TW317644B - - Google Patents

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广 广 經濟部中央橾準局員工消費合作社印«. 317644 A7 B7 五、發明説明（1 ) 〔發明之詳細說明〕 此發明係，關於對於例如半導體晶片及L CD基f等 之被處理體施實塗敷•顯像之處理之處理裝置· 〆-—-'ή - 針對半導體裝置之製造工程係，對於代表矽基板之半 導體晶片，處理液例如存在有塗敷光阻劑，使用光蝕刻法 技術縮小電路圖案曝光光阻劑施實這些:鎮像處理之一連處 理之工程》 如此之塗敷•進行顯像之處理系統係，將作爲被處理 體之半導體晶片從卡匣運出，送入於卡匣之卡匣•位置及 ，洗淨晶片之洗淨單元及，水渠化處理晶片表面之附著單 元及，冷卻晶片於所定溫度之冷卻單元，於晶片表面塗敷 光阻劑液體之光阻劑塗敷單元及，在光阻劑液體塗敷之前 後加熱晶片進行預先烘乾或後烘乾之烘乾單元及，爲了除 去晶片周邊部之光阻劑之周邊曝光單元及，在與鄰接之曝 光裝置之間爲了進行晶片之接受之晶片接受台及，將曝光 處理完成之晶片曝露於顯像液選擇光阻劑之感光部或非感-光部順利完成溶解於顯像液之顯像單元有著彙集於一體之 構成*由此謀求作業之提昇。 作爲如此之處理系統係，以往，於系統之中央部沿著 縱方向設置被配設之晶片運送路，將上述複數之單元於運 送路之兩側朝向各正面狀態配設，於各單元爲了運送晶片 之晶片運送體構成如一般被使用之移動晶片運送路。跟隨 著因延伸至水平方向沿著運送路各種處理單元則@列橫長 之系統所構成，所以系統全體占有之1間將爲變大，有著 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

-4 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 提髙淨化室成本之問題，特別是，根據於此系統有效之垂 直層流方式提高系統全體乃至各部之清淨度時，因需要大 空間，空調器及濾膜等之原始成本及維護成本則將非常的 高。 在此，在可移動晶片運送體於垂直方向於垂直軸之回 轉可回轉，提案於此晶片運送體之周圍配置多層各處理單 元之處理系統（日本特開平4 — 85812號公報）· 如根據如此之處理系統，因縮小系統之占有空間，所 以在淨化室成本低下之同時，可將運送速度及接續速度高 速化，可謀求通過量之提昇· 但，針對此種處理系統，在多段配置之各處理單元， 爲實施於晶片所定之處理，於處理系統內所供給之清淨空 氣之環境有著即風量，溫度，壓力等之變動之虞。郭此之 處理系統內之環時，有著無法施實適當之處理，處 理能力及招致合格率之低下•特別是，晶片運送體之移動 空間係因略呈密閉狀態，所以晶片運送體昇降時，在移動一 空間內之上端付近及下端付近由晶體運送體驅動部包含發 生之粒子之空氣則被壓縮，失去去處擴散，流入周圍之各 處理單元，半導體裝置製造之成品率則將低下。特別是， 於使運送體回轉之情況係產生很多的粒子，如此之問題將 爲顯著。 另，將供給於處理系統內之空氣，處理後排氣於系統 外時，在處理系統內產生之粒子及例如胺等有機污染物則 流入於淨化室內，有著淨化室之清淨度低下或其壽命低下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -- -5 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 317644 Λ7 B7 五、發明説明（3 ) 之問題，又，於淨化室內存在胺等有機污染物時’淨化室 之其他處理裝置，例如針對CVD裝置’於薄膜形成招致 障礙之問題》 此發明之目’的係，昇降運送被處理體之運送體時，提 供可防止產生之粒^擴散於處理單元之處理裝置。 •心~****^ __ _________ ' 又此發明之其他目的係，對於各處理單元提供可經常 送、入清淨〜 g氣之處理裝置。 如根據此發明之一個觀點，提供具備於被處理體施實 一系列之處理複數之處理單元則沿著垂直方向形成於多層 配置之複數處理單元組，於這些複數處理單元組之回複處 理體運送空間則被規定，及·由可移動前述被處理體運送 空間於垂直方向對於前述各處理單元有著被處理體之接受 可能之運送構件，爲了運送被處理體之運送手段及； 緩和前述被處理體運送空間之環境變動之手段之處理 裝置。 如根據此發明之其他觀點，提供具備，於被處理體實一 施一系列之處理複數處理單元則沿著垂直方向形成於多層 配置之複數處理單元組，於這些複數處理單元組之間被處 理體運送空間則被規定，及；由可移動前述被處理體運送 空間於垂直方向對於前述各處理單元有著被處理體接受可 能之運送構件，爲了運送被處理體之運送手段及；形成清 淨空氣之降流於前述被處理體運送空間之手段及；從前述 被處理體運送空間阻止空氣流入於前述各處理單元之處理 裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " " (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) -. ·. • J—· fn · A7 B7 317844 五、發明説明（4 ) 又根據此創作之其他觀黏，提供具備，於被處理體施 實一系列之處理複數處理單元則沿著垂直方向形成於多層 配置之複數處理單元組，於這些複數處理單元組之間被處 理體運送空間則被規定及；由可移動前述被處理體運送空 間於垂直方向對於前述各處理單元有著被處理體之接受可 能之運送構件，爲了運送被處理體之運送手段及；設置於 前述被處理體運送空間之上方之吸氣口及；設置於前述被 處理體運送空間之下方之排氣口及；連結前述吸氣口與排 氣口，形成循路線之配管及，在前述被處理體運送空間如 同形成降流從吸氣口朝著排氣口方向使清淨空氣循環之送 風手段之處理裝置。 又根據此發明之其他觀點，提供具備，於被處理體施 實一系列之處理複數之處理單元則沿著垂直方向形成於多 層配置之複數處理單元組，於這些複數單元組之間被處理 體運送空間則被規定及；由可移動前述被處理體運送空間 於垂直方向對於前述各處理單元有著被處理體之接受可能一 之運送構件，爲了運送被處理之運送手段及；於前述被處 理運送空間沿著垂直方向所設置之管道及，根據前述運送 構件之垂直方向之移動將被壓縮之空氣排出於管道之排出 手段之處理裝置。 又根據此發明之其他觀點，具備，於被處理體施實一 系列之處理複數之處理單元則沿著垂直方向形成於多層配 置之複數之處理單元組，於這些複數之處理單元組之間被 處理體運送空間則被規定，及：由可移動前述被處理體運 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ~ ' (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（5 ) 送空間於垂直方向對於前述各處理單元有著被處理體之接 受可能之運送構件及，將此運送構件之移動範圍圍起之筐 體，爲了運送被處理體之運送手段及；形成清淨空氣之降 流於前述被處理體運送空間之手段及；形成從前各處理單 元朝向至前述被處理體運送空間清淨空氣之流動手段* 提供，從前述各處理單元之中流向於前述被處理體運 送空間之清淨空氣則根據降流沿著前述筐體流向於下方之 處理裝置。 ~ 又根據此發明之其他觀點，備有，塗敷光阻劑之光阻 劑塗敷單元及包含顯像光阻圆案之顯像單元之處理單元則 於垂直方向形成重叠最少一樣之第1處理單元組及，進行 被處理體之調整之調整單元，烘乾被處理體之烘乾單元， 冷卻被處理體之冷卻單元，於被處理體進行附著之附著單 元及包含伸長單元之一部份或全部之處理單元則於垂直方 向形成重叠最少一樣之第2處理單元組· 前述第1之處理單元組係，提供前述塗敷單元有著形一 成於前述顯像單元之下方之配置，塗敷•顯像處理裝置。 又根據本發明之其他觀點，備有，塗敷光阻劑之光阻 劑塗敷單元及包含顯像光阻圖案之顯像單元之處理單元則 於垂直方向形成重叠最少一樣之第1處理單元及；進行被 處理體之調整之調整單元，烘乾被處理體之烘乾單元，冷 卻被處理體之冷卻單元，於被處理體進行附著處理之附著 單元及包含伸長單元之一部份或全部之處理單元則於垂直 方向形成重叠最少一樣之第2處理單元組。 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -8 - .广 .广317644 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 五、發明説明（6 ) 前述第2處理單元組係，具備前述冷卻單元有著形成 於前述烘乾單元之配置，塗敷•顯像處理裝置。 對於被處理裝置爲進行光阻劑塗敷及顯像處理之塗敷 •顯像處理系統。 對於被處理體進行包含光阻劑塗敷及顯像處理之一系 列處理之處理部及；在與其他系統之間及與前述處理部之 間進行被處理體之接受之運送部及：在與前述處理部之間 及與曝光裝置之間進行被處理體之接受之分界面部。 前述處理部係備有，塗敷光阻劑之光阻塗敷單元及包 含顯像光阻圖案之顯像單元之處理單元則於垂直方向形成 重叠最少一樣之第1處理單元組及：進行被處理體之調整 之調整單元，烘乾被處理體之烘乾單元，冷卻被處理體之 冷卻單元，於被處理體進行附著處理之附著單元及包含伸 長單元之一部份或全部之處理單元則於垂直方向形成重疊 最少一樣之第2處理單元組， 前述第2處理單元組係，前述冷卻單元有著形成於前一 述烘乾單元下方之配置， 前述第2處理單元組係，前述冷卻單元有著形成於前 述烘乾單元下方之配置， 提供塗敷•顯像處理系統。 以下，根據添付圖面詳細說明適用於將本發明至半導 體晶片之光阻劑塗敷•顯像處理系統之狀態· 圖1係關於此發明之一狀態表示光阻劑塗敷，顯像處 理系統之概略平面圖，圖2係圖1之正面圖，圖3係圖1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） n

經濟部中央棣準局貝工消費合作社印袋 本紙張尺度適用t國國家棵準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 ____B7___ 五、發明説明（7 ) 之背面圖。 此處理系統係，具備卡匣位置1 0及，有著複數處理 單元之處理位置2 0及，在與處理位置2 0鄰接所設置之 曝光裝置（不圖示）之間爲了接受晶片W之分界面部3 0 上述卡匣位置1 0係，將作爲被處理體之半導體晶片 W在複數枚例如以2 5枚爲單位在搭載於晶片卡匣1之狀 態從其他系統運入此系統或從此系統運入其他系統，在晶 片卡匣與處理位置2 0之間係爲進行晶片W之運送。 針對此卡匣位置1 0係，如圖1所示，於卡匣載置台 2上方沿著圖中X方向有形成複數（圓中有4個）之突起 3，於此突起3之位置晶片卡匣1則將各自之晶片出口朝 向於處理位置2 0側可呈一列地載置。在晶片卡匣1晶片 W則於垂直方向（Z方向）排列著。另，卡匣位置1 0係 ，於晶片卡匣載置台2與處理位置2 0之間設置有晶片運 送機構4。此晶片運送機構4係於卡匣排列方向（X方向一 )及其中之晶片W之晶片排列方向（Z方向）有著可移動. 之晶片運送用支架4 a，由此支架4 a對於任何晶片卡匣 1可選擇地接續。另，此晶片運送用支架4 a係於Θ方向 可回轉地構成，在所羼於後述之處理位置2 0側之組項 G3之調整單元（AL IM)及擴展單元（EXT)之間 可運送晶片W。 上述處理位置2 0係備有爲實施對於半導體晶片進行 塗敷顯像時之一系列工程之複數處理單元’這些則於所定 二—一 --- -10 - (請先閱讀背面之注ί項再填寫本頁) 訂 -LI. 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 _B7_____ 五、發明説明（8 ) 位置多段地配置，由道些半導體晶片W—枚一枚地處理· 此處理位置2 0係，如圖1所示，於中心部設置可移於垂 直方向之主晶片運送機構2 1 ，於此主晶片運送機構2 1 之晶片運送空間2 2之周圍配置著所有之處理單元。這些 處理單元係，分成複之組項，各處理單元組係多段地配置 複數之處理單元。針對此狀態係，5個處理單元組G1， G2，G3，G4及G5配置於運送空間22之周圍，晶 片運送空間則呈略閉鎖之空間。 這些之中，組項Gl，G2係於系統正面（在圖1前 方）側並列地配置，組項G 3係於卡匣位置1 0鄰接配置 ，組項4係於分界面部3 0鄰接配置，組項G 5係配置於 背部側· 此情況，如圖2所示，在組項G 1係，在杯盒2 3內 將晶片W載置於旋轉夾盤（不圖示）進行所定之處理2台 之旋轉器型處理單元則配置於上下，針對此狀態係，於晶 片W塗敷光阻劑之光阻劑塗数單元（COT)及顯像光阻一 圖案之顯像單元（DEV)則從下順著重叠2層，配置如 此之光阻劑塗敷單元於下層側之理由係，光阻液之廢液於 機構來說即使關於維護也比顯像液之廢液本質來說爲複雜 ，所以根據配置如此之塗敷單元（ροτ)於下層可緩和 其複雜度。但，因應須要也可配置光阻劑塗敷單元（ C 0 T )於上層。 針對組項3 G係，如圖3所示，載置晶片W於載置台 2 4 (參照圇1 )進行所定之處理之開放型之處理單元例 -11 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^1. • LI. 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 ^17644 A7 B7 五、發明説明（9 ) 如：冷卻晶片之冷卻單元（COL)，對於晶片進附著處

理之附著單元（AD)，調整晶片之調整單元（ALIM ...»· )進行晶片出入之伸長單元（EXT)，於晶片施實預先. 烘乾處理之預生供乾單元（PREBAKE)及於晶片實施後烘 乾處理之後拔乾單元（POBAKE )則從下順著重叠8層•組 項G 4也同樣地，開放型處理單元例如：冷卻單元（ COL)，伸長•冷卻單元（EXT· COL)，冷卻單 元，預先烘乾單元（PREBaIe)及後烘乾單元（POBAKE) 則從下順著例如重昼8層。 如上述低處理溫度之冷卻單元（COL)，配置伸長 ，冷卻單元（EXTCOL)於下層，由將高處理溫度之預先烘 乾單元（PREBAKE)，後烘乾單元（POBAKE)及附著單元 配置於上層，可減少單元之間熱度之相互干涉。當然，不 限於此，也可進行其他配置· 設置於主晶片運送機構2 1之背部側之組項G 5也基 本來說有著與G3，4同樣之構造。此組項G5係，沿著一 導引軌6 7從主晶片運送機構看可往側方移動。跟隨著， 由滑動組項G 5因空間部則被確保，所以對於主晶片運送 機構從背後可容易地進行維護作業。 上述分界面部3 0係，X方向之長度係有著與處理位 置2 0之同樣長度。如圖1 -圖2所示，於此分界面部 3 0之正面部係拾取卡匣3 1與定置型之緩衝卡匣3 2則 配置於2層，於背面部配設周邊曝光裝置3 3，於中央部 係配設有晶片運送支架3 4 ·此晶片運送支架3 4係，於 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

-12 - B7 五、發明説明（10 ) X，Z方向移動可運送晶片於兩卡匣及周邊曝光裝置3 3 •另，此晶片運送支架3 4係爲可於0方向回轉，於靥於 處理位置20側之組項G4之伸長單元（EXT)及鄰接 之曝光裝置側之晶片接受台（不圖示）也可運送晶片W· 如上述所構成之處理系統係，設置於淨化室，由此提 昇清淨度，但，又在系統內效率地供給垂直層流更提昇各 部之清淨度，針對於圖4及圖5之系統內表示清淨空氣之 流動》 - 如圖4所示，於卡匣位置1 〇，處理位置2 0及分界 面部30之上方係設有空氣供給室l〇a，20a， 30a，於各空氣供給室l〇a * 20a，30a之低面 安裝有付防塵機能之濾膜例如U L P A濾膜5 0。於其中 之空氣供給室1 0 a，3 0 a內係，介由接績於介設後述 送風風扇51(送風手段）之空氣導入用配管之分岐管導 入空氣，根據ULPA濾膜5 0清淨之空氣則由降流供給 於卡匣位置1 0及分界面部3 0。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印装 •另，如圖5所示，於主晶片運送機構2 1之晶片運送 空間2 2之上方係設有爲了供給空氣於其之給氣口 2 5， 於其下方係設有爲了排出供給於晶片運送空間2 2之空氣 之排氣口 2 6。於這些給氣口 2 2與排氣口 2 6接續有前 述之配管52,在其中空氣則循環著。 前述空氣供給室2 0係，設置於給氣口 2 5與配管 52之接續部，於其低面安裝上述ULPA濾膜50，於 其上方位置安裝有著例如除去胺等有機污染物機能之化學 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~~ A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（11 ) 濾膜5 3 · 於排氣口與循環管路5 2之接續部係設有排氣室 20b，於此排氣室20b之上面安裝形成排氣口 26之 多孔板5 4，於排氣室2 Ob內係配設有排氣風扇5 5 · 另，於排氣室2 0 b與循環管路5 2之接續部係配設有壓 力調整手段例如縫隙緩衝器5 6。 此縫隙緩衝器56係，如圖6A，6B所示，與有著 多數通氣孔5 6 a之固定多孔板5 6 b，在此固定多孔板 5 6 b之低面可反復移動地配設於水平方向，有著與通氣 孔5 6 a吻合得到之多數調整孔5 6 c之可動多孔板 5 6 b，根據適宜之反復驅動例如圓柱體機構及定時帶機 構由可動多孔板5 6 d反復移動於水平方向，調節開口面 積調整通氣量，因此調整晶片運送空間2 2內之壓力•即 ，增壓晶片運間內之壓力P1，即對於淨化室內壓力P2 ，可進行於例如0 . lmmH2◦高所定之壓力。 又，在此係，作爲壓力調整手段關於使用縫隙緩衝器一 之情況已說明過，但，壓力調整手段係未必須要縫隙緩衝 器’如可調製從移動空間2 2內所排氣之空氣之通過面積 ，縫隙緩衝器以外也是可以。 另一方面，針對構成循環路之前述配管於送風風扇 5 1與縫隙緩衝器5 6之間係，設有爲導入外氣之外氣導 入管5 7，於此外氣導入管5 7內係安裝有作爲風量調整 手段之緩衝器5 8 ·並，送風風扇5 1則被驅動，由開放 緩衝器所定之開度，從外氣導入管5 7之外氣即淨化室 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐），， -14 - (請九聞讀背*.之注意事項再本頁) .裝· 訂 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） A7 __B7_ 五、發明説明（12 ) 4 0內之清淨空氣則介由配管5 2，供給於移動空間2 2 內。跟隨著，供給於移動空間2 2內之清淨空氣（例如 0 . 3〜0 . 5m/s e c之風置）則將流入各處理單元 損失的量（例如0 . 1〜0 . 3m/s e c)之風量從外 氣導入管5 7補給，時常可維持一定流動於晶片運送空間 2 2內之清淨空氣之風量。 又，作爲風量調整手段係，也可使代替於緩衝器5 8 流置調整閥門等構件》 針對循環管路5 2於送風風扇5 1與空氣供給室 2 0 a之間係，介設有作爲溫度控制手段之溫度控制器 5 9，由此溫度控制器供給於晶片運送空間2 2內之清淨 空氣之溫度則維持於所定溫度例如2 3 °C。又，並無圖示 ，但，根據於配管介設適宜之濕度調整手段，晶片運送空 間2 2內之濕度也可維持於一定。 如上述所構成之縫隙緩衝器5 6，緩衝器5 8及溫度 控制器5 9係，根據從作爲控制手段之中央運算處理裝置一 (CPU)60之控制信號所控制•即，針對晶片運送空 間2 2根據配置於給氣口 2 5側之壓力，風量感知器6 1 將所檢測之信號傳達於C P U 6 0，針對此檢測信號與 C P U 6 0比較運算予先所記憶之情報，根據將其控制信 號傳達於縫隙緩衝器5 6及緩衝器5 8，晶片運送空間 2 2內之壓力及所供給之清淨空氣之風量則控制於所定的 值· 另，根據配置於晶片運送空間2 2內之下部側之溫度 -15 - (請先聞讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 A7 ___B7__ 五、發明説明（13 ) 感知器6 2將所檢測之溫度信號傳達於C P U 6 0，針對 此溫度信號與CPU60比較運算予先所記憶之情報，根 據將其控制信號傳達於溫度控制器5 9，將流動於配管 5 2之清淨空氣則控制於所定溫度例如2 3 °C，其溫度之 清淨空氣則供給於晶片運送空間2 2內。跟隨著，晶片運 送空間2 2內之環境，即壓力，風置及溫度可控制於經常. 所定之值，可適當進行處理系統內之各處理•另，由清淨 空氣環境供給於晶片運送空間2 2內，處理系統之外部即 至淨化室內部之空氣則不將流出，在處理系統內產生之粒 子及有機污染物等則不將洩漏於淨化室0，針對上述卡匣 位置1 0係，如圖4所示，卡匣載童台2之上方空間與晶 片運送用夾子4之移動空間係由垂壁式之隔層板5相互隔 開，降流之空間係在兩空間呈個別流動著· 另*在上述處理位置2 0係，如圖4及圖5所示，在 處理單元組項Gl，G2之中於配置於下層之光阻劑塗敷 單元（COT)之頂點面設有ULPA攄膜50A，從上一 述循環管路5 2供給於室2 2內之空氣則通過此UL P A 濾膜50A流向於光阻劑塗敷單元（COT)內。又，此 情況，於U L P A濾膜5 0 A之進出側附近設有溫度•濕 度感知器6 3，其感知器之输出則傳達於上述C P U 6 0 ，由回授方式正確地控制清淨空氣之溫度及濕度。 另，如圖4所示•於面向於各旋轉器型處理單元（ COT) ， （DEV)之主晶片運送機構21之側壁係， 晶片W及運送支架則設有爲了出入之開口部6 4 ·於各開 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格210X297公釐） (請先聞讀背面之注$項再 填寫本頁) 訂 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 -16 - 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 317644 Α7 Β7 五、發明説明（14 ) 口部6 4係，爲了從各單元產生之粒子或有機污染物等不 會進入主晶片運送機構21側安裝有遮擋板（不圓示）。 如圖1所示，針對處理位置2 0，鄰接於在旋轉器型 處理單元所構成之處理單元組項Gl，G2，於在開放型 處理單元所構成之處理單元組項G 3，G4之側壁之中係 *於垂直方向縱斷設有各自管道6 5，6 6。於這些管道 6 5，6 6係，流動著上述降流之清淨空氣或特別溫度調 整之空氣。根據此管道構造，在G組項3，G4之開放型 處理單元產生的熱則被遮斷，不波及於組項Gl，G2之 旋轉器處理單元地處理著。 接著，參照圖7乃至圔1 1針對處理位置2 0說明關 於主晶片運送機構21之構成及作用•圖7係表示主晶片 運送機構21之重要部份之構成概略斜視圖，圖8係表示 主晶片運送機構2 1之重要部份之構成縱剖面圖，圖9係 針對圖8朝箭頭A所看到之平面剖面圖，圖1 〇係針對圖 8朝箭頭B所看到之內側側面圖，圖1 1係針對圖8朝箭一 頭C所看到之內側側面圖· 如圖7及圖8所示，主晶片運送機構係，於在上端及 下端由所連結之相對向一對之垂直壁部71，72所形成 之筒狀支撐體7 0之內側安裝晶片運送體7 3可於垂直方 向（Z方向）移動。筒狀支撐體70係，連結於回轉驅動 馬達7 4之回轉軸，根據馬達7 4之回轉驅動將回轉軸作 爲回轉中心與晶片運送體7 3成爲一體回轉著。回轉驅動 馬達7 4係固定於處理系統之基板7 5，於馬達7 4之周 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 ^1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 ^17644 A7 B7 五、發明説明（l5 ) 圍係圍繞有給電用可繞性裸電纜。又’筒狀支撐體7 0係 ，根據回轉驅動馬達74也可安裝於所回轉之其他回轉軸 (不圖示）之構成。 晶片運送體7 3之垂直方向之移動範圍係，晶片運送 體7 3則設定於可運送晶片W於所有之處理單元組項G 1 〜G 5 »另，晶片運送體係於運送基台7 7上具備有可移 動於X方向（前後方向）之3支撐叉78a ’ 78b， 7 8 c。各支撐叉係，呈可通過筒狀支撐體7 0之兩垂直 壁部7 1，72之間之側面開口部79。爲使各支撐叉移 動於X方向之X方向驅動部係，備有內藏於運送基台7 7 之驅動馬達及皮帶（不圖示）。 又，也可將上述3支叉之其中最上層之叉7 8 a作爲 被冷卻之晶片W運送專用使用著。另，於各叉之間也可配 置隔熱板防止熱的干涉· 另，如圖8 B至圖1 0所示，於另一方垂直壁部7 1 之內側大約中央之上端部及下端部係安裝有一對之皮帶輪一 8 0，8 1於這些皮帶輪之間掛有無段皮帶8 2。於此垂 直驅動皮帶8 2介由皮帶夾8 3連結晶片運送體7 3之運 送基台7 7。下部皮帶輪8 0係，連結於固定配置於筒狀 支撐體7 0底面之驅動馬達8 4之驅動軸8 4 a，成爲驅 動皮帶輪。 另，如圖9及圖1 0所示，於垂直壁部7 1之內側左 右邊部設置延伸於垂直方向之一對導引軌8 5，於突起設 置於運送基台7 7側面之一對水平支撐棒8 6之前端各自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4现格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -^11. -18 A7 A7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印装 _____B7__ 五、發明説明（10 ) 所設置之滑接板則可摺動地卡合於導引軌8 5。由如此之 垂直皮帶驅動機構及垂直滑接板機構，.晶片運送體7 3係 由驅動馬達8 4之驅動力可昇降移動於垂直方向。 另，如圖9及圖1 0所示，於垂直壁部7 1內側之中 央部與另一方之導引軌8 5之間延伸於垂直方向之棒狀圓 筒體8 8。可遊動地嵌裝於此棒狀園筒體8 8之外側之圓 筒狀之可動部8 8 a係，介由水平支撐棒8 6連結於晶片 運送體7 3之運送基台7 7 ·可動部8 8 a係因與可摺Ϊ& 插入於圓筒體8 8內之活塞（不圖示磁氣的結合，所以介 由可動部8 8 a可使晶片運送體7 3與活塞同時地移動動 作。於圓筒體8 8之下端入口 8 8 b係，從調整8 9於晶 片運送體7 3之重量大約相等之力則由產生之壓力，壓縮 空氣則介由配管所供合。又圓筒體8 8之前端入口 8 8 c 係開放於大氣中。 如此晶片運送體7 3之重量則因圓筒體8 8之浮力被 消除，不會受到晶片運送體7 3之重力影響，可在高速度-上昇移動。又，例如，即使驅動皮帶在切斷之情況下，晶 片運送體7 3係根據圓筒體8 8之浮力保持於其位置，不 會有由重力落下之虞。跟隨著，不會有破損晶片運送體 7 3及筒狀支撐體7 0之虞· 另，如圖7，圖9及圖1 1所示，於另一方之垂直壁 部7 2內側之中央部及兩端部係*於晶片運送體7 3設有 使爲了供給電力及控制信號之可繞性裸電纜91延伸收容 於垂直方向之套管9 2 ·中央部2個套管9 2相對向之外 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐）_ 19 _ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印褽 317644 A7 B7 五、發明説明（Π ) 側面係構成有垂直導管9 3，由此垂直導管9 3引導突起 設置於運送基台77側面之滑接板94。 又，如圖1 0所示，於筒狀支撐體7 0上面係，於回 轉中心軸7 0 a之兩側設有一對開口 7 〇 b，上述所述之 降流清淨空氣則通過這些開口 7 0 b流入於主晶片運送機 構2 1內*由此降流之清淨空氣晶片運送體7 3之昇降移 動空間，即晶片之運送空間2 2係保持時常清淨。 *·*丨 I _ 另，於兩垂直壁部7 1，7 2內側係，如圖9所示' 設有垂有隔層板71a，72a，在這些垂直隔層板 71 a，72b之內側與垂直壁部71，72形成有管道 71b，72b。這些管道71b，72b係，於垂直隔 層板7 1 a，7 2 a在一定的間隔介由被安裝之複數排氣 口 9 5及風扇9 5 a連通於垂直壁部7 1 ，72內側空間 。由此，從垂直驅動皮帶82，棒狀圓筒體88，裸電纜 9 1等之可動體所產生之塵埃係由風扇9 5往管道7 1 b ，7 2b側排出。於此情況，根據進行最大最下部之風扇-之排氣量，可更迅速地排氣· 另，如圖8及圖9所示，針對晶片運送體73，運送 基台7 7內部空間則介由風扇9 6及水平支撐棒8 6之內 部之孔連通於垂直壁部7 1，7 2內側空間，由此，在內 藏於運送基台7 7之風扇驅動馬達及皮帶等所產生之塵埃 也可往管道7 1b，72b排出· 另，根據配置於晶片運送空間2 2內之下部側之溫度 感知器6 2將所檢測之溫度信號傳達於C P U 6 0，針對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）""""~ -ZU -

經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 ___B7_______ 五、發明説明（18 ) 此溫度信號與C P U比較運算予先所記憶之情報，由傳達 其控制信號於溫度控制器5 9，流動於配管5 2之清淨空 氣則控制於所定溫度例如2 3 eC，其溫度之清淨空氣則供 給於晶片運送空間。 跟隨著，可經常控制晶片運送空間內之環境，即，壓 力，風量及溫度於所定之值，可適當地進行處理系統內之 各處理。另，由清淨空氣環境供給於晶片運送空間2 2內 ，將不會往處理系統之外部即淨化室內部之空氣流出，在 處理系統所產生之粒子及有機污染物等則不會洩漏於淨化 室。 針對上述卡匣位置1 0係，如圖4所示，卡匣載置台 2之上方空間與晶片運送用夾子4之移動空間係於垂壁式 之隔層板5相互隔開著，降流之空間係在兩空間呈個別流 動。 另，在上述處理位置2 0係，如圖4及圖5所示，在 處理單元組項G1，G2之中於配置於下層之光阻劑塗敷一 單元（COT)之頂點面設有ULPA濾膜5 0A，從上 述循環管路供給於室2 2內之空氣則通過此U L P A濾膜 50A流入於光阻劑塗敷單元（COT)內。又，此情況 ，於ULPA濾膜5 0A之進出側附近設有溫度。濕度感 知器6 3，其感知器之输出則傳達於上述CPU60，由 回授方式正確地控制清淨空氣之溫度及濕度。 另，如圖4所示，於面向於各旋轉器型處理單元（ COT) * (DEV)之主晶片運送機構2 1之側壁係， 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 317644 ^ A7 B7 五 '發明説明（19 ) 晶片W及運送支架則設有爲了出入之開口部6 4。於各開 口部6 4係，從各單元產生之粒子或有機污染物等則不會 進入主晶片運送機構2 1側安裝有遮擋板（不圖示）。 如圖1所示，針對處理位置2 0，鄰接於在旋轉器型 處理單元所構成之處理單元組項Gl，G2，於在開放型 處理單元所構成之處理單元組項G 3，G4之側壁之井， 各自管道6 5，6 6則於垂直方向縱斷設置著。於這些管 道6 5，6 6係，流動上述降流之清淨空氣或特別濕度調 整之空氣。根據此管道構造，在G組項3，G 4之開放型 處理單元所產生的熱則被遮斷，不會波及於組項G1 ， G 2之旋轉器型處理單元之構成· 接著，針對上述處理系統關於說明晶片W在接受一系 列處理時之晶片運送動作。 首先，針對卡匣位置1 0，晶片運送機構4之晶片運 送用支架4 a則接績於收容卡匣載置台2上之未處理晶片 W之卡匣1，從其卡匣1取出1枚晶片w。 晶片運送用支架4 a係，從卡匣取出晶片W時，移動 經濟部中央梂準扃員工消费合作社印製 至配置於處理位置2 0側之處理單元組項G 3內之調整單 元（ALIM)，於調整單元（ALIM)內之晶片載置 台2 4上搭載晶片W。並對於晶片載置台2 4上之晶片， 實行晶圓位置定位及中心調整。其後，主晶片運送機構 2 1之晶片運送體7 3則從相反側接續於調整單元（ ALIM)，從晶片載置台接收晶片W。 針對處理位置2 0，主晶片運送機構2 1係，運送晶 # 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）" 317644 at ____B7 五、發明説明（2〇 ) 片W於最初靥於處理單元組項G3之附著單元（AD)， 在此附著單元（AD)內晶片W係接受附著處理·附著處 理結束時，主晶片運送機構2 1係，將晶片W從附著單元 (AD)運出’運送於靥於處理單元組項G 3之冷卻單元 (COL)或屬於處理單元組項G4之冷卻單元（COL )。在此冷卻單元（COL)內晶片W係冷卻至光阻劑塗 敷處理前之設定溫度例如2 3 °C。 冷卻處理結束時，由主晶片運送機構2 1之叉7 8 a ，將晶片從冷卻單元（COL )運出，接著，運送於餍於 處理單元組項G 1之光阻劑塗敷單元（COT)或屬於處 理單元組項G2之光阻劑塗敷單元（COT)。在光阻劑 塗敷單元（COT)內係，由旋轉塗染法於晶片W之表面 一樣之厚膜塗敷光阻劑。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁) 光阻劑塗敷處理結束時，主晶片運送機構2 1係，將 晶片W從光阻劑塗敷單元（COT)運出，接著*運送於 靥於處理單元組項G 3之預先烘乾單元（PREBAKE)或屬 -於處理單元G 4之預先烘乾單元（PREBAKE)內》在預先 烘乾單元（PREBAKE)內晶片W係載置於熱板（不圖示） 在所定溫度例如1 0 0 °C所定時間加熱。由此，從晶片W 上之塗敷膜所殘存之溶劑則蒸發去除。預先烘乾結束時， 主晶片運送機構2 1係，將晶片W從預先烘乾單元（PRE-BAKE )運出，接著，運送於靥於處理單元組項G4之伸長 冷卻單元（EXT COL)。在伸長•冷卻單元（EX T COL)內晶片W係接下之工程即在周邊曝光裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（2!0><297公釐） A7 __B7____ 五、發明説明（21 ) 3 3冷卻至適合於周邊曝光處理之溫度例如2 4 °C。 其後，主晶片運送機構2 1係，立刻將晶片W運送於 上方之伸長單元（EXT)，於其中之載置台（不圖示） 之上方載置晶片W。晶片W被載置時，分界面部3 0之晶 片運送支架3 4則從相反側接績，接受晶片W。並，晶片 運送支架3 4係將晶片W運送於分界面部3 0內之周邊曝 光裝置3 3，在其中，晶片W之邊緣部則被曝光。 周邊曝光結束時，晶片運送支架3 4係，將晶片W從 周邊曝光裝置3 3運出，運送於鄰接之曝光裝置側之晶片 接受台（不圖示）。根據情況係，於晶片W移送至曝光裝 置之前也有暫時收藏於緩衝卡匣32。 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印褽 在曝光裝置實施全面曝光之後，晶片W則返回曝光裝 置側之晶片接受台時，分界面部3 0之晶片運送支架3 4 係接續於其晶片接受台接受晶片W，將接受之晶片W運送 於靥於處理位置2 0之處理單元組項G 4之伸長單元（ EXT)，載置於晶片接受台。於此情況，晶片W係也，-於移送至處理位置2 0側之前有暫時收藏於分界面部3 0 內之緩衝卡匣3 2。 於上述伸長單元（EXT)運送晶片W時，從相反側 接續主晶片運送機構2 1接受晶片W，運送於靥於處理單 元組項G 1之顯像單元（DEV)或靥於處理單元組項 G2之顯像單元（DEV) ·在此顯像單元（DEV)內 係，晶片W係搭載於旋轉夾盤之上，例如由噴霧方式，於 晶片W表面顯像液則沒有滿通被供給。顯像結束時，於晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 〇17β44 Α7 Β7 五、發明説明（22 ) 片表面所供給之沖洗液洗落顯像液。 顯像工程結束時，主晶片運送機構2 1係，將晶片W 從顯像單元（DEV)運出，接著運送於屬於處理單元組 項G 3之後烘乾單元（POBAKE )或屬於處理單元G4之後 烘乾單元（POBAKE )。在後烘乾單元（POBAKE )內，晶片 W係在例如1 0 0 °C所定時間加熱》由此，所顯像膨潤之 光阻劑則硬化，耐藥品性則提昇。 後烘乾結束時，主晶片運送機構2 1係，將晶片W& 後烘乾單元（POBAKE)運送於任何之冷卻單元（COL) 。在此晶片W之溫度返回常溫後，主晶片運送機構2 1則 將晶片W移送於屬於處理單元組項G 3之伸長單元（ EXT)·於此伸長單元（EXT)之載置台上方載置晶 片W時，卡匣位置1 〇之晶片運送支架4 a則從相反側接 續，接受晶片W。並，晶片運送支架4 a係，將接受之晶 片W放入於卡匣載置台2上之處理完了之晶片收容用之卡 匣1之所定晶片收容溝。 由以上之一系列工程一次之處理則完了》 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印装 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 如此，針對關於本狀態之系統係*於在主晶片運送機 構2 1之晶片運送空間2 2之周圍，將複數處理單元多ρ 地配置複數配置被構成之處理單元組項，可移動於垂直方 .— —— ---------- ~ —-··... — 、 向及0方向，且，由有著可進出退避之叉之主運送機構 2 1爲進行晶片W之收付，揆績時間則被縮短，由此，全 工程之處理時間則顯著縮短，逋過量則大幅提昇。另，因 可減少系統全體占有之空間，可減低淨化室之成主。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）~~ΓΙ ~ ώ5 - A7 _____B7___ 五、發明説明（23 ) 另’針對主晶片運送機構2 1因爲採用使從晶片運送 空間2 2之上方供給於其中之清淨空氣從其下方排出循環 之循環方式，所以從主晶片運送機構2 1產生之粒子及， 例如從光阻劑塗敷單元（C 0T)等產生之有機污染物等 將不會流出於處理系統外部之淨化室。跟隨著，可提昇淨 化室之清淨度之同時，可謀求延長淨化室之壽命。 又，供給於晶片運送空間2 2之清淨空氣則在各單因 根據調節外氣導入口 5 7之緩衝器5 8補給耗費之量，所 以於晶片運送空間2 2內可經常供給一定量之清淨空氣。 另，由調節介設於構成循環路之配管5 2之縫隙緩衝器 5 6，調整通氣量，將晶片運送空間2 2內對於內部之淨 化室4 0可維持提昇壓力之所定壓力。又，根據介設於構 循環路之配管5 2之溫度控制器5 9，可維持供給於晶片 運送空間2 2內之清淨空氣之溫度於所定溫度例如2 3 °C •跟隨著，可設定晶片運送空間2 2內之環境，即壓力， 風量及溫度於經常所定之值，可適當地進行處理系統內之 各處理。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印笨 接著，說明關於本發明之其他狀態· 針對關於此狀態之光阻劑塗敷，顯像處理系統係，基 本之構造係與以往狀態之系統相同。但，如後述所述，在 此狀態係，主晶片運送1構之構造則與以往之狀態不同。 ' ’ ―^ ---------——-____________ 即，針對此狀態，於晶片運送空間22之中，有著備有圍 繞運送體7 3之運送路之筒體狀筐體1 1 0之主晶片運送 機構21(參照圖14)。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -26 -

經濟部中央梯準局負工消费合作社印«L A7 ____B7___五、發明説明（24 ) 此狀態之系統也設置於淨化室內，由此提曼清淨度， ' .— ______ - -------------------- —---------- ' — 但又在系統內由有效之供給垂直層流更提昇各部之清淨度 ·-'·' · -------- _ _______ 。於圖12及圖13針對系統內表示空氣之流動。又，針 對這些圖，於與以往同樣之狀態系統構造係附有相同之符 號。 針對此狀態係，如圔12所示，於卡匣位置10，處 理位置2 0及分界面部3 0之上方係設有空氣供給室 10a，20a，30a，於各空氣供給室l〇a， 2 0 a，3 0 a之下面安裝有付防塵機能之濾膜例如 ULPA濾膜50·另，如圖13所示，於關於此狀態之 處理系統之背部側外部係設有空調器1 0 2，從此空調器 10 2通過配管1 0 3導入空氣於各空氣供給室1 〇 a ， 20a，30a，從各空氣供給室之ULPA濾膜之清淨 空氣之降流則供給於各位klO，20，30。 此清淨空氣之降流係，通過於系統下部適當之處設有 多數之通風孔4 0集中於底部之排氣室1 0 4，從此排氣 室通過配管1 0 5回收於空調器1 0 2。 又，空調器102係，於各空氣供給室l〇a ， 20a，30a自體有著風扇之情況係，設置於系統上部 也可以。 另，如圖1 2所示，在處理位置20係，於ULPA 濾膜5 0下方設有隔開處理單元組項G 3與主晶片運送機 構21之間之空間及處理單元組項G4與全晶片運送機構 2 1之間之空間之隔層板3 3 a。由隔層板3 3 a所隔開 閱 背 ϊι 之 注

I 个 頁 各纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -27 經濟部中央捸準局貝工消費合作社印«. A7 __B7__五、發明説明（25 ) 之空間，組項G 3側之空間，及組項G 4之空間係，於各 自組項G 3之背後及組項G 4之背後接績於所設置之管道 33b。並，於處理單元組項G3及G4之各單元之管道 33b側係設有各自之開口部33c。 · 跟隨著，從ULPA濾膜3 2所供給之清淨空氣係， 直接流入於主晶片運送機構2 1之同時，通過管道3 3 b ，介由各單元之開口部3 3 c從各單元之背後流向於主晶 片運送機構2 4。並，這些清淨空氣係，通過組項G 3及 G4與主晶片運送機構2 1之間，貫通通風孔40。 在關於此狀態之處理系統係，因將如此之清淨空氣介 由各單元之開口部3 3 C從各單元背後流向於主晶片運送 機構2 1所構成，所以在主晶片運送機構2 4側產生之粒 子則不會流入於單元側。另，對於多層配置之各單元可經 常送入新鮮之清淨空氣· 如圖12及圖13所示，在處理位置20係，在處理 單元組項G 1及G 2之中於配置於下層之光阻劑塗敷單元 (COT)之頂點面設有ULPA濾膜50a，從空調器 1 0 2之空氣則通過由配管分岐之配管1 0 6送至濾膜 5 0 a。於此配管1 0 6之途中設有溫•濕度調整器（不 圖示），適合於光阻劑塗敷單元塗敷工程之所定溫度及濕 度之清淨空氣則供給二個光阻劑塗敷單元（COT)。於 濾膜50a進出側附近設有溫度•濕度感知器107，其 感知器輸出則俥達於該溫度•濕度調整器之控制部，由回 授方式正確控制清淨空氣之溫度及濕度* 請 先 聞 之 注

I t 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 - A7 ____B7_ 五、發明説明（26 ) 針對圖1 3，於面向於各旋轉器型處理單元（ COT )’ （DEV)之主晶片運送機構21/之側壁係，設有 爲了進出晶片及運送支架之開口部6 4 ·於各開口部6 4 係，爲了不將從各單元產生之粒子或污染物進入於主要之 晶片運送機構2 1側：，安裝有遮擋板（不圖示）。 接著，參照圖1 4〜圖1 8針對處理位置2 0說明關 ... 於主晶片運送機構2 1之構成及作用。圖1 4係表示切開 主晶片運送機構2 1之重要部份之略斜視圇，圖1 5係表 示主晶片運送機構2 1之重要部份之構成縱剖面圖，圖 1 6係針對圚1 5朝箭頭A所看見之平面剖面圖，圖1 7 係針對圖15朝箭頭B所看見之內側側面圖及圖18係針 對圖1 5朝箭頭C所看見之內側側面圖，針對這些圖也與 關於以往狀態之系統相同構造附有相同之符號。 如圖1 4及圖1 5所示，主晶片運送機構2 1係，有 著圓筒狀筐體1 1 0，於此筐體1 1 0內側作爲運送手段 之晶片運送體7 3則可移動地支撐於上下方向（Z方向） 經濟部中央標準局貞工消费合作社印11 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 。圓筒狀筐體1 1 0係，接嫌於回轉驅動馬達1 1 1之回 轉軸，根據馬達1 1 1之回轉驅動力，將回轉軸作爲回轉 中心與晶片運送體7 3 —體地回轉。回轉驅動馬達1 1 1 係固定於本系統之基板75·於馬達111之周圍係卷撓 有供電用可撓性裸電纜76 *又，圓筒狀筐體1 1 0係， 根據回轉驅動馬達111構成安裝於所回轉之其他回轉軸 (不圖示）也可以· 圓筒狀筐髖1 1 0係，將晶片運送體7 3圍起來收容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ -29 - A7 B7 317644 五、發明説明（27 ) 之同時，設有可處理單元組項G 1〜G 5之間之晶片W之 接受之複數開口部1 10a。並，晶片運送體73之垂直 方向之移動範圔係，晶片運送體7 3則設定於可運送晶片 W於全部之處理單元組項G 1〜G 5。 此晶片運送體7 3之構造係，與以往之狀態構造相同 ，於運送基台7 7具備有3支可移動於X方向（前後方向 )之支撐叉78a，78b，78c。各支撐叉係呈成貫 通圓筒體筐體1 1 0之開口部1 1 0 a。與以往相同’ X 方向驅動部係，備有內藏於運送基台7 7之驅動馬達及皮 帶。 又，針對此狀態，也可將最上層之叉7 8 a作爲被冷 卻之晶片之運送專用使用也可以。另，於各夾子間配置隔 熱板，也可構成於防止熱的相互干涉· 另，如圖1 4B至圖1 6所示，針對圓筒狀筐體 110之內側於另一方之壁部側大約中央之上端部及下端 部安裝有一對於以往之狀態之主晶片運送機構21相同之 滑輪80，81，於這些滑輪80，81間掛有垂直驅動 用之無端皮帶8 2。於此垂直驅動皮帶8 2介由皮帶夾接 續著晶片運送體7 3之運送基台7 7。下部滑輪8 0係， 接續於固定配置於圓筒狀筐體110之底面之驅動馬達 84之回轉軸84a，成爲驅動滑輪。 另，如圖16及圖17所明示，於圓筒狀筐體1 10 之內側之另一側係，與以往之狀態相同，設有一對導引軌 8 5，於突起設置於運送基台7 7之側之一對水平支撐棒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 请 閱 if 背 面 之 注 項 再 填 本 頁 經濟部中央標準局貞工消费合作社印装 -30 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） A7 __B7___ 五、發明説明（28 ) 8 6之前端各自所設置之滑接板8 7則可摺動地卡合於兩 導引軌8 5。由此構成，與以往之狀態相同，晶片運送體 7 3則呈可昇降移動於垂直方向· 如圖16及圖17所示一於圓筒狀筐體110之另一 側之內壁中央部與另一方之導引軌8 5之間係，與以往之 狀態相同，棒狀圓柱體8 8則延伸存在於垂直方向。於這 棒狀圓柱體8 8之外側係可遊動地外嵌画筒狀之可動部 8 8 a，這此係構成與以往之狀態相同，因與圓柱體8 8 之活塞磁氣的結合*所以介由可動部8 8 a可使晶片運送 體7 3個活塞同時地移動動作。另，於画筒狀8 8下端之 通道8 8 b係，與以往之狀態相同*從調整器8 9大約相 等於晶片運送體7 3之重量力則如由產生於活塞之壓力壓 縮空氣則介由配管9 0所供給。圖筒狀8 8之前端之通道 8 8 c係開放於大氣中。跟隨著，此狀態也與以往之狀態 相同，晶片運送體7 3係不受重力之影響可在高速度上昇 移動，另，即使驅動皮帶在斷裂之情況下，也不會有因重 力落下之虞，也不會有破損晶片運送體7 3及圓筒狀筐體 1 1 0之虞。 如圖1 4，圓1 6及圖1 8所示，針對圓筒狀支撐體 1 1 0之內側於其他方面之壁部側之中央部及兩端部係， 與以往之狀態相同，於晶片運送體7 3設有收容爲了供給 電力及控制信號之可撓性裸電纜91之套管9 2，由中央 部之2個套管9 2之導管9 3，引導突起設置於運送基台 7 7側面之滑接板。 -31 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 317644 Α7 Β7 五、發明説明（29 ) 如圖1 4所示，於圓筒狀筐體1 1 〇之上面係，於回 轉中心軸1 1 Ob之兩側設有爲了導入清淨空氣於該圓筒 狀筐體1 1 0之一對導入口 1 1 0 c，從上述之頂點面方 向之清淨空氣則通過這些導入口 1 1 0 c流入於主晶片運 送機構2 1 '內。由此降流之清淨空氣晶片運送體7 3之 昇降移動空間係經常保持清淨。 於各導入口 1 1 〇 c係’設有複數作爲爲了調節導入 之空氣量之調整手段之可動式狹縫窗。可動式狹縫窗 1 10d係，例如：如圓19所示，複數之狹縫1 l〇e 則將所設置之板狀構件1 1 0 f 2枚重叠，根據將例如 :上部之板狀構件1 1 0 f之位置於X方向錯開可開閉窗 。跟隨著，因應主晶片運送機構2 1 >內外環境將狹縫窗 1 1 0 d所定幅度開啓可調節導入之空氣量，由此可將主 晶片運送機構2 1 /內之清淨作用最適當化。 於圓筒狀筐體1 1 0之內壁兩側係，如圖1 5及圖 1 6所示，與以往之狀態相同，設有各自之垂直隔層板 112a，113a ，由這些隔層板 112a ，113a 之內側與圓筒狀筐體1 1 0之壁部形成有管道1 1 2 b， 1 1 3b ·於隔層板1 1 2a，1 1 3a之前端及下端附 近係*設有作爲各自排出手段之空氣排出口 1 1 4及 115，於其係配置有送風風扇114a，115a。由 送氣風扇114a，115a所排出之空氣係，通過管道 1 12b，1 1 3b，從主晶片運送機構21 /內之下部 排出於外部· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） -οί 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再

經濟部中央標準局貝工消费合作社印袈 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 五、 發明説明 (30 1 排 氣風 扇 1 1 4 a , 11 5 a 係， 連 動 於驅動 馬 達 1 I 8 4 之驅動 輸 出 則 被控制 著· 即 » 由驅 動 馬 達8 4 之 驅 動 1 1 1 晶 片 運 送體 7 3 則 上 昇時 係， 前 細 m 附近 之 空 氣排出 P I 1 I 1 1 4 之排氣風 扇 1 14 a之 輸 出 則變 大 » 由驅動 馬 達 锖 先 Μ 1 1 8 4 之 驅動 晶 片 運 送 體7 3則 下 降 時係 9 下 端附近 之 空 氣 背 1 排 出 P 11 5 之排氣 風扇 11 5 a 之輸 出 則 變大地 控 制 著 面 之 注 4 f J 1 1 〇 事 項 再 1 1 I 跟 隨著 9 在 圓 lUx A**» 筒狀售 體1 1 0 內於 晶 片 運送7 3 昇 降 'l· 時 9 在 圓筒狀 筐 體 1 10 之前 職 附 近及 下 端 附近所 壓 縮 之 頁 1 I 空 氣 係 ，介 由 空 氣排 出口 11 4 9 11 5 排 出於主 晶 片 運 1 1 I 送 機 構 2 1 之 外 部 。跟 隨著 » 圓 ΑΛ- [ΓΚ 簡狀 筐 體 110 內 部 之 1 1 壓 力 變 動則 被 緩 和 針對其前端 附近及下 端 附近由 空 氣 之 * 1 訂 壓 縮 洩 漏粒 子 則將 不 會從 圓筒 筐 體 11 0 擴散。特別 是 由 1 1 將 設 置 於下 端 之 風 扇 排氣 置設 定爲 最大 圓 始 筒狀筐 體 1 I 1 1 0 內部 之 壓 力 則 更被 緩和 著 〇 1 | 於 如此 之 空 氣排出口 11 4 11 5 由 設置排 氣 風 扇 一 1 1 4 a » 1 1 5 a 及控 制排氣風 扇1 1 4 a * 1 1 5 a 1 1 1 之输 出 ，更 有效地 由 空氣之壓縮 洩 漏可 防止粒子之擴 散 1 1 但 t 不 設置 排 氣 風 扇 11 4 a 1 15 a 只 設置空 氣 排 出 1 * 1 □ 1 1 4 * 1 1 5 也 可防止粒 子 之 擴散 〇 | 另 ，排 氣 風 扇 1 14 a , 1 1 5 a 之 安 裝位置 係 > 並 J I 不 僅 只 於空 氣 排 出 口 11 4， 1 1 5 ( 管 道 112 b » 1 I 1 1 3 b之 入 □ ) 附 近， 設置 於 管 道1 1 2 b，1 1 3 b 1 1 1 之 途 中 及1 1 2 b • 11 3 b 之 出 口也 可 以 〇 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） -00

經濟部中央樣準局貞工消費合作社印1L A7 _B7__五、發明説明（31 ) 另，如圖20所示，於管道112b，113b之外 側，更加地設置其他之管道112c，113c，於圖筒 狀筐體1 1 0之前端附近，更加地設置連通於管道 112c，113c之空氣排氣口也可以。在此例係，排 氣風扇114a，117a係設置於各自之管道112b ，113b ，112c ，113c之出口。即，因在系統 全體係形成清淨空氣之降流，晶片運送體7 3之上昇時， 也就是圓筒狀筐體110之前端附近空氣則容易被壓縮。 跟隨著，如此，由將圓筒狀筐體1 1 0前端附近之空氣排 出α 2層構成，更有效地由空氣之壓縮洩漏可防止粒子之 擴散。 另，由設置排氣風扇114a，115a可將圓筒狀 筐體1 1 0內設定爲降壓，如此地由將圓筒狀筐體1 1 0 內設定爲降壓，可防止粒子從圓筒狀體1 1 0內擴散於各 單元。 又，針對此狀態係，因將晶片運送體7 3圍起設置圓 筒狀筐體1 1 0，所以由主晶片運送機構2 1 之0方向 之回轉可防止氣流之亂流。跟隨著，如在圖1 2所說明之 ，與將清淨空氣介由各單元之開口部3 3從各單元之背後 流向於主晶片運送機構2 1 /之構成相輔，可更有效地防 止在主晶片運送機構2 1 側產生之粒子擴散於單元側。 針對上述任何之狀態，處理系統內之各部配置構成係 爲一例，可爲各種之變形。例如：在上述之狀態係，在處 理位置20內之處理單元組項Gl ’ G2係將旋轉器型處 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -34 - 317644 a? B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 五、發明説明（32 ) 理單元各自配置於2層，處理單元組項G 3，G4係將開 放型處理單元及晶片接受單元各自配置於8層，但，除此 之外之任意層數則爲可能，於1個組之中也可使旋轉器型 處理單元與開放型處理單元或晶片接受單元混合•另，也 可加上，清潔單元等其他處理單元· > 另，如圚1及圖2所示，也可將配置於處理位置2 0 兩側之卡匣位置1 0與分界面部3 0之相對位置關係構成 左右相反。其情況係，對於處理位置2 0卡匣位置1 0與 分界面部3 0係由各自之適當結合之構件9 7 (例如：螺 栓）可裝卸連結地構成即可》另，由也可裝卸安裝於卡匣 位置1 0正面部之控制面板1 0 0，對於配置之變更可容 易地因應。例如：即使曝光裝置配置於左右任何一側之情 況也可對應。另，由於不需重新設計，制作，也可謀求低 成本化。 又，在上述狀態表示有著3個叉之運送體之運送機構 ，但，叉數則不限於此· 另，在上述狀態，關於此發明，說明過關於將處理裝 置適用於半導體晶片之塗敷•顯像處理系統之情況，但， 此發明之處理裝置係也可適用於其他處理系統，被處理體 也不限定於半導體晶片，例如：L CD基板，玻璃基板， C D基板，光罩印刷基板，陶瓷基板等之被處理體也可適 用。 〔圖面之簡單說明〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -35 - A7 B7 五、發明説明（33 ) 圖1係，表示關於此發明之一種狀態具備處理裝置之 半導體光阻劑液體塗敷•顯像處理系統· 圖2係，表示圖1之光阻劑液體塗敷 顯像處理系統 側面圖。 圖3係 背面圖。 圖4係 表示圖1之光阻劑液體塗敷·顯像處理系統 針對顯像處理 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 表示圖1之光阻劑液體塗敷 系統清淨空氣流通之概略正面圖。 ^ 圖5係，擴大表示關於適用於圖1之系統此發明之一 種狀態之處理裝置之重要部份其一部份之縱剖面圖。 圖6A，6B係，表示各自，關於適用於圖1之系統 此發明之一種狀態，作爲處理裝置之壓力調整手段之縫隙 緩衝器剖面圓及平面圖· 圖7係，表示關於適用於圖1系統之此發明一種狀態 處理裝置之主晶片運送機構之概略斜視圖。 圖8係，表示圖7之主晶片運送機構之重要部份之構 成之縱剖面圖· 圖9係，表示將前述主晶片運送機構朝向圖8之箭頭 A方向所看到之狀態之剖面平面圖。 圖1 0係，表示將前述主晶片運送機構朝向圖8之箭 頭B方向所看到之狀態之內側側面圖。 圖1 1係，表示將前述主晶片運送機構朝向圖8之箭 頭C方向所看到之狀態之內側側面圖。 圖1 2係，表示關於此發明之其他狀態具備處理裝置

訂 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS >八4规格（2丨0 X 297公釐）_ _ A7 B7 五、發明説明（34 ) 之半導體晶片之光阻劑液體塗敷•針對顯像處理系統清淨 空氣之流通概略背面圖。 圖1 3係，表示針對圖1 2之處理系統清淨空氣之流 通概略側面圖。 圖14係*表示關於此發明之前述其他狀態將處理裝 置之主晶片運送機構切開一部份之概略敘視圖。 圖1 5係，表示圇1 4之主晶片運送機構之重要部份 ，構成之縱剖面圖· ' 圖1 6係，表示將前述主晶片運送機構朝向圖1 5之 箭頭A方向所看見之狀態之剖面平面圖· 圖1 7係，表示將前述主晶片運送機構朝向圖1 5之 箭頭B方向所看見之狀態之內側側面圖· 圖1 8係，表示將前述主晶片運送機構朝向圖1 5之 箭頭C方向所看見之狀態之內側側面圖。 圖1 9係，表示前述主晶片運送機構之清淨空氣導入 口構造之剖面圖。 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 (請先Μ讀背面之注$項再樓寫本頁) 圖2 0係，此發明體爲表示主晶片運送機構之其他例 之重要部份構成之縱剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0><297公釐）

Claims (1)

1. » * · 8^8.13 六、申請專利範圍 第86 1 00550號專利申請案 中文申請專利範國修正本 (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 民國86年8月修正 1 ·—種處理裝置*其特徽爲具備，於被處理髖施實 一系列處理之複數處理單元沿著垂宜方向形成於多層配置 數處理組項，於這些複數處理單元組項之間規定被處 理體運送空間及；由可移動前述被處理體運送空間於垂宜 方向對於前述各處理單元有著被處理«之接受可能之運送 構件’爲了運送被處理體之運送手段及；緩和前述被處理 體運送空間之環境變動之手段· 2 .如申請專利範國第1項之處理裝置，其中緩和前 述環境變動之手段係，有著於前述被處理體運送空間形成 降流之手段及，控制降流之風流之手段及，控制前述被處 理體空間之壓力之手段· 3 .如申請専利範園第2項之處理裝置，其中緩和前 述環境變動之手段係，更有控制前述被處理髏運送空間之 溫度之溫度控制手段· 經濟部中央梂率局ec工消費合作社印策 4 ·如申請專利範園第1項之處理裝置，其中緩和前 述環境變動之手段係•有著•由前述運送構件之垂宜方向 之移動排出所壓縮之空氣之排出手段· 5 .如申請專利範園第4項之處理裝置，其中前述排 出手段係，有著排氣口及，排氣風扇· 6 .如申請專利範圃第4項之處理裝置，其中前述排 出手段係，有著於前述運送手段之前端部及下端部設有各 本紙張尺度適用中國•家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " 六、申請專利範圍 自之排氣口及，因應道些排氣口各自之排氣風扇及，於前 述運送構件之上昇時係，因應前述前端部之排氣口將排氣 風扇之输出變大，於前述運送構件之下降時係，因應前述 下端部之排氣口將排氣風扇之输出變大之手段* 7 .如申請專利範圔第4項之處理裝置，其中前述排 出手段係，有著沿著垂宜方向所設置之複數排氣口及，各 自因應道些排氣口之複數排氣風扇，因應最下部之排氣口 排氣風扇之排氣ft則爲最大· 8 .如申請專利範園第1項之處理裝置，其中前述運 送手段係，有著複數之運送構件· 9 .如申請專利範園第1項之處理裝置，其中前述被 處理髖運送空間之壓力則設定比裝置外之壓力高· 鍾濟部中央榡準局負工消费合作社印«. (請先閱讀背面之注$項再填寫本I) 1 0 . —種處理裝置，其特黴爲，具備於被處理髖施 實一系列處理之複數處理單元沿著垂宜方向形成多層配置 之複數處理單元組項，於道些複數處理單元組項之間規定 被處理髏運送空間，及；由可移動前述被處理體運送空間 於垂宜方向對於前述各處理單元有著被處理髖之接受可能 之運送構件，爲了運送被處理體之運送手段及；於前述被 處理體運送空間形成清淨空氣之降流之手段及；阻止從前 述被處理體運送空間，空氣流入於前述各處理單元之手段 1 1 .如申請專利範園第1 0項之處理裝置，其中阻 止前述空氣之流入之手段係，有著於前述被處理體運送空 間沿著垂宜方向所設置之管道及，將前述被處理《運送空 本紙張尺度埴用中困國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 317644 六、申請專利範圍 間之空氣排出於前述管道之排出手段· (請先S讀背面之注f項再旗寫本霣) 1 2 .如申請專利範圓第1 0項之處理裝置，其中阻 止前述空氣之流入之手段係，有著形成從前述各處理單元 往前述被處理髖運送空間之清淨空氣之流動手段· 1 3 .如申請專利範圓第1 〇項之處理裝置•其中前 述運送手段係有著複數運送構件· 1 4 .如申請專利範園第1 〇項之處理裝置，其中前 述被處理髏運送空間之壓力則設定比裝置外之壓力髙· 經濟部t央揉率局貝工消费合作社印装 ί 5 種處理裝置，其特徴爲，具備於被處理髏施 資一系列處理之棱數處理單元沿著垂宜方向形成多層配置 之複數處理單元組項，於道些複數處理單元組項之間規定 被處理體運送空間，及；由可移動前述被處理髖運送空間 於垂宜方向對前述各處理單元有著被處理之接受可能之運 送構件，爲了運送被處理體之運送手段及；設置於前述被 處理髖運送空間上方之吸氣口及；設置於前述被處理體運 送空間下方之排氣口及；連接前述吸氣口與排氣口，形成 循環路之配管及；在前述被處理體運送空間形成之降流從 吸氣口朝排氣口方向使清淨空氣循環之送風手段· 1 6 .如申請專利範圈第1 5項之處理裝置，其中， 又，有著控制循環之清淨空氣風置之風ft控制手段* 1 7 . i申請專利範圓第1 6項之處理裝置*其中前 述風量控制手段係，有著吸收外氣之外氣吸收部及，設置 於外氣吸收部之緩衝器· 1 8 .如申請專利範第1 6項之處理裝置，其中· 本纸永尺度逋用中國两家梯準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 317644 夂、申請專利範園 又’有著控制前述被處理髗運送空間之懕力之壓力控制手 段· 1 9 .如申請專利範園第1 6項之處理裝置，其中， 又•有著控制前述被處理體運送空間之溫度之溫度控制手 段· 2 0 ·如申請專利範園第1 6項之處理裝置，其中前 述運送手段係有著，沿著伸長於前述被處理醴運送空間， 爲了支撐運送構件之支撐構件，此支撐構件係有著，沿著 其垂宜方向所設置之管道及，將前述被處理體運送空間之 空氣排出於前述管道之排出手段· 2 1 .如申請專利範園第2 0項之處理裝置，其中前 述排出手段係，有著排氣口及排氣風扇· 2 2 .如申請專利範圃第2 0項之處理裝置，其中前 述排出手段係，有著沿著垂宜方向所設置之複數排氣口及 ，各自因應道些排氣口之複數排氣風扇，因應最下部之排 氣口排氣風扇之排氣置則爲最大· 2 3 .如申請專利範園第1 5項之處理裝置，其中前 述運送手段係有著複數之運送構件* 2 4 .如申請專利範國第1 5項之處理裝置，其中， 前述被處理髖運送空間之壓力則•設定比裝置外之壓力高 〇 2 5 . —種處理裝置，其特徴爲具備，於被處理髖施 實一系列處理之複數處理單元沿著垂宜方向形成多層配置 之複數處理單元組項，於道此複數處理單元組項之間規定 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210 X 297公着） (請先閱讀背面之注$項再4寫本買) ΓΛ· 訂 經濟部中央橾率局負工消费合作社印氧 -4 - 經濟部中央輮率局貝工消费合作社印氧 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 被處理體運送空間，及；由可移前述被處理髖運送空間於 垂宜方向對於前述各處理單元有著被處理髖接受可能之運 送構件，爲了運送被處理髏之運送手段及；於前述被處理 體運送空間沿著垂宜方向所設置之管道及；由前述運送構 件之垂宜方向之移動排出所壓縮之空氣於管道之排出手段 〇 2 6 .如申請專利範園第2 5項之處理裝置，其中前 述排出手段係*有著排氣口及排氣風扇· 2 7 .如申請專利範圏第2 5項之處理裝置，其中前 述排出手段係有著，於前述管道之前端及下端部各自所設 置之排氣口及，各自因應道些排氣口之排氣風扇及，於前 述運送構件之上昇時係，因應前述前端部之排氣口提高排 氣風扇之输出，於前述運送構件之下降時係，因應前述下 端部之排氣口提高排氣風扇之输出之手段· 2 8 .如申請專利範園第2 5項之處理裝置*其中前 述排出手段係有著，沿著垂宜方向所設置之複數排氣口及 ，各自因應道些排氣口之複數排氣風扇，因應最下部之排 氣口排氣風扇之排氣置則爲最大· 2 9 .如申請專利範圓第2 7項之處理裝置，其中前 述排出手段係有著，於前述管道之前端其他之排氣口· 3 0 .如申請專利範國第2 5項之處理裝置，其中前 述運送手段係有著複數運送構件· 31.如申請專利範園第25項之處理裝置，其中前 述運送手段係有著_住前述運送髏之移動範園之筐體· 本紙張尺度逋用中國國家揉率（CNS ) A4洗格（210X297公釐） I.----------I— (請先»讀背面之注$項再4寫本買) 订· -5 - 3饥44 A8 B8 C8 六、申請專利範圍 3 2 .如申請專利範圍第2 5項之處理裝置，其中前 述被A理髏運送空間之壓力則設定比裝置外之壓力高· 3 3 . —種處理裝置，其特徽爲具備，於被處理體施 實一系列處理之複數處理單元沿著垂宜方向形成多層配置 之複數處理單元組項，於道些複數處理單元組項之間規定 被處理髏運送空間，及：由可移動前述被處理髏運送空間 於垂宜方向對於前述各處理單元有著被處理髏接受可能之 V 運送構件及園住此運送構件之移動範園之筐tt，爲了運送 被處理髖之運送手段及；於前述被處理髖運送空間形成清 淨空氣之降流手段及；形成從前述各處理軍元至前述被處 理體運送空間之清淨空氣之流動手段； 從前述各處理單元之中流向於前述被處理艚運送空間 之清淨空氣則由降流沿著前述筐體外側流向於下方· 3 4 .如申請專利範園第3 3項之處理裝置，其中前 述筐髖係形成園筒狀· 3 5 .如申請專利範園第3 3項之處理裝置，其中前 述筐體中之壓力則比被處理髏運送空間之其他部份壓力低 〇 3 6 .如申請專利範園第3 3項之處理裝置 > 其中於 前述筐II之上部有著導入清淨空氣之導入口· 3 7 · &申請專利範園第3 6項之處理裝置，其中前 述導入口係，有著爲了調節導入之空氣置之調整手段· 38.如申請專利範圓第33項之處理裝置*其中前 述運送手段係有著複數運送構件· 本紙張尺度逍用中困困家輮準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） (請先《讀背面之注意事項再填本頁 訂 經濟部中央梂準局負工消费合作社印氧 B8 C8 D8 經濟部中央操牟局Λ工消费合作社印«. 夂、申請專利範圍 3 9 . —種處理裝置，其特擞爲具備，塗敷光阻劑之 光阻劑塗敷單元及包含顯像光阻圖案之顯像單元之鹿理單 元則重叠形成於垂宜方向最少一樣之第1處理單元及；進 行被處理體之調整之調整單元，烘乾被處理釐之烘乾單元 ’冷卻被處理鼸之冷卻單元，於被處理體進行附著處理之 附著單元及包含伸長單元之一部份或全部之處理單元則重 叠形成於垂宜方向最少一樣之第2處理單元； 前述第1處理單元組項係，有著前述塗敷單元形成配 置於前述顯像單元之下方，塗敷•顯像處理裝置· 4 0 ·如申請專利範園第3 9項之處理裝置，其中又 有著，緩和前述被處理髖運送空間之環境變動手段· 4 1 .如申請專利範第3 9項之處理裝置，其中又 有著·於前述被處理《運送空間形成清淨空氣之降流手段 及；阻止從前述被處理髏運送空間，至前述各處理單元之 空氣流入手段* 4 2 · —種處理裝置，其特徵爲具備，塗敷光阻劑之 光阻劑塗敷單元及包含顯像光阻圖案之顯像單元之處理單 元重叠形成於垂宜方向最.少一樣之第1處理單元組項及； 進行被處理髓之調整之調整單元，烘乾被處理釐之烘乾單 元，於被處理體進行附著處理之附著單元及包含伸長單元 之一部份或'全部之處理單元重叠形成於垂宜方向最少一樣 之第2斑理單元組項； 前述第2處理單元組項係，有著前述冷卻單元形成配 置於前述烘乾單元之下方，塗敷•顯供處理裝置· (請先《讀背面之注f項再填寫本霣) * Γ - 本紙張尺度適用中國家糨率（CNS > Α4Λ格（210X2打公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印褽 A8 B8 C8 _____ D8 六、申請專利範圍 4 3 .如申請專利範圈第4 2項之處理裝置，其中前 述第2處理單元係•於前述冷卻單元與前述烘乾單元之間 有著配置伸長單元之位置· 4 4 ·如申請專利範圃第4 2項之處理裝置•其中更 有著緩和前述被處理髏運送空間之環境樊動之手段 4 5 .如申請專利範圓第4 2項之處理裝置，其中更 有著於前述被處理髖運送空間形成清淨空氣之降流之手段 及：阻止從前述被處理髗運送空間，至前述各處理單元之 空氣流入· 4 6 . —種處理裝置，其特徴爲具備，對於被處理體 進行光阻劑塗敷及顯處理之塗敷•顯懞處理系統·對於被 處理體進行光阻劑塗敷及包含顬像處理之一系列處理之處 理部及；在與其他系統之間及與前述處理部之間進行被處 理體之接受之運送部及；在與前述處理部之間及與曝光裝 置之間進行被處理髖之接收之分界面部， 前述處理部係備有，塗敷光阻劑之光阻劑塗敷單元及 包含顯像光阻圓案之顯像單元重叠形成於垂宜方向最少一 樣之第1處理單元組項及；進行被處理體之調整之調整單 元，烘乾被處理體之烘乾單元，冷卻被處理藿之冷卻單元 ，於被處理髖進行附著之附著單元及包含伸長單元之一部 份或全部之處理單元重疊形成於垂宜方向最少一樣之第2 處理單元組項； 前述第2處理單元組項係，有著前述冷卻單元形成配 置於烘乾單元下方· ^紙張尺度適用中國國家梯率（CNS > A4規格（210X297公釐) " {請先Μ讀背面之注意事項再壤寫本頁) 訂 ^17644 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印«. 六、申請專利範圍 4 7 .如申請專利範画第4 6項之處理裝置，其中前 述第2處理單元係，於前述冷卻單元與前述烘乾單元之間 有著配置前述伸長單元之位置· 4 8 ·如申請專利範圏第4 6項之處理裝置，其中又 有著緩和前述被處理體運送空間之環境變動之手段· 4 9 .如申請專利範圈第4 6項之處理裝置，其中又 有著於前述被處理髖運送空間形成清淨空氣之降流之手段 及；阻止從前述被處理體運送空間，至各處理單元之空氣 流入之手段* (請先》讀背面之注f項再填寫本頁)

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