JP2000331922A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カセットステーション、塗布ブロック、現像
ブロック、露光ブロックをこの順に直線状に設けてレジ
ストパターンを形成する装置において、高いスループッ
トを得ること。 【解決手段】カセットステーションＣＳから見て左側に
高さを変えて往路移送手段６と復路移送手段７とを設け
る。往路移送手段６は移送台６２を備え、レジスト塗布
後のウエハＷを第１の主搬送手段３０から受け取って
（Ａ１）、インターフェイスステーション５１の受け渡
しアーム５３のアクセス位置（Ａ２）まで移送する。復
路移送手段７は移送台７２備え、現像後のウエハＷを第
３の主搬送手段４０から受け取って（Ｂ１）カセットス
テーションＣＳの受け渡しアーム２２のアクセス位置
（Ｂ２）まで移送する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し
て例えばレジスト液の塗布、露光及び現像を行う基板処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程におけるフォ
トリソグラフィー技術においては半導体ウエハ（以下ウ
エハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジ
ストを所定パターンに露光処理し、更に現像処理して所
定パターンのレジスト膜が形成される。このような一連
の処理は、塗布／現像装置に露光装置を接続したシステ
ムにより行われる。
【０００３】図１２はこのような装置の従来例を示す概
観図であり、基板例えば半導体ウエハを２５枚収納した
基板カセットＣはカセットステーションＣＳのカセット
ステ−ジ１に搬入される。カセットステーションＣＳに
は塗布ブロックＳ１及び現像ブロックＳ２がこの順に接
続されており、更に現像ブロックＳ２にはインターフェ
イスステーションＩＦを介して露光装置Ｓ３が接続され
ている。前記カセットステ−ジ１上のカセットＣ内のウ
エハＷは、図示しない受け渡しア−ムにより取り出され
て受け渡し台１１を介して塗布ブロックＳ１に送られ
る。塗布ブロックＳ１では、塗布ユニット１２にてウエ
ハＷ上にレジストが塗布され、その後ウエハＷは→メイ
ンア−ムＭＡ１→受け渡し台１３→現像ブロックＳ２の
メインア−ムＭＡ２→受け渡し台１４→インタ−フェイ
スＩＦ→露光装置Ｓ３の経路で搬送されて露光される。
なお塗布ユニットＳ１では、レジストの塗布の前後に、
棚ユニット１５にて夫々前処理及び後処理が行われる。
【０００４】露光後のウエハＷは、逆の経路で現像ブロ
ックＳ２に搬送され、現像ユニット１６にて現像された
後、メインア−ムＭＡ２→受け渡し台１３→メインア−
ムＭＡ１→受け渡し台１１→カセットＣの経路で搬送さ
れる。現像ユニットＳ２では、現像処理の前後に、棚ユ
ニット１７にて夫々前処理及び後処理が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近において
レジスト膜の上または下に反射防止膜を塗布することが
行なわれるようになり、そのためのスピナーユニットを
塗布ブロックＳ１内に設けるシステムが製作されるよう
になってきた。このため工程数が増え、塗布ブロックＳ
１内のメインアームＭＡ１の負荷が大きくなっている。
上述のシステムでは現像ブロックＳ２にて現像されたウ
エハは塗布ブロックＳ１内のメインＭＡ１を介してカセ
ットステーションＣＳに戻るため、メインアームＭＡ１
の負荷が大きいと現像ブロックＳ２側で待機している時
間が長くなり、スループットが低下してしまう。
【０００６】一方現像ブロックＳ２では現像処理や前処
理、後処理に要する時間が短くなっているため、メイン
アームＭＡ２の搬送時間が律速となっている。ところが
レジストが塗布されたウエハＷは、メインアームＭＡ２
を介してインターフェイスＩＦに送られるため、メイン
アームＭＡ２の搬送能力がその分にとられてしまい、各
処理の時間が短縮されても、露光後のウエハＷが現像ブ
ロックＳ２内に滞在する時間に反映される程度が小さく
なり、結果としてスループットの向上の妨げとなってい
る。本発明はこのような事情の下になされたものであ
り、その目的は、カセットステーションに第１の処理ブ
ロック（例えば塗布ブロック）、第３の処理ブロック
（例えば現像ブロック）、第２の処理ブロック（例えば
露光ブロック）をこの順に接続して基板を処理するにあ
たって、高いスループットを得ることのできる基板処理
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置する載
置部とこの載置部に載置された基板カセットに対して基
板の受け渡しをする受け渡し手段とを含むカセットステ
−ションと、第１の処理ブロックと、第３の処理ブロッ
クと、第２の処理ブロックと、をこの順で横方向に配列
して構成され、前記第１の処理ブロックは前記カセット
ステ−ションから搬送された基板に対して第１の処理を
行い、第３の処理ブロックは前記第２の処理ブロックに
て第２の処理が行われた基板に対して第３の処理を行
い、第２の処理ブロックは前記第１の処理が行われた基
板に対して第２の処理を行うものである基板処理装置を
前提とする。
【０００８】先ず請求項１の発明は、前記基板カセット
から受け渡し手段により取り出された基板を前記第１の
処理ブロック内で搬送するための第１の主搬送手段と、
前記第２の処理が行われた基板を前記第３の処理ブロッ
ク内で搬送するための第３の主搬送手段と、前記第１の
処理ブロックにて第１の処理がされた基板を前記第３の
主搬送手段の搬送領域の外側の領域を通って第２の処理
ブロックに搬送する往路移送手段と、を備えたことを特
徴とする。この発明によれば、第１の処理例えばレジス
トが塗布された基板を第３の処理ブロック例えば現像ブ
ロック内の第３の主搬送手段を用いずに往路移送手段に
より第２の処理ブロック例えば露光ブロックに搬送でき
るので、高いスル−プットが得られる。。
【０００９】請求項２の発明は、前記基板カセットから
受け渡し手段により取り出された基板を前記第１の処理
ブロック内で搬送するための第１の主搬送手段と、前記
第２の処理が行われた基板を前記第３の処理ブロック内
で搬送するための第３の主搬送手段と、前記第３の処理
ブロックにて第３の処理がされた基板を前記第１の主搬
送手段の搬送領域の外側の領域を通ってカセットステ−
ションに搬送する復路移送手段と、を備えたことを特徴
とする。この発明によれば、第３の処理例えば現像が行
われた基板を第１の処理ブロック例えば塗布ブロック内
の第１の主搬送手段を用いずに復路移送手段によりカセ
ットステ−ションに搬送できるので、高いスル−プット
が得られる。
【００１０】また本発明は、前記往路移送手段及び復路
移送手段のいずれをも備えた構成としてもよい。更に第
２のブロックへの搬送は、往路移送手段または第３の主
搬送手段のいずれかを選択するようにしてもよいし、カ
セットステ−ションへの搬送は、復路移送手段または第
１の主搬送手段のいずれかを選択するようにしてもよ
い。
【００１１】更にまた第１の処理ブロックは、第１の処
理後に基板を加熱するための第１の加熱部と、第１の主
搬送手段とは別個に設けられ、前記第１の加熱部にて加
熱された基板を往路移送手段に受け渡すための専用の第
１の副搬送手段と、を備えた構成としてもよい。また第
３の処理ブロックは、第３の処理後に基板を加熱するた
めの第３の加熱部と、第３の主搬送手段とは別個に設け
られ、前記第３の加熱部にて加熱された基板を復路移送
手段に受け渡すための専用の第３の副搬送手段と、を備
えた構成としてもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の基板処理装置を基
板の表面にレジストパタ−ンを形成するパタ−ン形成装
置に適用した実施の形態について説明する。先ずこの実
施の形態の概略について図１を参照しながら説明する。
図１中、ＣＳはカセットステーションであり、これに第
１の処理ブロックである塗布ブロック１００、第３の処
理ブロックである現像ブロック３００、第２の処理ブロ
ックである露光ブロック２００が横方向に例えば一直線
に沿って接続されている。塗布ブロック１００内には第
１の主搬送手段３０が設けられ、現像ブロック３００内
には第３の主搬送手段４０が設けられている。この実施
の形態では、塗布ブロック１００にてレジスト膜が形成
されたウエハＷが往路移送手段６により露光ブロック２
００に搬送されると共に、露光、現像されたウエハＷが
復路移送手段７によりカセットステ−ションＣＳに搬送
される。前記往路移送手段６は、現像ブロック３００内
の第３の主搬送手段４０の搬送領域の外側に設けられ、
復路移送手段７は、塗布ブロック１００内の第１の主搬
送手段３０の搬送領域の外側に設けられている。
【００１３】次に上述のパターン形成装置について図２
〜図６を参照しながら詳しく述べていく。
【００１４】カセットステーションＣＳは、複数の基板
例えば２５枚のウエハＷを収納した基板カセットである
ウエハカセット（以下単にカセットという）Ｃを載置す
るカセットステ−ジ、例えば４個のカセットＣを載置す
る載置部であるカセットステ−ジ２１と、カセットステ
−ジ２１上のカセットＣとの間でウエハＷの受け渡しを
行うための受け渡し手段である受け渡しアーム２２とを
備えている。受け渡しアーム２２は、昇降自在、Ｘ、Ｙ
方向移動自在、鉛直軸まわりに移動自在に構成されてい
る。
【００１５】塗布ブロック１００は前記カセットステ−
ションＣＳに接続されており、処理ユニットである塗布
ユニット３と多段の棚を有する２個の棚ユニットＲ１、
Ｒ２と、第１の主搬送手段３０と、を備えている。塗布
ユニット３は２個ずつ２段に積み重ねて設けられてお
り、例えばウエハＷ上に反射防止膜を形成する場合に
は、上段２個にレジスト塗布ユニットが、下段２個に反
射防止膜の塗布ユニットが夫々割り当てられる。第１の
主搬送手段３０は、棚ユニットＲ１、Ｒ２及び塗布ユニ
ット３に対してウエハＷの受け渡しを行う。
【００１６】前記棚ユニットＲ１（Ｒ２）は、図４に示
すようにウエハＷを加熱する加熱プレ−トを備えた加熱
部２３、ウエハを冷却する冷却プレ−トを備えた冷却部
２４、ウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し台を備
えた受け渡し部２５、ウエハＷの位置合わせを行うため
の位置合わせ部２６が縦に配列されている。なお図４に
示した配列はイメ−ジを示すための一例であり、この配
列に限定されるものではない。
【００１７】前記第１の主搬送手段３０は、図５に示す
ようにウエハＷを保持するアーム４１と、このアーム４
１を進退自在に支持する支持台４２と、この支持台４２
を昇降自在に支持する基体４３と、この基体４３を鉛直
軸周りに回転自在に駆動するための回転駆動部４４とを
備えている。アーム４１は、夫々ウエハＷを保持し得る
ように３段構成になっており、その各段にそれぞれ設け
られた例えば３片の爪部４５の上にウエハＷの周縁を載
せるようになっている。
【００１８】また前記塗布ユニット３の構成について図
６を参照しながら簡単に述べる。３１はカップであり、
このカップ３１内に真空吸着機能を有するスピンチャッ
ク３２が設けられている。このスピンチャック３２は昇
降機構３３ａにより昇降自在にまた回転機構３３ｂによ
り回転自在に構成されており、カップ３１の上方側に位
置しているときに、前記主搬送手段３０のアーム４１と
の間でウエハＷの受け渡しが行われる。３４は吐出ノズ
ル、３５はレジスト液（あるいは反射防止膜用の薬液）
供給管、３６はノズルを水平移動させる支持アームであ
り、スピンチャック３２上のウエハＷの表面に吐出ノズ
ル３４からレジスト液を滴下し、スピンチャック３２を
回転させてレジスト液をウエハＷ上に伸展させ塗布す
る。
【００１９】次いで前記現像ブロック３００について述
べると、この現像ブロック３００においては、カセット
ステーションＣＳから見て奥側に棚ユニットＲ３が設け
られると共に、右側に２個ずつ上下に現像ユニット５が
設けられている。棚ユニットＲ３は棚ユニットＲ１、Ｒ
２とほぼ同じ構成であるが、加熱板と冷却板とを１段に
並べると共にこの間で専用にウエハＷを搬送する副搬送
手段を設けた加熱冷却部が含まれている。
【００２０】現像ユニット５は図６に示した塗布ユニッ
ト３とほぼ同一の構成であるが、現像液供給ノズルはウ
エハＷの直径方向に配列された多数の供給孔が設けられ
ている点などに差異がある。また現像ブロック３００の
中央部には第１の主搬送手段３０と同様の第３の主搬送
手段４０が設けられており、棚ユニットＲ２の受け渡し
台、棚ユニットＲ３及び現像ユニット５の間でウエハＷ
の搬送を行う。
【００２１】前記現像ブロック３００の隣にはインター
フェイスステーション５１が接続され、このインターフ
ェイスステーション５１の奥側には、レジスト膜が形成
されたウエハＷに対して露光を行うための露光装置５２
が接続されている。インターフェイスステーション５１
はＸ、Ｙ方向、上下方向に移動自在で鉛直軸回わりに回
転自在な受け渡しアーム５３を備えており、この受け渡
しアーム５３は現像ブロック３００及び露光装置２００
間でウエハＷの受け渡しを行う。なお露光装置５２は、
前記受け渡しアーム５３によりウエハＷが搬入され、搬
出される搬入ステージ５４及び搬出ステージ５５と、ウ
エハＷに対して露光を行う露光部５６と、ステージ５
４、５５と露光部５６との間でウエハＷの搬送を行う搬
送アーム５７とを備えている。またインターフェイスス
テーション５１は通常塗布、現像装置側に付属するもの
であるが、インターフェイスステーション５１及び露光
装置５２は、この実施の形態では露光ブロック２００、
つまり本発明でいう第２の処理ブロックに相当するもの
である。
【００２２】更に塗布ブロック１００と露光ブロック２
００との間には、レジストを塗布したウエハＷをインタ
ーフェイスステーション５１の受け渡しアーム５３によ
りアクセスされる位置まで移送するための往路移送手段
６が設けられており、この往路移送手段６は、図３及び
図７に示すように現像ブロック３００の第３の主搬送手
段４０搬送領域の外側において位置Ａ１、Ａ２間を移動
できるように構成されている。位置Ａ１は第１の主搬送
手段３０によりアクセスできる位置であり、位置Ａ２は
現像ブロック３００内の棚ユニットＲ３に対して現像ユ
ニット５と反対側の位置であって、前記受け渡しアーム
５３によりアクセスされる位置である。具体的には往路
移送手段６は、前記位置Ａ１、Ａ２の間を結ぶ例えば２
本のガイドレール６１と、このガイドレール６１に沿っ
て走行する移送台６２とを含む。また現像ブロック３０
０とカセットステーションＣＳとの間には、現像後のウ
エハＷをカセットステーションＣＳの受け渡しアーム２
２によりアクセスされる位置まで移送するための復路移
送手段７が設けられている。この復路移送手段７は塗布
ブロック１００の第１の主搬送手段３０の搬送領域の外
側でかつ前記往路移送手段６の移送領域よりも上方レベ
ルにおいて位置Ｂ１、Ｂ２間を往路移送手段６と平行に
移動できるように構成されている。位置Ｂ１は第３の主
搬送手段４０によりアクセスできる位置であり、位置Ｂ
２はカセットステーションＣＳの受け渡しアーム２２に
よりアクセスされる位置である。復路移送手段７は往路
移送手段６と同様の構成であり、ガイドレール７１及び
移送台７２を含む。次に上述の実施の形態の作用につい
て説明する。先ず自動搬送ロボット（あるいは作業者）
により例えば２５枚のウエハＷを収納したカセットＣが
カセットステ−ジ２１に搬入され、受け渡しアーム２２
により、カセットＣ内からウエハＷが取り出されて塗布
ブロック１００の棚ユニッＲ１内の受け渡し部２６内に
置かれる。このウエハＷは反射防止膜用の塗布ユニット
３にて反射防止膜が形成された後、レジスト用の塗布ユ
ニット３に搬送され、レジストが塗布される。続いてウ
エハＷは棚ユニットＲ１またはＲ２の加熱部２３で加熱
され、冷却部２４で冷却された後、第１の主搬送手段３
０により前記位置Ａ１にて往路移送手段６の移送台６２
に搬送され、この移送台６２により前記位置Ａ２に移送
される。
【００２３】その後ウエハＷは受け渡しアーム５３→搬
入ステージ５４→搬送アーム５７→露光部５６の経路で
搬送され、露光が行われた後、受け渡しアーム５３に戻
り、棚ユニットＲ３の受け渡し部２５を介して第３の主
搬送手段４０に受け渡される。第３の主搬送手段４０
は、ウエハＷを棚ユニットＲ３の加熱、冷却部（図示せ
ず）→現像ユニット４→加熱部２３→冷却部２４の経路
で搬送して現像処理を終え、前記位置Ｂ１にて復路移送
手段７の移送台７２に搬送する。この移送台７２は前記
位置Ｂ２に移動し、ウエハＷは、カセットステーション
ＣＳの受け渡しアーム２２に受け取られて例えば元のカ
セットＣに戻される。
【００２４】上述の実施の形態によれば、レジストを塗
布したウエハＷを現像ブロック３００の第３の主搬送手
段４０の手を借りることなく、往路移送手段６により露
光ブロック２００まで（露光ブロック２００の受け渡し
アーム５３にアクセスされる位置まで）移送され、また
その移送は第３の主搬送手段４０の搬送領域の外側にて
行われるので、主搬送手段４０は現像ブロック３００内
におけるの本来の作業、つまり露光後のウエハＷの搬
入、前処理、現像処理、後処理、現像後のウエハの搬出
のための搬送に専念できる。従って現像ブロック３００
内の各処理の時間が短くなっていて搬送の時間が律速に
なってきていることから、ウエハＷの搬送の流れがスム
ーズになり、スループットが向上する。
【００２５】そして現像後のウエハＷを塗布ブロック１
００内の第１の主搬送手段３０の手を貸りることなく復
路移送手段７によりカセットステーションＣＳまで（カ
セットステーションＣＳの受け渡しアーム２２にアクセ
スされる位置まで）移送され、またその移送は第１の主
搬送手段３０の搬送領域の外側にて行われるので、主搬
送手段３０は塗布ブロック１００内の本来の作業に専念
でき、例えば反射防止膜を塗布する場合など工程数が多
くなってもウエハＷの搬送を迅速に行うことができる。
【００２６】以上のことから上述のレジストパターン形
成装置は高いスループットが得られる。なお本発明で
は、往路移送手段６及び復路移送手段７の一方のみを備
えている構成としてもよく、その場合レジスト塗布後
（現像後）のウエハＷは第３の主搬送手段４０（第１の
主搬送手段３０）により搬送されることになる。
【００２７】また本発明ではレジスト塗布後のウエハＷ
を往路移送手段６及び第３の主搬送手段４０のいずれか
を選択してインターフェイス２００に受け渡すようにし
てもよいし、あるいは現像後のウエハＷを復路移送手段
７及び第１の主搬送手段３０のいずれかを選択してカセ
ットステーションＣＳに受け渡すようにしてもよい。
【００２８】更に塗布ブロック１００内の棚ユニットＲ
１、Ｒ２に図８に示すように加熱板８１、冷却板８２、
及び開閉自在な移載アーム８３を含む加熱、冷却部８を
設け、レジスト塗布後のウエハＷを第１の主搬送手段３
０で加熱板８１に受け渡し、次いで移載アーム８３によ
りウエハＷの周縁を把持して冷却板８２に移載するよう
にしてもよい。そしてこの移載アーム８３を用いて冷却
板８２から往路移送手段６へ搬送するようにしてもよ
い。この場合移載アーム８３は第１の副搬送手段に相当
する。また上述の実施の形態では、現像ブロック３００
内の棚ユニットＲ３内においては図８に示す構造と同様
の加熱、冷却部を設けてあることを前提にして説明して
あるが、現像ブロック３００においても加熱、冷却部の
移載アーム（第２の副搬送手段）を用いて復路移送手段
７へ搬送するようにしてもよい。
【００２９】ここで例えば塗布ブロック１００におい
て、既述の棚ユニットＲ１、Ｒ２の代りに、図９に示す
ように加熱プレート８４を備えた加熱部８５を複数段重
ねた棚ユニットＲ４を用い、第１の主搬送手段３０（図
１参照）でウエハＷを加熱部８５に搬送し、このウエハ
Ｗが加熱された後、棚ユニットＲ４とは別個に設けられ
た副搬送手段８６により当該ウエハＷを加熱部８５から
受け取り、前記移送台６１に搬送するようにしてもよ
い。なお副搬送手段８６は、図１０に示すように進退自
在かつ前縁から後側に切り込まれた切り込み８７ａ、８
７ｂ、８７ｃを有すると共にウエハＷ全面が載置される
大きさのアーム８７を備え、このアーム８７のガイドを
有する基体８８が鉛直軸まわりに回転できかつ上下動で
きるように構成される。前記切り込み８７ａ、８７ｂ、
８７ｃは、加熱プレート８４からウエハＷを受け取ると
きに、加熱プレート８４の表面より突出してウエハＷを
持ち上げる昇降ピンと平面的に干渉しないように設けら
れたものである。このような例では、加熱されたウエハ
Ｗは、前記アーム８７上で冷却され、次いで移送台６１
で冷却されるが、例えばインターフェイス２００に設け
られる冷却プレートで所定温度まで冷却される。なお図
９の構成は現像ブロック２００にて採用してもよい。
【００３０】更にまたカセットステーションＣＳから見
て塗布ブロック１００内の左側（往路移送手段６が設け
られている側）に、前処理や後処理を行う棚ユニットを
設け、この棚ユニットの一部の段の中を復路移送手段７
の移送台７２が通過するようにしてもよく、現像ブロッ
ク３００内においても同様に棚ユニットを設けて、この
棚ユニットの一部の段の中を往路移送手段６の移送台６
２が通過するようにしてもよい。なお往路移送手段６と
復路移送手段７とが共用されていてもよい。
【００３１】ここで図９は本発明の他の実施の形態を示
す図である。この例では往路移送手段６がパターン形成
装置の天井部つまり塗布ユニット３や現像ユニット５よ
りも高い所に位置している。レジスト塗布後のウエハＷ
は第１の主搬送手段３０により実線位置の移送台６３に
受け渡され、この移送台６３が点線位置まで移動すると
開閉自在なアーム６４によりインターフェイスステーシ
ョン５１内の昇降台６５に移載され、昇降台６５の下降
により図では見えない受け渡しアームのアクセス位置ま
で移動する。また現像後のウエハＷは第３の主搬送手段
４０により実線位置の移送台７３に受け渡され、この移
送台７３が点線位置まで移動すると移載アーム７４によ
り昇降台７５に移載され、昇降台７５の下降によりカセ
ットステーションＣＳの受け渡しアームのアクセス位置
まで移動する。
【００３２】以上において基板としてはウエハに限らず
液晶ディスプレイに用いられるガラス基板であっても良
い。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、カセット
ステ−ションに、第１の処理部、第３の処理部、第２の
処理部をこの順で横に接続し、基板に対して第１の処
理、第２の処理、第３の処理を行う装置において、高い
スル−プットを得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略
を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す
概観図である。
【図３】上記の基板処理装置を示す概略平面図である。
【図４】上記の基板処理装置の内部を示す概略側面図で
ある。
【図５】主搬送手段を示す斜視図である。
【図６】塗布ユニットを示す断面図である。
【図７】往路移送手段及び復路移送手段を示す斜視図で
ある。
【図８】加熱、冷却部を示す斜視図である。
【図９】本発明の他の実施の形態の一部を示す略解側面
図である。
【図１０】第１の副搬送手段のアームの例を示す平面図
である。
【図１１】本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置
を示す概観図である。
【図１２】従来のパタ−ン形成装置を示す概略平面図で
ある。
【符号の説明】
ＣＳ カセットステーション Ｗ ウエハＷ ２２ 受け渡しア−ム １００ 第１の処理ブロックである塗布ブロック ２００ 第２の処理ブロックである露光ブロック ３００ 第３の処理ブロックである現像ブロック ３ 塗布ユニット ３０ 第１の主搬送手段 ４０ 第３の主搬送手段 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 棚ユニット ５ 現像ユニット ５１ インタ−フェイスステ−ション ５２ 露光装置 ５３ 受け渡しア−ム ６ 往路移送手段 ７ 復路移送手段 ６１、７１ 移送台

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の基板を収納した基板カセットを載
    置する載置部とこの載置部に載置された基板カセットに
    対して基板の受け渡しをする受け渡し手段とを含むカセ
    ットステ−ションと、第１の処理ブロックと、第３の処
    理ブロックと、第２の処理ブロックと、をこの順で横方
    向に配列して構成され、 前記第１の処理ブロックは前
    記カセットステ−ションから搬送された基板に対して第
    １の処理を行い、第３の処理ブロックは前記第２の処理
    ブロックにて第２の処理が行われた基板に対して第３の
    処理を行い、第２の処理ブロックは前記第１の処理が行
    われた基板に対して第２の処理を行うものである基板処
    理装置において、 前記基板カセットから受け渡し手段により取り出された
    基板を前記第１の処理ブロック内で搬送するための第１
    の主搬送手段と、 前記第２の処理が行われた基板を前記第３の処理ブロッ
    ク内で搬送するための第３の主搬送手段と、 前記第１の処理ブロックにて第１の処理がされた基板を
    前記第３の主搬送手段の搬送領域の外側の領域を通って
    第２の処理ブロックに搬送する往路移送手段と、を備え
    たことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 複数の基板を収納した基板カセットを載
    置する載置部とこの載置部に載置された基板カセットに
    対して基板の受け渡しをする受け渡し手段とを含むカセ
    ットステ−ションと、第１の処理ブロックと、第３の処
    理ブロックと、第２の処理ブロックと、をこの順で横方
    向に配列して構成され、 前記第１の処理ブロックは前
    記カセットステ−ションから搬送された基板に対して第
    １の処理を行い、第３の処理ブロックは前記第２の処理
    ブロックにて第２の処理が行われた基板に対して第３の
    処理を行い、第２の処理ブロックは前記第１の処理が行
    われた基板に対して第２の処理を行うものである基板処
    理装置において、 前記基板カセットから受け渡し手段により取り出された
    基板を前記第１の処理ブロック内で搬送するための第１
    の主搬送手段と、 前記第２の処理が行われた基板を前記第３の処理ブロッ
    ク内で搬送するための第３の主搬送手段と、 前記第３の処理ブロックにて第３の処理がされた基板を
    前記第１の主搬送手段の搬送領域の外側の領域を通って
    カセットステ−ションに搬送する復路移送手段と、を備
    えたことを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項３】 複数の基板を収納した基板カセットを載
    置する載置部とこの載置部に載置された基板カセットに
    対して基板の受け渡しをする受け渡し手段とを含むカセ
    ットステ−ションと、第１の処理ブロックと、第３の処
    理ブロックと、第２の処理ブロックと、をこの順で横方
    向に配列して構成され、 前記第１の処理ブロックは前
    記カセットステ−ションから搬送された基板に対して第
    １の処理を行い、第３の処理ブロックは前記第２の処理
    ブロックにて第２の処理が行われた基板に対して第３の
    処理を行い、第２の処理ブロックは前記第１の処理が行
    われた基板に対して第２の処理を行うものである基板処
    理装置において、 前記基板カセットから受け渡し手段により取り出された
    基板を前記第１の処理ブロック内で搬送するための第１
    の主搬送手段と、 前記第２の処理が行われた基板を前記第３の処理ブロッ
    ク内で搬送するための第３の主搬送手段と、 前記第１の処理ブロックにて第１の処理がされた基板を
    前記第３の主搬送手段の搬送領域の外側の領域を通って
    第２の処理ブロックに移送する往路移送手段と、 前記第３の処理ブロックにて第３の処理がされた基板を
    前記第１の主搬送手段の搬送領域の外側の領域を通って
    カセットステ−ションに搬送する復路移送手段と、を備
    えたことを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項４】 第１の処理ブロックは、第１の処理後に
    基板を加熱するための第１の加熱部と、第１の主搬送手
    段とは別個に設けられ、前記第１の加熱部にて加熱され
    た基板を往路移送手段に受け渡すための専用の第１の副
    搬送手段と、を備えたことを特徴とする請求項１または
    ３記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】 第３の処理ブロックは、第３の処理後に
    基板を加熱するための第３の加熱部と、第３の主搬送手
    段とは別個に設けられ、前記第３の加熱部にて加熱され
    た基板を復路移送手段に受け渡すための専用の第３の副
    搬送手段と、を備えたことを特徴とする請求項２または
    ３記載の基板処理装置。
  6. 【請求項６】 第１の処理ブロックから第２の処理ブロ
    ックへの基板の搬送は、往路移送手段または第３の主搬
    送手段のいずれかを選択して行うことができる請求項
    １、３または４記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】 第３の処理ブロックからカセットステ−
    ションへの基板の搬送は、復路移送手段または第１の主
    搬送手段のいずれかを選択して行うことができる請求項
    ２、３または５記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 第１の処理ブロックは、基板にレジスト
    を塗布する塗布ステ−ションであり、第２の処理ブロッ
    クは基板を露光する露光ブロックであり、第３の処理ブ
    ロックは基板を現像する現像ブロックであることを特徴
    とする請求項１ないし７にいずれか記載の基板処理装
    置。
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