KR101018517B1

KR101018517B1 - 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체

Info

Publication number: KR101018517B1
Application number: KR1020070093527A
Authority: KR
Inventors: 야스시 하야시다; 요시따까 하라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2006-09-15
Filing date: 2007-09-14
Publication date: 2011-03-03
Also published as: KR20080025336A; JP2008072016A; US8057114B2; US20080070164A1

Abstract

본 발명의 과제는 복수의 액 처리용 모듈에 대해 처리액을 토출하는 노즐부를 공통화하는 구성을 채용하는 데 있어서, 높은 스루풋을 얻는 것이다.

웨이퍼를 흡착하는 스핀 척 및 이 주위를 둘러싸는 컵을 각각 포함하는, 4개 이상의 짝수개의 모듈, 예를 들어 6개의 모듈과, 이들 모듈을 각각 동일 복수 개수씩 포함하는, 예를 들어 3개씩 포함하는 2개의 그룹으로 나누고, 각 그룹마다 웨이퍼에 액 처리용 처리액을 토출하기 위한 공유화 노즐부를 설치한다. 그리고 1번째의 웨이퍼를 한쪽 그룹의 모듈로, 2번째의 웨이퍼를 다른 쪽 그룹의 모듈로, 3번째의 웨이퍼를 한쪽 모듈로 각각 순차 반송하는 것과 같은 방식으로, 양쪽의 그룹에 대해 교대로 웨이퍼를 반송한다.

웨이퍼, 노즐부, 모듈, 아암, 현상 유닛

Description

액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 {LIQUID PROCESSING SYSTEM, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대해, 예를 들어 현상 처리 등의 액 처리를 행하기 위한 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 이 방법을 실시하기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 관한 것이다.

반도체 제조 프로세스에 이용되는 레지스트 패턴 형성 시스템은, 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속하여 구성되지만, 이 도포, 현상 장치는 레지스트액의 도포, 반사 방지막용 약액의 도포, 현상액에 의한 현상 처리와 같은, 기판에 대한 액 처리를 행하는 다수의 액 처리 유닛을 구비하고 있다. 이 액 처리 유닛은, 외장체를 형성하는 하우징 내에 액의 비산을 방지하기 위한 컵을 설치하는 동시에 이 컵 내에 진공 척 기능을 구비한 스핀 척을 배치하고, 또한 스핀 척에 보유 지지되는 기판에 대해 약액을 토출하는 약액 노즐 및 기판 상을 세정액에 의해 세정하는 세정 노즐 등을 설치하여 구성된다.

또한 도포, 현상 장치는, 액 처리 유닛에 있어서의 액 처리의 전후에 행해지는 가열 처리나 냉각 처리를 행하는 열계(熱系) 유닛이나, 복수의 반송 아암 사이 에서의 기판의 전달을 행하는 전달 스테이지 등이 설치되어 있다. 그리고 기판의 반송에 대해서는, 이들 유닛이나 스테이지를 모듈이라 칭하여 각각에 모듈 번호를 할당하는 동시에, 미리 기판의 반송 경로를 모듈 번호의 나열로 결정하는 반송 스케줄을 세워 그 반송 스케줄에 따라서 기판이 흐르도록 기판 반송 수단을 제어하도록 하고 있다. 액 처리 유닛이나 열계 유닛 등의 처리 유닛이 배치되어 있는 처리 스테이션에는, 2매 이상의 반송 아암을 구비한 이른바 메인 아암이 설치되고, 이 메인 아암에 의해 반송 스케줄을 따라 처리 유닛으로부터 처리된 기판을 수취하고, 계속해서 처리 전의 기판을 전달하고, 이와 같이 하여 기판의 교체가 상류측의 처리 유닛으로부터 하류측의 처리 유닛을 향해 행해져 간다. 또한 각 처리를 행하는 유닛은 처리의 종별마다 복수대 준비되어 있고, 모듈 번호가 작은 것부터 순차 기판을 반입하도록 되어 있다. 예를 들어, 현상용 모듈이 6대 준비되어 있으면, 모듈 번호가 작은 모듈부터 차례로 기판이 반입되어 간다.

한편, 복수 예를 들어 3개의 액 처리용 모듈에 대해 처리액의 노즐을 공유화하고, 기판이 반입된 액 처리용 모듈에 대해 순차 공유 노즐부를 이동시켜 약액의 토출을 행하는 것도 알려져 있다(특허 문헌 1 참조). 이러한 공유 노즐부를 이용하면, 부품 개수를 삭감할 수 있고, 또한 프로세스 조건을 각 모듈의 사이에서 일치시킬 수 있고, 또한 노즐부의 조정 작업이 1개의 노즐부에 집약되므로 조정의 수고가 경감되는 등의 이점이 있다.

그러나 기판의 반입 간격을 단축해 감으로써, 1개의 모듈에 공유 노즐부가 구속되는 시간의 쪽이 상기 반입 간격보다도 길어지는 경우가 있다. 이 경우에는, 기판을 반송 스케줄에 따라서 모듈에 순차 반입하였을 때에, 앞의 기판이 보유 지지되어 있는 모듈에 공유 노즐부가 구속되어 있어 뒤의 기판이 모듈 내에서 대기하는 경우가 발생되고, 그 결과 기판의 대기 시간이 누적되어 스루풋의 저하의 요인이 된다. 이로 인해, 복수의 모듈에 대해 노즐부를 공유화한다고 하는 구조는, 여러 가지 이점이 있으면서 실제로는 제품에는 조립하기 어려운 구성이라고 할 수 있다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 평5-267148호 공보(단락 0021, 단락 0025, 도5)

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 복수의 액 처리용 모듈에 대해 처리액을 토출하는 노즐부를 공유화하는 구성을 채용하는 데 있어서, 높은 스루풋을 얻을 수 있는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 그 방법을 실시하기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체를 제공하는 데 있다.

본 발명은, 기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 적재하고, 기판 상에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 있어서,

기판을 수평으로 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지부와 이 기판 보유 지지부의 주위를 둘러싸는 컵을 각각 포함하는, 4개 이상의 짝수개의 모듈과,

이들 모듈을 각각 동일 복수 개수씩 포함하는 그룹으로 나누고, 각 그룹마다 설치되는 동시에 각 그룹에 속하는 모듈에 공유화되고, 기판에 액 처리용 처리액을 토출하기 위한 노즐부와,

이 노즐부를 각 모듈 사이에서 이동시키기 위한 이동 기구와,

상기 모듈 사이에서 기판의 전달을 하기 위한 기판 반송 수단과,

반송의 순서가 서로 전후하는 기판에 있어서, 뒤의 기판은, 앞의 기판이 반입된 모듈이 속하는 그룹 이외의 그룹의 모듈로 반송되도록, 상기 기판 반송 수단을 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명의 구체예로서는 다음과 같은 구성을 들 수 있다.

가) 기판이 상기 모듈에 일정한 시간 간격 t1로 반송되고, 노즐부가 기판의 처리를 위해 모듈에 구속되는 시간을 t2라 하면, t2 > t1이다.

나) 노즐부는, 액 처리용 처리액을 토출하는 처리액 노즐 및 기판 상을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 세정 노즐을 공통의 이동체에 설치하여 구성된다.

다) 각 그룹의 모듈군은, 공통의 하우징 내에 설치되어 있다.

라) 기판 반송 수단은, 복수의 그룹에 각각 할당되어 있는 복수의 기판 반송 수단의 집합으로 이루어지는 그룹에 각각 할당되어 있다.

마) 하나의 그룹의 모듈군과 다른 그룹의 모듈군은, 서로 적층되어 있다.

바) 액 처리는, 예를 들어 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판 상에 현상액을 공급하여 현상을 행하는 처리이다.

다른 발명은, 기판을 수평으로 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지부와 이 기판 보유 지지부의 주위를 둘러싸는 컵을 각각 포함하는, 4개 이상의 짝수개의 모듈과, 이들 모듈을 각각 동일 복수 개수씩 포함하는 그룹으로 나누고, 각 그룹마다 설치되는 동시에 각 그룹에 속하는 모듈에 공유화되고, 기판에 액 처리용 처리액을 토출하기 위한 노즐부를 구비한 액 처리 장치를 이용하여 액 처리를 행하는 방법에 있어서,

상기 하나의 모듈에 기판을 반송하여 기판 보유 지지부에 보유 지지시키는 공정과,

이 기판에 대해, 상기 노즐부로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 공정과,

이어서, 상기 기판의 다음 기판을 상기 하나의 모듈이 속하는 하나의 그룹 이외의 다른 그룹의 모듈에 반송하여 기판 보유 지지부에 보유 지지시키는 공정과,

상기 다음 기판에 대해, 상기 다른 그룹에서 공유되는 노즐부로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또 다른 발명은, 기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 적재하고, 기판 상에 처리액을 도포하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체이며,

상기 프로그램은, 상술한 액 처리 방법을 실시하기 위한 스텝군이 편성되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 기판 보유 지지부와 컵을 포함하는 모듈이 복수개 설치되어 있고 그들 모듈의 사이에서 노즐부를 공유화한 장치를 이용하는 데 있어서, 노즐부가 공유화되어 있는 그룹에 연속하여 기판을 반입하지 않도록 하고 있으므로, 기판을 모듈에 반입하였을 때에 다른 모듈에 노즐부가 사용되어 있는 것을 기초로 하는 대기 시간이 없거나 혹은 짧게 억제된다. 이 결과 높은 스루풋이 얻어져, 모듈의 사이에서 노즐부를 공유화시키는 액 처리 장치의 이점을 부각시킬 수 있다.

[액 처리 장치를 적용한 도포, 현상 장치의 전체 구성]

이하에 본 발명의 액 처리 장치를, 노광 후의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 현상 장치에 적용한 실시 형태에 대해 서술하지만, 우선 현상 장치를 포함하 는 도포, 현상 장치의 전체에 관하여 도1 내지 도3을 참조하면서 간단히 서술해 둔다. 도1은 도포, 현상 장치의 평면도를 도시하고, 도2는 도1의 개략 사시도를 도시하고, 도3은 도1의 개략 측면도를 도시한다. 이 장치는 캐리어 블록(S1)이 설치되어 있고, 이 캐리어 블록(S1)은 적재대(21) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(20)로부터 전달 아암(C)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(S2)에 전달하고, 처리 블록(S2)으로부터 전달 아암(C)이 처리된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(20)로 복귀시키도록 구성되어 있다.

상기 처리 블록(S2)은, 도2에 도시하는 바와 같이 본 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 및 제2 블록(DEV층)(B1, B2), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성을 행하기 위한 제3 블록(TCT층)(B3), 레지스트막의 도포 처리를 행하기 위한 제4 블록(COT층)(B4), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제5 블록(BCT층)(B5)을, 아래부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.

제3 블록(TCT층)(B3)과 제5 블록(BCT층)(B5)은, 각각 반사 방지막을 형성하기 위한 약액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 도포 유닛과, 이 도포 유닛에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 유닛군과, 상기 도포 유닛과 처리 유닛군 사이에 설치되고, 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A3, A5)으로 구성되어 있다.

제4 블록(COT층)(B4)에 대해서도 상기 약액이 레지스트액인 것을 제외하면 동일한 구성이며, 또한 제1 및 제2 블록(DEV층)(B1, B2)에 대해서도 상기 약액이 현상액인 것을 제외하면 동일한 구성이다.

또한 처리 블록(S2)에는, 도1 및 도3에 도시하는 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5)의 하나의 전달대에 적재되고, 상기 선반 유닛(U5)의 근방에 설치된 승강 가능한 제1 전달 아암(D1)에 의해 예를 들어 제5 블록(BCT층)(B5)의 대응하는 전달대(TRS5)로 순차 반송된다. 제5 블록(BCT층)(B5) 내의 반송 아암(A5)은, 선반 유닛(U5)의 대응하는 전달대(TRS5)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 유닛 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송하고, 이들 유닛에서 웨이퍼(W)는 반사 방지막이 형성된다.

그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U6)의 전달대(TRS10), 승강 가능한 제2 전달 아암(D2), 선반 유닛(U6)의 전달대(TRS9) 및 반송 아암(A4)을 통해 제4 블록(COT층)(B4)으로 반입되어, 레지스트막이 형성된다. 또한 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A4) → 선반 유닛(U6)의 전달대(TRS9) → 제2 전달 아암(D2)을 경유하여 선반 유닛(U6)에 있어서의 인터페이스 아암(B)의 액세스 영역 내의 전달대로 전달된다. 또한 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제3 블록(TCT층)(B3)에서 또한 반사 방지막이 형성되는 경우도 있다.

이어서, 인터페이스 아암(B)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달대로 복귀된다. 이어서 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)는, 제1 및 제2 블록(DEV층)(B1, B2)에서 현상 처리가 행해지고, 제1 블록(B1)의 반송 아암(A1) 혹은 제2 블록(B2)의 반송 아암(A2)에 의해 선 반 유닛(U5)의 전달대(TRS1)(혹은 TRS2)로 전달된다. 그 후, 전달 아암(C)을 통해 캐리어(20)로 복귀된다.

또한 도1 내지 도3에 있어서 U1 내지 U4는 각각 가열부, 냉각부를 적층한 열계 유닛군, TRS3, TRS4, TRS6 내지 TRS8은 전달대이다.

또한 본 실시 형태의 주요부인 현상 유닛이 설치되어 있는 제1 및 제2 블록(DEV층)(B1, B2) 및 그 주변부에 관하여 상세하게 서술한다. 도4는 제1 및 제2 블록(DEV층)(B1, B2)의 개략 사시도이다. 제1 및 제2 블록(DEV층)(B1, B2)에 설치된 반송 아암(A1, A2)은, 도4에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하기 위한 2개의 아암(31, 32)을 구비하고 있고, 이들 아암(31, 32)은 베이스(33)를 따라 서로 독립하여 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 또한, 이 베이스(33)는 회전 기구(34)에 의해 연직 축 주위로 회전 가능하게 구성되는 동시에, 이동 기구(35)에 의해 열계 유닛군(U1 내지 U4)을 지지하는 받침대부(36)의 반송 영역(R1)을 향하는 면에 장착된 Y축 레일(37)을 따라 Y축 방향으로 이동 가능하고, 또한 승강 레일(38)을 따라 승강 가능하게 구성되어 있다. 이와 같이 하여 아암(31, 32)은, 진퇴 가능, Y축 방향으로 이동 가능, 승강 가능, 연직 축 주위로 회전 가능하게 구성되고, 열계 유닛군(U1 내지 U4)의 각 유닛[가열 유닛(CHP) 및 냉각 유닛(COL)], 선반 유닛(U5)의 전달대(TRS1)(혹은 TRS2), 선반 유닛(U6)의 전달대(TRS6)(혹은 TRS7), 후술하는 현상 유닛(40)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다.

다음에 현상 유닛(40)에 대해 서술하는데, 제1 블록(DEV층)(B1) 및 제2 블 록(DEV층)(B2)은 이미 서술한 바와 같이 동일한 구조이므로, 한쪽의 블록[B1(B2)]에 관해서만 설명한다. 현상 유닛(40)은, 도4 및 도5에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 반입출구(41)가 3군데에 형성된 하우징(42)과, 이 하우징(42) 내에 횡방향(Y축 방향)으로 배열된 3개의 현상 처리부(43, 44, 45)와, 이들 현상 처리부(43, 44, 45)가 공유하는 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)를 구비하고 있다.

현상 처리부(43, 44, 45)는 동일한 구성에 있으므로, 현상 처리부(43)를 예로 하여 그 구조를 도6에 도시한다. 도6 중의 부호 5는 기판, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평 자세로 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지부인 스핀 척이다. 스핀 척(5)은 회전축(51)을 통해 구동 기구(52)에 의해 회전한다.

스핀 척(5) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측이 개방되는 컵체(50)가 설치되어 있다. 이 컵체(50)는 상부측이 사각 형상이며 하부측이 원통 형상인 외부 컵(53)과, 상부측이 내측으로 경사진 통 형상의 내부 컵(54)으로 이루어지고, 외부 컵(53)의 하단부에 접속된 승강부(55)에 의해 외부 컵(53)이 승강하고, 또한 내부 컵(54)은 외부 컵(53)에 밀어 올려져 승강 가능하도록 구성되어 있다. 또한 도시는 생략하지만, 웨이퍼(W)의 이면측을 지지하여 승강 가능한 승강 핀이 원형판(56)을 상하로 관통하여 설치되어 있어, 이 승강 핀과 상술한 반송 아암(A1, A2)과의 협동 작용에 의해 스핀 척(5)으로의 웨이퍼(W)의 전달이 가능하도록 구성되어 있다. 또한 도6 중의 부호 57은 드레인 배출구이다.

상기 현상 노즐부(6a)는, 그 하단에 웨이퍼(W)의 직경을 커버할 수 있는 길이 영역에 걸쳐 다수의 현상액 토출 구멍이 배열되어 있는 동시에, 도5 및 도7에 도시하는 바와 같이 이동 기구(61)에 의해 3개의 현상 처리부(43, 44, 45) 및 하우징(42) 내의 일단부측에 마련된 대기 영역(46)의 사이를 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 이동 기구(61)는 길이 방향(Y 방향)을 따라 설치된 가이드 레일(62), 가이드 레일(62)로 안내되는 이동체(63), 이 이동체(63)에 조합하여 설치된 승강 기구(64) 등으로 이루어지고, 현상 노즐부(6a)를 Y 방향, Z 방향(상하 방향)으로 구동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 세정 노즐부(6b)에 대해서도 현상 노즐부(6a)와 마찬가지로 그 하단에 웨이퍼(W)의 직경을 커버할 수 있는 길이 영역에 걸쳐 다수의 세정액 토출 구멍이 배열되어 있는 동시에, 이동 기구에 의해 3개의 현상 처리부(43, 44, 45) 및 하우징(42) 내의 타단부측에 마련된 대기 영역(47)의 사이를 이동할 수 있도록 구성되어 있다.

또한 도포, 현상 장치는, 도3에 도시하는 바와 같이 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)를 구비하고 있다. 이 제어부(100)는, 도시하지 않은 기억부에 기억된 프로그램에 따라서 반송계나 각 처리부를 제어하는 기능을 갖고, 반송계에 대해서는 전달 아암(C), 제1 전달 아암(D1), 제2 전달 아암(D2), 각 층의 반송 아암(A1 내지 A5), 인터페이스 아암(B)을 제어한다. 그리고 노광 후의 웨이퍼(W)를 제1 블록(DEV층)(B1)의 현상 유닛(40) 혹은 제2 블록(DEV층)(B2)의 현상 유닛(40)으로 반입하는 데 있어서는, 제1 블록(DEV층)(B1)과 제2 블록(DEV층)(B2)의 현상 유닛(40)과의 사이에서 교대로 웨이퍼(W)를 반송하도록 프로그램의 스텝군이 편성되어 있다. 이 프로그램은, 기억 매체 예를 들어 가요성 디스크(FD), 메모리 카드, 콤팩 트 디스크(CD), 마그넷 옵티칼 디스크(MO) 및 하드 디스크 등에 저장되고, 제어부(100)인 컴퓨터에 설치되어 있다.

이상에 있어서, 도포, 현상 장치의 선반 유닛(U6), 인터페이스 아암(B), 제1 블록(DEV층)(B1), 제2 블록(DEV층)(B2) 및 제어부(100)는 본 발명의 액 처리 장치에 상당하고, 현상 처리부(43, 44, 45)는 모듈에 상당한다. 본 발명에서는, 4개 이상의 짝수개의 모듈을 각각 동일 복수 개수씩 포함하는 그룹으로 나누도록 하고 있지만, 본 실시 형태에서는 하나의 그룹은 제1 블록(DEV층)(B1)의 현상 처리부(43, 44, 45)로 이루어지는 그룹에 상당하고, 또한 다른 그룹은 제2 블록(DEV층)(B2)의 현상 처리부(43, 44, 45)로 이루어지는 그룹에 상당한다. 즉, 본 발명에서 말하는「4개 이상의 짝수개의 모듈을 각각 동일 복수 개수씩 포함하는 그룹으로 나눈다」라 함은, 이 경우 6개의 모듈을 3개씩으로 나누어, 하나의 그룹의 3개의 모듈과 다른 그룹의 3개의 모듈을 각각 1층과 2층으로 나누는 구성으로 한 것에 상당한다. 그리고 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)는, 각 모듈에 공유되는 액 처리를 위한 노즐부에 상당한다.

[액 처리 장치의 작용, 효과]

다음에 본 발명의 액 처리 장치에 상당하는 현상 장치의 작용에 대해 설명한다. 우선 캐리어(20) 내의 웨이퍼(W)는, 배경 기술의 항목에서 서술한 바와 같이 반송 스케줄에 따라서 이미 서술한 바와 같이 하여 도포, 현상 장치 내의 모듈[웨이퍼(W)가 배치되는 적재 부분]에 순차적으로 반송되고, 인터페이스 블록(S3) 내에 반입된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 노광 장치(S4)에서 노광되어, 인터페이스 블록(S3) 내로 복귀되고, 다시 각 모듈로 순차 반송되어 캐리어(20) 내로 복귀된다. 반송 스케줄이라 함은, 구체적으로는 전체 모듈에 번호를 붙여, 반송 사이클(페이즈라고도 일컬어짐)마다 웨이퍼(W)와 모듈의 대응을 기재한 테이블이다. 제어부(100)는 반송 사이클 순으로 웨이퍼(W)가 어느 모듈에 배치되는 것인지를 판독하여, 제1 전달 아암(D1)을 비롯하여 각 기판 반송 수단에 지시를 보내, 하나의 반송 사이클을 실시하고, 계속해서 다음의 반송 사이클에 대응하는 웨이퍼(W)와 모듈과의 관계를 판독하고, 이와 같이 하여 웨이퍼(W)가 1개씩 하류측의 모듈에 반송되게 된다.

그리고 노광 후의 웨이퍼(W)를 인터페이스 아암(B)이 수취하면, 프로그램에 따라서 선두의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U6)의 전달대(TRS6)에 전달하고, 다음의 웨이퍼(W)를 전달대(TRS7)에 전달하고, 그 다음의 웨이퍼(W)를 전달대(TRS6)에 전달하는 것과 같은 방식으로, 교대로 웨이퍼(W)를 제1 블록(B1)과 제2 블록(B2)으로 전달한다.

여기서 제1 블록(B1)에 설치된 현상 유닛(40)을 구성하는 3개의 현상 처리부(43, 44, 45)를 각각 모듈(DEV1), 모듈(DEV2), 모듈(DEV3)이라 하고, 제2 블록(B2)에 설치된 현상 유닛(40)을 구성하는 3개의 현상 처리부(43, 44, 45)를 각각 모듈(DEV4), 모듈(DEV5), 모듈(DEV6)이라 하여 설명을 진행한다. 예를 들어, 6매의 웨이퍼(W1 내지 W6)가 노광 장치(S4)로부터 인터페이스 블록(S3)으로 반출되어, 인터페이스 아암(B)에 전달되었다고 하면, 도8에 도시하는 바와 같이 1매째의 웨이퍼(W1)는 전달대(TRS6)를 통해 제1 블록(B1)의 반송 아암(A1)에 수취되어, 모듈(DEV1)에 전달된다. 이어지는 2매째의 웨이퍼(W2)는 전달대(TRS7)를 통해 제2 블록(B2)의 반송 아암(A2)에 수취되어, 모듈(DEV4)에 전달된다. 이와 같이 하여 3매째 이후의 웨이퍼(W3 내지 W6)는 각각, 모듈(DEV2, DEV5, DEV3, DEV6)로 반송된다. 이러한 반송은 도8에 아울러 도시하는 바와 같이, 제어부(100)가 인터페이스 아암(B), 반송 아암(A1, A2)을 제어함으로써 행해진다.

또한, 인터페이스 아암(B)으로부터 반송 아암(A1 혹은 A2)으로의 웨이퍼(W)의 전달에 대해서는, 인터페이스 아암(B)이 웨이퍼(W)를 전달대(TRS6 혹은 TRS7) 이외의 전달대로 일단 전달하고, 상기 전달대의 웨이퍼(W)를 제2 전달 아암(D2)에 의해 전달대(TRS6 혹은 TRS7)로 반송하도록 해도 좋다.

한편, 반송 아암(A1 혹은 A2)으로부터 도6에 도시하는 스핀 척(5)으로의 사이의 웨이퍼(W)의 전달은, 도시하지 않은 승강 핀을 통해 행해진다. 스핀 척(5)에 웨이퍼(W)가 전달되면, 현상 노즐부(6a)가 웨이퍼(W)의 일단부측으로부터 타단부측을 향해 이동하면서 현상액을 토출하여 현상액의 액막이 웨이퍼(W) 상에 형성되는 동시에 외부 컵(53) 및 내부 컵(54)이 상승한다. 그 후 현상 노즐부(6a)가 외부 컵(53)의 밖으로 이동하고, 현상액이 웨이퍼(W) 상에 도포된 후 미리 설정한 현상 시간이 경과한 후, 세정 노즐부(6b)가 웨이퍼(W)의 표면을 일단부측으로부터 타단부측으로 이동하면서 세정액을 토출하고, 이 조작을 예를 들어 복수회 반복하여 현상액을 세정액으로 치환시킨다.

그런 연후에 스핀 척(5)을 회전시켜 세정액을 제거하는 동시에 제거 후에도 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 표면을 건조시킨다. 이와 같이 하여 일련의 처리를 마친 웨이퍼(W)는, 반입 동작과 반대의 동작에 의해 반송 아암(A1 혹은 A2)에 전달 되고, 그리고 선반 유닛(U5)의 전달대(TRS1 혹은 TRS2)로 반송된다. 또한 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)는, 세정 노즐부(6b)로부터 웨이퍼(W)에 세정액을 토출한 후, 상기 모듈(예를 들어, DEV1)에 있어서의 구속으로부터 해방되어, 다음의 모듈의 처리로 이행할 수 있다.

도9의 우측의 도면은, 12매의 웨이퍼(W1 내지 W12)에 대해, 상술한 처리를 한 경우에 있어서, 제1 블록(B1)에 설치된 현상 유닛(40) 내의 각 모듈(DEV1 내지 DEV3)과 제2 블록(B2)에 설치된 현상 유닛(40) 내의 각 모듈(DEV4 내지 DEV6)에 대해, 각 웨이퍼(W)의 체재의 모습을 도시하고 있다. 도9에 있어서 처리 1은, 현상 노즐부(6a)가 현상액을 웨이퍼(W) 상에 토출하고, 설정 시간 경과 후에 세정 노즐부(6b)로부터 세정액을 토출하는 단계까지에 상당하고, 처리 2는 그 후 웨이퍼(W) 표면을 건조하는 처리에 상당한다.

예를 들어, 모듈(DEV1)에 웨이퍼(W1)가 반송되고, 그 후 웨이퍼(W1)보다도 2매 뒤의 웨이퍼(W3)가 모듈(DEV2)로 반송되었을 때에는, 모듈(DEV1)에 있어서는 이미 처리 1이 종료되어 있으므로, 즉 웨이퍼(W1)에 대해 세정 노즐부(6b)로부터의 세정액의 토출이 종료되어 있으므로, 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)는 모듈(DEV1)에 있어서의 구속으로부터 해방되어 있어, 즉시 웨이퍼(W3)에 대해 현상 처리를 행할 수 있다. 이 흐름은 다른 웨이퍼(W2, W4 내지 W12)에 있어서도 동일하며, 어떠한 웨이퍼(W)도 모듈(DEV1 내지 DEV6)에 반입되었을 때에는, 대기 시간이 개재되는 일 없이, 즉시 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)에 의해 처리가 개시된다.

한편, 모듈(DEV1 내지 DEV6)에 대해 모듈 번호 순으로 웨이퍼(W)를 반입한 경우(비교예), 즉 제1 블록(B1)의 현상 유닛(40)에 있어서의 모듈(DEV1 내지 DEV3)에 차례로 웨이퍼(W1 내지 W3)를 반입하고, 또한 이어지는 웨이퍼(W4 내지 W6)에 대해 제2 블록(B2)의 현상 유닛(40)에 있어서의 모듈(DEV4 내지 DEV6)에 차례로 웨이퍼(W)를 반입한다고 하는 방식으로 처리한 경우에는, 각 모듈(DEV1 내지 DEV6)에 있어서의 웨이퍼(W)의 체재의 모습은, 도9의 좌측과 같이 나타내어진다. 이 경우에는, 예를 들어 2매째의 웨이퍼(W2)가 모듈(DEV2)로 반입되었을 때에는, 모듈(DEV1)에서 1매째의 웨이퍼(W1)에 대해 처리 1이 행해지고 있으므로 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)가 구속되어 있고, 이로 인해 웨이퍼(W2)는 처리 1이 종료될 때까지, 즉 세정 노즐부(6b)로부터 세정액의 토출이 종료될 때까지 대기하게 된다.

웨이퍼(W1)의 처리 1이 종료되어 웨이퍼(W2)의 처리가 개시되면, 이때 3매째의 웨이퍼(W3)가 모듈(DEV3)로 반입되지만, 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)는 웨이퍼(W2)의 처리에만 관여하기 때문에, 웨이퍼(W3)는 그동안 대기하게 된다. 이러한 대기 시간은, 제2 블록(B2)의 현상 유닛(40)에 있어서의 모듈(DEV5, DEV6)에 있어서도 동일하게 발생한다. 즉 5매째의 웨이퍼(W5)를 모듈(DEV5)에 반입할 때에는, 아직 모듈(DEV4)에서는 4매째의 웨이퍼(W4)가 처리 중이므로, 5매째의 웨이퍼(W5)는 모듈(DEV5) 내에서 대기하게 된다. 또한 이어지는 6매째의 웨이퍼(W6)를 모듈(DEV6)에 반입할 때에도 동일한 일이 발생하여, 6매째의 웨이퍼(W6)는 5매째의 웨이퍼(W5)의 처리가 종료될 때까지 대기한다. 또한 11매째의 웨이퍼(W11) 및 12 매째의 웨이퍼(W12)에 대해서도, 모듈(DEV5)(혹은 DEV6) 내에서 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)를 사용할 수 없는 상태에 있으므로 이미 서술한 바와 같이 대기 시간이 발생한다. 이 결과 웨이퍼(W)를 모듈의 번호 순으로 반입한 경우(비교예)에는, 본 발명의 경우에 비해 12매째의 웨이퍼(W12)의 현상 처리의 종료 시점이 지연되어 있다.

따라서 상술한 실시 형태에 따르면, 3련(連)의 모듈과 이들 모듈에 공유되는 노즐부(6a, 6b)를 구비한 현상 유닛(40)을 2기(機) 이용하는 데 있어서, 모듈의 번호 순으로, 즉 한쪽의 현상 유닛(40)으로부터 차례로 웨이퍼(W)를 반입하는 것이 아니라, 2기의 현상 유닛(40)에 대해 웨이퍼(W)를 교대로 반입하고 있으므로, 도9의 결과로부터도 알 수 있는 바와 같이, 공유화 노즐부(6a, 6b)가 다른 웨이퍼(W)에 사용되고 있는 것을 기초로 하는 대기 시간이 없기 때문에, 높은 스루풋이 얻어진다. 환언하면, 스루풋을 저하시키지 않고 공유화 노즐부(6a, 6b)를 이용한 현상 유닛(40)의 운전을 행할 수 있으므로, 배경 기술의 항목에서 서술한 공유화 노즐부(6a, 6b)를 이용한 이점을 부각시킬 수 있다.

본 발명은, 서로 순서가 전후하는 웨이퍼(W)의 반입 간격을 t1이라 하고, 현상 노즐부(6a), 세정 노즐부(6b)가 웨이퍼(W)의 처리를 위해 모듈에 구속되는 시간을 t2라 하면, t2 > t1인 경우에 유효한 방법이고, 상술한 실시 형태에서는 웨이퍼(W)의 반입 간격(t1)의 2배의 시간(2 × t1)이 처리 1의 시간(t2)과 동일하게 되어 있으므로, 각 웨이퍼(W)에 있어서 대기 시간이 없는 것으로 되어 있지만, 대기 시간이 존재하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있어, 모듈의 번호 순으로 웨이 퍼(W)를 반입하는 경우에 비해 스루풋은 높아진다.

[본 발명의 그 밖의 예]

본 발명은 3련의 모듈을 구비한 현상 유닛이 3기 설치되어 있는 경우에도 적용할 수 있다. 도10은 이러한 예를 도시하고 있고, 1번째의 웨이퍼(W1)는 현상 유닛(70)의 모듈(DEV1)에, 2번째의 웨이퍼(W2)는 현상 유닛(71)의 모듈(DEV4)에, 3번째의 웨이퍼(W3)는 현상 유닛(72)의 모듈(DEV7)에, 4번째의 웨이퍼(W4)는 현상 유닛(70)의 모듈(DEV2)에 반입하는 것과 같은 방식으로, 각 현상 유닛(70, 71, 72)의 사이에서 차례로 웨이퍼(W)를 반입하도록 하고 있다.

이 경우, 3번째의 웨이퍼(W3)를 모듈(DEV2)에 반입하고, 4번째의 웨이퍼(W4)를 모듈(DEV7)에 반입하도록 해도 좋고, 반송 순서가 서로 전후하는 웨이퍼에 있어서, 뒤의 웨이퍼를, 앞의 기판이 반입된 모듈이 속하는 그룹 이외의 그룹의 모듈에 반송하도록 해도 좋다.

또한 본 발명은, 복수대의 모듈을 그룹화하는 데 있어서, 상술한 예와 같이 각 그룹마다 1개의 하우징을 구비한 현상 유닛을 구축하는 것은 아니며, 예를 들어 4개의 모듈을 공통의 하우징 내에 배치하고, 2개씩 2개로 그룹을 나누어 그룹마다 현상 노즐부(6a), 세정 노즐부(6b)의 세트를 할당하도록 해도 좋다. 즉, 이 경우에는, 노즐부가 공유화되는 모듈의 그룹이 공통의 하우징 내에 설치되어 있는 것이 된다.

도11은 모듈(DEV1, DEV2)에 공유화 노즐부[현상 노즐부(6a), 세정 노즐부(6b)]가 할당되고, 모듈(DEV3, DEV4)에 공유화 노즐부가 할당되어 있는 경우에 있어서, 웨이퍼(W)가 차례로 현상 유닛에 반입되는 모습을 도시하고 있다. 도11에서는 4매의 웨이퍼(W1 내지 W4)의 반입의 모습을 기재하고 있지만, 5매째의 웨이퍼(W)로부터는 모듈(DEV1)로 복귀되어, 웨이퍼(W1 내지 W4)까지와 동일한 순서로 반입되어 간다. 이러한 경우에도 동일한 효과가 있다.

본 발명은 액 처리 장치로서 현상 장치에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 1개의 노즐로부터 도포액 예를 들어 절연막의 전구(前驅) 물질이 용해된 약액을 웨이퍼 상에 이른바 끊이지 않고 한번에 예를 들어 소용돌이 형상으로 도포하는 장치, 혹은 도포액을 직선 형상으로 도포하여 그것을 병렬로 다수개 나열하는 도포 방법 등에 대해서도 적용할 수 있다.

[액 처리 장치를 적용한 도포, 현상 장치의 다른 예]

본 예에 있어서의 도포, 현상 장치는, 앞의 실시 형태에서 도1 내지 도3을 이용하여 설명한 도포, 현상 장치에 있어서, 이하의 점이 상이하다. 우선, 제2 전달 아암(D2)이 설치되어 있지 않다. 또한 앞의 도포, 현상 장치에서는, DEV층(B1, B2)이 적층된 구성으로 되어 있었지만, 본 예에서는, DEV층(B1, B2)이 하나의 층(B1)을 이루고, 이 층(B1) 내에 현상 유닛(40)이 2단으로 적층되어 있다. 그리고, 상기 DEV층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 유닛(40, 40)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2단의 현상 유닛(40, 40)에 대해 반송 아암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다. 또한 DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CPL12)으로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아 암(E)이 설치되어 있다. 그리고 제2 블록(BCT층)(B2) 내지 제4 블록(TCT층)(B4)의 사이의 이동과, 제3 블록(COT층)(B3)에서 처리된 웨이퍼(W), 혹은 또한 제2 블록(BCT층)(B2)이나 제4 블록(TCT층)(B4)에서 처리된 웨이퍼(W)는 제1 반송 아암(D1)에 의해 전달 유닛(CPL11)에 전달되고, 이곳으로부터 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)에 직접 반송되어, 인터페이스 블록(S3)에 도입되게 된다. 또한, 본 예에서는 전달 유닛(CPL11, CPL12)에는 냉각 유닛을 겸용하고 있다. 도12 중의 CPL이 부여되어 있는 유닛은 냉각 유닛, BF가 부여되어 있는 유닛은 버퍼 유닛이다.

또한 현상 유닛(40)에 있어서, 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 토출하기 위한 현상 노즐부(6a)는 이하의 구성인 것이라도 좋다. 즉, 현상 노즐부(6a)는 하단면에 띠 형상의 토출구가 형성되고, 이 토출구는 그 길이 방향이 웨이퍼(W)의 주연으로부터 중앙부측을 향하도록 배치되어 있다. 또한, 본 예에서는 세정 노즐부(6b)의 하단면에는 소직경의 세정액 토출 구멍이 형성되어, 이 구멍에 의해 세정액이 토출되도록 되어 있다. 이러한 구성에 있는 현상 노즐부(6a) 및 세정 노즐부(6b)를 이용하여 웨이퍼(W)를 현상하는 공정에 대해 설명하면, 도13의 (a)에 도시하는 바와 같이 현상액의 토출 개시 위치에 현상 노즐부(6a)를 배치하는 동시에, 세정액의 토출 개시 위치에 세정 노즐부(6b)를 배치한다. 계속해서 도13의 (b)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 연직 축 주위로 소정의 회전수로 회전시키는 동시에, 현상 노즐부(6a)의 토출구로부터 현상액(D)을 띠 형상으로 토출하면서 웨이퍼(W)의 외측으로부터 중앙측을 향해 이동시킨다. 현상 노즐부(6a)의 토출구로부터 토출된 현상액(D)은, 도14에 모식적으로 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 외측으로부터 내측을 향해 서로 간극이 없도록 나열되어 가, 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 나선 형상으로 현상액(D)이 공급된다. 그리고 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 원심력의 작용에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 따라 현상액(D)이 외측으로 퍼짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 박막 형상의 액막이 형성된다.

한편, 예를 들어 현상 노즐부(6a)의 이동 개시의 타이밍에 맞추어, 웨이퍼(W)의 회전 반경 방향으로 현상 노즐부(6a)와 대향하여 세정 노즐부(6b)를 동기로 이동시켜 현상 노즐부(6a)의 근방(대기 위치)에 세정 노즐부(6b)를 설정한다. 즉, 웨이퍼(W)의 중앙부 상방을 세정액 토출 위치로 하면, 세정 노즐부(6b)를 그 약간 앞에서 정지시켜 둔다.

현상 노즐부(6a)는 소정의 시간 현상액을 토출한 후, 토출 동작을 정지하여 신속하게 후퇴한다. 이어서 도13의 (c)에 도시하는 바와 같이, 이 현상 노즐부(6a)와 교체되도록 하여 세정 노즐부(6b)가 웨이퍼(W)의 중앙 상방에 배치되고, 그리고 현상 노즐부(6a)가 현상액의 공급을 정지한 직후에 신속하게 세정 노즐부(6b)로부터 소정의 시간만큼 세정액을 토출하여 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 웨이퍼(W)의 표면에 공급된 세정액은, 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력의 작용에 의해 표면을 따라 외측으로 퍼지고, 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 세정된다. 계속해서, 세정액의 토출을 정지한 세정 노즐부(6b)가 후퇴하면, 도13의 (d)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)를 고속 회전시켜 웨이퍼(W) 표면의 액을 제거하는 스핀 건조가 이루어진다.

도1은 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 실시 형태를 도시하는 평면도.

도2는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 사시도.

도3은 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 측부 단면도.

도4는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 도포 유닛과 열계 유닛과 기판 반송 수단을 도시하는 사시도.

도5는 상기 도포, 현상 장치에 이용되는 현상 유닛을 도시하는 횡단 평면도 및 종단 단면도.

도6은 상기 현상 유닛을 구성하는 모듈의 상세 내용을 도시하는 단면도.

도7은 상기 현상 유닛의 노즐부를 도시하는 사시도.

도8은 상기의 실시 형태에 있어서, 웨이퍼를 현상 유닛의 모듈로 반송하는 모습을 도시하는 설명도.

도9는 웨이퍼를 현상 유닛의 모듈에 순차 반송하였을 때에 있어서 각 웨이퍼의 체재 시간을 도시하는 설명도.

도10은 다른 실시 형태에 있어서, 웨이퍼를 현상 유닛의 모듈로 반송하는 모습을 도시하는 설명도.

도11은 또 다른 실시 형태에 있어서, 웨이퍼를 현상 유닛의 모듈로 반송하는 모습을 도시하는 설명도.

도12는 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 다른 예를 도시하는 측부 단면도.

도13은 현상 장치를 이용하여 웨이퍼를 현상 처리하는 공정을 도시하는 공정 도.

도14는 웨이퍼의 표면에 현상액이 공급되는 모습을 도시하는 설명도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

A1 내지 A5 : 반송 아암

D1, D2 : 전달 아암

5 : 스핀 척

6a : 현상 노즐부

6b : 세정 노즐부

31, 32 : 아암

40 : 현상 유닛

41 : 반입출구

42 : 하우징

43 내지 45 : 현상 처리부

46, 47 : 대기 영역

50 : 컵체

61 : 이동 기구

Claims

기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 적재하고, 기판 상에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 있어서,

기판을 수평으로 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지부와 이 기판 보유 지지부의 주위를 둘러싸는 컵을 각각 포함하는, 4개 이상의 짝수개의 모듈과,

이들 모듈을 각각 동일 복수 개수씩 포함하는 그룹으로 나누고, 각 그룹마다 설치되는 동시에 각 그룹에 속하는 모듈에 공유화되고, 기판에 액 처리용 처리액을 토출하기 위한 노즐부와,

이 노즐부를 각 모듈 사이에서 이동시키기 위한 이동 기구와,

상기 모듈과의 사이에서 기판의 전달을 하기 위한 기판 반송 수단과,

반송의 순서가 서로 전후하는 기판에 있어서, 뒤의 기판은, 앞의 기판이 반입된 모듈이 속하는 그룹 이외의 그룹의 모듈로 반송되도록, 상기 기판 반송 수단을 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
제1항에 있어서, 기판이 상기 모듈에 일정한 시간 간격 t1로 반송되고, 노즐부가 기판의 처리를 위해 모듈에 구속되는 시간을 t2라 하면, t2 > t1인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 노즐부는 액 처리용 처리액을 토출하는 처리액 노즐 및 기판 상을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 세정 노즐을 공통의 이동체에 설치하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 각 그룹의 모듈군은 공통의 하우징 내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 기판 반송 수단은 복수의 그룹에 각각 할당되어 있는 복수의 기판 반송 수단의 집합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 하나의 그룹의 모듈군과 다른 그룹의 모듈군은 서로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 액 처리는 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판 상에 현상액을 공급하여 현상을 행하는 처리인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
기판을 수평으로 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지부와 이 기판 보유 지지부의 주위를 둘러싸는 컵을 각각 포함하는, 4개 이상의 짝수개의 모듈과, 이들 모듈을 각각 동일 복수 개수씩 포함하는 그룹으로 나누고, 각 그룹마다 설치되는 동시에 각 그룹에 속하는 모듈에 공유화되고, 기판에 액 처리용 처리액을 토출하기 위한 노즐부를 구비한 액 처리 장치를 이용하여 액 처리를 행하는 방법에 있어서,

하나의 모듈에 기판을 반송하여 기판 보유 지지부에 보유 지지시키는 공정과,

이 기판에 대해, 상기 노즐부로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 공정과,

이어서, 상기 기판의 다음 기판을 상기 하나의 모듈이 속하는 하나의 그룹 이외의 다른 그룹의 모듈로 반송하여 기판 보유 지지부에 보유 지지시키는 공정과,

상기 다음 기판에 대해, 상기 다른 그룹에서 공유되는 노즐부로부터 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
제8항에 있어서, 기판이 상기 모듈에 일정한 시간 간격 t1로 반송되고, 노즐부가 기판의 처리를 위해 모듈에 구속되는 시간을 t2라 하면, t2 > t1인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 노즐부는 액 처리용 처리액을 토출하는 처리액 노즐 및 기판 상을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 세정 노즐을 공통의 이동체에 설치하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 각 그룹의 모듈군은 공통의 하우징 내에 설치되 어 있는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 적재하고, 기판 상에 처리액을 도포하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체이며,

상기 프로그램은 제8항 또는 제9항에 기재된 액 처리 방법을 실시하기 위한 스텝군이 편성되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.