光阻塗布顯影裝置中對形成有該光阻膜之該基板進行加熱；冷卻步驟，將在該加熱處理步驟中經加熱之形成有該光阻膜之該基板冷卻至常溫；加熱步驟，於加熱部中，對在該冷卻步驟中冷卻至常溫之該基板進行加熱至既定溫度；及運送步驟，在減壓下，將該基板自該加熱部朝向配置於使光阻膜曝光之曝光裝置與該光阻塗布顯影裝置之間的真空預備室運送；且於該運送步驟中更包含下列步驟：保溫步驟，對於在該加熱步驟中經加熱之該基板進行保溫。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板運送方法，其中，於該運送步驟中，對於運送該基板之運送部的氣溫進行調整，藉此將該基板加以保溫。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之基板運送方法，其中，於該運送步驟中，對於運送該基板之運送夾具的溫度進行調整，藉此將該基板加以保溫。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之基板運送方法，其中更包含下列步驟：溫度測定步驟，在該真空預備室中，測定被送入至該真空預備室之該基板的溫度。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板運送方法，其中，於該測定步驟中更包含下列步驟：溫度決定步驟，根據於該溫度測定步驟中在該真空預備室所測定之該基板溫度，決定該加熱步驟中之該既定溫度。
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