JP2000340633A - 処理システム - Google Patents
処理システムInfo
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- JP2000340633A JP2000340633A JP2000037271A JP2000037271A JP2000340633A JP 2000340633 A JP2000340633 A JP 2000340633A JP 2000037271 A JP2000037271 A JP 2000037271A JP 2000037271 A JP2000037271 A JP 2000037271A JP 2000340633 A JP2000340633 A JP 2000340633A
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- Japan
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- processing
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- substrate
- station
- processing unit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
- G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
Abstract
(57)【要約】
【課題】 システムの増減をダイナミックに且つ効率的
に行うことができる処理システムの提供。 【解決手段】 処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃの一
側面側の後部には、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨ
Ｐ）１２ａ〜１２ｊが多段に配置された処理ユニット群
１２が配置されている。また、他側面側の中央部には、
受け渡し台１３が配置されている。更に、前面側の上部
には、処理ユニット１４等が配置されている。また、ほ
ぼ中央には、垂直搬送型の搬送装置１５が配置されてい
る。このような同一構成の複数の処理ステーション２
ａ、２ｂ、２ｃを連接可能であるので、システムの増減
をダイナミックに且つ効率的に行うことができる。
に行うことができる処理システムの提供。 【解決手段】 処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃの一
側面側の後部には、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨ
Ｐ）１２ａ〜１２ｊが多段に配置された処理ユニット群
１２が配置されている。また、他側面側の中央部には、
受け渡し台１３が配置されている。更に、前面側の上部
には、処理ユニット１４等が配置されている。また、ほ
ぼ中央には、垂直搬送型の搬送装置１５が配置されてい
る。このような同一構成の複数の処理ステーション２
ａ、２ｂ、２ｃを連接可能であるので、システムの増減
をダイナミックに且つ効率的に行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハ上にレジスト膜を形成し、露光後のレジスト膜を現像
する処理システムに関する。
ハ上にレジスト膜を形成し、露光後のレジスト膜を現像
する処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおけるフォトレジ
スト工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」
という。）等の表面に対してレジストを塗布してレジス
ト膜を形成し、パターンが露光された後のウェハに対し
て現像液を供給して現像処理している。かかる一連の処
理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理システム
が使用されている。
スト工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」
という。）等の表面に対してレジストを塗布してレジス
ト膜を形成し、パターンが露光された後のウェハに対し
て現像液を供給して現像処理している。かかる一連の処
理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理システム
が使用されている。
【０００３】この塗布現像処理システムには、ウェハに
対してレジストを供給するためのユニット及び露光され
た後のウェハに対して現像液を供給するためのユニット
の他、ウェハを冷却するためのユニットや加熱するため
のユニット等、各種のユニットが備えられ、更にこれら
ユニット間でウェハの受け渡しを行うための搬送装置が
備えられている。
対してレジストを供給するためのユニット及び露光され
た後のウェハに対して現像液を供給するためのユニット
の他、ウェハを冷却するためのユニットや加熱するため
のユニット等、各種のユニットが備えられ、更にこれら
ユニット間でウェハの受け渡しを行うための搬送装置が
備えられている。
【０００４】ところで、このような塗布現像処理システ
ム全体をコンパクト化するため、ウェハを上下方向及び
θ方向に移送可能としたいわゆる垂直搬送型の搬送装置
をシステムの中心に配置し、ユニットが多段に積み重ね
られたユニット群をこの搬送装置の周囲を取り囲むよう
に複数配置したシステム構成が具体化されている。
ム全体をコンパクト化するため、ウェハを上下方向及び
θ方向に移送可能としたいわゆる垂直搬送型の搬送装置
をシステムの中心に配置し、ユニットが多段に積み重ね
られたユニット群をこの搬送装置の周囲を取り囲むよう
に複数配置したシステム構成が具体化されている。
【０００５】しかしながら、上記の如く構成された塗布
現像処理システムでは、ダイナミックなシステムの増減
が行えない、という問題がある。即ち、かかるシステム
において、システムの増設を行う場合には、各ユニット
群におけるユニットの段数を増設することや更にはユニ
ット群の数を増やすことで対応可能であるが、例えば２
倍、３倍といったダイナミックなシステムの増設は行え
ない。従って、従来、このようなダイナミックなシステ
ムの増設を行う場合には、例えば塗布現像処理システム
の台数を増やすことで対応していた。
現像処理システムでは、ダイナミックなシステムの増減
が行えない、という問題がある。即ち、かかるシステム
において、システムの増設を行う場合には、各ユニット
群におけるユニットの段数を増設することや更にはユニ
ット群の数を増やすことで対応可能であるが、例えば２
倍、３倍といったダイナミックなシステムの増設は行え
ない。従って、従来、このようなダイナミックなシステ
ムの増設を行う場合には、例えば塗布現像処理システム
の台数を増やすことで対応していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
システムの台数の増設では、次のような問題がある。即
ち、上記構成の塗布現像処理システムでは、ユニット群
及び搬送装置から構成される処理ステーションとの間で
ウェハを搬出入するための基板搬入出部（例えば、ＡＧ
Ｖとの間でウェハを多数収容したカセットが搬出入され
るカセットステーション及び露光装置との間でウェハの
受け渡しを行うためのインターフェイス部）が配置され
る。従って、システムの台数の増設を行うと、この基板
搬入出部の数も増えることになるが、システム全体の処
理能力は処理ステーションの処理能力に律束しているた
め、基板搬入出部の増設が無駄になる、という問題があ
る。
システムの台数の増設では、次のような問題がある。即
ち、上記構成の塗布現像処理システムでは、ユニット群
及び搬送装置から構成される処理ステーションとの間で
ウェハを搬出入するための基板搬入出部（例えば、ＡＧ
Ｖとの間でウェハを多数収容したカセットが搬出入され
るカセットステーション及び露光装置との間でウェハの
受け渡しを行うためのインターフェイス部）が配置され
る。従って、システムの台数の増設を行うと、この基板
搬入出部の数も増えることになるが、システム全体の処
理能力は処理ステーションの処理能力に律束しているた
め、基板搬入出部の増設が無駄になる、という問題があ
る。
【０００７】また、上記構成の塗布現像処理システムで
は、搬送装置の周囲にユニット群を取り囲むように配置
しているため、搬送装置に対するメンテナンスが困難で
ある、という問題もある。
は、搬送装置の周囲にユニット群を取り囲むように配置
しているため、搬送装置に対するメンテナンスが困難で
ある、という問題もある。
【０００８】本発明の目的は、システムの増減をダイナ
ミックに且つ効率的に行うことができる処理システムを
提供することにある。
ミックに且つ効率的に行うことができる処理システムを
提供することにある。
【０００９】本発明の別の目的は、特に搬送系のメンテ
ナンスが容易な処理システムを提供することにある。
ナンスが容易な処理システムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の局面は、側面が相互に隣接するよう
に連接された複数の処理ステーションと、これら連接さ
れた処理ステーションのうち両端の処理ステーションの
側面に隣接するように配置され、該処理ステーションと
の間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、
前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一
側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処
理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配
置された処理ユニット群と、当該処理ステーションの他
側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーショ
ンとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台
と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置
され、基板に少なくとも所定の液を供給する第２の処理
ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央に配置さ
れ、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ス
テーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受
け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備す
る。
め、本発明の第１の局面は、側面が相互に隣接するよう
に連接された複数の処理ステーションと、これら連接さ
れた処理ステーションのうち両端の処理ステーションの
側面に隣接するように配置され、該処理ステーションと
の間で基板を搬出入するための基板搬入出部とを備え、
前記各処理ステーションが、当該処理ステーションの一
側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理を施す処
理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが多段に配
置された処理ユニット群と、当該処理ステーションの他
側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ステーショ
ンとの間で基板の受け渡しを行うための基板受け渡し台
と、当該処理ステーションの前面側または背面側に配置
され、基板に少なくとも所定の液を供給する第２の処理
ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央に配置さ
れ、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該処理ス
テーション及び隣接する処理ステーションの前記基板受
け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備す
る。
【００１１】本発明によれば、基板搬入出部間に同一構
成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、シ
ステムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことが
できる。例えば、２倍、３倍の処理能力の増設が必要な
場合には、基板搬入出部間の処理ステーションの数を２
倍、３倍に増やせばよく、基板搬入出部については増設
の必要はない。また、本発明では、搬送装置に対するア
クセスが容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易
である。
成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、シ
ステムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことが
できる。例えば、２倍、３倍の処理能力の増設が必要な
場合には、基板搬入出部間の処理ステーションの数を２
倍、３倍に増やせばよく、基板搬入出部については増設
の必要はない。また、本発明では、搬送装置に対するア
クセスが容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易
である。
【００１２】本発明の第２の局面は、側面が相互に隣接
するように連接された複数の処理ステーションと、これ
ら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステー
ションの側面に隣接するように配置され、該処理ステー
ションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部と
を備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーシ
ョンの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理
を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが
多段に配置された処理ユニット群と、当該処理ステーシ
ョンの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ス
テーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受
け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面
側に配置され、基板に冷却処理を施す冷却処理部と、基
板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットと、当
該処理ユニットと前記冷却処理部との間で基板の搬送を
行うユニット内搬送装置とを備えた第２の処理ユニット
と、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記
第１の処理ユニット、前記第２の処理ユニットの冷却処
理部、当該処理ステーションの前記基板受け渡し台及び
隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間
で基板を搬送する搬送装置とを具備する。
するように連接された複数の処理ステーションと、これ
ら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステー
ションの側面に隣接するように配置され、該処理ステー
ションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部と
を備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーシ
ョンの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理
を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが
多段に配置された処理ユニット群と、当該処理ステーシ
ョンの他側面側に配置され、少なくとも隣接する処理ス
テーションとの間で基板の受け渡しを行うための基板受
け渡し台と、当該処理ステーションの前面側または背面
側に配置され、基板に冷却処理を施す冷却処理部と、基
板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットと、当
該処理ユニットと前記冷却処理部との間で基板の搬送を
行うユニット内搬送装置とを備えた第２の処理ユニット
と、当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記
第１の処理ユニット、前記第２の処理ユニットの冷却処
理部、当該処理ステーションの前記基板受け渡し台及び
隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間
で基板を搬送する搬送装置とを具備する。
【００１３】本発明によれば、基板搬入出部間に同一構
成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、シ
ステムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことが
できる。また、本発明では、搬送装置に対するアクセス
が容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易であ
る。更に、本発明では、特に第２の処理ユニットが、基
板を冷却処理を施す冷却処理部及び基板に少なくとも所
定の液を供給する処理ユニットを有するので、即ち冷却
処理部及び処理ユニットが同一のユニット内に配置され
た構成となっているので、冷却処理部と処理ユニットと
を同一の環境におくことができ、これにより例えば処理
ユニットによって安定した処理を行うことができる。
成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、シ
ステムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことが
できる。また、本発明では、搬送装置に対するアクセス
が容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易であ
る。更に、本発明では、特に第２の処理ユニットが、基
板を冷却処理を施す冷却処理部及び基板に少なくとも所
定の液を供給する処理ユニットを有するので、即ち冷却
処理部及び処理ユニットが同一のユニット内に配置され
た構成となっているので、冷却処理部と処理ユニットと
を同一の環境におくことができ、これにより例えば処理
ユニットによって安定した処理を行うことができる。
【００１４】本発明の第３の局面は、側面が相互に隣接
するように連接された複数の処理ステーションと、これ
ら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステー
ションの側面に隣接するように配置され、該処理ステー
ションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部と
を備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーシ
ョンの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理
を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが
多段に配置された第１の処理ユニット群と、当該処理ス
テーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する
処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための
基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側また
は背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給
する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニットが多
段に配置された第２の処理ユニット群と、前記第２の処
理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユニット群
における処理ユニットに対して前記所定の液を供給する
ための液供給部と、当該処理ステーションのほぼ中央に
配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該
処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記
基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具
備する。
するように連接された複数の処理ステーションと、これ
ら連接された処理ステーションのうち両端の処理ステー
ションの側面に隣接するように配置され、該処理ステー
ションとの間で基板を搬出入するための基板搬入出部と
を備え、前記各処理ステーションが、当該処理ステーシ
ョンの一側面側に配置され、基板に少なくとも熱的処理
を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユニットが
多段に配置された第１の処理ユニット群と、当該処理ス
テーションの他側面側に配置され、少なくとも隣接する
処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行うための
基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前面側また
は背面側に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給
する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニットが多
段に配置された第２の処理ユニット群と、前記第２の処
理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユニット群
における処理ユニットに対して前記所定の液を供給する
ための液供給部と、当該処理ステーションのほぼ中央に
配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並びに当該
処理ステーション及び隣接する処理ステーションの前記
基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具
備する。
【００１５】本発明によれば、基板搬入出部間に同一構
成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、シ
ステムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことが
できる。また、本発明では、搬送装置に対するアクセス
が容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易であ
る。更に、本発明では、特に第２の処理ユニット群にお
ける処理ユニットに対して所定の液を供給するための液
供給部が第２の処理ユニット群の外側に配置されている
ので、液供給部の容積を大きくすることができ、例えば
液供給部における液の貯留量をより多くすることができ
る。
成の複数の処理ステーションを連接可能であるので、シ
ステムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことが
できる。また、本発明では、搬送装置に対するアクセス
が容易であるので、搬送系のメンテナンスが容易であ
る。更に、本発明では、特に第２の処理ユニット群にお
ける処理ユニットに対して所定の液を供給するための液
供給部が第２の処理ユニット群の外側に配置されている
ので、液供給部の容積を大きくすることができ、例えば
液供給部における液の貯留量をより多くすることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【００１７】図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像
処理システムの構成を示す平面図、図２は図１に示した
塗布現像処理システムの構成を示す正面図、図３は図１
に示した塗布現像処理システムの構成示す背面図であ
る。
処理システムの構成を示す平面図、図２は図１に示した
塗布現像処理システムの構成を示す正面図、図３は図１
に示した塗布現像処理システムの構成示す背面図であ
る。
【００１８】これらの図に示す塗布現像処理システム１
では、複数台、例えば３台の処理ステーション２ａ、２
ｂ、２ｃがこれらの側面が相互に隣接するように連接さ
れ一体化されている。これら連接された処理ステーショ
ン２ａ、２ｂ、２ｃのうち一端の処理ステーション２ａ
の一方の側面には、例えば２５枚のウェハＷをカセット
単位で外部から塗布現像処理システム１内に搬入出した
り、カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステー
ション３が配置されている。また、処理ステーション２
ａ、２ｂ、２ｃのうち他端の処理ステーション２ｃの一
方の側面には、隣接する露光装置（図示を省略）との間
でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部４が配
置されている。
では、複数台、例えば３台の処理ステーション２ａ、２
ｂ、２ｃがこれらの側面が相互に隣接するように連接さ
れ一体化されている。これら連接された処理ステーショ
ン２ａ、２ｂ、２ｃのうち一端の処理ステーション２ａ
の一方の側面には、例えば２５枚のウェハＷをカセット
単位で外部から塗布現像処理システム１内に搬入出した
り、カセットＣにウェハＷを搬入出するカセットステー
ション３が配置されている。また、処理ステーション２
ａ、２ｂ、２ｃのうち他端の処理ステーション２ｃの一
方の側面には、隣接する露光装置（図示を省略）との間
でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイス部４が配
置されている。
【００１９】カセットステーション３では、カセット載
置台５上の位置決め突起６の位置に複数個、例えば５個
のカセットＣが、それぞれのウェハＷ出入口を処理ステ
ーション側に向けてＸ方向に一列に載置されている。こ
のカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に
収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能な搬送装置７が、搬送路８に沿って移動自在で
あり、各カセットＣに選択的にアクセスする。搬送装置
７は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するよ
うに処理ステーション２ａ側の多段処理ユニット群に属
する一の処理ユニットに設けられた受け渡し台にもアク
セスできるようになっている。
置台５上の位置決め突起６の位置に複数個、例えば５個
のカセットＣが、それぞれのウェハＷ出入口を処理ステ
ーション側に向けてＸ方向に一列に載置されている。こ
のカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に
収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に
移動可能な搬送装置７が、搬送路８に沿って移動自在で
あり、各カセットＣに選択的にアクセスする。搬送装置
７は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するよ
うに処理ステーション２ａ側の多段処理ユニット群に属
する一の処理ユニットに設けられた受け渡し台にもアク
セスできるようになっている。
【００２０】インターフェイス部４には、搬送路９に沿
ったＸ方向に移動自在でＺ方向に移動自在で更にθ方向
に回転自在な搬送装置１０が配置され、更に搬送路９の
一端には周辺露光装置１１が配置されている。搬送装置
１０は、後述する処理ステーション２ｃの受け渡し台や
隣接する露光装置、周辺露光装置１１にもアクセスでき
るようになっている。
ったＸ方向に移動自在でＺ方向に移動自在で更にθ方向
に回転自在な搬送装置１０が配置され、更に搬送路９の
一端には周辺露光装置１１が配置されている。搬送装置
１０は、後述する処理ステーション２ｃの受け渡し台や
隣接する露光装置、周辺露光装置１１にもアクセスでき
るようになっている。
【００２１】処理ステーション２ａの一側面側の後部に
は、第１の処理ユニットである加熱・冷却兼用処理ユニ
ット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｅ、１２ｇ〜１２ｊ及び受
け渡しユニット１２ｆ’が多段に、例えば１０段に配置
された処理ユニット群１２が配置されている。また、処
理ステーション２ａの他側面側の中央部には、隣接する
処理ステーション２ｂとの間でウェハＷの受け渡しを行
うための受け渡し台１３が配置されている。更に、処理
ステーション２ａの前面側の上部には、ウェハＷに対し
て反射防止膜用の塗布液を供給するための処理ユニット
（ＢＣＴ）１４が上下に２段且つ左右に２列、合計４台
配置されている。また、処理ステーション２ａのほぼ中
央には、Ｚ方向に移動自在でθ方向に回転可能ないわゆ
る垂直搬送型の搬送装置１５が配置されている。搬送装
置１５は、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２
ａ〜１２ｊ、受け渡し台１３及び処理ユニット（ＢＣ
Ｔ）１４に対してアクセスできるようになっている。ま
た、処理ステーション２ａの前面側の下部、つまり処理
ユニット（ＢＣＴ）１４の下方には、処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４に対して塗布液を供給するための液供給部１
６が配置されている。液供給部１６は、例えば処理液を
貯留するタンク（図示を省略）やタンクから処理液を汲
み上げて処理ユニット（ＢＣＴ）１４へ送り出すポンプ
（図示を省略）等を装備する。
は、第１の処理ユニットである加熱・冷却兼用処理ユニ
ット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｅ、１２ｇ〜１２ｊ及び受
け渡しユニット１２ｆ’が多段に、例えば１０段に配置
された処理ユニット群１２が配置されている。また、処
理ステーション２ａの他側面側の中央部には、隣接する
処理ステーション２ｂとの間でウェハＷの受け渡しを行
うための受け渡し台１３が配置されている。更に、処理
ステーション２ａの前面側の上部には、ウェハＷに対し
て反射防止膜用の塗布液を供給するための処理ユニット
（ＢＣＴ）１４が上下に２段且つ左右に２列、合計４台
配置されている。また、処理ステーション２ａのほぼ中
央には、Ｚ方向に移動自在でθ方向に回転可能ないわゆ
る垂直搬送型の搬送装置１５が配置されている。搬送装
置１５は、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２
ａ〜１２ｊ、受け渡し台１３及び処理ユニット（ＢＣ
Ｔ）１４に対してアクセスできるようになっている。ま
た、処理ステーション２ａの前面側の下部、つまり処理
ユニット（ＢＣＴ）１４の下方には、処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４に対して塗布液を供給するための液供給部１
６が配置されている。液供給部１６は、例えば処理液を
貯留するタンク（図示を省略）やタンクから処理液を汲
み上げて処理ユニット（ＢＣＴ）１４へ送り出すポンプ
（図示を省略）等を装備する。
【００２２】処理ステーション２ｂ、２ｃについても同
様の配置構成となっている。
様の配置構成となっている。
【００２３】即ち、処理ステーション２ｂの一側面側の
後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中
央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部には
ウェハＷに対してレジスト液を供給するための処理ユニ
ット（ＣＴ）１７が４台配置され、ほぼ中央には搬送装
置１５が配置されている。処理ステーション２ｂの前面
側の下部には、処理ユニット（ＣＴ）１７に対してレジ
スト液を供給するための液供給部１８が配置されてい
る。液供給部１８も液供給部１６と同様に構成される。
後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中
央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部には
ウェハＷに対してレジスト液を供給するための処理ユニ
ット（ＣＴ）１７が４台配置され、ほぼ中央には搬送装
置１５が配置されている。処理ステーション２ｂの前面
側の下部には、処理ユニット（ＣＴ）１７に対してレジ
スト液を供給するための液供給部１８が配置されてい
る。液供給部１８も液供給部１６と同様に構成される。
【００２４】また、処理ステーション２ｃの一側面側の
後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中
央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部には
ウェハＷに対して現像処理を行うための処理ユニット
（ＤＥＶ）１９が４台配置され、ほぼ中央には搬送装置
１５が配置されている。処理ステーション２ｃの前面側
の下部には、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対してレジ
スト液を供給するための液供給部２０が配置されてい
る。液供給部２０も液供給部１６や液供給部１８と同様
に構成される。
後部には処理ユニット群１２が配置され、他側面側の中
央部には受け渡し台１３が配置され、前面側の上部には
ウェハＷに対して現像処理を行うための処理ユニット
（ＤＥＶ）１９が４台配置され、ほぼ中央には搬送装置
１５が配置されている。処理ステーション２ｃの前面側
の下部には、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対してレジ
スト液を供給するための液供給部２０が配置されてい
る。液供給部２０も液供給部１６や液供給部１８と同様
に構成される。
【００２５】図４は上記した加熱・冷却兼用処理ユニッ
ト（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊの構成を示す概略側面図で
ある。
ト（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊの構成を示す概略側面図で
ある。
【００２６】図４に示すように、加熱・冷却兼用処理ユ
ニット（ＣＨＰ）の一方側（システムの後部側）には、
ウェハＷを加熱処理するための加熱処理板２１が配置さ
れている。この加熱処理板２１の表面からは、ウェハＷ
を支持するための例えば３本の支持ピン２２が出没自在
に配置されている。なお、この加熱処理板２１の上方に
は、例えば昇降可能な蓋体（図示を省略）を配置するよ
うに構成してもよい。
ニット（ＣＨＰ）の一方側（システムの後部側）には、
ウェハＷを加熱処理するための加熱処理板２１が配置さ
れている。この加熱処理板２１の表面からは、ウェハＷ
を支持するための例えば３本の支持ピン２２が出没自在
に配置されている。なお、この加熱処理板２１の上方に
は、例えば昇降可能な蓋体（図示を省略）を配置するよ
うに構成してもよい。
【００２７】また、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨ
Ｐ）の他方側（システムの前部側）には、ウェハＷを冷
却処理するための冷却処理板２３が配置されている。そ
して、上記構成と同様に、冷却処理板２３の表面から
は、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２
４が出没自在に配置されている。
Ｐ）の他方側（システムの前部側）には、ウェハＷを冷
却処理するための冷却処理板２３が配置されている。そ
して、上記構成と同様に、冷却処理板２３の表面から
は、ウェハＷを支持するための例えば３本の支持ピン２
４が出没自在に配置されている。
【００２８】加熱処理板２１と冷却処理板２３との間に
は、これら加熱処理板２１と冷却処理板２３との間でウ
ェハＷの受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ
方向に回転自在で加熱処理板２１及び冷却処理板２３に
対してアクセスすることができる搬送装置２５が配置さ
れている。
は、これら加熱処理板２１と冷却処理板２３との間でウ
ェハＷの受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ
方向に回転自在で加熱処理板２１及び冷却処理板２３に
対してアクセスすることができる搬送装置２５が配置さ
れている。
【００２９】そして、まず冷却処理板２３の表面から支
持ピン２４が突き出た状態で搬送装置１５から支持ピン
２４にウェハＷが受け渡される。その後、搬送装置２５
が支持ピン２４からウェハＷを受け取り、加熱却処理板
２１の表面から支持ピン２２が突き出た状態で搬送装置
２５から支持ピン２３にウェハＷが受け渡される。そし
て、支持ピン２２が下降して加熱却処理板２１の表面か
ら没することで、ウェハＷが加熱処理板２１上に載置さ
れ、ウェハＷの加熱処理が行われる。その後、再び支持
ピン２２が上昇して加熱却処理板２１の表面から突き出
た状態となり、この状態で搬送装置２５が支持ピン２２
からウェハＷを受け取り、冷却処理板２３の表面から支
持ピン２４が突き出た状態で搬送装置２５から支持ピン
２４にウェハＷが受け渡される。そして、支持ピン２４
が下降して冷却却処理板２３の表面から没することで、
ウェハＷが冷却処理板２３上に載置され、ウェハＷの冷
却処理が行われる。その後、再び支持ピン２４が上昇し
て冷却処理板２３の表面から突き出た状態となり、この
状態で搬送装置１５が支持ピン２４からウェハＷを受け
取るようになっている。
持ピン２４が突き出た状態で搬送装置１５から支持ピン
２４にウェハＷが受け渡される。その後、搬送装置２５
が支持ピン２４からウェハＷを受け取り、加熱却処理板
２１の表面から支持ピン２２が突き出た状態で搬送装置
２５から支持ピン２３にウェハＷが受け渡される。そし
て、支持ピン２２が下降して加熱却処理板２１の表面か
ら没することで、ウェハＷが加熱処理板２１上に載置さ
れ、ウェハＷの加熱処理が行われる。その後、再び支持
ピン２２が上昇して加熱却処理板２１の表面から突き出
た状態となり、この状態で搬送装置２５が支持ピン２２
からウェハＷを受け取り、冷却処理板２３の表面から支
持ピン２４が突き出た状態で搬送装置２５から支持ピン
２４にウェハＷが受け渡される。そして、支持ピン２４
が下降して冷却却処理板２３の表面から没することで、
ウェハＷが冷却処理板２３上に載置され、ウェハＷの冷
却処理が行われる。その後、再び支持ピン２４が上昇し
て冷却処理板２３の表面から突き出た状態となり、この
状態で搬送装置１５が支持ピン２４からウェハＷを受け
取るようになっている。
【００３０】図５は上記した受け渡しユニット１２ｆ’
の構成を示す概略側面図である。
の構成を示す概略側面図である。
【００３１】図５に示すように、受け渡しユニット１２
ｆ’の一方側（システムの前部側）には、ウェハＷの受
け渡しを行うための受け渡し台２６が上下に２台配置さ
れている。各受け渡し台２６には、ウェハＷを保持する
ための保持ピン２７が例えば３本配置されている。な
お、受け渡し台２６は、ウェハＷの位置合わせの機能も
有する。
ｆ’の一方側（システムの前部側）には、ウェハＷの受
け渡しを行うための受け渡し台２６が上下に２台配置さ
れている。各受け渡し台２６には、ウェハＷを保持する
ための保持ピン２７が例えば３本配置されている。な
お、受け渡し台２６は、ウェハＷの位置合わせの機能も
有する。
【００３２】そして、カセットステーション３における
搬送装置７がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセ
スしてウェハＷを受け渡し、処理ステーション２ａにお
ける搬送装置１５が受け渡し台２６からウェハＷを受け
取ることで、処理ステーションへのウェハＷの搬入が行
われる。また、処理ステーション２ａにおける搬送装置
１５がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセスして
ウェハＷを受け渡し、カセットステーション３における
搬送装置７が受け渡し台２６からウェハＷを受け取るこ
とで、処理ステーションからウェハＷの搬出が行われ
る。
搬送装置７がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセ
スしてウェハＷを受け渡し、処理ステーション２ａにお
ける搬送装置１５が受け渡し台２６からウェハＷを受け
取ることで、処理ステーションへのウェハＷの搬入が行
われる。また、処理ステーション２ａにおける搬送装置
１５がいずれかの受け渡し台２６に対してアクセスして
ウェハＷを受け渡し、カセットステーション３における
搬送装置７が受け渡し台２６からウェハＷを受け取るこ
とで、処理ステーションからウェハＷの搬出が行われ
る。
【００３３】なお、図６に示すように、例えば加熱・冷
却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）における冷却却処理板２
３の上方に受け渡し台２６を配置することで、図５に示
したような専用の受け渡しユニットを設ける必要をなく
すことができる。
却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）における冷却却処理板２
３の上方に受け渡し台２６を配置することで、図５に示
したような専用の受け渡しユニットを設ける必要をなく
すことができる。
【００３４】図７は上記した受け渡し台１３の概略構成
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【００３５】図７に示すように、受け渡し台１３は、上
側載置台２８と下側載置台２９とを有しており、上側載
置台２８にはウェハＷの裏面を支持する例えば３本の支
持ピン３０が設けられ、下側載置台２９にはウェハＷの
裏面を支持する例えば３本の支持ピン３１が設けられて
いる。従って、受け渡し台１３には、支持ピン３０、３
１により、合計２枚のウェハＷが上下に支持されるよう
になっている。
側載置台２８と下側載置台２９とを有しており、上側載
置台２８にはウェハＷの裏面を支持する例えば３本の支
持ピン３０が設けられ、下側載置台２９にはウェハＷの
裏面を支持する例えば３本の支持ピン３１が設けられて
いる。従って、受け渡し台１３には、支持ピン３０、３
１により、合計２枚のウェハＷが上下に支持されるよう
になっている。
【００３６】図８は上記した処理ユニット（ＢＣＴ）１
４、処理ユニット（ＣＴ）１７及び処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）１９の概略的構成を示す図である。
４、処理ユニット（ＣＴ）１７及び処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）１９の概略的構成を示す図である。
【００３７】図８に示すように、これらユニットのほぼ
中央部にはカップＣＰが配置され、カップＣＰ内にはウ
ェハＷを回転可能保持するスピンチャック４０が配置さ
れている。スピンチャック４０の上部には処理液をウェ
ハＷに対して供給するためのノズル４１が配置されてい
る。スピンチャック４０は、昇降自在とされ、カップＣ
Ｐより上昇した状態で搬送装置１５との間でウェハＷの
受け渡しを行いカップＣＰ内に収容された状態でノズル
４１よりウェハＷに対する処理液の供給が行われるよう
になっている。ノズル４１よりウェハＷに対して処理液
を供給する際には、スピンチャック４０が回転するよう
になっている。
中央部にはカップＣＰが配置され、カップＣＰ内にはウ
ェハＷを回転可能保持するスピンチャック４０が配置さ
れている。スピンチャック４０の上部には処理液をウェ
ハＷに対して供給するためのノズル４１が配置されてい
る。スピンチャック４０は、昇降自在とされ、カップＣ
Ｐより上昇した状態で搬送装置１５との間でウェハＷの
受け渡しを行いカップＣＰ内に収容された状態でノズル
４１よりウェハＷに対する処理液の供給が行われるよう
になっている。ノズル４１よりウェハＷに対して処理液
を供給する際には、スピンチャック４０が回転するよう
になっている。
【００３８】図９は上記した搬送装置１５の概略構成を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【００３９】図９に示すように、搬送装置１５は、上端
及び下端で相互に接続され対向する一体の壁部３２、３
２からなる筒状支持体３４の内側に、上下方向（Ｚ方
向）に昇降自在なウェハ搬送手段３５を備えている。筒
状支持体３４はモータ３６の回転軸に接続されており、
このモータ３６の回転駆動力で、前記回転軸を中心とし
てウェハ搬送手段３５と共に一体に回転する。従って、
ウェハ搬送手段３５はθ方向に回転自在となっている。
及び下端で相互に接続され対向する一体の壁部３２、３
２からなる筒状支持体３４の内側に、上下方向（Ｚ方
向）に昇降自在なウェハ搬送手段３５を備えている。筒
状支持体３４はモータ３６の回転軸に接続されており、
このモータ３６の回転駆動力で、前記回転軸を中心とし
てウェハ搬送手段３５と共に一体に回転する。従って、
ウェハ搬送手段３５はθ方向に回転自在となっている。
【００４０】ウェハ搬送手段３５の搬送基台３７上に
は、ウェハＷを保持する２本のピンセット３８、３９が
上下に備えられている。各ピンセット３８、３９は基本
的には同一の構成を有しており、筒状支持体３４の両壁
部３２、３２間の側面開口部を通過自在な形態及び大き
さを有している。また、ピンセット３８、３９は搬送基
台３７に内蔵されたモータ（図示を省略）により前後方
向の移動が自在となっている。
は、ウェハＷを保持する２本のピンセット３８、３９が
上下に備えられている。各ピンセット３８、３９は基本
的には同一の構成を有しており、筒状支持体３４の両壁
部３２、３２間の側面開口部を通過自在な形態及び大き
さを有している。また、ピンセット３８、３９は搬送基
台３７に内蔵されたモータ（図示を省略）により前後方
向の移動が自在となっている。
【００４１】次に、このように構成された塗布現像処理
システム１における処理工程を説明する。
システム１における処理工程を説明する。
【００４２】塗布現像処理システム１において、カセッ
トＣ内に収容された未処理のウェハＷはカセットステー
ション３の搬送装置７によって取り出された後、処理ス
テーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’内に搬送さ
れ、位置合わせが行われる。
トＣ内に収容された未処理のウェハＷはカセットステー
ション３の搬送装置７によって取り出された後、処理ス
テーション２ａの受け渡しユニット１２ｆ’内に搬送さ
れ、位置合わせが行われる。
【００４３】次に、ウェハＷは処理ステーション２ａの
搬送装置１５によって処理ステーション２ａの加熱・冷
却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送
され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜
１２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行
われる。
搬送装置１５によって処理ステーション２ａの加熱・冷
却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送
され、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜
１２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行
われる。
【００４４】次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステ
ーション２ａの搬送装置１５によって処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布
される。
ーション２ａの搬送装置１５によって処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布
される。
【００４５】次に、反射防止膜用の処理液が塗布された
ウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によっ
て処理ステーション２ａの加熱・冷却兼用処理ユニット
（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼
用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理
板２１上に載置され、加熱処理が行われる。なお、加熱
・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊに
は、低温タイプと高温タイプの２種類があり、まず低温
タイプのユニットで加熱処理し、その後高温タイプのユ
ニットで加熱処理を行っている。
ウェハＷは処理ステーション２ａの搬送装置１５によっ
て処理ステーション２ａの加熱・冷却兼用処理ユニット
（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼
用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理
板２１上に載置され、加熱処理が行われる。なお、加熱
・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊに
は、低温タイプと高温タイプの２種類があり、まず低温
タイプのユニットで加熱処理し、その後高温タイプのユ
ニットで加熱処理を行っている。
【００４６】次に、加熱処理されたウェハＷは処理ステ
ーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション
２ａの受け渡し台１３に搬送される。
ーション２ａの搬送装置１５によって処理ステーション
２ａの受け渡し台１３に搬送される。
【００４７】次に、処理ステーション２ａの受け渡し台
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬
送装置１５によって処理ステーション２ｂの加熱・冷却
兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送さ
れ、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１
２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行わ
れる。
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬
送装置１５によって処理ステーション２ｂの加熱・冷却
兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送さ
れ、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１
２ｊ内の冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行わ
れる。
【００４８】次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステ
ーション２ｂの搬送装置１５によって処理ユニット（Ｃ
Ｔ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
ーション２ｂの搬送装置１５によって処理ユニット（Ｃ
Ｔ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【００４９】次に、レジスト液が塗布されたウェハＷは
処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステ
ーション２ｂの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）
１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニ
ット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に
載置され、加熱処理が行われ、続けて冷却処理板２３上
に載置され、冷却処理が行われる。
処理ステーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステ
ーション２ｂの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）
１２ａ〜１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニ
ット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に
載置され、加熱処理が行われ、続けて冷却処理板２３上
に載置され、冷却処理が行われる。
【００５０】次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステ
ーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション
２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
ーション２ｂの搬送装置１５によって処理ステーション
２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
【００５１】次に、処理ステーション２ｂの受け渡し台
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬
送装置１５によって処理ステーション２ｃの受け渡し台
１３に搬送される。
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬
送装置１５によって処理ステーション２ｃの受け渡し台
１３に搬送される。
【００５２】次に、処理ステーション２ｃの受け渡し台
１３に載置されたウェハＷはインターフェイス部４の搬
送装置１０によって周辺露光装置１１に搬送され、周辺
露光が行われる。
１３に載置されたウェハＷはインターフェイス部４の搬
送装置１０によって周辺露光装置１１に搬送され、周辺
露光が行われる。
【００５３】次に、周辺露光が行われたウェハＷはイン
ターフェイス部４の搬送装置１０によって露光装置（図
示を省略）に受け渡される。
ターフェイス部４の搬送装置１０によって露光装置（図
示を省略）に受け渡される。
【００５４】次に、露光装置によって露光処理が行われ
たウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によ
って処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に搬送され
る。
たウェハＷはインターフェイス部４の搬送装置１０によ
って処理ステーション２ｃの受け渡し台１３に搬送され
る。
【００５５】次に、処理ステーション２ｃの受け渡し台
１３に載置されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬
送装置１５によって処理ステーション２ｃの加熱・冷却
兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送さ
れ、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１
２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行わ
れ、続けて冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行
われる。
１３に載置されたウェハＷは処理ステーション２ｃの搬
送装置１５によって処理ステーション２ｃの加熱・冷却
兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内に搬送さ
れ、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１
２ｊ内の加熱処理板２１上に載置され、加熱処理が行わ
れ、続けて冷却処理板２３上に載置され、冷却処理が行
われる。
【００５６】次に、冷却処理されたウェハＷは処理ステ
ーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション
２ｃの処理ユニット（ＤＥＶ）１９に搬送され、現像処
理が行われる。
ーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション
２ｃの処理ユニット（ＤＥＶ）１９に搬送され、現像処
理が行われる。
【００５７】次に、現像処理されたウェハＷは処理ステ
ーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション
２ｃの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜
１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（Ｃ
ＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置さ
れ、加熱処理が行われる。
ーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーション
２ｃの加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜
１２ｊ内に搬送され、加熱・冷却兼用処理ユニット（Ｃ
ＨＰ）１２ａ〜１２ｊ内の加熱処理板２１上に載置さ
れ、加熱処理が行われる。
【００５８】次に、加熱処理が行われたウェハＷは処理
ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーシ
ョン２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
ステーション２ｃの搬送装置１５によって処理ステーシ
ョン２ｂの受け渡し台１３に搬送される。
【００５９】次に、処理ステーション２ｂの受け渡し台
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬
送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡し台
１３に搬送される。
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ｂの搬
送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡し台
１３に搬送される。
【００６０】次に、処理ステーション２ａの受け渡し台
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬
送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡しユ
ニット１２ｆ’に搬送される。
１３に搬送されたウェハＷは処理ステーション２ａの搬
送装置１５によって処理ステーション２ａの受け渡しユ
ニット１２ｆ’に搬送される。
【００６１】次に、処理ステーション２ａの受け渡しユ
ニット１２ｆ’に搬送された処理済みのウェハＷはカセ
ットステーション３の搬送装置７によってカセットＣ内
に収容される。
ニット１２ｆ’に搬送された処理済みのウェハＷはカセ
ットステーション３の搬送装置７によってカセットＣ内
に収容される。
【００６２】ところで、このように構成された塗布現像
処理システム１においては、同一構成の複数の処理ステ
ーション２ａ、２ｂ、２ｃを連接可能であるので、シス
テムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことがで
きる。例えば、反射防止膜の形成が不要な場合には、図
１０に示すように、図１〜図３に示した塗布現像処理シ
ステム１から処理ステーション２ａだけを除き、処理ス
テーション２ｂとカセットステーション３とを連接すれ
ばよい。また、例えば２倍の処理能力が必要な場合に
は、図１１に示すように、処理ステーション２ａ、２
ｂ、２ｃをそれぞれ２台に増設し、例えばカセットステ
ーション３−処理ステーション２ａ−処理ステーション
２ａ−処理ステーション２ｂ−処理ステーション２ｂ−
処理ステーション２ｃ−処理ステーション２ｃ−インタ
ーフェイス部４の順番で連接すればよい。
処理システム１においては、同一構成の複数の処理ステ
ーション２ａ、２ｂ、２ｃを連接可能であるので、シス
テムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことがで
きる。例えば、反射防止膜の形成が不要な場合には、図
１０に示すように、図１〜図３に示した塗布現像処理シ
ステム１から処理ステーション２ａだけを除き、処理ス
テーション２ｂとカセットステーション３とを連接すれ
ばよい。また、例えば２倍の処理能力が必要な場合に
は、図１１に示すように、処理ステーション２ａ、２
ｂ、２ｃをそれぞれ２台に増設し、例えばカセットステ
ーション３−処理ステーション２ａ−処理ステーション
２ａ−処理ステーション２ｂ−処理ステーション２ｂ−
処理ステーション２ｃ−処理ステーション２ｃ−インタ
ーフェイス部４の順番で連接すればよい。
【００６３】また、本実施形態の塗布現像処理システム
１の各処理ステーションにおいては、垂直搬送型の搬送
装置１５を囲むように処理ユニット（ＢＣＴ）１４、
（ＣＴ）１７、（ＤＥＶ）１９、加熱・冷却兼用処理ユ
ニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ及び受け渡し台１３を
配置する一方で、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨ
Ｐ）１２ａ〜１２ｊを図中左側面後部に、受け渡し台１
３を図中右側面中央部にそれぞれ配置しているので、受
け渡し台１３の後部側に作業員が搬送装置１５にアクセ
スするための空間が確保され、搬送系のメンテナンスが
容易となる。
１の各処理ステーションにおいては、垂直搬送型の搬送
装置１５を囲むように処理ユニット（ＢＣＴ）１４、
（ＣＴ）１７、（ＤＥＶ）１９、加熱・冷却兼用処理ユ
ニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊ及び受け渡し台１３を
配置する一方で、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨ
Ｐ）１２ａ〜１２ｊを図中左側面後部に、受け渡し台１
３を図中右側面中央部にそれぞれ配置しているので、受
け渡し台１３の後部側に作業員が搬送装置１５にアクセ
スするための空間が確保され、搬送系のメンテナンスが
容易となる。
【００６４】更に、本実施形態の塗布現像処理システム
１では、処理液の種類が異なる３つの処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４と処理ユニット（ＣＴ）１７と処理ユニット
（ＤＥＶ）１９とをそれぞれ別個の処理ステーションに
区分けして配置しているので、雰囲気制御が容易であ
る。この場合、各処理ステーションには同一の処理ユニ
ットが隣接するように配置されるので、例えば隣接する
処理ユニット間で共通のノズルを用いることが可能であ
る。これにより高価なノズルの数を削減することが可能
となる。
１では、処理液の種類が異なる３つの処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４と処理ユニット（ＣＴ）１７と処理ユニット
（ＤＥＶ）１９とをそれぞれ別個の処理ステーションに
区分けして配置しているので、雰囲気制御が容易であ
る。この場合、各処理ステーションには同一の処理ユニ
ットが隣接するように配置されるので、例えば隣接する
処理ユニット間で共通のノズルを用いることが可能であ
る。これにより高価なノズルの数を削減することが可能
となる。
【００６５】また、本実施形態の塗布現像処理システム
１では、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ
〜１２ｊ内で、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理
板２３を有する冷却部が液処理系の処理ユニット１４、
１７、１９側に配置されているので、加熱・冷却兼用処
理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊから液処理系の処
理ユニット側への熱的な悪影響を抑えることができる。
また、冷却部から液処理系の処理ユニット１４、１７、
１９への搬送距離を短くできるので、熱的に良好な状態
（ウェハＷが所定の冷却温度に安定した状態）で液処理
を行うことができる。
１では、加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ
〜１２ｊ内で、ウェハＷを冷却処理するための冷却処理
板２３を有する冷却部が液処理系の処理ユニット１４、
１７、１９側に配置されているので、加熱・冷却兼用処
理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ〜１２ｊから液処理系の処
理ユニット側への熱的な悪影響を抑えることができる。
また、冷却部から液処理系の処理ユニット１４、１７、
１９への搬送距離を短くできるので、熱的に良好な状態
（ウェハＷが所定の冷却温度に安定した状態）で液処理
を行うことができる。
【００６６】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。
する。
【００６７】図１２はこの実施形態に係る塗布現像処理
システムの構成を示す平面図である。尚、最初に示した
実施形態における要素と同一の要素には同一の部号を付
している。
システムの構成を示す平面図である。尚、最初に示した
実施形態における要素と同一の要素には同一の部号を付
している。
【００６８】図１２に示すように、この塗布現像処理シ
ステム５１は、連接された処理ステーション５２ａ、５
２ｂ、５２ｃの構成が最初に示した実施形態におけるシ
ステムと異なる。そして、これら処理ステーション５２
ａ、５２ｂ、５２ｃは、これらの前面側の上部に配置さ
れた第２の処理ユニットとしての処理ユニット５３、５
４、５５の構成が最初に示した実施形態のものと異な
る。
ステム５１は、連接された処理ステーション５２ａ、５
２ｂ、５２ｃの構成が最初に示した実施形態におけるシ
ステムと異なる。そして、これら処理ステーション５２
ａ、５２ｂ、５２ｃは、これらの前面側の上部に配置さ
れた第２の処理ユニットとしての処理ユニット５３、５
４、５５の構成が最初に示した実施形態のものと異な
る。
【００６９】図１３はこれら処理ユニット５３、５４、
５５の概略構成を示す側面図である。
５５の概略構成を示す側面図である。
【００７０】図１３に示すように、各処理ユニット５
３、５４、５５の一方側（搬送装置１５側）には、ウェ
ハＷを冷却処理するための冷却処理板６１が配置されて
いる。そして、冷却処理板６１の表面からは、ウェハＷ
を支持するための例えば３本の支持ピン２４が出没自在
に配置されている。
３、５４、５５の一方側（搬送装置１５側）には、ウェ
ハＷを冷却処理するための冷却処理板６１が配置されて
いる。そして、冷却処理板６１の表面からは、ウェハＷ
を支持するための例えば３本の支持ピン２４が出没自在
に配置されている。
【００７１】各処理ユニット５３、５４、５５の他方側
には、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニ
ット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が２台
並列に配置されている。
には、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニ
ット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が２台
並列に配置されている。
【００７２】そして、冷却処理板６１と各処理ユニット
（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニ
ット（ＤＥＶ）１９との間には、これら冷却処理板６１
と各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（Ｃ
Ｔ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９の間でウェハＷ
の受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ方向に
回転自在で冷却処理板６１、各処理ユニット（ＢＣＴ）
１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）１９に対してアクセスすることができる搬送装置６
２が配置されている。
（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニ
ット（ＤＥＶ）１９との間には、これら冷却処理板６１
と各処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（Ｃ
Ｔ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９の間でウェハＷ
の受け渡しを行うための、ｚ方向に移動自在でθ方向に
回転自在で冷却処理板６１、各処理ユニット（ＢＣＴ）
１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）１９に対してアクセスすることができる搬送装置６
２が配置されている。
【００７３】従って、本実施形態においては、ウェハＷ
は搬送装置１５→冷却処理板６１→搬送装置６２→処理
ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）１７、
処理ユニット（ＤＥＶ）１９）を経て処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４における処理が行われ、処理されたウェハＷ
は処理ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）
１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９）→搬送装置６２→
冷却処理板６１→搬送装置１５を経て搬送装置１５に戻
されるようになっている。
は搬送装置１５→冷却処理板６１→搬送装置６２→処理
ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）１７、
処理ユニット（ＤＥＶ）１９）を経て処理ユニット（Ｂ
ＣＴ）１４における処理が行われ、処理されたウェハＷ
は処理ユニット（ＢＣＴ）１４（処理ユニット（ＣＴ）
１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９）→搬送装置６２→
冷却処理板６１→搬送装置１５を経て搬送装置１５に戻
されるようになっている。
【００７４】本実施形態においては、上述した実施形態
と同様の作用効果に加え、冷却処理板６１を各処理ユニ
ット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理
ユニット（ＤＥＶ）１９と同一の環境におくことができ
るので、雰囲気制御及び温度制御が容易である。
と同様の作用効果に加え、冷却処理板６１を各処理ユニ
ット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１７、処理
ユニット（ＤＥＶ）１９と同一の環境におくことができ
るので、雰囲気制御及び温度制御が容易である。
【００７５】次に、本発明の更に別の実施形態について
説明する。
説明する。
【００７６】図１４はこの実施形態に係る塗布現像処理
システムの構成を示す平面図、図１５はその正面図であ
る。尚、最初に示した実施形態における要素と同一の要
素には同一の部号を付している。
システムの構成を示す平面図、図１５はその正面図であ
る。尚、最初に示した実施形態における要素と同一の要
素には同一の部号を付している。
【００７７】図１４及び図１５に示すように、この塗布
現像処理システム７１は、連接された処理ステーション
７２ａ、７２ｂ、７２ｃの構成が最初に示した実施形態
におけるシステムと異なる。そして、これら処理ステー
ション７２ａ、７２ｂ、７２ｃでは、これらの前面側上
部に、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニ
ット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が例え
ば１列４段に配置され、処理ユニット群の外側には各処
理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１
７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対して処理液を供給
するための液供給部７３が配置されている。
現像処理システム７１は、連接された処理ステーション
７２ａ、７２ｂ、７２ｃの構成が最初に示した実施形態
におけるシステムと異なる。そして、これら処理ステー
ション７２ａ、７２ｂ、７２ｃでは、これらの前面側上
部に、それぞれ処理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニ
ット（ＣＴ）１７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９が例え
ば１列４段に配置され、処理ユニット群の外側には各処
理ユニット（ＢＣＴ）１４、処理ユニット（ＣＴ）１
７、処理ユニット（ＤＥＶ）１９に対して処理液を供給
するための液供給部７３が配置されている。
【００７８】ここで、液供給部７３は、外側に向けて開
閉可能な扉７４を有し、該扉７４の内側に処理液を貯留
するタンク７５が載置されている。また、各液供給部７
３には、タンク７５から処理液を汲み上げて各処理ユニ
ットに対して送り込むためのポンプ（図示を省略）が装
備されている。
閉可能な扉７４を有し、該扉７４の内側に処理液を貯留
するタンク７５が載置されている。また、各液供給部７
３には、タンク７５から処理液を汲み上げて各処理ユニ
ットに対して送り込むためのポンプ（図示を省略）が装
備されている。
【００７９】本実施形態においては、最初に示した実施
形態と同様の作用効果に加え、液供給部７３が処理ユニ
ットの外側に配置されているので、液供給部７３の容積
を大きくすることができ、例えば液供給部７３における
液の貯留量をより多くすることができる。
形態と同様の作用効果に加え、液供給部７３が処理ユニ
ットの外側に配置されているので、液供給部７３の容積
を大きくすることができ、例えば液供給部７３における
液の貯留量をより多くすることができる。
【００８０】次に、本発明のまた別の実施形態について
説明する。
説明する。
【００８１】図１６に示すように、この実施の形態に係
るシステムでは、各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃ
が処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃ内を集中排気する
ための排気部８１を有する。排気部８１は、搬送装置１
５を挟んだ第２の処理ユニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥ
Ｖ）１４，１７，１９と対向する側の下部に排気口８２
を有する。排気口８２には、排気ファン８３が接続され
ている。排気ファン８３により排気された気体は、各ブ
ロック８５に対応したフィルタ部８４を介して各ブロッ
ク８５の上部から清浄気体が供給されるようになってい
る。ここで、ブロック８５とは、例えば処理ステーショ
ン２ａについていうと、処理ステーション２ａ、処理装
置１５、処理ユニット１４がそれぞれブロックを構成し
ている。
るシステムでは、各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃ
が処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃ内を集中排気する
ための排気部８１を有する。排気部８１は、搬送装置１
５を挟んだ第２の処理ユニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥ
Ｖ）１４，１７，１９と対向する側の下部に排気口８２
を有する。排気口８２には、排気ファン８３が接続され
ている。排気ファン８３により排気された気体は、各ブ
ロック８５に対応したフィルタ部８４を介して各ブロッ
ク８５の上部から清浄気体が供給されるようになってい
る。ここで、ブロック８５とは、例えば処理ステーショ
ン２ａについていうと、処理ステーション２ａ、処理装
置１５、処理ユニット１４がそれぞれブロックを構成し
ている。
【００８２】このように各処理ステーション２ａ，２
ｂ，２ｃにおいて、搬送装置１５を挟んだ第２の処理ユ
ニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥＶ）１４，１７，１９と対
向する側の下部に設けられた排気口８２を介してて集中
排気することにより、各ブロック間の排気、特に液処理
系のユニットと熱処理系のユニットの排気が相互に混合
することはなくなり、相互間の熱的干渉や雰囲気的干渉
（例えば薬液の雰囲気が他のユニットに流れ出ること）
がなくなる。
ｂ，２ｃにおいて、搬送装置１５を挟んだ第２の処理ユ
ニット（ＢＣＴ，ＣＴ，ＤＥＶ）１４，１７，１９と対
向する側の下部に設けられた排気口８２を介してて集中
排気することにより、各ブロック間の排気、特に液処理
系のユニットと熱処理系のユニットの排気が相互に混合
することはなくなり、相互間の熱的干渉や雰囲気的干渉
（例えば薬液の雰囲気が他のユニットに流れ出ること）
がなくなる。
【００８３】次に本発明のまた更に別の実施形態につい
て説明する。
て説明する。
【００８４】このシステムでは、図１７に示すように、
各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃにおける各加熱・
冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’が
その一方側（システムの後部側）にウェハＷを加熱処理
するための加熱処理板２１を有し、その他方側（システ
ムの前部側）にウェハＷを冷却処理するための冷却処理
板２３を有するが、搬送装置を持たない点が上述した実
施形態と異なる。また、搬送装置１５の下部には、各加
熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２
ｊ’の側面に沿って搬送装置１５を移動させる移動機構
９１を有する。そして、搬送装置１５が各加熱・冷却兼
用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’における
加熱処理板２１と冷却処理板２３の両方にアクセスでき
るようになっている。本実施形態では、このような構成
により加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’
〜１２ｊ’を小型化でき、システム全体を小型化するこ
とが可能である。上述した各加熱・冷却兼用処理ユニッ
ト（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’において、加熱処理板
２１と冷却処理板２３との配置を逆にしてもよい。すな
わち、冷却処理板２３を第２の処理ユニット１４，１
７，１９側に配置してもよい。これにより、加熱処理板
２１が第２の処理ユニット１４，１７，１９に対して与
える熱的悪影響を低減することができる。
各処理ステーション２ａ，２ｂ，２ｃにおける各加熱・
冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’が
その一方側（システムの後部側）にウェハＷを加熱処理
するための加熱処理板２１を有し、その他方側（システ
ムの前部側）にウェハＷを冷却処理するための冷却処理
板２３を有するが、搬送装置を持たない点が上述した実
施形態と異なる。また、搬送装置１５の下部には、各加
熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２
ｊ’の側面に沿って搬送装置１５を移動させる移動機構
９１を有する。そして、搬送装置１５が各加熱・冷却兼
用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’における
加熱処理板２１と冷却処理板２３の両方にアクセスでき
るようになっている。本実施形態では、このような構成
により加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨＰ）１２ａ’
〜１２ｊ’を小型化でき、システム全体を小型化するこ
とが可能である。上述した各加熱・冷却兼用処理ユニッ
ト（ＣＨＰ）１２ａ’〜１２ｊ’において、加熱処理板
２１と冷却処理板２３との配置を逆にしてもよい。すな
わち、冷却処理板２３を第２の処理ユニット１４，１
７，１９側に配置してもよい。これにより、加熱処理板
２１が第２の処理ユニット１４，１７，１９に対して与
える熱的悪影響を低減することができる。
【００８５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理シス
テムによれば、側面が相互に隣接するように連接された
複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステ
ーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接す
るように配置され、該処理ステーションとの間で基板を
搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ス
テーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置
され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを
含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された処理
ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置
され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基
板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理
ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に
少なくとも所定の液を供給する第２の処理ユニットと、
当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１
及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及
び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との
間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システ
ムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことがで
き、更に搬送系のメンテナンスが容易である。
テムによれば、側面が相互に隣接するように連接された
複数の処理ステーションと、これら連接された処理ステ
ーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接す
るように配置され、該処理ステーションとの間で基板を
搬出入するための基板搬入出部とを備え、前記各処理ス
テーションが、当該処理ステーションの一側面側に配置
され、基板に少なくとも熱的処理を施す処理ユニットを
含む複数の第１の処理ユニットが多段に配置された処理
ユニット群と、当該処理ステーションの他側面側に配置
され、少なくとも隣接する処理ステーションとの間で基
板の受け渡しを行うための基板受け渡し台と、当該処理
ステーションの前面側または背面側に配置され、基板に
少なくとも所定の液を供給する第２の処理ユニットと、
当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１
及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及
び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との
間で基板を搬送する搬送装置とを具備するので、システ
ムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことがで
き、更に搬送系のメンテナンスが容易である。
【００８６】また、本発明の処理システムによれば、側
面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステー
ションと、これら連接された処理ステーションのうち両
端の処理ステーションの側面に隣接するように配置さ
れ、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するため
の基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、
当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少
なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１
の処理ユニットが多段に配置された処理ユニット群と、
当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくと
も隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを
行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの
前面側または背面側に配置され、基板を冷却処理を施す
冷却処理部と、基板に少なくとも所定の液を供給する処
理ユニットと、当該処理ユニットと前記冷却処理部との
間で基板の搬送を行うユニット内搬送装置とを備えた第
２の処理ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央
に配置され、前記第１の処理ユニット、前記第２の処理
ユニットの冷却処理部、当該処理ステーションの前記基
板受け渡し台及び隣接する処理ステーションの前記基板
受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備す
るので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に
行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易であ
り、加えて冷却処理部と処理ユニットとを同一の環境に
おくことができ、これにより例えば処理ユニットによっ
て安定した処理を行うことができる。
面が相互に隣接するように連接された複数の処理ステー
ションと、これら連接された処理ステーションのうち両
端の処理ステーションの側面に隣接するように配置さ
れ、該処理ステーションとの間で基板を搬出入するため
の基板搬入出部とを備え、前記各処理ステーションが、
当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少
なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１
の処理ユニットが多段に配置された処理ユニット群と、
当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくと
も隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを
行うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの
前面側または背面側に配置され、基板を冷却処理を施す
冷却処理部と、基板に少なくとも所定の液を供給する処
理ユニットと、当該処理ユニットと前記冷却処理部との
間で基板の搬送を行うユニット内搬送装置とを備えた第
２の処理ユニットと、当該処理ステーションのほぼ中央
に配置され、前記第１の処理ユニット、前記第２の処理
ユニットの冷却処理部、当該処理ステーションの前記基
板受け渡し台及び隣接する処理ステーションの前記基板
受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装置とを具備す
るので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に
行うことができ、更に搬送系のメンテナンスが容易であ
り、加えて冷却処理部と処理ユニットとを同一の環境に
おくことができ、これにより例えば処理ユニットによっ
て安定した処理を行うことができる。
【００８７】本発明の処理システムによれば、側面が相
互に隣接するように連接された複数の処理ステーション
と、これら連接された処理ステーションのうち両端の処
理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処
理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬
入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理
ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも
熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユ
ニットが多段に配置された第１の処理ユニット群と、当
該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも
隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行
うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前
面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の
液を供給する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニ
ットが多段に配置された第２の処理ユニット群と、前記
第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユ
ニット群における処理ユニットに対して前記所定の液を
供給するための液供給部と、当該処理ステーションのほ
ぼ中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並
びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーショ
ンの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装
置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに
且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナン
スが容易であり、加えて液供給部の容積を大きくするこ
とができ、例えば液供給部における液の貯留量をより多
くすることができる。
互に隣接するように連接された複数の処理ステーション
と、これら連接された処理ステーションのうち両端の処
理ステーションの側面に隣接するように配置され、該処
理ステーションとの間で基板を搬出入するための基板搬
入出部とを備え、前記各処理ステーションが、当該処理
ステーションの一側面側に配置され、基板に少なくとも
熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１の処理ユ
ニットが多段に配置された第１の処理ユニット群と、当
該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくとも
隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを行
うための基板受け渡し台と、当該処理ステーションの前
面側または背面側に配置され、基板に少なくとも所定の
液を供給する処理ユニットを含む複数の第２の処理ユニ
ットが多段に配置された第２の処理ユニット群と、前記
第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処理ユ
ニット群における処理ユニットに対して前記所定の液を
供給するための液供給部と、当該処理ステーションのほ
ぼ中央に配置され、前記第１及び第２の処理ユニット並
びに当該処理ステーション及び隣接する処理ステーショ
ンの前記基板受け渡し台との間で基板を搬送する搬送装
置とを具備するので、システムの増減をダイナミックに
且つ効率的に行うことができ、更に搬送系のメンテナン
スが容易であり、加えて液供給部の容積を大きくするこ
とができ、例えば液供給部における液の貯留量をより多
くすることができる。
【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
理システムの構成を示す平面図である。
【図２】 図１に示した塗布現像処理システムの構成を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図３】 図１に示した塗布現像処理システムの構成示
す背面図である。
す背面図である。
【図４】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シス
テムにおける加熱・冷却兼用処理ユニットの構成を示す
概略側面図である。
テムにおける加熱・冷却兼用処理ユニットの構成を示す
概略側面図である。
【図５】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シス
テムにおける受け渡しユニットの構成を示す概略側面図
である。
テムにおける受け渡しユニットの構成を示す概略側面図
である。
【図６】 受け渡しユニットの他の構成を示す概略側面
図である。
図である。
【図７】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シス
テムにおける受け渡し台の概略構成を示す側面図であ
る。
テムにおける受け渡し台の概略構成を示す側面図であ
る。
【図８】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シス
テムにおける処理ユニットの概略的構成を示す図。
テムにおける処理ユニットの概略的構成を示す図。
【図９】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シス
テムにおける搬送装置の概略構成を示す斜視図である。
テムにおける搬送装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シ
ステムの作用効果を説明するための図（その１）であ
る。
ステムの作用効果を説明するための図（その１）であ
る。
【図１１】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理シ
ステムの作用効果を説明するための図（その２）であ
る。
ステムの作用効果を説明するための図（その２）であ
る。
【図１２】 本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理
システムの構成を示す平面図である。
システムの構成を示す平面図である。
【図１３】 本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理
システムにおける処理ユニットの概略構成を示す側面図
である。
システムにおける処理ユニットの概略構成を示す側面図
である。
【図１４】 本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像
処理システムの構成を示す平面図である。
処理システムの構成を示す平面図である。
【図１５】 図１４に示した塗布現像処理システムの構
成を示す正面図である。
成を示す正面図である。
【図１６】 本発明のまた別の実施形態に係る塗布現像
処理システムの構成を示す一部平面図である。
処理システムの構成を示す一部平面図である。
【図１７】 本発明のさらにまた別の実施形態に係る塗
布現像処理システムの構成を示す一部平面図である。
布現像処理システムの構成を示す一部平面図である。
１ 塗布現像処理システム ２ａ〜２ｃ 処理ステーション ３ カセットステーション ４ インターフェイス部 １２ 処理ユニット群 １２ａ〜１２ｊ 加熱・冷却兼用処理ユニット（ＣＨ
Ｐ） １３ 受け渡し台 １４、１７、１９ 処理ユニット １５ 搬送装置
Ｐ） １３ 受け渡し台 １４、１７、１９ 処理ユニット １５ 搬送装置
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA01 FA01 FA07 FA11 FA12 FA15 GA16 GA47 GA48 GA49 HA33 HA37 HA38 HA58 HA59 MA02 MA03 MA06 MA13 MA24 MA26 MA27 NA02 PA05 PA06 5F046 CD01 CD05 CD06 JA22 KA04 KA07 KA10 LA18
Claims (21)
- 【請求項１】 側面が相互に隣接するように連接された
複数の処理ステーションと、 これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ス
テーションの側面に隣接するように配置され、該処理ス
テーションとの間で基板を搬入出するための基板搬入出
部とを備え、 前記各処理ステーションが、 当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少
なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１
の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット
群と、 当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくと
も隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを
行うための基板受け渡し台と、 当該処理ステーションの前面側及び背面側のうち一方側
に配置され、基板に少なくとも所定の液を供給する第２
の処理ユニットと、 当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１
及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及
び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との
間で基板を搬送する搬送装置とを具備することを特徴と
する処理システム。 - 【請求項２】 請求項１に記載の処理システムにおい
て、 前記基板搬入出部と隣接する前記第１の処理ユニット群
は、当該基板搬入出部との間で基板の受け渡しを行うた
めの基板受け渡し台を具備することを特徴とする処理シ
ステム。 - 【請求項３】 請求項１に記載の処理システムにおい
て、 基板に少なくとも熱的処理を施す前記の処理ユニット
は、 前記搬送装置と対面するように配置され、基板に冷却処
理を施す冷却処理部と、 基板に対して加熱処理を施す加熱処理部と、 前記冷却処理部と前記加熱処理部との間で基板を搬送す
るユニット内搬送装置とを具備することを特徴とする処
理システム。 - 【請求項４】 請求項３に記載の処理システムにおい
て、 前記冷却処理部は、前記第２の処理ユニット側に配置さ
れ、 前記加熱処理部と前記第２の処理ユニットとの間には、
前記冷却処理部及び前記ユニット内搬送装置が介在する
ことを特徴とする処理システム。 - 【請求項５】 請求項１に記載の処理システムにおい
て、 基板に少なくとも熱的処理を施す前記の処理ユニット
は、 前記第２の処理ユニット側に配置され、基板に冷却処理
を施す冷却処理部と、 前記第２の処理ユニットとの間で前記冷却処理部が介在
するように配置され、基板に対して加熱処理を施す加熱
処理部とを備え、 前記搬送装置が前記第２の処理ユニット、前記冷却処理
部及び前記加熱処理部をアクセスできるように、前記搬
送装置を移動させる手段を更に具備することを特徴とす
る処理システム。 - 【請求項６】 請求項１に記載の処理システムにおい
て、 前記処理ステーションにおける、前記搬送装置を挟んだ
前記第２の処理ユニットと対向する側の下部に設けられ
た排気口を介して、前記処理ステーション内を排気する
排気部を有することを特徴とする処理システム。 - 【請求項７】 請求項１に記載の処理システムにおい
て、 前記第２の処理ユニットは、前記搬送装置に対して並列
に複数有することを特徴とする処理システム。 - 【請求項８】 請求項７に記載の処理システムにおい
て、 前記各処理ステーションには、同一の処理を行う前記第
２の処理ユニットが配置されていることを特徴とする処
理システム。 - 【請求項９】 請求項１に記載の処理システムにおい
て、 前記各第２の処理ユニットは、各処理ステーションの前
面側及び背面側のうち一方側の上部に配置され、 前記各第２の処理ユニットの下部に配置され、少なくと
も当該処理ユニットに対して前記所定の液を供給するた
めの液供給部を有することを特徴とする処理システム。 - 【請求項１０】 側面が相互に隣接するように連接され
た複数の処理ステーションと、 これら連接された処理ステーションのうち両端の処理ス
テーションの側面に隣接するように配置され、該処理ス
テーションとの間で基板を搬入出するための基板搬入出
部とを備え、 前記各処理ステーションが、 当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少
なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１
の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット
群と、 当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくと
も隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを
行うための基板受け渡し台と、 当該処理ステーションの前面側及び背面側のうち一方側
に配置され、基板に冷却処理を施す冷却処理部と、基板
に少なくとも所定の液を供給する処理ユニットと、当該
処理ユニットと前記冷却処理部との間で基板の搬送を行
うユニット内搬送装置とを備えた第２の処理ユニット
と、 当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１
の処理ユニット、前記第２の処理ユニットの冷却処理
部、当該処理ステーションの前記基板受け渡し台及び隣
接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との間で
基板を搬送する搬送装置とを具備することを特徴とする
処理システム。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の処理システムにお
いて、 前記第２の処理ユニットは、基板に少なくとも所定の液
を供給する前記の処理ユニットを前記ユニット内搬送装
置に対して並列に複数有することを特徴とする処理シス
テム。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の処理システムにお
いて、 前記各第２の処理システムには、同一の処理を行う前記
の処理ユニットが配置されていることを特徴とする処理
システム。 - 【請求項１３】 請求項１０に記載の処理システムにお
いて、 前記基板搬入出部と隣接する前記処理ユニット群は、当
該基板搬入出部との間で基板の受け渡しを行うための基
板受け渡し台を具備することを特徴とする処理システ
ム。 - 【請求項１４】 請求項１０に記載の処理システムにお
いて、 基板に少なくとも熱的処理を施す前記の処理ユニット
は、 前記搬送装置と対面するように配置され、基板に冷却処
理を施す冷却処理部と、 基板に対して加熱処理を施す加熱処理部と、 前記冷却処理部と前記加熱処理部との間で基板を搬送す
るユニット内搬送装置とを具備することを特徴とする処
理システム。 - 【請求項１５】 請求項１０に記載の処理システムにお
いて、 前記各第２の処理ユニットは、各処理ステーションの前
面側及び背面側のうち一方側の上部に配置され、 前記各処理ユニットの下部には、少なくとも該処理ユニ
ットに対して前記所定の液を供給するための液供給部が
配置されていることを特徴とする処理システム。 - 【請求項１６】 側面が相互に隣接するように連接され
た複数の処理ステーションと、これら連接された処理ス
テーションのうち両端の処理ステーションの側面に隣接
するように配置され、該処理ステーションとの間で基板
を搬出入するための基板搬入出部とを備え、 前記各処理ステーションが、 当該処理ステーションの一側面側に配置され、基板に少
なくとも熱的処理を施す処理ユニットを含む複数の第１
の処理ユニットが多段に配置された第１の処理ユニット
群と、 当該処理ステーションの他側面側に配置され、少なくと
も隣接する処理ステーションとの間で基板の受け渡しを
行うための基板受け渡し台と、 当該処理ステーションの前面側または背面側に配置さ
れ、基板に少なくとも所定の液を供給する処理ユニット
を含む複数の第２の処理ユニットが多段に配置された第
２の処理ユニット群と、 前記第２の処理ユニット群の外側に配置され、第２の処
理ユニット群における処理ユニットに対して前記所定の
液を供給するための液供給部と、 当該処理ステーションのほぼ中央に配置され、前記第１
及び第２の処理ユニット並びに当該処理ステーション及
び隣接する処理ステーションの前記基板受け渡し台との
間で基板を搬送する搬送装置とを具備することを特徴と
する処理システム。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の処理システムにお
いて、 前記基板搬入出部と隣接する前記第１の処理ユニット群
は、当該基板搬入出部との間で基板の受け渡しを行うた
めの基板受け渡し台を具備することを特徴とする処理シ
ステム。 - 【請求項１８】 請求項１６に記載の処理システムにお
いて、 基板に少なくとも熱的処理を施す前記の処理ユニット
は、 前記搬送装置と対面するように配置され、基板に冷却処
理を施す冷却処理部と、 基板に対して加熱処理を施す加熱処理部と、 前記冷却処理部と前記加熱処理部との間で基板を搬送す
るユニット内搬送装置とを具備することを特徴とする処
理システム。 - 【請求項１９】 請求項１６に記載の処理システムにお
いて、 前記第２の処理ユニットは、前記搬送装置に対して多段
かつ並列に複数有することを特徴とする処理システム。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の処理システムにお
いて、前記各処理ステーションには、同一の処理を行う
前記第２の処理ユニットが配置されていることを特徴と
する処理システム。 - 【請求項２１】 請求項１６に記載の処理システムにお
いて、 前記液供給部は、当該処理システムの外側に向けて開閉
可能な扉を有し、該扉の内側に少なくとも前記所定の液
を貯留する容器が載置されていることを特徴とする処理
システム。
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
| US5117514A (en) * | 1991-05-06 | 1992-06-02 | Richter Robert A | Improved toilet-tank flapper valve |
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| JPH0936195A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| TW353777B (en) * | 1996-11-08 | 1999-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Treatment device |
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| KR0185149B1 (ko) * | 1997-03-31 | 1999-03-20 | 배순훈 | 쥬서,믹서,분쇄기의 모터 회전속도 조절방법 및장치 |
| JP3926890B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2007-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JPH11145055A (ja) * | 1997-08-15 | 1999-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP3442669B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2003-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7497912B2 (en) | 2003-09-22 | 2009-03-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
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