JP2010056104A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】メンテナンスが容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を備える。現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を備える。熱処理部１２３，１３３は、搬送部１２２，１３２から離間する方向に移動可能に設けられる。熱処理部１２３，１３３を移動させることにより、熱処理部１２３と搬送部１２２との間に作業スペース２００が形成され、熱処理部１３３と搬送部１３２との間に作業スペース３００が形成される。
【選択図】図１０

Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

例えば、特許文献１に記載された基板処理装置は、複数の処理ブロックを備えている。各処理ブロックには、複数の熱処理部、複数の薬液処理部および搬送機構が設けられている。各処理ブロック内においては、搬送機構により基板が熱処理部および薬液処理部に搬送される。そして、熱処理部および薬液処理部において基板に所定の処理が行われる。
特開２００３−３２４１３９号公報

ところで、基板処理装置の信頼性を維持するためには、各処理ブロックの構成要素のメンテナンスを定期的に行う必要がある。しかしながら、特許文献１に記載されているような従来の基板処理装置においては、メンテナンス作業を行うための十分なスペースを基板処理装置内に確保することが困難であった。そのため、基板処理装置のメンテナンスには、大きな時間と労力が必要であった。

本発明の目的は、メンテナンスが容易な基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う処理ブロックを有する基板処理装置であって、処理ブロックは、基板に液処理を行う液処理部と、基板に熱処理を行う熱処理部と、液処理部と熱処理部との間に設けられ基板を搬送する搬送部とを備え、熱処理部は、熱処理部と搬送部との間に作業スペースが形成されるように搬送部から離間する方向に移動可能に設けられるものである。

この基板処理装置においては、処理ブロック内に液処理部、熱処理部および搬送部が設けられる。熱処理部は、熱処理部と搬送部との間に作業スペースが形成されるように移動可能に設けられる。この場合、作業者は、その作業スペースにおいて処理ブロック内のメンテナンス作業を行うことができるので、作業効率が向上する。それにより、基板処理装置のメンテナンスを容易かつ短時間で行うことが可能になる。

（２）搬送部は、基板を保持するとともに基板を搬送する搬送装置を有し、作業スペースは、熱処理部の移動により搬送装置が通過可能な大きさに形成される。

この場合、作業スペースを介して搬送装置を処理ブロックの外部に搬出することができる。それにより、基板処理装置のメンテナンスがさらに容易になる。

（３）基板処理装置は、搬送部に隣接するように設けられるインデクサブロックをさらに備え、インデクサブロックは、基板を搬送するための搬送領域を有し、搬送領域は、搬送装置が通過可能な大きさを有してもよい。

この基板処理装置においては、作業スペースおよび搬送領域を介して搬送装置を基板処理装置の外部に搬出することができる。それにより、基板処理装置のメンテナンスがさらに容易になる。

（４）基板処理装置は、インデクサブロックと搬送部との間に設けられる第１の基板載置部をさらに備え、第１の基板載置部は、インデクサブロック側に移動可能に設けられてもよい。

この場合、第１の基板載置部をインデクサブロック側に移動させることにより、搬送部内の作業スペースを拡大することができる。それにより、搬送部内におけるメンテナンス作業がさらに容易になる。

（５）処理ブロックは、第１および第２の処理ブロックを含み、第１および第２の処理ブロックは一方向に向かって並ぶように配置され、液処理部は、第１の処理ブロックに設けられる第１の液処理部および第２の処理ブロックに設けられる第２の液処理部を含み、熱処理部は、第１の処理ブロックに設けられる第１の熱処理部および第２の処理ブロックに設けられる第２の熱処理部を含み、搬送部は、第１の処理ブロックに設けられる第１の搬送部および第２の処理ブロックに設けられる第２の搬送部を含み、基板処理装置は、第１の搬送部と第２の搬送部との間に設けられる第２の基板載置部をさらに備え、第２の基板載置部は、第１の搬送部側および第２の搬送部側に移動可能に設けられてもよい。

この基板処理装置においては、第１の処理ブロックの第１の熱処理部を移動させることにより第１の熱処理部と第１の搬送部との間に作業スペースが形成される。それにより、第１の処理ブロック内におけるメンテナンス作業が容易になる。

また、第２の基板載置部を第２の搬送部側に移動させることにより、第１の搬送部内の作業スペースを拡大することができる。それにより、第１の処理ブロック内におけるメンテナンス作業がさらに容易になる。

また、第２の処理ブロックの第２の熱処理部を移動させることにより第２の熱処理部と第２の搬送部との間に作業スペースが形成される。それにより、第２の処理ブロック内におけるメンテナンス作業が容易になる。

また、第２の基板載置部を第１の搬送部側に移動させることにより、第２の搬送部内の作業スペースを拡大することができる。それにより、第２の処理ブロック内におけるメンテナンス作業がさらに容易になる。

以上の結果、基板処理装置のメンテナンスが十分に容易になる。

（６）基板処理装置は、処理ブロックと他の処理装置との間で基板を受け渡すインターフェイスブロックをさらに備え、処理ブロック、インターフェイスブロックおよび他の処理装置は一方向に向かって並ぶように配置され、液処理部、搬送部および熱処理部は処理ブロック内において上記一方向に垂直な方向に向かって並ぶように配置され、インターフェイスブロックは、上記一方向に垂直な方向に移動可能に設けられる。

この基板処理装置においては、インターフェイスブロックを移動させることにより、処理ブロックと他の処理装置との間に空間を形成することができる。この場合、その空間を用いて処理ブロックのメンテナンス作業を行うことができるので、作業効率が十分に向上する。その結果、基板処理装置のメンテナンスに要する時間をさらに短縮することができる。

本発明によれば、熱処理部は、熱処理部と搬送部との間に作業スペースが形成されるように移動可能に設けられる。この場合、作業者は、その作業スペースにおいて処理ブロック内のメンテナンス作業を行うことができるので、作業効率が向上する。それにより、基板処理装置のメンテナンスを容易かつ短時間で行うことが可能になる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インターフェイスブロック１４に隣接するように露光装置１５が設けられる。露光装置１５においては、基板に露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図７に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

図１に示すように、塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図７参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図７参照）が設けられる。

現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図７参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図７）が設けられる。

インターフェイスブロック１４には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンド１４３を有する。搬送機構１４１は、ハンド１４３により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンド１４４を有する。搬送機構１４２は、ハンド１４４により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

搬送機構１４１と搬送機構１４２との間には、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備えた基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１３（図７）および後述する複数のバッファＢＦ（図７）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。現像ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

本実施の形態においては、塗布ブロック１２の熱処理部１２３、現像ブロック１３の熱処理部１３３およびインターフェイスブロック１４は、Ｙ方向に移動可能に設けられる。図２は、熱処理部１２３、熱処理部１３３およびインターフェイスブロック１４をＹ方向に移動させた図である。基板処理装置１００内のメンテナンスが行われる場合には、図２に示すように、熱処理部１２３および熱処理部１３３が−Ｙ方向側に移動され、インターフェイスブロック１４が＋Ｙ方向側に移動される。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図３は、図１の塗布処理部１２１および現像処理部１３１を＋Ｙ方向側から見た図である。また、図４は、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。

図３および図４に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。また、図３に示すように、現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態においては、塗布処理室２１および塗布処理室２３の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。また、塗布処理室２２および塗布処理室２４の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。

図３に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

図３および図４に示すように、各塗布処理室２１〜２４において塗布処理ユニット１２９の上方には、各塗布処理室２１〜２４内に清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、図３に示すように、各現像処理室３１〜３４において現像処理ユニット１３９の上方には、給気ユニット４１が設けられる。給気ユニット４１は、例えば、ファンおよびＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタにより構成される。

また、図４に示すように、塗布処理室２１〜２４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理ユニット１３９の下部にも、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。

図１および図３に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１においてインターフェイスブロック１４に隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。図３には、流体ボックス部５０内に設けられる流通管５１〜５５および流体ボックス部６０内に設けられる流通管６１〜６５が示されている。

図３に示すように、流通管５１の一端側は、塗布処理室２１〜２４の各給気ユニット４１に接続される。流通管５１の他端は、流通管７１の一端側に接続される。流通管７１の他端は、図示しない温調装置に接続されている。その温調装置において温湿度調整された空気は、流通管７１および流通管５１を介して塗布処理室２１〜２４の各給気ユニット４１に供給される。それにより、給気ユニット４１から塗布処理室２１〜２４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。なお、流通管７１には後述する流通管７２および流通管７３が接続される。

また、流通管５２〜５５は、塗布処理室２１〜２４の排気ユニット４２にそれぞれ接続される。塗布処理室２１〜２４内の空気は、各排気ユニット４２および各排気ユニット４２に接続される流通管５２〜５５を介して外部に排出される。それにより、塗布処理室２１〜２４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

同様に、流通管６１の一端側は、塗布処理室３１〜３４の各給気ユニット４１に接続される。流通管６１の他端は、流通管７４の一端側に接続される。流通管７４の他端は、上記の温調装置に接続されている。その温調装置において温湿度調整された空気は、流通管７４および流通管６１を介して塗布処理室３１〜３４の各給気ユニット４１に供給される。それにより、給気ユニット４１から塗布処理室３１〜３４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。なお、流通管７４には後述する流通管７５および流通管７６が接続される。

また、流通管６２〜６５は、塗布処理室３１〜３４の排気ユニット４２にそれぞれ接続される。塗布処理室３１〜３４内の空気は、各排気ユニット４２および各排気ユニット４２に接続される流通管６２〜６５を介して外部に排出される。それにより、塗布処理室３１〜３４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（３）熱処理部の構成
図５は、図１の熱処理部１２３，１３３を−Ｙ方向側から見た図である。また、図６は、熱処理部１２３を−Ｙ方向に移動させた状態を示す図である。なお、図６は図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。

図４〜図６に示すように、塗布ブロック１２は筐体１２０を有する。図４および図６に示すように、熱処理部１２３は筐体１２０に対してＹ方向に移動可能に設けられている。熱処理部１２３は、例えば、筐体１２０に設けられたレール（図示せず）上に設置されることにより移動可能に設けられる。また、図４に示すように、現像ブロック１３は筐体１３０を有する。熱処理部１３３は、熱処理部１２３と同様に筐体１３０に対してＹ方向に移動可能に設けられている。

図４および図５に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段処理部３０１および下方に設けられる下段処理部３０２を有する。図５に示すように、上段処理部３０１および下段処理部３０２には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよび複数の密着強化処理ユニットＡＨＬが設けられる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための処理が行われる。なお、密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布される。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段処理部３０３および下方に設けられる下段処理部３０４を有する。上段処理部３０３および下段処理部３０４には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の加熱ユニットＨＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

また、上段処理部３０３においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が設けられ、下段処理部３０４においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ９および基板載置部ＰＡＳＳ１１には、現像ブロック１３からインターフェイスブロック１４へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１０および基板載置部ＰＡＳＳ１２には、インターフェイスブロック１４から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。

図４に示すように、各熱処理ユニットＰＨＰは、加熱処理部１０１および冷却処理部１０２を有する。また、各冷却ユニットＣＰは、冷却処理部１０２を有する。加熱処理部１０１は、例えば、加熱プレートを有し、その加熱プレート上に載置された基板Ｗを加熱する。冷却処理部１０２は、例えば、冷却プレートを有し、その冷却プレート上に載置された基板Ｗを冷却する。

また、図４〜図６に示すように、熱処理部１２３には流通管８１が接続される。図４および図６に示すように、流通管８１は、熱処理部１２３に固定される流通管８１ａおよび筐体１２０に固定される流通管８１ｂにより構成される。本実施の形態においては、熱処理部１２３が筐体１２０内に完全に収容された状態（図４に示す状態）で流通管８１ａの下端と流通管８１ｂの上端とが接続される。なお、図６には、熱処理部１２３が筐体１２０内から引き出された状態が示されており、流通管８１ａの下端および流通管８１ｂの上端は接続されていない。

また、図５に示すように、熱処理部１３３には流通管８１と同様の構成を有する流通管８２が接続される。熱処理部１２３,１３３内の空気は、流通管８１,８２を介して外部に排出される。

なお、本実施の形態においては、上段搬送室１２５（図４）の給気ユニット４３（図４）から吐出される空気の一部が上段処理部３０１内に流入し、下段搬送室１２６（図４）の給気ユニット４３（図４）から吐出される空気の一部が下段処理部３０２内に流入する。それにより、上段処理部３０１および下段処理部３０２内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な空気に維持される。

同様に、上段搬送室１３５（図７）の給気ユニット４３（図７）から吐出される空気の一部が上段処理部３０３内に流入し、下段搬送室１３６（図７）の給気ユニット４３（図７）から吐出される空気の一部が下段処理部３０４内に流入する。それにより、上段処理部３０３および下段処理部３０４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な空気に維持される。

（４）搬送部の構成
（ａ）概略構成
図７は、図１の搬送部１２２，１３２の構成を説明するための図である。なお、図７は、搬送部１２２，１３２を−Ｙ方向側から見た図である。

図７に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。また、搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１，３２（図３）と上段処理部３０３（図５）とは上段搬送室１３５（図７）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３，３４（図３）と下段処理部３０４（図５）とは下段搬送室１３６（図７）を挟んで対向するように設けられる。

図７に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。また、上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

図４および図７に示すように、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。また、図７に示すように、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３は、例えば、ファンおよびＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタにより構成される。

また、図４および図７に示すように、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方には上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方には下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

同様に、図７に示すように、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方には上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方には下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

図４に示すように、上段搬送室１２５の給気ユニット４３には流通管７２が接続され、下段搬送室１２６の給気ユニット４３には流通管７３が接続される。図３で説明したように、流通管７２,７３は流通管５１とともに流通管７１に接続されている。したがって、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６には、塗布処理室２１〜２４に供給される空気と同じ温湿度に調整された空気が供給される。

同様に、上段搬送室１３５（図７）の給気ユニット４３（図７）には流通管７５（図３）が接続され、下段搬送室１３６（図７）の給気ユニット４３（図７）には流通管７６（図３）が接続される。したがって、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６には、現像処理室３１〜３４（図３）に供給される空気と同じ温湿度に調整された空気が供給される。

また、図４に示すように、上段搬送室１２５の排気ユニット４４には流通管７７が接続され、下段搬送室１２６の排気ユニット４４には流通管７８が接続されている。このような構成により、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６内の空気は、各排気ユニット４４および各排気ユニット４４に接続される流通管７７,７８を介して外部に排出される。また、図示していないが、上段搬送室１３５（図７）および下段搬送室１３６（図７）の各排気ユニット４４にも、流通管が接続されている。そして、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６内の空気は、各排気ユニット４４および各排気ユニット４４に接続される流通管を介して外部に排出される。

以上の結果、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（ｂ）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図８は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図７および図８に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図７に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図７および図８に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図３）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図７）および上段処理部３０１（図５）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図７に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（５）インターフェイスブロックの構成
図９は、インターフェイスブロック１４の内部構成を示す図である。なお、図９は、インターフェイスブロック１４を＋Ｘ方向側から見た図である。

図９に示すように、インターフェイスブロック１４の略中央部に２つのバッファＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰが階層的に設けられる。また、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの−Ｙ方向側に搬送機構１４１が設けられ、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの＋Ｙ方向側に搬送機構１４２が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに露光処理前の基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１３に露光処理後の基板Ｗが載置される。

また、図７および図９に示すように、インターフェイスブロック１４内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。給気ユニット４５には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、給気ユニット４５からインターフェイスブロック１４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。その結果、インターフェイスブロック１４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図７を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図７）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（６−２）塗布ブロック１２の動作
以下、図１、図３、図５および図７を主に用いて塗布ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図７）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図７）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図７）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段処理部３０１（図５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図３）のスピンチャック２５（図３）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２１においては、塗布処理ユニット１２９（図３）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段処理部３０１の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰ（図５）に搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、加熱処理部１０１（図４）および冷却処理部１０２（図４）により基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段処理部３０１（図５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図３）のスピンチャック２５（図３）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図３）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図７）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図７）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図７）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、塗布ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図７）、塗布処理室２３，２４（図３）および下段処理部３０２（図５）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、塗布ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（６−３）現像ブロック１３の動作
以下、図１、図３、図５および図７を主に用いて現像ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図７）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図７）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像ブロック１３における処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段処理部３０３（図５）のエッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ１０（図５）から露光処理後の基板Ｗを取り出す。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１０から取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段処理部３０３（図５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図３）または現像処理室３２（図３）のスピンチャック３５（図３）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。現像処理室３１，３２においては、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段処理部３０３（図５）の所定の加熱ユニットＨＰから加熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを加熱ユニットＨＰに搬入する。加熱ユニットＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段処理部３０３（図５）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗを基板Ｗ基板載置部ＰＡＳＳ６（図７）に搬送する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、現像ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図７）、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２（図５）、塗布処理室３３，３４（図３）および下段処理部３０４（図５）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１，３２および上段処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３，３４および下段処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１，３２および上段処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３，３４および下段処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、現像ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（６−４）インターフェイスブロック１４の動作
以下、図９を主に用いてインターフェイスブロック１４の動作について説明する。

まず、搬送機構１４１の動作について説明する。搬送機構１３７（図７）により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗは、搬送機構１４１により取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図７）の上段処理部３０３の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光処理後の基板Ｗに熱処理が行われる。

次に、搬送機構１４１は、上段処理部３０３の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、上述したように、現像ブロック１３（図７）の搬送機構１３７（図７）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図７）により基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する。その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図７）の下段処理部３０４の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。

次に、搬送機構１４１は、下段処理部３０４の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、現像ブロック１３（図７）の搬送機構１３８（図７）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。

搬送機構１４１は、上記の動作を繰り返す。それにより、インターフェイスブロック１４と上段処理部３０３との間での基板Ｗの受け渡しおよびインターフェイスブロック１４と下段処理部３０４との間での基板Ｗの受け渡しが交互に行われる。

ここで、本実施の形態においては、キャリア１１３（図７）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図７）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図３）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図３）および上段処理部３０１（図５）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図３）および下段処理部３０２（図５）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１２７（図７）の動作速度と搬送機構１２８（図７）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１，３２（図３）および上段処理部３０３（図５）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３，３４（図３）および下段処理部３０４（図５）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図７）の動作速度と搬送機構１３８（図７）の動作速度とは略等しい。

したがって、上記のように上段処理部３０３および下段処理部３０４から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３（図７）から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

なお、バッファＢＦは、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへ基板Ｗを交互に搬送することができない場合に用いられる。具体的には、例えば、塗布処理室２１，２２（図３）の塗布処理ユニット１２９（図３）に不具合が発生することにより基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が停止されている場合にバッファＢＦが用いられる。この場合、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗが搬送されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が再開された場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送およびバッファＢＦから基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送を交互に行う。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とを一致させることができる。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が停止されている場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が再開されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。

次に、搬送機構１４２の動作について説明する。

搬送機構１４１により基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置された基板Ｗは、所定の温度に冷却された後、搬送機構１４２により取り出される。搬送機構１４２は、その基板Ｗを露光装置１５（図１）に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、露光装置１５から露光処理後の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、上述したように、搬送機構１４１により熱処理ユニットＰＨＰへ搬送される。

搬送機構１４２は上記の処理を繰り返す。ここで、上述したように搬送機構１４１によって基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図７）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

（７）基板処理装置のメンテナンス方法
図５および図７に示すように、インデクサブロック１１は筐体１１０を有し、インターフェイスブロック１４は筐体１４０を有する。また、上述したように、塗布ブロック１２は筐体１２０を有し、現像ブロック１３は筐体１３０を有する。

各筐体１１０〜１４０は、フレームおよびそのフレームに固定されるパネル（例えば、金属板）から構成される。このパネルにより、筐体１１０〜１４０内の空気が外部に流出することが防止される。

なお、本実施の形態においては、筐体１１０の−Ｙ方向側の側面のパネルは取り外し可能に設けられている。したがって、作業者は、そのパネルを取り外すことにより筐体１１０内に入ることができる。

また、筐体１１０と筐体１２０との連結部の所定の領域、筐体１２０と筐体１３０との連結部の所定の領域および筐体１３０と筐体１４０との連結部の所定の領域にはパネルが設けられていない。したがって、作業者は、筐体１１０と筐体１２０との間、筐体１２０と筐体１３０との間および筐体１３０と筐体１４０との間を移動することができる。

なお、筐体１１０〜１４０の各連結部の所定の領域にパネルを設けてもよい。それにより、各筐体１１０〜１４０内の密閉性を向上させることができるので、各筐体１１０〜１４０内の環境の管理を厳密に行うことができる。この場合、作業者は、筐体１１０〜１４０の各連結部のパネルを取り外すことにより、筐体１１０と筐体１２０との間、筐体１２０と筐体１３０との間および筐体１３０と筐体１４０との間を移動することができる。

以下、上記の点を考慮しつつ一例を挙げて基板処理装置１００のメンテナンス方法を説明する。なお、以下においては、パネルの取り外し等の説明は省略する。

図１０〜図１５は、基板処理装置１００のメンテナンス方法を説明するための図である。なお、図１０〜図１５には、基板処理装置１００および露光装置１５の平面図が示されている。

基板処理装置１００のメンテナンスを行う際には、作業者は、まず、図１０に示すように、インターフェイスブロック１４を＋Ｙ方向側に移動させるとともに、パッキン１４５を取り外す。

次に、作業者は、熱処理部１２３,１３３を−Ｙ方向側に移動させる。これにより、塗布ブロック１２内において搬送部１２２と熱処理部１２３との間に作業スペース２００が形成されるとともに、現像ブロック１３内において搬送部１３２と熱処理部１３３との間に作業スペース３００が形成される。

次に、作業者は、いずれかのキャリア載置台１１１およびキャリア１１３を取り外す。その後、図１０に矢印で示すように、作業者が搬送部１２２内を通って作業スペース２００に移動する。

次に、作業者は、作業スペース２００および搬送部１２２内において、搬送機構１２７の移動部材３１４（図８参照）をガイドレール３１３（図８参照）から取り外す。その後、作業者は、図１１に矢印で示すように、作業スペース２００および搬送部１２２を介して移動部材３１４、回転部材３１５およびハンドＨ１,Ｈ２（図８参照）を外部に搬出する。

次に、作業者は、搬送部１２２内においてガイドレール３１３を取り外す。その後、作業者は、図１２に矢印で示すように、そのガイドレール３１３を作業スペース２００、搬送部１２２および開口部１１７（図７）を介して外部に搬出する。

その後、作業者は、ガイドレール３１１,３１２を取り外し、図１３に矢印で示すように、そのガイドレール３１１,３１２を作業スペース２００、搬送部１２２および開口部１１７（図７）を介して外部に搬出する。なお、搬送機構１２８（図７）についても同様に搬出される。

次に、作業者は、作業スペース３００に移動し、作業スペース３００および搬送部１３２内において、移動部材３１４をガイドレール３１３から取り外す。その後、作業者は、図１４に矢印で示すように、作業スペース３００を介して移動部材３１４、回転部材３１５およびハンドＨ１,Ｈ２（図８参照）を現像ブロック１３の＋Ｘ方向側の側面から外部に搬出する。

次に、作業者は、上記と同様に、ガイドレール３１３（３１１,３１２）を取り外す。その後、作業者は、図１２に矢印で示すように、そのガイドレール３１３（３１１,３１２）を作業スペース３００を介して外部に搬出する。搬送機構１３８（図７）についても同様に搬出される。

このように、本実施の形態においては、塗布ブロック１２および現像ブロック１３内に作業スペース２００,３００が形成されるので、搬送機構１２７,１２８,１３７,１３８の解体および搬出が容易になる。また、作業スペース２００,３００を利用して他の構成要素のメンテナンスを容易に行うことができる。これらの結果、基板処理装置１００のメンテナンスに要する時間を十分に短縮することができる。

なお、上記においては、作業者がインデクサブロック１１から基板処理装置１００内に移動する場合について説明したが、現像ブロック１３の＋Ｘ方向側の側面から作業者が基板処理装置１００内に移動してもよい。

また、上記においては、搬送機構１２７,１２８をインデクサブロック１１から外部に搬出しているが、搬送機構１２７,１２８を現像ブロック１３から外部に搬出してもよい。

また、上記においては、ガイドレール３１１,３１２,３１３を開口部１１７から外部に搬出しているが、搬送部１２２の他の部分（例えば、パネルが取り外された部分）から外部に搬出してもよい。

また、上記においては、一人の作業者により基板処理装置１００のメンテナンスを行う場合について説明したが、複数の作業者により基板処理装置１００のメンテナンスを行ってもよい。例えば、作業スペース２００において一人の作業者がメンテナンス作業を行い、作業スペース３００において他の一人の作業者がメンテナンス作業を行ってもよい。

また、上記においては、ガイドレール３１１,３１２,３１３を解体して搬出しているが、ガイドレール３１１,３１２,３１３を解体することなく搬出してもよい。

また、上記においては、移動部材３１４、回転部材３１５、ハンドＨ１およびハンドＨ２を解体することなく搬出しているが、移動部材３１４、回転部材３１５、ハンドＨ１およびハンドＨ２を解体して搬出してもよい。

なお、作業スペース２００および作業スペース３００は、例えば、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８が通過可能な大きさを有する。同様に、搬送部１１２は、例えば、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８が通過可能な大きさを有する。

（８）本実施の形態の効果
上記のように、本実施の形態においては、熱処理部１２３,１３３を移動させることにより、作業スペース２００,３００を形成することができる。それにより、基板処理装置１００内における作業者の作業効率が向上する。

また、作業スペース２００,３００が形成されることにより、搬送機構１２７,１２８,１３７,１３８の解体および搬出が容易になる。

以上の結果、基板処理装置１００のメンテナンスを容易かつ短時間で行うことが可能になる。

（９）他の実施の形態
基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８（図７参照）がＸ方向に移動可能に設けられてもよい。この場合、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８をＸ方向に移動させることにより、搬送部１２２,１３２内において作業者のためのスペースを大きくすることができる。それにより、搬送部１２２,１３２内における作業がさらに容易になる。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８は、例えば、Ｘ方向に１００ｍｍ移動可能に設けられる。

インターフェイスブロック１４は、固定されてもよい。この場合、搬送機構１３７,１３８は、作業スペース３００、作業スペース２００および搬送部１２２を介して外部に搬出される。

塗布処理部１２１,１３１（図１）がＸ方向に移動可能に設けられてもよい。この場合、塗布処理部１２１と搬送部１２２との間および現像処理部１３１と搬送部１３２との間に作業スペースを形成することができる。それにより、基板処理装置１００のメンテナンス作業がさらに容易になる。

上段処理部３０１と下段処理部３０２とが別々に移動可能であってもよい。すなわち、上段処理部３０１を移動させるための移動機構および下段処理部３０２を移動させるための移動機構が別個に設けられてもよい。この場合、上段処理部３０１および下段処理部３０２を容易に移動させることができる。同様に、上段処理部３０３と下段処理部３０４とが別々に移動してもよい。

（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、塗布ブロック１２および現像ブロック１３が処理ブロックの例であり、塗布処理部１２１および現像処理部１３１が液処理部の例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８が搬送装置の例であり、搬送部１１２が搬送領域の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が第１の基板載置部の例であり、塗布ブロック１２が第１の処理ブロックの例であり、現像ブロック１３が第２の処理ブロックの例であり、塗布処理部１２１が第１の液処理部の例であり、現像処理部１３１が第２の液処理部の例であり、熱処理部１２３が第１の熱処理部の例であり、熱処理部１３３が第２の熱処理部の例であり、搬送部１２２が第１の搬送部の例であり、搬送部１３２が第２の搬送部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が第２の基板載置部の例であり、露光装置１５が他の処理装置の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板処理システムに利用することができる。

基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の平面図である。 図１の塗布処理部および現像処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 図１の熱処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 図１の搬送部の構成を説明するための図である。 搬送機構を示す斜視図である。 インターフェイスブロックの内部構成を示す図である。 基板処理装置のメンテナンス方法を説明するための図である。 基板処理装置のメンテナンス方法を説明するための図である。 基板処理装置のメンテナンス方法を説明するための図である。 基板処理装置のメンテナンス方法を説明するための図である。 基板処理装置のメンテナンス方法を説明するための図である。 基板処理装置のメンテナンス方法を説明するための図である。

符号の説明

１１ インデクサブロック
１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
１４ インターフェイスブロック
１５ 露光装置
２１〜２４ 塗布処理室
３１〜３４ 現像処理室
４１，４３，４５ 給気ユニット
４２，４４ 排気ユニット
１００ 基板処理装置
１１２,１２２,１３２ 搬送部
１２１ 塗布処理部
１２３,１３３ 熱処理部
１３１ 現像処理部

Claims (6)

1. 基板に処理を行う処理ブロックを有する基板処理装置であって、
   前記処理ブロックは、
   基板に液処理を行う液処理部と、
   基板に熱処理を行う熱処理部と、
   前記液処理部と前記熱処理部との間に設けられ基板を搬送する搬送部とを備え、
   前記熱処理部は、前記熱処理部と前記搬送部との間に作業スペースが形成されるように前記搬送部から離間する方向に移動可能に設けられることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記搬送部は、基板を保持するとともに基板を搬送する搬送装置を有し、
   前記作業スペースは、前記熱処理部の移動により前記搬送装置が通過可能な大きさに形成されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記搬送部に隣接するように設けられるインデクサブロックをさらに備え、
   前記インデクサブロックは、基板を搬送するための搬送領域を有し、
   前記搬送領域は、前記搬送装置が通過可能な大きさを有することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記インデクサブロックと前記搬送部との間に設けられる第１の基板載置部をさらに備え、
   前記第１の基板載置部は、前記インデクサブロック側に移動可能に設けられることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記処理ブロックは、第１および第２の処理ブロックを含み、
   前記第１および第２の処理ブロックは一方向に向かって並ぶように配置され、
   前記液処理部は、前記第１の処理ブロックに設けられる第１の液処理部および前記第２の処理ブロックに設けられる第２の液処理部を含み、
   前記熱処理部は、前記第１の処理ブロックに設けられる第１の熱処理部および前記第２の処理ブロックに設けられる第２の熱処理部を含み、
   前記搬送部は、前記第１の処理ブロックに設けられる第１の搬送部および前記第２の処理ブロックに設けられる第２の搬送部を含み、
   当該基板処理装置は、前記第１の搬送部と前記第２の搬送部との間に設けられる第２の基板載置部をさらに備え、
   前記第２の基板載置部は、前記第１の搬送部側および前記第２の搬送部側に移動可能に設けられることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記処理ブロックと他の処理装置との間で基板を受け渡すインターフェイスブロックをさらに備え、
   前記処理ブロック、前記インターフェイスブロックおよび前記他の処理装置は一方向に向かって並ぶように配置され、
   前記液処理部、前記搬送部および前記熱処理部は前記処理ブロック内において前記一方向に垂直な方向に向かって並ぶように配置され、
   前記インターフェイスブロックは、前記一方向に垂直な方向に移動可能に設けられることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。

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