KR101717879B1 - 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소수화 처리 모듈 또는 도포막 형성용의 단위 블록에 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행할 때에 도포, 현상 장치의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있고, 기판의 반송 수단의 동작의 복잡화를 방지하는 기술을 제공하는 것이다. 서로 동일한 도포막이 형성되는 N중화된 도포용의 단위 블록과, 상기 캐리어 블록과 처리 블록 사이의 승강 반송 블록에 있어서, 상기 도포막을 형성하기 전의 기판에 대해 소수화 처리하기 위한 N그룹의 소수화 모듈과, 상기 N그룹의 소수화 모듈로부터 각각 대응하는 도포용의 단위 블록에 기판을 전달하도록 제어되는 전달 기구를 구비하도록 도포, 현상 장치를 구성한다.

Description

도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체{COATING-DEVELOPING APPARATUS, COATING-DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 기판에 레지스트를 도포하고, 현상을 행하는 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포, 현상 장치에는, 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈을 구비한 처리 블록이 설치되어 있다.
처리 블록은, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 반사 방지막이나 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 도포막 형성용의 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 현상 처리용의 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성되어 있다. 웨이퍼는 순서대로 각 단위 블록에 설치되는 처리 모듈로 전달되어 처리를 받는다.
웨이퍼는 상기한 도포막의 형성 처리를 받는 도포막의 웨이퍼로의 밀착성을 향상시키기 위해 소수화 처리되는 경우가 있다. 그런데 이들 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 모듈이나 도포막 형성용의 단위 블록은, 고장을 일으켰을 때나 메인터넌스를 행할 때에는 웨이퍼의 반송을 정지해야만 하는 경우가 있다. 그러나 상기한 바와 같이 웨이퍼는 순서대로 처리 모듈로 전달되므로, 이와 같이 소수화 처리 모듈이나 도포막 형성용의 단위 블록으로의 반송을 정지하는 것은, 도포, 현상 장치 전체에서 웨이퍼의 반송을 정지시키는 것이 되어버려, 처리량이 저하되어버리는 문제가 있다.
동종의 모듈을 복수 설치함으로써 이와 같이 반송이 정지되는 것을 방지하는 것도 생각할 수 있지만, 모듈의 수가 늘어남으로써 반송 수단의 동작이 번잡해져, 충분히 처리량의 향상을 도모할 수 없을 우려가 있고, 이 반송 수단을 제어하는 프로그램의 작성도 곤란하게 되어버린다. 특허 문헌 1에는, 도포막 형성용의 단위 블록에 반입 전의 웨이퍼를 소수화 처리하는 모듈을 복수 구비한 도포, 현상 장치에 대해 개시되어 있지만, 이와 같은 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다.
일본 특허 출원 공개 제2007-115831
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 소수화 처리 모듈, 또는 도포막 형성용의 단위 블록에 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행할 때에 도포, 현상 장치의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있고, 기판의 반송 수단의 동작의 복잡화를 방지하는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은, 상기 도포막을 형성하기 위한 약액을 기판으로 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체를 포함하고,
b) 상기 N중화된 도포용의 단위 블록은, 서로 동일한 도포막이 형성되도록 구성되고,
c) 상기 처리 블록은 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 적층되고, 노광 후의 기판에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 모듈을 구비한 현상용의 단위 블록을 포함하고,
d) 상기 캐리어 블록과 처리 블록 사이에 승강 반송 블록이 설치되고, 이 승강 반송 블록은, 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 대해 각각 기판을 전달하기 위한 제1 승강 반송 기구와, 상기 현상용의 단위 블록에 대해 기판을 전달하기 위한 제2 승강 반송 기구와, 다수 적층되어 설치된 전달 모듈을 구비하고, 상기 캐리어 블록과 상기 처리 블록과 상기 승강 반송 블록의 배열 방향을 전후 방향으로 하면, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 및 다수 적층된 전달 모듈은 좌우 방향으로 설치됨과 함께, 다수 적층된 전달 모듈은, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 사이에 놓이도록 설치되고,
e) 상기 제1 승강 반송 기구 및 제2 승강 반송 기구는, 승강하는 승강 기체와, 상기 승강 기체를 연직축 주위로 회전하는 회전 베이스와, 제1 반송 아암과, 제2 반송 아암을 각각 구비하고,
f) 상기 제1 반송 아암 및 제2 반송 아암은, 상기 회전 베이스에 대해 서로 독립하여 진퇴하고,
상기 제1 반송 아암은 기판의 이면을 지지함과 함께, 그 진퇴 방향에 직교하는 당해 제1 반송 아암의 폭은, 상기 기판의 폭보다 좁게 구성되고,
상기 제2 반송 아암은, 기판의 측 주위를 둘러싸는 포위부와, 상기 포위부의 내주연에 복수 설치되며, 기판의 이면을 지지하는 갈고리부를 구비하고,
g) 상기 다수 적층되어 설치된 전달 모듈에는, 적재된 기판을 냉각하기 위한 냉각액의 유로를 구비한 스테이지로 이루어지는 제1 전달 모듈과, 상기 냉각액의 유로를 구비하고 있지 않은 스테이지로 이루어지는 제2 전달 모듈이 포함되고,
상기 제2 전달 모듈에 대한 기판의 전달에는 상기 제1 반송 아암이 사용되고,
상기 제1 전달 모듈에 대한 기판의 전달에는 상기 제2 반송 아암이 사용되는 것을 특징으로 한다.
상기 도포, 현상 장치의 구체적 형태는, 예를 들어 하기와 같다.
(1) 상기 N중화된 도포용의 단위 블록 중 어느 하나가 정지하였을 때에는, 당해 정지한 도포용의 단위 블록에 대응하는 그룹에 속하는 소수화 모듈에 대한 기판의 전달을 정지하고, 그 외의 그룹에 속하는 소수화 모듈에 대해서는 기판의 전달을 행하도록 전달 기구가 제어된다.
(2) 상기 N중화된 도포용의 단위 블록 중 어느 하나가 정지하는 동시에, 상기 N그룹 중 사용 가능한 도포용 단위 블록에 대응지어진 그룹이 정지하였을 때에, 사용 가능한 그룹으로부터 대응지어져 있지 않은 상기 사용 가능한 도포용의 단위 블록으로 기판의 반송처를 전환하도록 전달 기구가 제어된다.
(3) 상기 도포용의 단위 블록은, 기판으로 반사 방지막 형성용의 약액을 공급하여 하층측의 반사 방지막을 형성하는 하층용의 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상으로 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 전단 처리용의 단위 블록과,
상기 전단 처리용의 단위 블록에 대해 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판으로 상층측의 막 형성용의 약액을 공급하여 상층측의 막을 형성하는 상층용의 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 후단 처리용의 단위 블록을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도포, 현상 방법은, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은, 상기 도포막을 형성하기 위한 약액을 기판으로 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체를 포함하고,
b) 상기 N중화된 도포용의 단위 블록은, 서로 동일한 도포막이 형성되도록 구성되고,
c) 상기 처리 블록은 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 적층되고, 노광 후의 기판에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 모듈을 구비한 현상용의 단위 블록을 포함하고,
d) 상기 캐리어 블록과 처리 블록 사이에 승강 반송 블록이 설치되고, 이 승강 반송 블록은, 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 대해 각각 기판을 전달하기 위한 제1 승강 반송 기구와, 상기 현상용의 단위 블록에 대해 기판을 전달하기 위한 제2 승강 반송 기구와, 다수 적층되어 설치된 전달 모듈을 구비하고, 상기 캐리어 블록과 상기 처리 블록과 상기 승강 반송 블록의 배열 방향을 전후 방향으로 하면, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 및 다수의 전달 모듈은 좌우 방향으로 설치됨과 함께, 다수의 전달 모듈은, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 사이에 놓이도록 설치되고,
e) 상기 제1 승강 반송 기구 및 제2 승강 반송 기구는, 승강하는 승강 기체와, 상기 승강 기체를 연직축 주위로 회전하는 회전 베이스와, 제1 반송 아암과, 제2 반송 아암을 각각 구비하고,
f) 상기 제1 반송 아암 및 제2 반송 아암은, 상기 회전 베이스에 대해 서로 독립하여 진퇴하고,
상기 제1 반송 아암은 기판의 이면을 지지함과 함께, 그 진퇴 방향에 직교하는 당해 제1 반송 아암의 폭은, 상기 기판의 폭보다 좁게 구성되고,
상기 제2 반송 아암은, 기판의 측 주위를 둘러싸는 포위부와, 상기 포위부의 내주연에 복수 설치되며, 기판의 이면을 지지하는 갈고리부를 구비하고,
g) 상기 다수 적층되어 설치된 전달 모듈에는, 적재된 기판을 냉각하기 위한 냉각액의 유로를 구비한 스테이지로 이루어지는 제1 전달 모듈과, 상기 냉각액의 유로를 구비하고 있지 않은 스테이지로 이루어지는 제2 전달 모듈이 포함되는 도포, 현상 장치를 사용한 도포, 현상 방법에 있어서,
상기 제1 반송 아암을 사용하여, 상기 기판을 상기 제2 전달 모듈에 전달하는 공정과,
상기 제2 반송 아암을 사용하여, 상기 기판을 상기 제1 전달 모듈에 전달하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기억 매체는, 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 상기한 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 서로 동일 개수의 소수화 처리 모듈로 이루어지는 N개의 그룹과 N중화된 도포용의 단위 블록이 설치되고, 각 소수화 처리 모듈의 그룹으로부터 대응하는 도포용의 단위 블록으로 기판을 반송한다. 이와 같이 기판의 반송 경로가 복수 설치되어 있으므로, 소수화 처리 모듈의 그룹, 또는 도포용의 단위 블록이 사용 불가능하게 되어도, 다른 그룹, 또는 단위 블록을 포함하는 경로를 사용하여 기판의 반송을 계속할 수 있다. 따라서 장치의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 상기 그룹마다 반송처의 단위 블록이 설정되어 있으므로, 상기 각 단위 블록에 기판의 반송을 행하는 전달 기구의 동작이 번잡화되는 것이 억제되므로 처리량의 향상을 도모할 수 있고, 당해 전달 기구의 동작을 제어하는 프로그램의 작성도 용이해진다.
도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치의 반송 경로의 개략을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 도포, 현상 장치의 반송 경로의 개략을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 도포, 현상 장치의 반송 경로의 개략을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치의 사시도이다.
도 6은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 7은 상기 도포, 현상 장치의 처리 블록의 종단 측면도이다.
도 8은 상기 도포, 현상 장치의 승강 반송 블록의 종단 배면도이다.
도 9는 상기 승강 반송 블록에 설치되는 반송 기구의 사시도이다.
도 10은 상기 승강 반송 블록에 설치되는 전달 모듈의 사시도이다.
도 11은 상기 승강 반송 블록에 설치되는 다른 전달 모듈의 사시도이다.
도 12는 상기 승강 반송 블록에 설치되는 또 다른 전달 모듈의 사시도이다.
도 13은 상기 승강 반송 블록에 설치되는 소수화 처리 모듈의 사시도이다.
도 14는 본 발명의 도포, 현상 장치의 반송 경로의 개략을 나타내는 흐름도이다.
도 15는 다른 처리 블록의 개략 구성도이다.
(제1 실시 형태)
본 발명에 관한 도포, 현상 장치(1)의 구성을 상세하게 설명하기 전에, 이 장치(1)의 구성의 개략과 기판인 웨이퍼(W)의 반송 경로의 개략을 도 1 내지 도 3을 사용하여 설명한다. 도면 중 부호 S1은 복수매의 기판인 웨이퍼(W)가 저장된 캐리어(C)가 반송되는 캐리어 블록이다. 도면 중 부호 S2는 승강 반송 블록으로, 제1 소수화 처리 모듈군(10A) 및 제2 소수화 처리 모듈군(10B)을 구비하고 있다. 소수화 처리 모듈군(10A)은 4기(基)의 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH4)로 이루어지고, 소수화 처리 모듈군(10B)은 4기의 소수화 처리 모듈(ADH5 내지 ADH8)로 이루어진다. 각 소수화 처리 모듈(ADH)로 웨이퍼(W)가 순차 반송되고, 당해 소수화 처리 모듈(ADH)에서 병행하여 웨이퍼(W)에 소수화 처리가 행해진다.
도면 중 부호 S3은 처리 블록으로, 웨이퍼(W)에 각각 반사 방지막 형성 처리 및 레지스트막의 형성 처리를 행하는 제1 단위 블록(B1), 제2 단위 블록(B2)을 구비하고 있다. 또한, 처리 블록(S3)에는, 레지스트막 형성 후, 노광 처리된 웨이퍼(W)를 현상하는 현상 처리용의 단위 블록이 설치되어 있다. 이들 단위 블록은 서로 적층되어 있다.
도 1은 각 단위 블록 및 각 소수화 처리 모듈이 사용 가능한 통상 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송을 나타내고 있다. 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W)는, 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)에 배분되고, 각 소수화 처리 모듈군을 구성하는 소수화 처리 모듈(ADH)에서 처리를 받는다. 그리고 제1 소수화 처리 모듈군(10A)의 소수화 처리 모듈(ADH)에서 처리된 웨이퍼(W)는, 제1 단위 블록(B1)으로 반송되어 처리를 받고, 제2 소수화 처리 모듈군(10B)의 소수화 처리 모듈(ADH)에서 처리된 웨이퍼(W)는, 제2 단위 블록(B2)으로 반송되어 처리를 받는다.
이들 제1 단위 블록(B1) 및 제2 단위 블록(B2)에서 처리된 웨이퍼(W)는 노광 후, 현상 처리용의 단위 블록에서 처리되어, 캐리어(C)로 복귀된다. 이와 같이 제1 소수화 처리 모듈군(10A) 및 제1 단위 블록(B1)을 포함하는 경로와, 제2 소수화 처리 모듈군(10B) 및 제2 단위 블록(B2)을 포함하는 경로에 웨이퍼(W)가 배분되고, 이들 각 경로에서 서로 병행하여 웨이퍼(W)가 처리된다.
도 2는 메인터넌스나, 예를 들어 후술하는 반송 아암의 고장에 의해 제1 단위 블록(B1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 처리를 할 수 없게 되었을 때의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타내고 있다. 이와 같이 제1 단위 블록(B1)이 사용 불가로 된 경우, 케이스 1로서 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로부터 제1 단위 블록(B1)으로의 반송이 정지하고, 캐리어(C)로부터 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로의 반송도 정지한다. 한편, 캐리어(C)→제2 소수화 처리 모듈군(10B)→제2 단위 블록(B2)→현상 처리용의 단위 블록→캐리어(C)(제2 경로라고 함)의 반송은 계속되고, 후속 웨이퍼(W)는 이 제2 경로로 반송되어 처리를 받는다. 따라서 케이스 1에서는 도 2 중에 실선의 화살표로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)가 반송된다.
또한, 예를 들어 사용자는 케이스 1의 반송 대신에 케이스 2의 반송도 선택할 수 있다. 이 케이스 2에서는, 케이스 1과 마찬가지로 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로부터 제1 단위 블록(B1)으로의 반송이 정지하지만, 캐리어(C)로부터는 통상 시와 마찬가지로 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)으로 웨이퍼(W)가 반송된다. 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)에서 처리 후의 웨이퍼(W)는, 제2 단위 블록(B2)으로 반입되고, 그 이후는 케이스 1과 마찬가지로 반송된다. 따라서 케이스 2에서는 도 2 중에 실선의 화살표 및 점선의 화살표로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)가 반송된다.
반대로, 제2 단위 블록(B2)에 있어서 메인터넌스나, 예를 들어 후술하는 반송 아암의 고장 웨이퍼(W)의 처리를 할 수 없게 되었을 때에는, 케이스 3의 반송 경로로 웨이퍼(W)가 반송된다. 이 케이스 3에서는 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로부터 제2 단위 블록(B2)으로의 반송이 정지하고, 캐리어(C)로부터 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로의 반송도 정지한다. 한편, 캐리어(C)→제1 소수화 처리 모듈군(10A)→제1 단위 블록(B1)→현상 처리용의 단위 블록→캐리어(C)(제1 경로라고 함)의 반송은 계속되고, 후속 웨이퍼(W)는 이 제1 경로로 반송되어 처리를 받는다.
또한, 예를 들어 사용자는 케이스 3의 반송 대신에 케이스 4의 반송도 선택할 수 있다. 이 케이스 4에서는, 케이스 3과 마찬가지로 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로부터 제2 단위 블록(B2)으로의 반송이 정지하지만, 캐리어(C)로부터는 통상 시와 마찬가지로 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)으로 웨이퍼(W)가 반송된다. 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)에서 처리 후의 웨이퍼(W)는, 제1 단위 블록(B1)으로 반입되고, 그 후에는 케이스 3과 마찬가지로 반송된다.
도 3은 제1 소수화 처리 모듈군(10A)을 구성하는 모든 소수화 처리 모듈(ADH)에 있어서, 처리를 행할 수 없게 되었을 때의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타내고 있다. 이 경우, 캐리어(C)로부터 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로의 반송이 정지하고, 이 정지에 의해 제1 단위 블록(B1)으로의 웨이퍼(W)의 반송도 정지한다. 한편, 상기 제2 경로의 반송은 계속된다.
반대로, 제2 소수화 처리 모듈군(10B)을 구성하는 모든 소수화 처리 모듈(ADH)에 있어서 처리를 행할 수 없게 되었을 때에는, 캐리어(C)로부터 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로의 반송이 정지하고, 이 반송 정지에 의해 제2 단위 블록(B2)으로의 웨이퍼(W)의 반송도 정지한다. 한편, 상기 제1 경로의 반송은 계속된다.
계속해서 도포, 현상 장치(1)의 구성의 상세를 설명한다. 도 4는 도포, 현상 장치(1)의 평면도, 도 5는 도포, 현상 장치(1)의 개략 사시도, 도 6은 도포, 현상 장치(1)의 개략 측면도이다. 이 도포, 현상 장치(1)는 상기 캐리어 블록(S1)과, 상기 승강 반송 블록(S2)과, 상기 처리 블록(S3)과, 인터페이스 블록(S4)을 직선 형상으로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S4)에는, 또한 액침 노광을 행하는 노광 장치(S5)가 접속되어 있다.
캐리어 블록(S1)에 대해 설명하면, 도면 중 부호 11은 캐리어(C)의 적재대이고, 부호 12는 측벽에 설치된 개폐부이다. 도면 중 부호 13은 전달 아암으로, 상기 개폐부(12)를 통해 승강 반송 블록(S2)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 도면 중 부호 14는, 적재대(11) 상에 설치된 선반(14)으로, 캐리어 반송 기구(15)에 의해 적재대(11)와 선반(14) 사이에서 캐리어(C)가 전달된다. 적재대(11)에 놓여 웨이퍼(W)를 불출한 캐리어(C)는, 웨이퍼(W)가 복귀될 때까지 선반(14)에서 대기한다. 이에 의해, 상기 캐리어(C)에 의한 적재대(11)의 점유를 방지하고, 복수의 캐리어(C)의 웨이퍼(W)를 계속해서 도포, 현상 장치(1)로 반입할 수 있다.
승강 반송 블록(S2)은, 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S3) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 이 승강 반송 블록(S2)에 대해서는 후술하기로 하고, 우선 도 7의 종단 측면도도 참조하면서 처리 블록(S3)의 구성을 설명하면, 처리 블록(S3)은 서로 구획된 제1 단위 블록(B1) 내지 제6 단위 블록(B6)이 상하로 적층되어 있다. 각 단위 블록은 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 액처리 모듈과, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈과, 단위 블록용의 반송 수단인 반송 아암(A)과, 상기 반송 아암(A)이 이동하는 반송 영역(R1)을 구비하고 있다. 각 단위 블록(B)에서는, 반송 아암(A)에 의해 서로 독립하여 웨이퍼(W)가 반송되어, 당해 웨이퍼(W)에 처리가 행해진다. 또한, 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 반송 아암은, 부호 A1 내지 A6으로서 도 6에 나타내고 있다.
이들 단위 블록(B1 내지 B6)은, 그 중 2개가 서로 동일하게 구성되어 있고, 제1 단위 블록(B1) 및 제2 단위 블록(B2)은, 상술한 바와 같이 반사 방지막의 형성 처리와 레지스트막의 형성 처리를 행한다. 제3 단위 블록(B3) 및 제4 단위 블록(B4)은, 레지스트막의 상층에 액침 노광용의 보호막의 형성 처리와 웨이퍼(W)의 이면의 세정 처리를 행한다. 제5 단위 블록(B5) 및 제6 단위 블록(B6)은, 상술한 현상 처리용의 단위 블록에 상당한다.
각 단위 블록(B1 내지 B6)에서는, 상기 액처리 모듈과, 가열 모듈과, 반송 영역(R1)이 동일한 레이아웃으로 배치되어 있고, 이하 대표하여 도 4에 도시한 제1 단위 블록(B1)에 대해 설명한다. 제1 단위 블록(B1)에는, 도 1 중 X 방향[블록(S1 내지 S4)의 배열 방향]으로 상기 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)을 좌우 방향(도 1 중 Y 방향)으로부터 사이에 끼우도록 액처리 유닛(20)과, 선반 유닛(U1 내지 U6)이 각각 배치되어 있다.
액처리 유닛(20)에는, 액처리 모듈인 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)이 반송 영역(R1)을 따라 설치되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT)은, 웨이퍼(W)가 그 내부로 반송되는 2개의 컵(21)과, 각 컵(21) 내에서 웨이퍼(W)의 이면을 보유 지지하는 동시에 웨이퍼(W)를 연직축 주위로 회전시키는 스핀 척(22)과, 2개의 컵(21) 사이를 이동하는 동시에 이들 컵(21)에서 공용의 약액 공급 노즐(23)을 구비하고 있다. 상기 약액 공급 노즐(23)로부터 웨이퍼(W)로 공급된 약액은, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W)에 도포된다. 레지스트막 형성 모듈(COT)은, 상기 약액이 레지스트인 것 외에는 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 마찬가지로 구성되어 있다.
상기 반송 영역(R1)에 설치되는 반송 아암(A1)에 대해 설명한다. 이 반송 아암(A1)은, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 또한 반송 영역(R1)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 제1 단위 블록(B1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 도면 중 부호 24는 웨이퍼(W)의 외주를 둘러싸는 포크부이고, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 갈고리부(25)를 구비하고 있다.
선반 유닛(U1 내지 U6)은 반송 영역(R1)의 길이 방향을 따라 배열되고, 각 선반 유닛(U1 내지 U5)은 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈이, 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U6)은 서로 적층된 2기의 주연 노광 모듈에 의해 구성된다.
다른 단위 블록(B)에 대해 제1 단위 블록(B1)과의 차이점을 설명한다. 제2 단위 블록(B2)은, 상술한 바와 같이 제1 단위 블록(B1)과 동일한 구성이다. 단위 블록(B3 내지 B6)은 액처리 유닛(20)을 구성하는 액처리 모듈이 다른 것 및 주연 노광 모듈 대신에 가열 모듈이 설치되는 것을 제외하고, 단위 블록(B1, B2)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(B3, B4)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에 보호막 형성 모듈(TCT), 이면 세정 모듈(BST)을 각각 구비하고 있다. 단위 블록(B5, B6)은, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에 현상 모듈(DEV)을 구비하고 있다. 또한, 단위 블록(B3 내지 B6)의 선반 유닛(U6)은 주연 노광 모듈 대신에 가열 모듈이 설치된다.
상기 보호막 형성 모듈(TCT), 현상 모듈(DEV)은, 반사 방지막 형성용의 약액 대신에 보호막 형성용의 약액, 현상액을 각각 웨이퍼(W)로 공급하는 것을 제외하고 반사 방지막 형성용 모듈(BCT)과 마찬가지로 구성되어 있다. 이면 세정 모듈(BST)은, 약액 공급 노즐(23)이 설치되는 대신에, 컵(21) 내에서 웨이퍼(W)의 이면을 세정하기 위한 브러시(26)가 설치되는 것을 제외하고 반사 방지막 형성용 모듈(BCT)과 마찬가지로 구성되어 있다.
계속해서 승강 반송 블록(S2)에 대해, 그 종단 배면도인 도 8도 참조하면서 설명한다. 승강 반송 블록(S2)의 상기 Y 방향의 중앙부에는 선반 유닛(U7)이 설치되어 있고, 선반 유닛(U7)은 웨이퍼(W)를 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2) 사이 및 처리 블록(S2)에 있어서의 각 단위 블록 사이에서 전달하기 위해, 웨이퍼(W)가 일단 적재되는 전달 모듈이 다수 적층되어 설치되어 있다. 이후의 설명에 있어서, 웨이퍼(W)를 적재하는 스테이지에, 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 냉각수의 유로를 구비하는 전달 모듈을 CPL이라고 하여 나타내고, 상기 유로가 설치되지 않고, 분위기의 온도에 의해 웨이퍼(W)를 온도 조절하는 전달 모듈을 TRS라고 하여 나타낸다. 각 전달 모듈의 구성에 대해서는 후술한다.
각 전달 모듈과 단위 블록(B)의 위치 관계를 설명하면, 제1 단위 블록(B1)의 높이 위치에, 전달 모듈(TRS11, CPL11, CPL12)이 설치되어 있다. 제2 단위 블록(B2)의 높이 위치에, 전달 모듈(TRS12, CPL13, CPL14)이 설치되어 있다. 제3 단위 블록(B3), 제4 단위 블록(B4)의 높이 위치에는, 전달 모듈(CPL15 및 CPL16, CPL17 및 CPL18)이 각각 설치되어 있다. 제5 단위 블록(B5), 제6 단위 블록(B6)의 높이 위치에는, 전달 모듈(CPL19 및 CPL20, CPL21 및 CPL22)이 각각 설치되어 있다. 또한, 캐리어 블록(S1)의 전달 아암(13)을 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(TRS13, TRS14)이 설치되어 있다.
또한, 선반 유닛(U7)에는 버퍼 모듈(31, 32)과, 검사 모듈(34)이 설치되어 있다. 버퍼 모듈(31, 32)은 다수의 웨이퍼(W)를 체류시킬 수 있도록 구성되어 있다. 버퍼 모듈(31)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트 도포 모듈(COT)의 처리 속도에 따라 웨이퍼(W)를 불출함으로써, 제1 단위 블록(B1, B2)에 있어서의 웨이퍼(W)의 체류를 억제하는 역할을 갖는다. 또한, 버퍼 모듈(32)은 캐리어(C)가 상기 선반(14)으로부터 적재대(11)로 복귀되는 타이밍에 맞추어 웨이퍼(W)를 캐리어 블록(S1)으로 불출할 수 있도록, 웨이퍼(W)의 불출의 타이밍을 조정하는 역할을 갖는다. 검사 모듈(34)은 현상 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해 파티클의 유무나 패턴의 선 폭의 이상의 유무 등, 웨이퍼(W)의 표면 상태에 대해 다양한 검사를 행한다.
또한, 선반 유닛(U7)을 Y 방향으로부터 사이에 끼우도록, 당해 선반 유닛(U7)의 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 제1 승강 반송 기구(41), 제2 승강 반송 기구(42)가 설치되어 있다. 이들 승강 반송 기구(41, 42)는, 설치되는 높이 위치를 제외하고 마찬가지로 구성되어 있고, 가이드(43)와, 가이드(43)를 따라 승강하는 승강 기체(44)와, 승강 기체(44)를 연직축 주위로 회전하는 회전 베이스(45)와, 회전 베이스(45) 상을 독립하여 진퇴하는 제1 아암(46) 및 제2 아암(47)을 구비하고 있다. 도 9는 이들 제1 아암(46) 및 제2 아암(47)의 사시도이고, 제1 아암(46)은 협폭, 또한 평판인 두 갈래의 포크 형상으로 형성되어 있다. 제2 아암(47)은 웨이퍼(W)의 측 주위를 둘러싸는 두 갈래의 포크(48)와 포크(48)에 설치되고, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 갈고리부(49)를 구비하고 있다. 제1 아암(46), 제2 아암(47)은, 이들 아암이 액세스하는 전달 모듈의 구성의 차이에 대응하여, 이와 같이 서로 다른 형상을 갖고 있다.
여기서, 상술한 제1 단위 블록(B1)의 높이 위치에 있는 전달 모듈(CPL11)의 구성을, 도 10을 사용하여 설명한다. 전달 모듈(CPL11)은 서로 적층된 복수매의 대략 원형의 플레이트(51)를 구비하고, 각 플레이트(51)에 웨이퍼(W)가 적재된다. 이 전달 모듈(CPL11)에는, 제1 단위 블록(B1)의 반송 아암(A1)이 도면 중의 X 방향으로부터, 승강 반송 블록(S2)의 제1 승강 반송 기구(41)의 제2 아암(47)이 도면 중의 Y 방향으로부터 각각 액세스한다.
플레이트(51)의 주연에는, 다수의 절결(52)이 형성되어 있다. 각 아암(A1, 47)은 플레이트(51)에 대해 승강할 때에, 상기 각 아암의 갈고리부(25, 49)가 이 절결(52)을 통과한다. 그에 의해, 각 아암(A1, 47)과 플레이트(51) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다. 이 예에서는, 전달 모듈(CPL12 내지 CPL22, TRS11, TRS12) 및 인터페이스 블록(S3)에 설치되는 각 전달 모듈도 전달 모듈(CPL11)과 마찬가지로 플레이트(51)를 구비하고 있다. 또한, 버퍼 모듈(31)은 다수의 플레이트(51)가 적층되어 구성되어, 다수의 웨이퍼(W)를 체류시킬 수 있다.
다른 전달 모듈의 구성에 대해 설명한다. 전달 모듈(TRS13)은 도 11에 도시한 바와 같이 상하 방향으로 신장되는 3개의 지주(53)와, 각 지주(53)로부터 수평으로 신장되는 지지 막대(54)를 구비하고 있다. 지지 막대(54)는 상하 방향으로 간격을 두어 다수 설치되고, 그 선단측은 웨이퍼(W)의 이면의 주연부를 지지하는 수평면을 구비한다. 이에 의해 상하 방향으로 다수매의 웨이퍼(W)를 수평으로 지지할 수 있다. 이 전달 모듈(TRS13)에는, 지주(53) 사이를 통과하여, 전달 아암(13)이 X 방향으로부터, 제1 승강 반송 기구(41)의 제1 아암(46)이 Y 방향으로부터 각각 액세스하고, 각 아암은 승강 동작에 의해 지지 막대(54)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 이 예에서는 후술하는 버퍼 모듈(32)도 전달 모듈(TRS13)과 마찬가지로 구성되어 있다.
또한, 전달 모듈(TRS14)은, 도 12에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 3개의 핀(55)이 설치된 플레이트(56)를 구비하고 있다. 전달 아암(13) 및 제1 승강 반송 기구(41)의 제1 아암(46)은 승강 동작에 의해 핀(55)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 플레이트(56)는 복수 설치되고, 서로 적층되어 있다.
도 8의 승강 반송 블록(S2)의 설명으로 되돌아간다. 선반 유닛(U7)으로부터 Y 방향으로 이격되고, 제2 승강 반송 기구(42)가 액세스할 수 있는 위치에는 버퍼 모듈(32)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U7)과 함께 제1 승강 반송 기구(41)가 Y 방향으로부터 사이에 끼우도록, 상술한 제1 소수화 처리 모듈군(10A) 및 제2 소수화 처리 모듈군(10B)이 설치되고, 이들 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)을 구성하는 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH8)은 서로 적층되어 있다.
소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH8)은 서로 마찬가지로 구성되어 있고, 대표하여 ADH1에 대해, 그 종단 측면도, 평면도인 도 13을 참조하면서 설명한다. 도면 중 부호 61은 처리 용기로, 용기 본체(62)와, 승강 가능한 덮개(63)로 이루어진다. 도면 중 부호 64는 웨이퍼(W)가 적재되는 스테이지로, 용기 본체(62)에 설치된다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 스테이지(64)는 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여, 제1 승강 반송 기구(41)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 승강 핀을 구비하고 있다. 또한, 스테이지(64)는 적재된 웨이퍼(W)의 온도를 조정하는 히터를 구비하고 있다.
도면 중 부호 66은 용기 본체(62)의 둘레 방향으로 복수 설치되는 퍼지 가스 도입로이고, 부호 67은 덮개(63)에 링 형상으로 설치되는 퍼지 가스 배출로이다. 도면 중 부호 68은 상기 퍼지 가스 배출로(67)의 내측에, 상기 둘레 방향으로 복수 설치된 배기구로, 진공 펌프(69)에 접속되어 있다. 도면 중 부호 71은 덮개(63)의 중앙부에 설치된 가스 토출구로, 웨이퍼(W)의 주연을 향하여 가스를 토출할 수 있도록, 상기 둘레 방향으로 복수 개구되어 있다. 가스 토출구(71)는 소수화 처리용 가스 및 퍼지 가스의 공급원(72)에 접속되어 있다.
웨이퍼(W)의 소수화 처리 시에는 도 13에 도시한 바와 같이 덮개(63)가 용기 본체(62)에 근접하고, 배기구(68)로부터 배기되고, 또한 퍼지 가스가 도입로(66)로부터 퍼지 가스 배출로(67)를 향하여 공급된다. 이때 퍼지 가스의 일부는, 배기구(68)로 흡인되어 내측을 향하여, 가스의 배리어를 형성한다. 이 상태에서 소수화 처리용의 가스가 가스 토출구(71)로부터 공급되고, 상기 가스의 배리어에 막혀 처리 용기(61)로부터 누설되는 일 없이, 배기구(68)로부터 배기된다. 도 13 중의 화살표는 각 가스의 흐름을 나타내고 있다.
상기 소수화 처리용 가스에 노출되어, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 소수화 처리됨으로써, 웨이퍼(W) 표면에 형성되는 막의 당해 웨이퍼(W)로의 밀착성이 향상된다. 소수화 처리 후, 소수화 처리용 가스 대신에 퍼지 가스가 가스 토출구(71)로부터 토출되어, 소수화 처리용의 가스가 처리 용기(61)로부터 제거된다. 소수화 처리 모듈(ADH)에 있어서, 각종 가스 유량의 이상, 승강 핀의 승강의 이상, 덮개(63)의 승강의 이상, 스테이지(64)에 적재된 웨이퍼(W)의 온도 이상 등, 모듈의 동작에 대해 이상이 발생하였을 때, 당해 소수화 처리 모듈(ADH)은 후술하는 제어부(100)로 신호를 송신한다.
도 4 내지 도 6으로 되돌아가 인터페이스 블록(S4)에 대해 설명한다. 인터페이스 블록(S4)은 다수의 전달 모듈이 적층된 선반 유닛(U8)을 구비하고 있다. 선반 유닛(U8)에 있어서, 제3 단위 블록(B3) 내지 제6 단위 블록(B6)에 대응하는 각 높이 위치에는 전달 모듈(TRS31, TRS32, TRS33, TRS34)이 설치되어 있다. 또한, 선반 유닛(U8)에는, 노광 장치(S5)로 반입 전에 웨이퍼(W)를 냉각하는 전달 모듈(CPL31)과, 노광 후의 웨이퍼(W)가 전달되는 전달 모듈(TRS35)과, 노광 전의 웨이퍼(W)를 일단 체류시키는 버퍼 모듈(74)과, 노광 후의 웨이퍼(W)를 일단 체류시키는 버퍼 모듈(75)이 설치되어 있다. 각 버퍼 모듈(74, 75)은 버퍼 모듈(31)과 마찬가지로 구성된다.
선반 유닛(U7)으로부터 Y 방향으로 이격된 위치에는 복수의 노광 후 세정 모듈(PIR)이 적층되어 설치되어 있다. 또한, 인터페이스 블록(S4)은 승강 반송 블록(S2)의 제1 승강 반송 기구(41)와 대략 마찬가지로 구성된 인터페이스 아암(81 내지 83)을 구비하고 있다. 인터페이스 아암(81)은 선반 유닛(U7)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 인터페이스 아암(82)은 상기 각 모듈 사이 및 상기 모듈과 노광 후 세정 모듈(PIR) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(83)은, 도 1 중 Y 방향으로 이동 가능하게 구성되어, 노광 장치(S5)의 웨이퍼(W)의 반입출부(84)와, 상기 전달 모듈(CPL31)과, 전달 모듈(TRS35) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
이 도포, 현상 장치(1)에는, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치되어 있다. 제어부(100)는 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있고, 상기 프로그램에는 제어부(100)로부터 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 보내어, 웨이퍼(W)의 반송과 각 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리를 진행시키도록 명령(각 스텝)이 짜여져 있다. 이 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함함)은 컴퓨터 기억 매체, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부(100)에 인스톨된다.
제어부(100)는 각 소수화 처리 모듈(ADH)로부터, 상술한 모듈의 동작에 이상이 발생한 것을 나타내는 신호를 수신하였을 때에, 당해 모듈을 포함하는 소수화 처리 모듈군에 있어서 다른 소수화 처리 모듈(ADH)로 웨이퍼(W)를 반송하도록 제어 신호를 송신한다. 그에 의해, 신호를 송신한 소수화 처리 모듈(ADH)은 사용 불가로 되어, 당해 소수화 처리 모듈(ADH)로 반송되도록 설정되어 있었던 웨이퍼(W)는, 당해 모듈이 속하는 소수화 처리 모듈군 이외의 소수화 처리 모듈(ADH)로 반송되게 된다. 하나의 소수화 처리 모듈군의 모든 소수화 처리 모듈이, 이와 같은 동작 이상을 일으키거나, 메인터넌스를 행함으로써 사용 불가능해진 경우에, 제어부(100)는 전술한 바와 같이 후속 웨이퍼(W)를 다른 소수화 처리 모듈군으로 반송하도록 제1 승강 반송 기구(41)의 동작을 제어한다.
또한, 제어부(100)는 웨이퍼(W)마다 검사 모듈(34)에 의한 검사 결과를 표시하는 표시부를 구비하고 있다. 또한, 제어부(100)는 사용자의 지시에 의해, 제1 소수화 처리 모듈군(10A) 및 당해 소수화 처리 모듈군(10A)에 대응지어진 제1 단위 블록(B1)에서의 처리, 제2 소수화 처리 모듈군(10B) 및 당해 소수화 처리 모듈군(10B)에 대응지어진 제2 단위 블록(B2)에서의 처리를 각각 정지할 수 있다.
(통상 시의 반송)
도포, 현상 장치(1)의 통상 시의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 설명한다. 도 1에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)는 제1 소수화 처리 모듈군(10A) 및 제1 단위 블록(B1)을 통과하는 제1 경로와, 제2 소수화 처리 모듈군(10B) 및 제2 단위 블록(B2)을 통과하는 제2 경로로 배분된다. 이 배분은, 예를 들어 캐리어(C)로부터 불출된 순서대로 교대로 행해진다. 제1 경로, 제2 경로로 반송되도록 설정되어 있는 웨이퍼(W)를 설명의 편의상 각기 W1, W2라고 한다. 웨이퍼(W1, W2)는 서로 동종의 모듈이 순서대로 반송되어, 동일한 처리를 받는다.
우선, 웨이퍼(W1)의 반송예를 설명한다. 웨이퍼(W1)는 캐리어(C)→전달 아암(13)→전달 모듈(TRS13)→제1 승강 반송 기구(41)의 제1 아암(46)의 순서대로 전달되고, 제1 소수화 처리 모듈군(10A)의 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH4) 중, 웨이퍼(W)가 반입되어 있지 않은 모듈로 반입되어 소수화 처리된다.
소수화 처리 후, 웨이퍼(W1)는 제1 승강 반송 기구(41)의 제2 아암(47)→버퍼 모듈(31)→상기 제2 아암(47)→전달 모듈(CPL11)의 순서대로 전달되고, 반송 아암(A1)에 의해 제1 단위 블록(B1)으로 반입된다. 그리고 웨이퍼(W1)는 반사 방지막 형성 모듈(BCT)→반송 아암(A1)→가열 모듈→전달 모듈(CPL12)→반송 아암(A1)→레지스트 도포 모듈(COT)→반송 아암(A1)→가열 모듈→주연 노광 모듈(WEE)→반송 아암(A1)→전달 모듈(TRS11)의 순서대로 반송된다. 이에 의해, 웨이퍼(W1)의 표면에는 하층측으로부터 반사 방지막, 레지스트막이 이 순서대로 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W1)는 제1 승강 반송 기구(41)의 제2 아암(47)→전달 모듈(CPL15)의 순서대로 전달되고, 반송 아암(A3)에 의해 제3 단위 블록(B3)으로 반입된다. 그리고 웨이퍼(W1)는 보호막 형성 모듈(TCT)→반송 아암(A3)→가열 모듈→반송 아암(A3)→전달 모듈(CPL16)→이면 세정 모듈(BST)→전달 모듈(TRS31)의 순서대로 반송되어, 레지스트막의 상층에 보호막이 형성되고, 또한 이면이 세정 처리된 후, 인터페이스 블록(S4)으로 반입된다.
상기 웨이퍼(W1)는 제1 인터페이스 아암(81)→버퍼 모듈(74)→제2 인터페이스 아암(82)→전달 모듈(CPL31)→제3 인터페이스 아암(83)→노광 장치(S5)의 순서대로 반송되어, 액침 노광 처리를 받는다.
노광이 종료된 웨이퍼(W1)는, 제3 인터페이스 아암(83)→전달 모듈(TRS35)→제2 인터페이스 아암(3B)→노광 후 세정 모듈(PIR)→버퍼 모듈(75)→제2 인터페이스 아암(82)→전달 모듈(TRS33)의 순서대로 반송된다. 그 후, 반송 아암(A5)에 의해, 제5 단위 블록(B5)으로 반입되고, 가열 모듈→전달 모듈(CPL19)→현상 모듈(DEV)→반송 아암(A5)→가열 모듈→반송 아암(A5)→전달 모듈(CPL20)의 순서대로 반송되어, 현상 처리를 받는다.
그 후, 승강 반송 블록(S2)에 있어서의 제2 승강 반송 기구(42)의 제2 아암(47)에 의해 검사 모듈(34)로 반송되어 검사를 받고, 그 후 제2 승강 반송 기구(42)의 제2 아암(47)→아암 교체 모듈(33A, 33B)→제2 승강 반송 기구(42)의 제1 아암(46)→버퍼 모듈(32)→상기 제1 아암(46)→전달 모듈(TRS14)→전달 아암(13)→캐리어(C)의 순서대로 반송된다.
계속해서, 제2 소수화 처리 모듈군(10B) 및 제2 단위 블록(B2)을 통과하도록 설정된 웨이퍼(W2)의 반송 경로에 대해 설명한다. 웨이퍼(W2)는 웨이퍼(W1)와 동종의 모듈로 반송되어, 동일한 처리를 받는다. 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W2)는, 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제1 승강 반송 기구(41)의 제1 아암(46)으로 반송되고, 그 후 제2 소수화 처리 모듈군(10B)의 소수화 처리 모듈(ADH5 내지 ADH8) 중, 웨이퍼(W2)가 반입되어 있지 않은 모듈로 반입된다. 소수화 처리 후에는, 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 버퍼 모듈(31)에 전달된 후, 제2 아암(47)을 통해 전달 모듈(CPL13)의 순서대로 전달되어, 반송 아암(A2)에 의해 제2 단위 블록(B2)으로 반입된다.
웨이퍼(W2)는, 제1 단위 블록(B1)으로 반입된 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제2 단위 블록(B2) 내의 모듈에 전달되어, 반사 방지막, 레지스트막이 순서대로 형성된다. 단, 이 단위 블록(B2)에 있어서의 웨이퍼(W2)의 반송에서는, 상기한 웨이퍼(W1)의 반송과 달리, 전달 모듈(CPL12) 대신에 당해 모듈에 대응하는 전달 모듈(CPL14)이 사용된다.
상기 각 막의 형성 후, 반송 아암(A2)에 의해 전달 모듈(TRS13)로 반송된 웨이퍼(W2)는, 제1 승강 반송 기구(41)의 제2 아암(47)→전달 모듈(CPL17)의 순서대로 전달된다. 그리고 웨이퍼(W2)는 반송 아암(A4)에 의해 제4 단위 블록(B4)으로 반입되고, 제3 단위 블록(B3)으로 반입된 웨이퍼(W1)와 마찬가지로, 제4 단위 블록(B4) 내의 모듈로 전달되어, 보호막의 형성 처리, 이면의 세정 처리를 순서대로 받고, 전달 모듈(TRS32)을 통해 인터페이스 블록(S4)으로 반입된다. 단, 이 단위 블록(B4)에 있어서의 웨이퍼(W2)의 반송에서는, 상기한 웨이퍼(W1)의 반송과 달리, 전달 모듈(CPL16) 대신에 당해 모듈에 대응하는 전달 모듈(CPL18)이 사용된다.
전달 모듈(TRS32)로부터 제1 인터페이스 아암(81)으로 전달된 후, 웨이퍼(W2)는 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 반송되어, 노광되고, 또한 노광 세정된 후, 제2 인터페이스 아암(82)에 의해 전달 모듈(TRS34)에 전달된다. 그 후, 웨이퍼(W2)는 반송 아암(A6)에 의해 제6 단위 블록(B6)으로 반입되고, 제5 단위 블록(B5)으로 반입된 웨이퍼(W1)와 마찬가지로, 제6 단위 블록(B6) 내의 모듈로 전달되어, 현상 처리를 받는다. 이 후, 웨이퍼(W2)는 전달 모듈(CPL22)로 반송되고, 제2 승강 반송 기구(42)에 전달된 후에는 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 반송되어 캐리어(C)로 복귀된다. 단, 이 단위 블록(B6)에 있어서의 웨이퍼(W2)의 반송에서는, 상기한 웨이퍼(W1)의 반송과 달리, 전달 모듈(CPL19) 대신에 당해 모듈에 대응하는 전달 모듈(CPL20)이 사용된다.
(제1 단위 블록(B1)의 처리가 정지하였을 때)
계속해서 통상의 반송 중에, 도 2에 도시한 바와 같이 제1 단위 블록(B1)이 고장이나 메인터넌스를 행함으로써 당해 블록(B1)에서의 처리가 정지한 경우에 대해 상기한 케이스 1의 반송을 설명한다. 이와 같이 처리 정지로 되어도 웨이퍼(W2)의 반송은, 통상 시와 마찬가지로 행해진다. 그리고 이 처리 정지 시점에 있어서 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로 반송되어 있는 웨이퍼(W1)는, 소수화 처리 후, 버퍼 모듈(31)로 반송되고, 그 후 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 제2 단위 블록(B2)으로 반송되어 처리를 받는다. 또한, 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로부터 버퍼 모듈(31)에 이르기까지의 경로에 있는 웨이퍼(W1)도 마찬가지로, 제2 단위 블록(B2)으로 반입되어 처리된다.
또한, 처리 정지 시점에 있어서 캐리어(C)로부터 소수화 처리 모듈(ADH)군까지의 경로에 있는 웨이퍼(W1)는, 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송되고, 소수화 처리 후에는 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 전달 모듈(CPL13)을 통해 제2 단위 블록(B2)으로 반송되어 처리를 받는다. 그리고 상기 처리 정지 시점으로부터 이후에 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W1)는, 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송되어 처리된 후, 제2 단위 블록(B2)으로 반송되어 처리를 받는다.
제2 단위 블록(B2)에서 처리를 받은 웨이퍼(W1)는, 제1 승강 반송 기구(41)에 의해 전달 모듈(CPL15)을 통해 제3 단위 블록(B3)으로 반송되고, 이후에는 통상 시와 마찬가지로 반송되어 처리를 받는다. 따라서 제1 단위 블록(B1)에 있어서의 처리를 할 수 없게 된 경우의 케이스 1의 웨이퍼(W1)의 반송 경로를 극히 개략적으로 서술하면, 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로 반송되는 대신에 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송되고, 또한 제1 단위 블록(B1)으로 반송되는 대신에 제2 단위 블록(B2)으로 반송되게 된다.
또한, 상술한 케이스 2에 있어서는, 제1 단위 블록(B1)의 처리가 정지한 시점에 있어서, 소수화 처리 모듈군(10A)으로부터 버퍼 모듈(31)에 이르기까지의 경로에 있는 웨이퍼(W1)는 케이스 1과 마찬가지로 전달 모듈(CPL13)을 통해 제2 단위 블록(B2)으로 반입된다. 그러나 케이스 1과 달리, 상기 제1 단위 블록(B1)의 처리 정지 후에도, 소수화 처리 모듈군(10A)으로의 반입이 계속된다. 소수화 처리 모듈군(10A)에서 처리된 웨이퍼(W1)는, 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 전달 모듈(CPL13)을 통해 제2 단위 블록(B2)으로 반입되고, 그 후에는 케이스 1과 마찬가지로 반송된다.
(제2 단위 블록(B2)의 처리가 정지하였을 때)
계속해서, 제2 단위 블록(B2)이 고장이나 메인터넌스를 행함으로써 그 처리를 정지한 경우에 대해, 상기한 케이스 3의 반송을 설명한다. 이 경우, 웨이퍼(W1)의 반송이 통상 시와 마찬가지로 행해진다. 그리고 이 처리 정지 시점에 있어서 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송되어 있는 웨이퍼(W2)는, 소수화 처리 후에 버퍼 모듈(31)로 반송되고, 그 후에는 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제1 단위 블록(B1)으로 반송되어 처리를 받는다. 또한, 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로부터 버퍼 모듈(31)에 이르기까지의 경로에 있는 웨이퍼(W2)도 마찬가지로, 제1 단위 블록(B1)으로 반입되어 처리된다.
또한, 처리 정지 시점에 있어서 캐리어(C)로부터 소수화 처리 모듈(ADH)군까지의 경로에 있는 웨이퍼(W2)는, 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로 반송되고, 소수화 처리 후에는 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제2 단위 블록(B1)으로 반송되어 처리를 받는다. 그리고 상기 처리 정지 시점으로부터 이후에 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W2)는, 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로 반송되어 처리된 후, 제1 단위 블록(B1)으로 반송되어 처리를 받는다.
제1 단위 블록(B1)에서 처리를 받은 웨이퍼(W2)는, 제2 승강 반송 기구(42)에 의해 전달 모듈(CPL17)을 통해 제4 단위 블록(B4)으로 반송되고, 이후에는 통상 시와 마찬가지로 반송되어 처리를 받는다. 따라서 제2 단위 블록(B2)에 있어서의 처리를 할 수 없게 된 경우의 웨이퍼(W2)의 반송 경로를 극히 개략적으로 서술하면, 제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송되는 대신에 제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로 반송되고, 또한 제2 단위 블록(B2)으로 반송되는 대신에 제1 단위 블록(B1)으로 반송되게 된다.
상술한 케이스 4에 있어서는, 제2 단위 블록(B2)의 처리가 정지한 시점에 있어서, 소수화 처리 모듈군(10B)으로부터 버퍼 모듈(31)에 이르기까지의 경로에 있는 웨이퍼(W)는, 케이스 3과 마찬가지로 전달 모듈(CPL11)을 통해 제1 단위 블록(B1)으로 반입된다. 단 케이스 3과 달리, 상기 제2 단위 블록(B2)의 처리 정지 후에도, 소수화 처리 모듈군(10B)으로의 반입이 계속된다. 소수화 처리 모듈군(10B)에서 처리된 웨이퍼(W)는, 마찬가지로 전달 모듈(CPL11)을 통해 제1 단위 블록(B1)으로 반입되고, 후에는 케이스 1과 마찬가지로 반송된다.
(제1 소수화 처리 모듈군(10A)으로 반송 불가 시)
계속해서 통상 반송 중에, 도 3에 도시한 바와 같이 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH4)의 전부가, 고장이나 메인터넌스에 의해 반송 불가로 된 경우에 대해 설명한다. 이 경우에는, 웨이퍼(W2)의 반송은 통상 시와 마찬가지로 행해진다. 한편, 이와 같이 반송 불가로 된 시점에서 캐리어(C)로부터 불출되어, 소수화 처리 모듈군까지의 경로에 있는 웨이퍼(W1)는, 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송되고, 또한 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 제2 단위 블록(B2)으로 반송되어 처리를 받는다. 또한, 반송 불가로 된 시점으로부터 이후에 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W1)도, 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송되어 처리된 후, 제2 단위 블록(B2)으로 반송되어 처리를 받는다.
상기 반송 불가로 된 시점에 있어서, 이미 제1 단위 블록(B1) 및 제1 단위 블록(B1)의 반입구인 전달 모듈(CPL11)로 반입되어 있는 웨이퍼(W1)는, 통상의 반송 시와 마찬가지로 제1 단위 블록(B1)에서 처리되어 제3 단위 블록(B3)으로 반송된다. 또한, 상기 반송 불가로 된 시점에서, 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH4)로부터 상기 전달 모듈(CPL11)의 전단의 버퍼 모듈(31)에 이르기까지의 경로에 있는 웨이퍼(W1)는, 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 제2 단위 블록(B2)으로 반송된다.
제2 단위 블록(B2)에서 처리를 받은 웨이퍼(W1)는, 제1 승강 반송 기구(41)에 의해 전달 모듈(CPL15)을 통해 제3 단위 블록(B3)으로 반송되고, 이후에는 통상 시와 마찬가지로 반송되어 처리를 받는다.
(제2 소수화 처리 모듈군(10B)으로 반송 불가 시)
계속해서 통상의 반송 중에, 소수화 처리 모듈(ADH5 내지 ADH8)의 전부가 고장이나 메인터넌스에 의해 반송 불가로 된 경우에 대해 설명한다. 이 경우에는, 웨이퍼(W1)의 반송은 통상 시와 마찬가지로 행해진다. 한편, 이와 같이 반송 불가로 된 시점에서 캐리어(C)로부터 불출되어, 소수화 처리 모듈군까지의 경로에 있는 웨이퍼(W2)는, 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 소수화 처리 모듈군(10A)으로 반송되고, 또한 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제1 단위 블록(B1)으로 반송되어 처리를 받는다. 또한, 반송 불가로 된 시점으로부터 이후에 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W2)도, 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제1 소수화 처리 모듈군(10A) 및 제1 단위 블록(B1)으로 반송되어 처리를 받는다.
상기 반송 불가로 된 시점에 있어서, 이미 제2 단위 블록(B2) 및 제2 단위 블록(B2)의 반입구인 전달 모듈(CPL13)로 반입되어 있는 웨이퍼(W2)는 통상의 반송 시와 마찬가지로 제2 단위 블록(B2)에서 처리되어 제4 단위 블록(B4)으로 반송된다. 또한, 상기 반송 불가로 된 시점에서, 소수화 처리 모듈(ADH5 내지 ADH8)로부터 상기 전달 모듈(CPL13)의 전단의 버퍼 모듈(31)에 이르기까지의 경로에 있는 웨이퍼(W2)는, 웨이퍼(W1)와 마찬가지로 제1 단위 블록(B1)으로 반송되어 처리를 받는다.
제1 단위 블록(B1)에서 처리를 받은 웨이퍼(W2)는, 제2 승강 반송 기구(41)에 의해 전달 모듈(CPL17)을 통해 제4 단위 블록(B4)으로 반송되고, 이후 통상 시와 마찬가지로 반송되어 처리를 받는다. 또한, 상기한 바와 같이 사용자는, 상기 검사 모듈(34)의 검사 결과를 참조하여, 제1 소수화 처리 모듈군(10A) 및 제1 단위 블록(B1)의 처리, 또는 제2 소수화 처리 모듈군(10B) 및 제2 단위 블록(B2)의 처리를 정지시킬 수 있다. 즉, 사용자는 통상 시의 반송으로부터 임의로 상기한 케이스 1 또는 케이스 3의 반송으로 반송 경로를 전환할 수 있다. 그리고 사용자는, 정지시킨 소수화 처리 모듈군 및 단위 블록에 있어서 적절한 처리를 행할 수 없었던 모듈을 특정하여, 수리나 교환하는 등의 대처를 행할 수 있다.
그리고 이와 같은 대처를 행하는 동안에, 정지시키고 있지 않은 소수화 처리 모듈군 및 단위 블록(B1 또는 B2)을 사용하여 처리를 계속시킬 수 있다. 이와 같이 통상의 반송 시에 있어서 복수의 소수화 처리 모듈로 이루어지는 군을 복수 설정하고, 각 군으로부터 복수 설치된 도포막 형성용의 단위 블록으로 반송 경로를 미리 설정해둠으로써, 상술한 바와 같이 처리의 이상이 발생하였을 때에, 어느 반송 경로에 있어서 이상이 발생하였는지를 용이하게 특정할 수 있다. 그리고 특정한 반송 경로에서의 처리를 정지시키고, 다른 반송 경로에 있어서의 처리를 계속함으로써, 장치의 생산성의 저하를 억제할 수 있고, 또한 웨이퍼(W)가 낭비되는 것을 방지할 수 있다고 하는 이점이 있다.
이 도포, 현상 장치(1)에 따르면, 서로 4기의 소수화 처리 모듈(ADH)로 이루어지는 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)과, 2중화된 도포용의 단위 블록인 단위 블록(B1, B2)이 설치되고, 각 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)으로부터 각각 대응하는 단위 블록(B1, B2)에 웨이퍼(W)를 반송한다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 반송 경로가 2개 설치되어 있으므로, 어느 하나의 반송 경로에 있어서의 소수화 처리 모듈군 또는 단위 블록으로의 반송을 할 수 없게 되어도, 다른 반송 경로를 사용하여 웨이퍼(W)의 반송을 계속할 수 있으므로 장치의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 소수화 처리 모듈군마다 반송처의 단위 블록(B)이 설정되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 승강 반송 기구(41)의 동작이 번잡화되는 것이 억제되는 결과로서, 처리량의 향상을 도모할 수 있고, 승강 반송 기구(41)의 동작을 제어하는 프로그램의 작성도 용이하게 된다.
또한, 상기한 케이스 1, 케이스 3의 반송에 있어서는, 단위 블록(B1 또는 B2)에 있어서 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 없게 되었을 때에, 이 반송을 행할 수 없게 된 단위 블록에 대응지어진 소수화 처리 모듈군으로의 반송을 정지한다. 따라서 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 처리에 이상이 검출되었을 때에, 원인으로 되는 모듈의 특정이 용이하게 된다. 또한, 처리 블록(S3)의 처리 능력의 저하에 맞추어 사용하는 소수화 처리 모듈의 수가 제한됨으로써, 장치에 사용하는 전력 등이 낭비되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 소수화 처리 모듈군을 구성하는 하나의 소수화 처리 모듈이 사용 불가능하게 되어도, 당해 모듈군을 구성하는 다른 모듈로 반송되므로, 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
그런데 소수화 처리 모듈군과 단위 블록을 대응짓는 것이라 함은 양자를 불가분의 관계로 하는 것이 아닌, 소수화 처리 모듈군으로부터 웨이퍼를 반송하는 단위 블록을 미리 설정해 두는 것이고, 이 대응 짓기를 변경해도, 즉 소수화 처리 모듈군으로부터 반송처의 단위 블록이 변경되어도 된다. 따라서 구체적으로 제어부(100)는 다음과 같이 웨이퍼(W)의 반송을 제어할 수 있다. 도 14에 도시한 바와 같이 제1 소수화 처리 모듈군(10A)과 제2 단위 블록(B2)이 함께 사용 불가로 된 경우, 소수화 처리 모듈군(10B)에서 처리된 웨이퍼(W)의 반송처를 제1 단위 블록(B1)으로 변경하여 장치의 처리를 계속시킨다. 마찬가지로 제2 소수화 처리 모듈군(10B)과 제1 단위 블록(B1)이 함께 사용 불가로 된 경우, 소수화 처리 모듈군(10A)에서 처리된 웨이퍼(W)의 반송처를 제2 단위 블록(B2)으로 변경하여 장치의 처리를 계속시킨다.
이와 같이 통상의 반송 시에 대응지어져 있는 모듈군과 단위 블록이 없어진 경우에, 대응지어져 있지 않았던 모듈군으로부터 단위 블록(B)으로 웨이퍼(W)의 반송처를, 예를 들어 제어부(100)가 자동으로 전환함으로써, 장치의 생산성의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 소수화 처리 모듈군이 10A, 10B, 10C의 3개가 있고, 단위 블록(B1, B2)과 마찬가지로 구성된 단위 블록(B7)이 있고, 소수화 처리 모듈군(10A, 10B, 10C)에 단위 블록(B1, B2, B7)이 각각 대응지어진 경우에 대해 설명한다. 예를 들어, 단위 블록(B1, B3)이 사용 불가로 되어, 소수화 처리 모듈군(10B)이 사용 불가로 되면, 대응하고 있는 모듈과 단위 블록이 없어진다. 이 경우에는 가동 중인 소수화 처리 모듈군(10A, 10C)으로부터, 가동 중인 단위 블록(B2)으로 반송이 행해지게 된다.
(제2 실시 형태)
이하, 제2 실시 형태의 도포, 현상 장치(9)에 대해, 제1 실시 형태와의 차이점을 중심으로 설명한다. 제1 실시 형태에서는 레지스트 도포 모듈(COT)과 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 동일한 층에 설치되어 있지만, 도 15에 도시한 바와 같이 서로 다른 층에 설치해도 된다. 이 도포, 현상 장치(9)에서는, 단위 블록(C1), 단위 블록(C2)에 반사 방지막 형성 모듈(BCT)이 2기씩 설치되고, 단위 블록(C3, C4)에 레지스트막 형성 모듈(COT)이 2기씩 설치되어 있다. 단위 블록(C1 내지 C4)은 서로 적층되어, 액처리 모듈이 다른 것을 제외하고 제1 단위 블록(B1)과 마찬가지로 구성된다.
그리고 단위 블록(C1 내지 C4) 상에는 제1 실시 형태에서 설명한 단위 블록(B3 내지 B6)이 적층되어 있다. 그리고 제1 실시 형태와 마찬가지로, 승강 반송 블록(S2)의 각 단위 블록에 대응하는 높이에는 전달 모듈이 설치되고, 각 전달 모듈을 통해 각 단위 블록 사이에서의 이동 및 소수화 처리 모듈군(10A, 10B)과 각 단위 블록 사이에서의 이동이 행해진다.
통상 반송 시에, 웨이퍼(W1)는 제1 소수화 처리 모듈군(10A)→단위 블록(C1)→단위 블록(C3)→단위 블록(B3)의 순서대로 반송되고, 이후에는 제1 실시 형태와 동일한 경로로 반송된다. 또한, 통상 반송 시에 웨이퍼(W2)는 제2 소수화 처리 모듈군(10B)→단위 블록(C2)→단위 블록(C4)→단위 블록(B4)의 순서대로 반송되고, 이후에는 제1 실시 형태와 동일한 경로로 반송된다.
단위 블록(C1) 또는 단위 블록(C3)이 사용 불가로 되었을 때에는, 웨이퍼(W1)는 웨이퍼(W2)와 함께 제2 소수화 처리 모듈군(10B)→단위 블록(C2)→단위 블록(C4)의 경로로 반송되고, 이후에는 통상 시와 동일한 반송 경로로 반송된다. 단위 블록(C2) 또는 단위 블록(C4)이 사용 불가로 되었을 때에는, 웨이퍼(W2)는 웨이퍼(W1)와 함께 제1 소수화 처리 모듈군(10A)→단위 블록(C1)→단위 블록(C3)의 경로로 반송되고, 이후에는 통상 시와 동일한 반송 경로로 반송된다.
제1 소수화 처리 모듈군(10A)의 모든 모듈이 사용 불가로 된 경우에도 웨이퍼(W1)는 웨이퍼(W2)와 함께 소수화 처리 모듈군(10B)→단위 블록(C2)→단위 블록(C4)의 경로로 반송되고, 이후에는 통상 시와 동일한 반송 경로로 반송된다. 제2 소수화 처리 모듈군(10B)의 모든 모듈이 사용 불가로 된 경우에도, 웨이퍼(W2)는 웨이퍼(W1)와 함께 소수화 처리 모듈군(10A)→단위 블록(C1)→단위 블록(C3)의 경로로 반송되고, 이후에는 통상 시와 동일한 반송 경로로 반송된다. 이 제2 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 동일한 효과를 갖는다.
상기한 도포, 현상 장치의 예에서는 도포용의 단위 블록이 2중화되어 있고, 소수화 처리 모듈이 2그룹 있다. 도포막용의 단위 블록이 3중화되고, 소수화 처리 모듈이 3그룹 있는 도포, 현상 장치도, 2중화되어 있는 도포용의 단위 블록 및 2그룹의 도포막용의 단위 블록을 포함하는 것이 되므로, 본 발명의 권리 범위에 포함된다. 즉, 상기 단위 블록 및 상기 그룹은 2개 이상이면 된다. 단위 블록의 N중화(N은 정수)라 함은, 웨이퍼(W)를 처리하는 모듈 수나 모듈의 레이아웃을 동일하게 하는 것으로는 한정되지 않고, 각 단위 블록에서 웨이퍼(W)에 동일한 처리를 행할 수 있으면 된다. 또한, 각 그룹을 구성하는 소수화 처리 모듈의 수는 1개 이상이면 된다. 또한, 웨이퍼(W)에는 반사 방지막을 형성하지 않고, 각 실시 형태에 있어서, 소수화 처리 모듈(ADH)에 의한 처리 후에 소수화 처리된 웨이퍼(W) 표면에 레지스트막을 형성해도 된다.
W : 웨이퍼
ADH : 소수화 처리 모듈
BCT : 반사 방지막 형성 모듈
COT : 레지스트막 형성 모듈
DEV : 현상 모듈
S2 : 승강 반송 블록
S3 : 처리 블록
1 : 도포, 현상 장치
100 : 제어부
A1 내지 A6 : 반송 아암
B1 내지 B6 : 단위 블록
TRS : 전달 모듈
CPL : 전달 모듈

Claims (9)

  1. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
    a) 상기 처리 블록은, 상기 도포막을 형성하기 위한 약액을 기판으로 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체를 포함하고,
    b) 상기 N중화된 도포용의 단위 블록은, 서로 동일한 도포막이 형성되도록 구성되고,
    c) 상기 처리 블록은 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 적층되고, 노광 후의 기판에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 모듈을 구비한 현상용의 단위 블록을 포함하고,
    d) 상기 캐리어 블록과 처리 블록 사이에 승강 반송 블록이 설치되고, 이 승강 반송 블록은, 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 대해 각각 기판을 전달하기 위한 제1 승강 반송 기구와, 상기 현상용의 단위 블록에 대해 기판을 전달하기 위한 제2 승강 반송 기구와, 다수 적층되어 설치된 전달 모듈을 구비하고, 상기 캐리어 블록과 상기 처리 블록과 상기 승강 반송 블록의 배열 방향을 전후 방향으로 하면, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 및 다수 적층된 전달 모듈은 좌우 방향으로 설치됨과 함께, 다수 적층된 전달 모듈은, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 사이에 놓이도록 설치되고,
    e) 상기 제1 승강 반송 기구 및 제2 승강 반송 기구는, 승강하는 승강 기체와, 상기 승강 기체를 연직축 주위로 회전하는 회전 베이스와, 제1 반송 아암과, 제2 반송 아암을 각각 구비하고,
    f) 상기 제1 반송 아암 및 제2 반송 아암은, 상기 회전 베이스에 대해 서로 독립하여 진퇴하고,
    상기 제1 반송 아암은 기판의 이면을 지지함과 함께, 그 진퇴 방향에 직교하는 당해 제1 반송 아암의 폭은, 상기 기판의 폭보다 좁게 구성되고,
    상기 제2 반송 아암은, 기판의 측 주위를 둘러싸는 두 갈래의 포위부와, 상기 포위부의 내주연에 복수 설치되며, 기판의 이면을 지지하는 갈고리부를 구비하고,
    g) 상기 다수 적층되어 설치된 전달 모듈에는, 적재된 기판을 냉각하기 위한 냉각액의 유로를 구비한 스테이지로 이루어지는 제1 전달 모듈과, 상기 냉각액의 유로를 구비하고 있지 않은 스테이지로 이루어지는 제2 전달 모듈이 포함되고,
    상기 제2 전달 모듈에 대한 기판의 전달에는 상기 제1 반송 아암이 사용되고,
    상기 제1 전달 모듈에 대한 기판의 전달에는 상기 제2 반송 아암이 사용되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도포용의 단위 블록은,
    기판으로 반사 방지막 형성용의 약액을 공급하여 하층측의 반사 방지막을 형성하는 하층용의 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상으로 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 전단 처리용의 단위 블록과,
    상기 전단 처리용의 단위 블록에 대해 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막 형성용의 약액을 공급하여 상층측의 막을 형성하는 상층용의 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 후단 처리용의 단위 블록을 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 승강 반송 블록은, 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 대해 각각 대응지어짐과 함께 상기 도포막을 형성하기 전의 기판에 대해 소수화 처리하기 위한 N그룹의 소수화 모듈을 구비하고,
    상기 제1 승강 반송 기구는, 상기 N그룹의 소수화 모듈로부터 각각 대응하는 도포용의 단위 블록에 기판을 전달하도록 제어되고,
    상기 N중화된 도포용의 단위 블록 중 어느 하나가 정지함과 함께, 상기 N그룹 중 사용 가능한 도포용 단위 블록에 대응지어진 그룹이 정지하였을 때에,
    사용 가능한 그룹으로부터 대응지어져 있지 않은 상기 사용 가능한 도포용의 단위 블록으로 기판의 반송처를 전환하도록 전달 기구가 제어되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    냉각 스테이지의 주연부에 복수의 절결이 형성되고,
    상기 제2 반송 아암은, 당해 냉각 스테이지에 상기 기판을 전달하기 위해, 상기 냉각 스테이지에 대해 승강하고,
    상기 절결은 당해 승강 시에 상기 제2 반송 아암의 복수의 갈고리부를, 통과시키기 위해 형성되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    도포용의 단위 블록에 반송되기 전의 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리 모듈이 설치되고,
    상기 제1 승강 반송 기구에 대해 상기 전달 모듈이 설치되는 측을, 상기 좌우 방향에 있어서의 좌측으로 하면, 상기 소수화 처리 모듈은, 상기 제1 승강 반송 기구의 우측에 설치되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  6. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치를 사용하는 도포, 현상 방법이며,
    상기 도포, 현상 장치에 있어서,
    a) 상기 처리 블록은, 상기 도포막을 형성하기 위한 약액을 기판으로 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체를 포함하고,
    b) 상기 N중화된 도포용의 단위 블록은, 서로 동일한 도포막이 형성되도록 구성되고,
    c) 상기 처리 블록은 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 적층되고, 노광 후의 기판에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 모듈을 구비한 현상용의 단위 블록을 포함하고,
    d) 상기 캐리어 블록과 처리 블록 사이에 승강 반송 블록이 설치되고, 이 승강 반송 블록은, 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 대해 각각 기판을 전달하기 위한 제1 승강 반송 기구와, 상기 현상용의 단위 블록에 대해 기판을 전달하기 위한 제2 승강 반송 기구와, 다수 적층되어 설치된 전달 모듈을 구비하고, 상기 캐리어 블록과 상기 처리 블록과 상기 승강 반송 블록의 배열 방향을 전후 방향으로 하면, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 및 다수의 전달 모듈은 좌우 방향으로 설치됨과 함께, 다수의 전달 모듈은, 상기 제1 승강 반송 기구, 제2 승강 반송 기구 사이에 놓이도록 설치되고,
    e) 상기 제1 승강 반송 기구 및 제2 승강 반송 기구는, 승강하는 승강 기체와, 상기 승강 기체를 연직축 주위로 회전하는 회전 베이스와, 제1 반송 아암과, 제2 반송 아암을 각각 구비하고,
    f) 상기 제1 반송 아암 및 제2 반송 아암은, 상기 회전 베이스에 대해 서로 독립하여 진퇴하고,
    상기 제1 반송 아암은 기판의 이면을 지지함과 함께, 그 진퇴 방향에 직교하는 당해 제1 반송 아암의 폭은, 상기 기판의 폭보다 좁게 구성되고,
    상기 제2 반송 아암은, 기판의 측 주위를 둘러싸는 두 갈래의 포위부와, 상기 포위부의 내주연에 복수 설치되며, 기판의 이면을 지지하는 갈고리부를 구비하고,
    g) 상기 다수 적층되어 설치된 전달 모듈에는, 적재된 기판을 냉각하기 위한 냉각액의 유로를 구비한 스테이지로 이루어지는 제1 전달 모듈과, 상기 냉각액의 유로를 구비하고 있지 않은 스테이지로 이루어지는 제2 전달 모듈이 포함되고,
    상기 도포, 현상 방법은,
    상기 제1 반송 아암을 사용하여, 상기 기판을 상기 제2 전달 모듈에 전달하는 공정과,
    상기 제2 반송 아암을 사용하여, 상기 기판을 상기 제1 전달 모듈에 전달하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도포용의 단위 블록은,
    기판으로 반사 방지막 형성용의 약액을 공급하여 하층측의 반사 방지막을 형성하는 하층용의 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상으로 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 전단 처리용의 단위 블록과,
    상기 전단 처리용의 단위 블록에 대해 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막 형성용의 약액을 공급하여 상층측의 막을 형성하는 상층용의 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 후단 처리용의 단위 블록을 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 승강 반송 블록은, 상기 N중화된 도포용의 단위 블록에 대해 각각 대응지어짐과 함께 상기 도포막을 형성하기 전의 기판에 대해 소수화 처리하기 위한 N그룹의 소수화 모듈을 구비하고,
    상기 제1 승강 반송 기구에 의해, 상기 N그룹의 소수화 모듈로부터 각각 대응하는 도포용의 단위 블록에 기판을 전달하는 공정과,
    상기 N중화된 도포용의 단위 블록 중 어느 하나가 정지함과 함께, 상기 N그룹 중 사용 가능한 도포용 단위 블록에 대응지어진 그룹이 정지하였을 때에,
    사용 가능한 그룹으로부터 대응지어져 있지 않은 상기 사용 가능한 도포용의 단위 블록으로 기판의 반송처를 전환하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  9. 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제6항 또는 제7항에 기재된 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
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