KR101877428B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

서로 구획되고 적층된 기판 반송 영역에서 기류의 체류를 방지하고, 또한 각 반송 영역의 메인터넌스 작업을 용이하게 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 적층된 제 1 기판 반송 영역 및 제 2 기판 반송 영역을 구획하는 구획 위치에 설치되고, 내부에 기체 확산실을 구비하는 구획판과, 기판 반송 영역의 폭 방향 중앙부로부터 주연부에 걸친 위치에서, 상기 구획판에 상기 기체 확산실에 연통되는 청정 기체 공급구로 기체를 공급하는 기체 공급로와, 상기 기체 공급로에 설치되고, 상기 청정 기체 공급구로 공급하는 기체를 청정화하기 위한 필터와, 구획판의 하면에 형성되고, 기체 확산실에서 확산된 기체를 기판 반송 영역으로 토출시키기 위한 다수의 토출구를 구비하고, 구획판은, 메인터넌스 시에 제 2 기판 반송 영역으로부터 제 1 기판 반송 영역을 들여다볼 수 있는 개방 상태로 하기 위하여, 상기 구획 위치로부터 퇴피시킬 수 있도록 장치를 구성한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 반송 영역을 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피 공정을 행하는 도포 현상 장치는 레지스트를 포함하는 도포막을 형성하는 복수의 블록과 현상 처리를 행하는 블록이 적층되어 구성되는 경우가 있다. 도 21은 이와 같이 블록이 적층된 도포 현상 장치의 구성의 일례를 도시하고 있다. 도면 중 101은 상기 도포막의 형성 모듈, 102는 도포막 형성 후의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)를 가열하는 모듈이다. 103은 반송 암이며, 도포막 형성 모듈(101)과 가열 모듈(102)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 도면 중 104는 반송 암(103)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 영역이며, 가열 모듈(102)과 그 하방에 설치되는 팬 장치(105)에 의해 반송 영역(104)은 배기된다.
상기 반송 암(103), 도포막 형성 모듈(101) 및 가열 모듈(102) 등의 메인터넌스를 행하기 위하여, 반송 영역(104)은 작업자가 들어갈 수 있도록 구성할 필요가 있다. 이를 위하여, 각 반송 영역(104)의 천장면을 구성하는 구획판(106)은 착탈 가능하게 구성된다.
그런데, 각 반송 영역(104)을 청정한 분위기로 유지하기 위하여, 반송 영역(104) 전체에 청정한 에어의 하강 기류를 형성하는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 각 반송 영역(104)의 천장면 전체에 ULPA 필터를 설치하는 것이 고려된다. 그러나, 그렇게 하면 상기한 메인터넌스를 행할 때에 ULPA 필터가 방해가 되어 메인터넌스를 행하는 것이 곤란해지므로, 도 21에 도시한 바와 같이, 반송 영역(104)의 천장면의 일부에 ULPA 필터(107)를 설치하고 있다. 도면 중에는 점선의 화살표로 ULPA 필터(107)로부터 공급된 에어의 흐름을 도시하고 있고, ULPA 필터(107)의 하방으로 공급된 에어는 팬 장치(105) 및 가열 모듈(102)을 향해 흐르고, 이들 팬 장치(105) 및 가열 모듈(102)의 벽면을 따라 상승한다. 이러한 흐름이 형성되기 때문에, 도면 중의 반송 영역(104)의 중앙부에서는 에어가 체류하고, 이에 의해 충분한 청정도를 유지할 수 없게 될 우려가 있다.
특허 문헌 1에는 기판 이송 유닛을 프레임에 탈착 가능하게 하여, 메인터넌스를 용이하게 하는 처리 장치에 대하여 기재되어 있지만, 상기한 바와 같이 에어가 체류하는 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다.
일본특허공개공보 2009-117824호(단락 0046 등)
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 서로 구획되고 적층된 기판 반송 영역에서 기체의 체류를 방지하고 또한 각 기판 반송 영역의 메인터넌스 작업을 행할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리부로 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 각각 횡방향으로 연장되고, 서로 상하로 적층된 제 1 기판 반송 영역 및 제 2 기판 반송 영역과, 상기 제 1 기판 반송 영역 및 제 2 기판 반송 영역을 서로 구획하기 위한 구획 위치에 설치되고, 내부에 기체 확산실을 형성하는 공동(空洞)의 구획판과, 상기 기판 반송 영역의 폭 방향 중앙부로부터 주연부에 걸친 위치에서, 상기 구획판에 상기 기체 확산실에 연통되도록 형성된 청정 기체 공급구와, 상기 청정 기체 공급구로 기체를 공급하는 기체 공급로와, 상기 기체 공급로에 설치되고, 상기 청정 기체 공급구로 공급하는 기체를 청정화하기 위한 필터와, 상기 구획판의 하면에 형성되고, 확산실에서 확산된 기체를 기판 반송 영역으로 토출하는 다수의 토출구를 구비하고, 상기 구획판은, 메인터넌스 시에 제 2 기판 반송 영역으로부터 제 1 기판 반송 영역을 들여다볼 수 있는 개방 상태로 하기 위하여, 상기 구획 위치로부터 퇴피시킬 수 있도록 구성된 것을 특징으로 한다.
상기한 기판 처리 장치의 구체적인 태양으로서는, 예를 들면 하기한 바와 같다.
(a) 상기 기체 확산실에는, 상기 기체 확산실을 제 1 영역과, 상기 제 1 영역보다 상기 청정 기체 공급구로부터 횡방향으로 떨어진 제 2 영역으로 구획하는 구획 부재가 설치되고, 상기 구획 부재에는 제 1 영역으로부터 제 2 영역으로 상기 청정 기체를 유통시키는 다수의 기체 유통구가 형성된다.
(b) 상기 기체 확산실에는, 청정 기체 공급구로부터 멀리 있는 가스를 청정 기체 공급구를 향해 돌아오도록 가이드하는 가이드 부재가 설치되어 있다.
(c) 상기 가이드 부재는 평면에서 봤을 때 ㄷ 자 형상으로 형성되고, 상기 ㄷ 자 형상이 청정 기체 공급구와 반대 방향으로 개구한다.
(d) 상기 구획판은 수평축을 중심으로 회전 가능하다.
(e) 기판 반송 영역에는, 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구와, 상기 기판 반송 기구를 기판 반송 영역을 따라 가이드하는 반송 가이드가 설치되고, 상기 반송 가이드는, 기판 반송 영역의 길이 방향을 따라 설치되어 있다.
(f) 기판 반송 영역의 폭 방향의 양측에는 기판에 처리를 행하는 모듈이 설치된다.
본 발명에 따르면, 토출구가 형성된 구획판에 기체 확산실이 설치되고, 이 구획판이 메인터넌스 시에 구획 위치로부터 퇴피함으로써, 적층되는 기판 반송 영역을 서로 들여다볼 수 있다. 따라서, 기판 반송 영역에서의 기체의 체류를 억제하고 또한 각 기판 반송 영역으로 진입하여 메인터넌스를 행하는 것이 용이해진다.
도 1은 본 발명이 적용된 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 3은 상기 도포 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 도포 현상 장치의 종단 정면도이다.
도 5는 상기 도포 현상 장치에 설치되는 수평 덕트 및 구획판의 표면측 사시도이다.
도 6은 상기 수평 덕트 및 구획판의 이면측 사시도이다.
도 7은 상기 수평 덕트 및 구획판의 종단 측면도이다.
도 8은 상기 구획판에 설치되는 확산실의 사시도이다.
도 9는 상기 확산실의 평면도이다.
도 10은 상기 확산실에 설치되는 구획판의 평면도이다.
도 11은 상기 수평 덕트 및 구획판에 설치되는 고정 부재 및 접속구(接續具)의 사시도이다.
도 12는 고정 부재가 서로 계합하는 상태를 도시한 설명도이다.
도 13은 상기 구획판을 젖힌 상태를 도시한 사시도이다.
도 14는 각 단위 블록의 구획판을 젖힌 상태를 도시한 개략 평면도이다.
도 15는 구획판을 분리하는 순서를 도시한 공정도이다.
도 16은 구획판을 분리하는 순서를 도시한 공정도이다.
도 17은 구획판을 분리하는 순서를 도시한 공정도이다.
도 18은 가이드 부재가 설치된 확산실의 사시도이다.
도 19는 확산실에 설치되는 가이드 부재의 다른 구성을 도시한 평면도이다.
도 20은 확산실에 설치되는 가이드 부재의 다른 구성을 도시한 평면도이다.
도 21은 종래의 도포 현상 장치의 구성을 도시한 종단 측면도이다.
본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예인 도포 현상 장치(1)에 대하여, 도 1 ~ 도 3을 참조하여 그 구성의 개요 및 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)(W)의 반송 경로를 설명한다. 도 1은 도포 현상 장치에, 예를 들면 액침 노광을 행하는 노광 장치가 접속된 시스템의 평면도이며, 도 2는 동일 시스템의 사시도이다. 또한, 도 3은 도포 현상 장치(1)의 종단면도이다. 이 도포 현상 장치(1)는 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)을 직선 형상으로 접속시켜 구성되어 있다. 또한, 인터페이스 블록(S3)에는 노광 장치(S4)가 접속되어 있다.
캐리어 블록(S1)은, 예를 들면 동일한 로트의 기판인 웨이퍼(W)를 복수 매 포함하는 캐리어(C)를 도포 현상 장치(1)에 반입출시키는 역할을 가지고, 캐리어(C)의 재치대(載置臺)(11)와, 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 기구인 전달 암(13)을 구비하고 있다.
처리 블록(S2)은 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제 1 ~ 제 6 단위 블록(B1 ~ B6)이 아래로부터 차례로 적층되어 구성되어 있고, 각 단위 블록(B)은 하층측으로부터 2 개씩 동일하게 구성되어 있다. 즉, 단위 블록(B1, B2)이 동일한 구성이며, 단위 블록(B3, B4)이 동일한 구성이며, 단위 블록(B5, B6)이 동일한 구성이다.
도 4에 도시한 처리 블록(S2)의 종단 측면도도 참조하여, 각 단위 블록 중 대표로 제 2 단위 블록(B2)에 대하여 설명한다. 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S3)측을 향해 연장되는 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)이 형성되어 있고, 이 반송 영역(R1)의 폭 방향의 양측에는 액처리 유닛(201)과, 복수의 모듈이 적층되는 선반 유닛(U1 ~ U6)이 각각 배치되어 있다.
액처리 유닛(201)에는 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 레지스트막 형성 모듈(COT)이 설치되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT)은 스핀 코팅에 의해 반사 방지막 형성용의 약액을 도포하기 위하여, 웨이퍼(W)의 이면을 흡착하여 수직축을 중심으로 회전시키는 스핀 척(202)과, 약액 공급 노즐(203)을 구비하고 있다. 도면 중 204는 웨이퍼(W)를 둘러싸, 약액의 비산(飛散)을 억제하는 컵이다. 205는 필터이며, 하방의 컵(204) 내로 청정한 에어를 공급한다. 레지스트막 형성 모듈(COT)은 상기 약액이 레지스트인 것 이외에는 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 동일한 구성이다.
상기 반송 영역(R1)에는 웨이퍼(W)의 반송 기구인 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 이 반송 암(A1)은 단위 블록(B1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 도 4 중 301은 반송 가이드 부재이며, 선반 유닛(U1 ~ U6)의 하부에 반송 영역(R1)의 길이 방향을 따라 설치되어 있다. 도면 중 302는 가이드를 따라 이동하는 프레임, 303은 프레임을 따라 승강하는 승강 기체(基體), 304는 승강 기체 상을 회동하는 회동 기체, 305는 회동 기체 상을 진퇴(進退)하는 웨이퍼 지지부이다.
선반 유닛(U1 ~ U5)에서의 상측에는 가열 모듈(401)이 적층되어 설치된다. 도면 중 402는 웨이퍼(W)를 가열하는 열판, 403은 열판(402)과 반송 암(A1)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하고 또한 웨이퍼(W)를 냉각시키는 플레이트, 404는 정류판(整流板), 405, 406은 반송 영역(R1) 및 가열 모듈(401) 내를 배기하는 배기부이다. 선반 유닛(U6)에서의 상측에는 웨이퍼(W)의 주연부를 노광하는 주연 노광 모듈(WEE1, WEE2)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U1 ~ U6)의 하부에는 반송 영역(R1)을 배기하는 팬 장치(407)가 설치되어 있다.
단위 블록(B3 ~ B6)은 액처리 유닛(201)에서 웨이퍼(W)로 공급하는 약액이 상이한 점 및 주연 노광 모듈 대신에 가열 모듈이 설치되는 점을 제외하고, 단위 블록(B1, B2)과 동일하게 구성된다. 단위 블록(B3, B4)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트 도포 모듈(COT) 대신에 액침 노광용의 보호막 형성 모듈(TCT) 및 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 모듈(BST)을 구비한다. 단위 블록(B5, B6)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에 웨이퍼(W)로 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈(DEV1, DEV2)을 구비한다.
보호막 형성 모듈(TCT)은 액침 노광 시에 웨이퍼(W)의 표면을 보호하는 보호막 형성용의 약액을, 현상 모듈은 현상액을 각각 웨이퍼(W)로 공급한다. 또한, 이면 세정 모듈(BST)은 웨이퍼(W)의 이면측으로부터 당해 이면 세정용의 약액을 공급하고, 브러쉬를 이용하여 당해 이면을 세정한다. 또한, 각 단위 블록(B1 ~ B6)의 반송 암은 A1 ~ A6으로서 각 도면에 도시되어 있다.
반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측에는 단위 블록(B1 ~ B6)에 걸쳐 선반 유닛(U7)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U7)은 서로 적층된 전달 모듈(CPL), 소수화 처리 모듈(ADH) 및 버퍼 모듈(BU)이 설치되어 있다. 설명 중 CPL이라고 기재한 전달 모듈은 재치(載置)된 웨이퍼(W)를 냉각시키는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. 버퍼 모듈은 복수 매의 웨이퍼(W)를 저장할 수 있도록 구성되어 있다. 소수화 처리 모듈(ADH)은 웨이퍼(W) 표면을 소수화(疎水化)시킨다. 선반 유닛(U7)의 근방에는 승강 가능하고, 선반 유닛(U7)에 대하여 진퇴 가능한 전달 암(14)이 설치되고, 선반 유닛(U7)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
처리 블록(S2)에 대하여 더 자세히 설명한다. 처리 블록(S2)은 하우징(31)을 구비하고, 하우징(31) 내에 상기한 각 모듈 및 유닛이 수납되어 있고, 하우징(31) 내는 단위 블록(B)마다 구획되어 있다. 하우징(31) 상에는 팬 필터 유닛(32)이 설치되어 있고, 이 팬 필터 유닛(32)에는 상하로 연장되고, 단위 블록(B1 ~ B6)에 걸쳐서 형성된 수직 덕트(33)가 접속되어 있다. 수직 덕트(33)는 각 반송 영역(R1)의 길이 방향을 따라 설치되는 수평 덕트(34)에 접속되어 있다. 각 수평 덕트(34)는 각 반송 영역(R1)의 액처리 유닛(201)측의 주연부 상에 설치되어 있다.
도 5, 도 6을 참조하여, 제 1 단위 블록(B1)의 반송 영역(R1) 상에 설치된 수평 덕트(34) 및 그 주위의 각 부의 구성에 대하여 설명한다. 수평 덕트(34)는 하측이 개방된 사각형의 관벽부(管壁部)(35)를 구비하고 있고, 그 내부에는 에어 공급로(36)가 수평 방향으로 형성되어 있다. 그리고, 에어 공급로(36)의 하방에는 ULPA 필터인 필터(37)가 설치되어 있다. 상기 팬 필터 유닛(32)으로부터 송풍된 에어가 수직 덕트(33)를 통하여 수평 덕트(34)로 유입되고, 이 필터(37)를 통과하여 청정화되어, 수평 덕트(34)의 하방으로 공급된다.
상기 수평 덕트(34)에는 구획판(41)이 설치되어 있다. 이 구획판(41)은 반송 영역(R1)의 길이 방향을 따라 4 매 배열되고, 제 1 단위 블록(B1)의 천장면을 형성한다. 구획판(41)의 두께는, 예를 들면 14 mm이다. 이 구획판(41)의 구성에 대하여, 그 종단 측면도인 도 7도 참조하여 설명한다. 구획판(41)의 표면의 기단(基端)측(수평 덕트(34)측)에는 수평 덕트(34)와 중첩되는 위치에 청정 기체 공급구(42)가 형성되어 있다. 이 청정 기체 공급구(42)의 주위는 씰 부재(43)에 의해 둘러싸여 있다. 씰 부재(43)는 수평 덕트(34)의 관벽부(35)에 밀착하여, 관벽부(35)와 구획판(41)의 사이로부터의 에어의 누설을 방지한다.
또한, 청정 기체 공급구(42)의 외연부에는 접촉 센서(38A)가 설치되어 있다. 이는, 관벽부(35)의 하단에 설치되는 접촉 센서(38)와 쌍을 이루고, 구획판(41)이 수평이면 접촉 센서(38, 38A)가 서로 접촉한다. 예를 들면, 도시하지 않은 모니터에 접촉 센서(38, 38A)가 서로 접촉되어 있는지의 여부가 표시되어, 메인터넌스 후의 구획판(41)의 설치 미스를 방지할 수 있다.
구획판(41)의 내부에는 상기 청정 기체 공급구(42)에 연통되는 에어의 기체 확산실(44)이 형성되어 있고, 이 기체 확산실(44)은 구획판(41)의 기단측으로부터 선단측을 향하도록 형성되어 있다. 그리고 이 기체 확산실(44)의 하방에는 토출구(45)가 구획판(41)의 두께 방향으로 천공(穿孔)되어 형성되어 있다. 당해 토출구(45)는 구획판(41)의 하면에 다수, 분산하여 형성되어 있다.
도 8은 기체 확산실(44)을 도시한 사시도이며, 이 도 8에 도시한 바와 같이, 기체 확산실(44)에는 구획판(501)이 설치되어 있다. 구획판(501)은 수평 덕트(34)가 연장되는 방향을 따라 형성되고, 기체 확산실(44)을 횡방항으로 인접하는 2 개의 영역으로 구획하고 있다. 이 2 개의 영역에 대하여, 수평 덕트(34)에 가까운 측을 기단측 영역(502), 수평 덕트(34)로부터 먼 측을 선단측 영역(503)으로 한다. 평면에서 봤을 때, 선단측 영역(503)의 면적에 비해 기단측 영역(502)의 면적은 크고, 본 예에서는 선단측 영역(503)의 면적을 1이라고 하면, 기단측 영역(502)의 면적은 약 2.78이다. 또한, 기체 확산실(44)에는 구획 부재(504)가 설치되어 있다. 이 구획 부재(504)는 각 영역(502, 503)을 수평 덕트(34)가 연장되는 방향으로 등분하여 구획하도록 기단측 영역(502)으로부터 선단측 영역(503)을 향해 형성되어 있다.
도 9는 기체 확산실(44)의 평면도이며, 상기한 토출구(45)는 영역(502, 503)에서 구획판(501) 및 구획 부재(504)에 병행하도록 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 본 예에서는 각 영역(502, 503)에서 구획판(501)의 형성 방향으로 인접하는 토출구(45)의 간격(L1), 구획 부재(504)의 형성 방향으로 인접하는 토출구(45)의 간격(L2)은 각각 5 mm이다. 또한, 1 개의 기체 확산실(44)의 기단측 영역(502)에는 각각 7800 개의 토출구(45)가 형성되고, 1 개의 기체 확산실(44)의 선단측 영역(503)에는 2880 개의 토출구(45)가 형성되어 있다.
상기 구획판(501)에는 그 형성 방향을 따라 기단측 영역(502)과 선단측 영역(503)을 연통시키는 다수의 에어 유통구(505)가 당해 구획판(501)의 두께 방향으로 천공되어 있다. 도 10은 두께 방향에서 본 구획판(501)을 도시하고 있다. 에어 유통구(505)는 구획판(501)의 형성 방향을 따라 2 열로 형성되어 있다. 각 열의 에어 유통구(505)는 서로 어긋나 배치되어 있고, 따라서 에어 유통구(505)는 구획판(501)의 형성 방향으로 지그재그 형상으로 배열되어 있다. 1 개의 에어 유통구(505)에서 봤을 때, 동일한 열에서 인접하는 에어 유통구(505)를 향한 방향과, 상이한 열에서 인접하는 에어 유통구(505)를 향한 방향과의 이루는 각(θ)은 60°이며, 동일한 열에서 인접하는 에어 유통구(505) 간의 거리(L3), 상이한 열에서 인접하는 에어 유통구(505) 간의 거리(L4)는 각각 3.5 mm이다. 에어 유통구(505)의 구경은 2 mm이며, 1 개의 기체 확산실(44)의 구획판(501)에는 약 435 개의 에어 유통구(505)가 형성되어 있다.
도 8로 돌아와 설명하면, 수평 덕트(34)의 필터(37)를 통과하여 파티클이 제거되어 청정화된 에어는 청정 기체 공급구(42)로부터 기체 확산실(44)로 유입되어, 상기 기단측 영역(502)으로 공급된다. 그리고, 기체 확산실(44)로는 연속하여 에어가 공급되므로, 이 기체 확산실(44) 내의 에어는 청정 기체 공급구(42)로부터 멀어져 압력이 비교적 낮아진 선단측 영역(503)을 향해 떠밀려서 확산되지만, 구획판(501)에 의해 당해 선단측 영역(503)으로 유입되는 양이 제한되어, 기단측 영역(502)과 선단측 영역(503)에서 그 면적당 공급되는 에어의 유량, 압력이 각각 균일화된다. 이에 따라, 에어는 기체 확산실(44) 전체로부터 균일성 높은 유량, 유속, 풍향으로 토출구(45)를 거쳐 하방측으로 토출되고, 반송 영역(R1) 전체에 균일성 높은 하강 기류가 형성된다. 또한, 기단측 영역(502)으로부터 선단측 영역(503)을 향할 때에 에어는 구획 부재(504)에 의해 수평 덕트(34)가 연장되는 방향으로 확산되는 것이 억제되므로, 상기 방향에서 봤을 때의 압력 손실의 균일성이 높아진다. 이에 의해서도, 상기 하강 기류의 균일성이 높아진다.
도 5로 돌아와 설명을 계속한다. 구획판(41)에서, 기체 확산실(44)보다 선단측에는 선단부(48)가 설치된다. 이 선단부(48)는 각 층의 선반 유닛(U1 ~ U6)에 설치되는 지지 부재(49)에 지지되어 있다. 지지 부재(49)는 측면에서 봤을 때 L 자 형상으로 형성되고, 반송 영역(R1)의 길이 방향으로 연장되어 있다. 이 지지 부재(49)에 구획판(41)의 선단부(48)가 지지되어, 구획판(41)이 수평으로 유지된다. 또한, 반송 영역(R1)의 길이 방향의 좌우 양단에는 4 매의 구획판(41)을 사이에 두도록 판(40)이 설치되어 있다. 판(40)은 지지 부재(49) 및 수평 덕트(34)에 대하여 수평으로 장착되어 있고, 이들 지지 부재(49) 및 수평 덕트(34)에 대하여 착탈 가능하게 구성되어 있다.
상기 수평 덕트(34)의 관벽부(35)에서의 반송 영역(R1)측의 측면에는 돌기부(50)가 설치되고, 이 돌기부(50)에는 접속구(接續具)(51)가 설치되어 있다. 또한, 구획판(41)의 표면에는 접속구(51)와 쌍을 이루는 접속구(接續具)(52)가 설치되어 있다. 도 11은 이들 접속구(51, 52)를 도시하고 있다. 접속구(51)는 수평인 통부(筒部)(51a)를 구비하고, 접속구(52)는 수평인 봉(52a)을 구비하고 있다. 통부(51a)에 봉(52a)이 끼워짐으로써, 접속구(51, 52)는 힌지(53)를 구성한다. 이 힌지(53)에 의해, 구획판(41)은 수평축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 당해 힌지(53)가 접속구(51, 52)로 분해 가능하게 구성됨으로써, 구획판(41)은 수평 덕트(34)에 대하여 착탈 가능하게 구성되어 있다.
수평 덕트(34)에서, 접속구(51)의 상측에는 구획판(41)의 선단측을 향해 연장되어 나온 2 개의 클로부(54a)가 설치되어 있다. 각 클로부(54a)는 돌기(54b)를 구비하고 있다. 또한, 구획판(41)의 표면에서, 접속구(52)의 선단측에는 구획판(41)의 두께 방향으로 돌출되는 클로부(55a)가 설치되어 있다. 클로부(55a)의 측면에는 오목부(55b)가 형성되어 있다.
구획판(41)이 수평인 상태에서, 작업자가 구획판(41)의 선단이 위를 향하도록 당해 구획판(41)의 선단을 수평축을 중심으로 회전시킨다. 그러면, 수평 덕트(34)의 클로부(54a, 54a) 사이로 구획판(41)의 클로부(55a)가 진입하고, 그 탄성에 의해 클로부(54a, 54a)가 서로 외측으로 벌어진다. 구획판(41)을 더욱 회전시키면, 도 12에 도시한 바와 같이, 클로부(54a)의 돌기(54b)가 클로부(55a)의 오목부(55b)에 계합(係合)된다. 그리고, 클로부(54a)는 그 복원력에 의해 클로부(55a)를 사이에 두고 압압하여 클로부(55a)를 고정한다. 그 결과로서, 구획판(41)은 선단이 위를 향한 상태로 고정된다. 도 13은 구획판(41) 1 매를 이와 같이 젖혀져 고정한 상태를 도시하고 있다. 이와 같이 젖혀진 구획판(41)의 선단을 하측을 향해 회전시킴으로써, 상기 클로부(54a와 55a)의 계합이 풀려 구획판(41)을 수평으로 되돌릴 수 있다.
단위 블록(B1)의 반송 영역(R1) 상에 설치되는 수평 덕트(34)와 당해 수평 덕트(34)에 설치되는 구획판(41)에 대하여 설명했는데, 다른 각 단위 블록(B2 ~ B6) 상에 설치되는 수평 덕트(34) 및 당해 수평 덕트(34)에 설치되는 구획판(41)도 이와 같이 구성되어 있고, 각 반송 영역(R1)의 천장면을 형성하고 있다. 단, 제 3 단위 블록(B3)으로 에어를 공급하는 구획판(41)은 작업자의 발판이 되기 때문에, 당해 수평 덕트(34)에 수평 상태로 고정되어 있고, 상기한 바와 같이 회전하지 않도록 되어 있다. 그리고, 상기한 바와 같이 상하로 6 단으로 설치되는 구획판(41)에 의해, 단위 블록(B1 ~ B6)의 각 반송 영역(R1)이 서로 구획되고, 또한 단위 블록(B6)의 반송 영역(R1)과 처리 블록(S2)을 이루는 하우징(31)의 외부 공간이 구획된다.
도 1 ~ 도 3으로 돌아와, 인터페이스 블록(S3)에 대하여 설명한다. 인터페이스 블록(S3)은 후술하는 메인터넌스를 행하기 위하여, 처리 블록(S2)에 대하여 이동할 수 있도록 되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은 선반 유닛(U8, U9, U10)을 구비하고, 선반 유닛(U8)은 전달 모듈(TRS), 전달 모듈(CPL), 버퍼 모듈(BU)이 서로 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U9)은 노광 전에 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 이면 세정 모듈(BST)이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U10)은 노광 후에 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 노광 후 세정 모듈(PIR)이 적층되어 구성되어 있다. 각 모듈 사이 및 모듈과 노광 장치(S4)의 사이를 반송하는 인터페이스 암(3A ~ 3C)이 설치되어 있다.
이 도포 현상 장치(1) 및 노광 장치(S4)로 이루어지는 시스템의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대하여 설명한다. 예를 들면, 웨이퍼(W)는 단위 블록(B1→B3→B5)을 통과하는 경로(1)와, 단위 블록(B2→B4→B6)을 통과하는 경로(2)에 의해 반송되고, 각 경로에서 동일한 처리를 받는다. 웨이퍼(W)는 캐리어(C)→전달 암(13)→버퍼 모듈(BU11)→전달 암(14)→소수화 처리 모듈(ADH)→반송 암(A1)→반사 방지막 형성 모듈(BCT)→반송 암(A1)→가열 모듈→반송 암(A1)→레지스트 도포 모듈(COT)→반송 암(A1)→가열 모듈(HP)→주연 노광 모듈(WEE)→반송 암(A1)→전달 모듈(CPL11)의 순으로 반송되고, 웨이퍼(W)의 표면에 반사 방지막, 레지스트막의 순으로 하층측으로부터 도포막이 적층된다.
이 후, 웨이퍼(W)는 전달 암(14)→전달 모듈(CPL12)→반송 암(A3)→보호막 형성 모듈(TCT)→반송 암(A3)→가열 모듈(HP)→반송 암(A3)→이면 세정 모듈(BST)→반송 암(A3)→전달 모듈(TRS1)의 순으로 반송된다. 이에 따라, 레지스트막의 상층에 보호막이 형성되고, 또한 웨이퍼(W)가 인터페이스 블록(S3)으로 반입된다.
상기 웨이퍼(W)는 제 1 인터페이스 암(3A)→버퍼 모듈(BU)→제 2 인터페이스 암(3B)→전달 모듈(CPL)→제 3 인터페이스 암(3C)→노광 장치(S4)의 순으로 반송되고, 액침 노광 처리를 받는다. 노광이 완료된 웨이퍼(W)는 제 3 인터페이스 암(3C)→전달 모듈(TRS)→제 2 인터페이스 암(3B)→노광 후 세정 모듈(PIR)→버퍼 모듈군(3)→제 2 인터페이스 암(3B)→전달 모듈(TRS2)의 순으로 반송된다. 이 후, 반송 암(A5)→가열 모듈(HP)→현상 모듈(DEV)→반송 암(A5)→가열 모듈(HP)→반송 암(A5)→전달 모듈(CPL13)→전달 암(14)→전달 모듈(CPL14)→전달 암(14)→캐리어(C)의 순으로 반송된다. 제 2 경로로 반송되는 웨이퍼(W)는 통과하는 단위 블록이 상이하다는 점 이외에는 이 제 1 경로와 동일하게 반송되어 동일하게 처리를 받는다.
이와 같이, 웨이퍼(W)가 반송되어 각 모듈에서 처리되는 동안, 팬 필터 유닛(32)으로부터 각 구획판(41)으로 에어가 공급된다. 그리고, 기술한 바와 같이, 구획판(41)으로부터 에어가 공급되고, 각 단위 블록(B1 ~ B6)의 반송 영역(R1)에 하강 기류가 형성된다. 도 4에서는 점선의 화살표에 의해 처리 블록(S2)에 형성되는 기류를 도시하고 있다. 반송 영역(R1)으로 공급된 에어는 선반 유닛(U1 ~ U6)의 가열 모듈(401)의 배기부(405, 406) 및 팬 장치(407)에 의해 배기된다.
처리 블록(S2)의 메인터넌스를 행할 때에는 각 단위 블록(B1 ~ B6)의 반송 암(A1 ~ A6)을 반송 영역(R1)의 임의의 장소, 예를 들면 캐리어 블록(S1)측에 위치시키고, 팬 필터 유닛(32)의 동작을 정지시킨다. 그리고, 인터페이스 블록(S3)을 이동시켜, 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)의 사이에 작업원이 들어가기 위한 스페이스를 형성한다.
이 후, 반송 암(A4 ~ A6)과 간섭하지 않는 위치에 있는 단위 블록(B4 ~ B6)의 구획판(41)을, 각 단위 블록을 구획하는 수평 위치로부터 기술한 바와 같이 회전시킨다. 이에 의해, 단위 블록(B4 ~ B6)의 반송 영역(R1)이 서로 연통하여, 들여다볼 수 있는 개방 상태가 된다. 마찬가지로, 반송 암(A2 ~ A3)과 간섭하지 않는 위치에 있는 단위 블록(B2 ~ B3)의 구획판(41)을 회전시킴으로써, 단위 블록(B1 ~ B3)의 반송 영역(R1)이 서로 연통하여, 들여다볼 수 있는 개방 상태가 된다. 도 14는 이와 같이 각 반송 영역(R1)을 연통시킨 상태를 도시하고 있다. 그리고, 작업원이 이와 같이 서로 연통된 반송 영역(R1)에 들어가, 당해 반송 영역(R1)의 반송 암(A), 선반 유닛(U1 ~ U5)을 구성하는 가열 모듈 또는 액처리 유닛(201)을 구성하는 각 모듈의 메인터넌스를 행한다. 단위 블록(B4 ~ B6)의 메인터넌스를 행할 경우에는 단위 블록(B3, B4) 간의 구획판(41)을 발판으로 하여 작업을 행한다. 또한, 이와 같이 단위 블록(B4 ~ B6)의 메인터넌스를 행할 경우, 작업원은 장치(1)의 천장으로부터 단위 블록(B4 ~ B6)으로 진입해도 좋다.
이와 같이 메인터넌스를 행할 경우, 기술한 바와 같이 구획판(41)을 수평 덕트(34)로부터 분리하여 작업을 행해도 좋다. 이 경우는 상기한 바와 같이 인터페이스 블록(S3)을 이동시킨 다음, 도 15, 도 16에 도시한 바와 같이 인터페이스 블록(S3)측의 판(40)을 분리한다. 그리고, 도 17에 도시한 바와 같이, 인터페이스 블록(S3)측의 구획판(41)부터 차례로 인터페이스 블록(S3)측으로 당해 구획판(41)을 슬라이드시켜, 힌지(53)의 통부(51a)로부터 봉(52a)을 뺀다. 이에 의해, 구획판(41)을 수평 덕트(34)로부터 분리한다. 또한, 구획판(41)을 수평 덕트(34)에 장착할 때에는 구획판(41)의 상기 봉(52a)을 통부(51a)에 끼움으로써, 캐리어 블록(S1)측의 구획판(41)부터 차례로 수평 덕트(34)에 장착한다.
이 도포 현상 장치(1)에서는 각 단위 블록(B)에 국소적으로 설치된 수평 덕트(34)의 필터(37)로부터 각 단위 블록(B)의 반송 영역(R1)의 천장을 구성하는 구획판(41)으로 에어를 공급하고, 이 구획판(41)의 기체 확산실(44)에서 확산된 에어를 토출시킴으로써, 반송 영역(R1) 전체에 하강 기류를 형성할 수 있다. 이에 의해, 반송 영역(R1)에서 에어가 체류하는 것이 억제되고, 반송 영역(R1)의 분위기의 청정도의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 구획판(41)은 수평 덕트(34)에 대하여 착탈 가능 및 회전 가능하게 구성됨으로써, 작업자가 용이하게 반송 영역(R1)에 들어가 작업할 수 있다. 한편, 상기 기체 확산실(44)에는 가이드 부재(46)가 설치되고, 이 가이드 부재(46)에 의해 필터(37)로부터 공급된 에어는 기체 확산실(44)을 균일성 높게 확산되고, 이에 따라 반송 영역(R1) 전체에 균일성 높게 에어가 공급된다. 이러한 점으로부터도, 반송 영역(R1)의 분위기의 청정도의 저하를 방지할 수 있다.
그런데, 기체 확산실(44)의 두께를 두껍게 형성하면 기체 확산실(44) 내에서의 가스의 유동성이 높아지므로, 구획판(501) 또는 후술하는 가이드 부재(46)를 설치하지 않아도 반송 영역(R1) 전체에 균일성 높게 하강 기류를 형성할 수 있다. 그러나, 이와 같이 기체 확산실(44)의 두께를 두껍게 하면, 도포 현상 장치(1)가 대형화된다. 이와 같이 구획판(501) 또는 가이드 부재(46)를 설치함으로써, 기체 확산실(44)의 대형화를 방지하고, 도포 현상 장치(1)의 대형화를 방지할 수 있다. 또한, 발명자는 시뮬레이션에 의해 가이드 부재(46)를 설치할 경우와 설치하지 않을 경우에서 반송 영역(R1)에 형성되는 풍속 및 풍향을 조사하여, 가이드 부재(46)를 설치함으로써 반송 영역(R1)의 풍속 및 풍향의 균일성이 높아지는 것을 확인하였다.
또한, 구획판(41)은 수평 덕트(34)로부터 분리 가능하게 또한 수평축을 중심으로 회전 가능하게 구성되므로, 작업의 내용 및 작업을 행하는 모듈의 장소에 따라, 작업자는 구획판(41)을 분리시킬지 회전시킬지를 선택할 수 있다. 그리고, 구획판(41)을 회전시킬 경우에는 반송 영역(R1)을 연통시키는 것이 용이하기 때문에, 메인터넌스 작업을 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 상기한 예에서는 각 반송 암(A)을 구성하는 반송 가이드 부재(301)가 반송 영역(R1)의 주연부에 길이 방향을 따라 설치되어 있기 때문에, 이 반송 가이드 부재(301)에 의해 메인터넌스 작업이 방해되는 것이 방지된다.
그런데, 상기한 구획판(41)에서는 선단부(48)의 무게에 의해 수평 덕트(34)로부터의 풍압으로 당해 선단부(48)가 부상(浮上)하는 것을 방지하고 있다. 그러나, 보다 확실히 이러한 부상을 방지하기 위하여, 구획판(41)을 수평 덕트(34)에 고정하는 고정 기구를 설치해도 좋다. 고정 기구로서는 구체적으로, 예를 들면 구획판(41)의 후단측 및 수평 덕트(34)에 각각 자석을 설치하고, 자력에 의해 구획판(41)과 수평 덕트(34)를 결합시키는 기구가 있다. 또한, 구획판(41)의 선단측과 지지 부재(49)의 표면에 각각 자석을 설치하여 고정 기구로 해도 좋다. 이 외에도, 예를 들면 썸-스크류(thumb-screw) 나사를 이용하여 구획판(41)과 수평 덕트(34)를 고정해도 좋고, 지지 부재(49)와 구획판(41)을 고정해도 좋다.
도 18은 기체 확산실(44)의 다른 구성예를 도시하고 있고, 이 도 18에 도시한 바와 같이, 기체 확산실(44)에는 가이드 부재(46)가 설치되어 있다. 가이드 부재(46)는 평면에서 봤을 때 ㄷ 자 형상으로 형성되어 있고, ㄷ 자 형상의 개구부(47)는 구획판(41)의 선단측을 향하도록 형성되어 있다. 도 18 중에는 점선의 화살표로 기체 확산실(44) 내의 에어의 흐름을 도시하고 있다. 필터(37)를 통과하여, 파티클이 제거되어 청정화된 에어는 청정 기체 공급구(42)로부터 기체 확산실(44)로 유입되고, 기체 확산실(44)을 구획판(41)의 선단측을 향해 흘러 가이드 부재(46)와 충돌하여, 가이드 부재(46)의 외주를 따라 더 선단측으로 향한다. 이러한 에어의 흐름에 의해, 가이드 부재(46)의 개구부(47)는 가이드 부재(46)의 외주보다 압력이 낮아지기 때문에, 가이드 부재(46)의 선단으로 흐른 에어는 당해 개구부(47)를 향해 흐른다. 즉, 에어는 구획판(41)의 기단측으로 돌아오도록 흐른다. 이와 같이 하여, 에어가 기체 확산실(44) 전체에 확산되고, 당해 에어는 토출구(45)로부터 하방으로 토출된다. 이에 따라, 구획판(501)을 설치할 경우와 마찬가지로, 반송 영역(R1) 전체에 균일성 높게 하강 기류를 형성할 수 있다.
기체 확산실(44)에 설치하는 가이드 부재로서는 상기한 가이드 부재(46)에 한정되지 않는다. 도 19에는 가이드 부재(71, 72)를 도시하고 있다. 가이드 부재(71, 72)는 구획판(41)의 내측으로 연장되고, 절곡되어 구획판(41)의 선단측을 향해 더 연장되어 있다. 도 19 중에 점선의 화살표로 도시한 가이드 부재(71, 72) 사이로 공급된 에어는 기체 확산실(44)을 선단측을 향한 다음, 구획판(41)의 기단측으로 돌아와 기체 확산실(44)의 벽면과 각 가이드 부재(71, 72)의 사이로 유입된다. 또한, 도 20에 도시한 바와 같이, 소용돌이 형상의 가이드 부재(73)를 설치하여, 선단측을 향한 에어가 기단측으로 돌아오도록 해도 좋다.
R1 : 반송 영역
W : 웨이퍼
1 : 도포 현상 장치
31 : 하우징
32 : 팬 장치
34 : 수평 덕트
37 : 필터
41 : 구획판
42 : 청정 기체 공급구
44 : 기체 확산실
45 : 토출구
46 : 가이드 부재
53 : 힌지
501 : 구획판
505 : 에어 유통

Claims (7)

  1. 기판을 처리하는 처리부로 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역을 구비한 기판 처리 장치에 있어서,
    각각 횡방향으로 연장되고, 서로 상하로 적층된 제 1 기판 반송 영역 및 제 2 기판 반송 영역과,
    상기 제 1 기판 반송 영역 및 제 2 기판 반송 영역을 서로 구획하기 위한 구획 위치에 설치되고, 내부에 기체 확산실을 형성하는 구획판과,
    상기 기판 반송 영역의 폭 방향 중앙부로부터 주연부에 걸친 위치에서, 상기 구획판에 상기 기체 확산실에 연통되도록 형성된 청정 기체 공급구와,
    상기 청정 기체 공급구로 기체를 공급하는 기체 공급로와,
    상기 기체 공급로에 설치되고, 상기 청정 기체 공급구로 공급하는 기체를 청정화하기 위한 필터와,
    상기 구획판의 하면에 형성되고, 상기 기체 확산실에서 확산된 기체를 기판 반송 영역으로 토출하는 다수의 토출구를 구비하고,
    상기 구획판은, 메인터넌스 시에 제 2 기판 반송 영역으로부터 제 1 기판 반송 영역을 들여다볼 수 있는 개방 상태로 하기 위하여, 상기 구획 위치로부터 퇴피시킬 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 확산실에는, 상기 기체 확산실을 제 1 영역과, 상기 제 1 영역보다 상기 청정 기체 공급구로부터 횡방향으로 떨어진 제 2 영역으로 구획하는 구획 부재가 설치되고,
    상기 구획 부재에는 제 1 영역으로부터 제 2 영역으로 상기 청정 기체를 유통시키는 다수의 기체 유통구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 확산실에는, 청정 기체 공급구로부터 떨어져 있는 가스를 청정 기체 공급구를 향해 돌아오도록 가이드하는 가이드 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가이드 부재는 상기 구획판이 형성하는 평면에서 봤을 때 ㄷ 자 형상으로 형성되고, 상기 ㄷ 자 형상이 청정 기체 공급구와 반대 방향으로 개구하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구획판은 수평축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판 반송 영역에는, 기판을 반송하기 위한 기판 반송 기구와, 상기 기판 반송 기구를 기판 반송 영역을 따라 가이드하는 반송 가이드가 설치되고,
    상기 반송 가이드는, 기판 반송 영역의 주연부에 길이 방향을 따라 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판 반송 영역의 폭 방향의 양측에는 기판에 처리를 행하는 모듈이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09171950A (ja) * 1996-11-26 1997-06-30 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005093794A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20090041049A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
JP2010056104A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09171950A (ja) * 1996-11-26 1997-06-30 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005093794A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20090041049A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
JP2010056104A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

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