CN110364457A - 衬底处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明的衬底处理装置具备：第1液处理室，对衬底进行液处理；第2液处理室，配置于第1液处理室的下方，对衬底进行液处理；第1供给通道，向第1液处理室供给气体；及第2供给通道，向第2液处理室供给气体。第1供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部。第2供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部。第1铅直部及第2铅直部均延伸至比第2液处理室低的位置。

Description

衬底处理装置

技术领域

本发明涉及一种处理衬底的衬底处理装置。衬底例如为半导体晶圆、光罩用玻璃衬底、液晶显示器用衬底、有机EL(Electroluminescence，电致发光)用衬底、FPD(FlatPanel Display，平板显示器)用衬底、等离子体显示器用衬底、光显示器用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、太阳电池用衬底等。

背景技术

以往，在日本专利特开平11-3851号公报中，衬底处理装置例如具备抗蚀液涂布装置与显影处理装置。抗蚀液涂布装置配置于显影处理装置的下方。

衬底处理装置还具备第1子腔室、第2子腔室、壁管。第1子腔室向抗蚀液涂布装置供给气体。第1子腔室配置于抗蚀液涂布装置的上部。第2子腔室向显影处理装置供给气体。第2子腔室配置于显影处理装置的上部。壁管向第1子腔室与第2子腔室供给气体。壁管配置于抗蚀液涂布装置及显影处理装置的侧方。壁管沿着铅直方向延伸。壁管在与抗蚀液涂布装置大致相同的高度位置，与第1子腔室连接。壁管在与显影处理装置大致相同的高度位置，与第2子腔室连接。

1根壁管将用来向抗蚀液涂布装置供给的气体运送至与抗蚀液涂布装置大致相同的高度位置，且将用来向显影处理装置供给的气体运送至与显影处理装置大致相同的高度位置。因此，第1子腔室的流路及第2子腔室的流路较短。

发明内容

[发明要解决的问题]

然而，在具有此种构成的以往例子的情况下，存在如下问题。

也就是说，相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量与相对于显影处理装置的气体供给量会相互造成影响。

选取使用者调整相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量的情况为例，对气体供给量相互造成影响的问题具体进行说明。

使用者有意图地变更相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量。例如，使用者操作设置于第1子腔室的第1挡板。这时，尽管使用者并未操作设置于第2子腔室的第2挡板，但相对于显影处理装置的气体供给量依然会发生变动。像这样，相对于显影处理装置的气体供给量会因为相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量的变化而发生变动。

因此，使用者操作第2挡板，有意图地调整相对于显影处理装置的气体供给量。这时，尽管第1挡板并未受到操作，但相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量依然会发生变动。像这样，相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量会因为相对于显影处理装置的气体供给量的变化而发生变动。

结果，使用者不得不再次调整相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量。

如上所述，相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量与相对于显影处理装置的气体供给量会相互造成影响。因此，难以将相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量、及相对于显影处理装置的气体供给量调整成恰当的供给量。

气体供给量相互造成影响的问题并不限于使用者调整气体供给量的情况。例如，在相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量因为第1子腔室的异常而发生了变化时，相对于显影处理装置的气体供给量也会因为相对于抗蚀液涂布装置的气体供给量的变化而发生变动。

气体供给量相互造成影响的问题并不限于抗蚀液涂布装置与显影处理装置。假设在衬底处理装置具备向多个搬送室供给气体的构成的情况下，推测相对于各搬送室的气体供给量会相互造成影响。

进而，关于气体排出量，推测也会产生类似的问题。假设在衬底处理装置具备将多个液处理室的气体排出的构成的情况下，推测来自于各液处理室的气体排出量会相互造成影响。假设在衬底处理装置具备将多个搬送室的气体排出的构成的情况下，推测来自于各搬送室的气体排出量会相互造成影响。假设在衬底处理装置具备将多个热处理室的气体排出的构成的情况下，推测来自于各热处理室的气体排出量会相互造成影响。

本发明是鉴于如上情况而完成的。

本发明的第1目的在于：提供一种能较好地抑制相对于各液处理室的气体供给量相互造成影响的衬底处理装置。本发明的第2目的在于：提供一种能较好地抑制相对于各搬送室的气体供给量相互造成影响的衬底处理装置。本发明的第3目的在于：提供一种能较好地抑制来自于各液处理室的气体排出量相互造成影响的衬底处理装置。本发明的第4目的在于：提供一种能较好地抑制来自于各搬送室的气体排出量相互造成影响的衬底处理装置。本发明的第5目的在于：提供一种能较好地抑制来自于各热处理室的气体排出量相互造成影响的衬底处理装置。

[解决问题的技术手段]

本发明为了达成第1目的，而采用如下构成。

也就是说，本发明是一种衬底处理装置，具备：第1液处理室，对衬底进行液处理；第2液处理室，配置于所述第1液处理室的下方，对衬底进行液处理；第1供给通道，向所述第1液处理室供给气体；及第2供给通道，向所述第2液处理室供给气体；且所述第1供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，所述第2供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的至少任一位置。

尽管第2液处理室配置于第1液处理室的下方，但第1供给通道具有第1铅直部，且第2供给通道具有第2铅直部。第1铅直部及第2铅直部均延伸至比第1液处理室高的位置、及比第2液处理室低的位置中的至少任一位置。因此，第1铅直部及第2铅直部分别相对较长。也就是说，第1供给通道及第2供给通道分别相对较长。由此，能较好地抑制第1供给通道向第1液处理室供给的气体供给量与第2供给通道向第2液处理室供给的气体供给量相互造成影响。从而，能较好地抑制相对于第1液处理室的气体供给量与相对于第2液处理室的气体供给量相互造成影响。

如上所述，根据衬底处理装置，能较好地抑制相对于各液处理室的气体供给量相互造成影响。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。假设在第1铅直部比第2铅直部长的情况下，第1铅直部具有比第2铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第1铅直部的压力损失相比于第2铅直部的压力损失变得过大。假设在第2铅直部比第1铅直部长的情况下，第2铅直部具有比第1铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第2铅直部的压力损失相比于第1铅直部的压力损失变得过大。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备：第1调整部，设置于所述第1供给通道，调整在所述第1供给通道中流通的气体的流量；及第2调整部，设置于所述第2供给通道，调整在所述第2供给通道中流通的气体的流量；且所述第1调整部配置得比所述第1铅直部更靠下游，所述第2调整部配置得比所述第2铅直部更靠下游。第1调整部配置得比第1铅直部更靠下游。因此，位于比第1调整部更靠上游的第1供给通道的部分包含第1铅直部。由此，位于比第1调整部更靠上游的第1供给通道的部分相对较长。第2调整部配置得比第2铅直部更靠下游。因此，位于比第2调整部更靠上游的第2供给通道的部分包含第2铅直部。由此，位于比第2调整部更靠上游的第2供给通道的部分相对较长。从而，能更好地抑制相对于第1液处理室的气体供给量与相对于第2液处理室的气体供给量相互造成影响。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备分配管，该分配管连接于所述第1供给通道及所述第2供给通道，向所述第1供给通道及所述第2供给通道供给气体；且所述分配管与所述第1供给通道的连接位置、及所述分配管与所述第2供给通道的连接位置均配置于比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的任一位置。据此，尽管第1供给通道具有第1铅直部，第1供给通道也能较好地与分配管连接。同样地，尽管第2供给通道具有第2铅直部，第2供给通道也能较好地与分配管连接。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，所述第1供给通道具有上游端部，所述第2供给通道具有上游端部，所述分配管具有与所述第1供给通道的所述上游端部及所述第2供给通道的所述上游端部连接的连接部，且所述连接部的延伸方向与所述第1供给通道的所述上游端部的延伸方向大致相同，所述连接部的延伸方向与所述第2供给通道的所述上游端部的延伸方向大致相同。连接部的延伸方向与第1供给通道的上游端部的延伸方向大致相同。由此，气体顺利地从分配管的连接部向第1供给通道的上游端部流通。也就是说，分配管能顺利地向第1供给通道供给气体。连接部的延伸方向与第2供给通道的上游端部的延伸方向大致相同。由此，气体顺利地从分配管的连接部向第2供给通道的上游端部流通。也就是说，分配管能顺利地向第2供给通道供给气体。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备：第1搬送室，配置于所述第1液处理室的侧方，将衬底搬送至所述第1液处理室；第2搬送室，配置于所述第1搬送室的下方且所述第2液处理室的侧方，将衬底搬送至所述第2液处理室；供给通道，向所述第1搬送室供给气体；及供给通道，向所述第2搬送室供给气体；且所述分配管连接于所述第1搬送室用的所述供给通道及所述第2搬送室用的所述供给通道，向所述第1搬送室用的所述供给通道及所述第2搬送室用的所述供给通道供给气体。通过1根分配管，能较好地向第1供给通道、第2供给通道、第1搬送室用供给通道、及第2搬送室用供给通道供给气体。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备：箱体，沿着大致铅直方向延伸；及间隔部件，配置于所述箱体内；且所述第1铅直部及所述第2铅直部形成于所述箱体内，所述间隔部件将所述第1铅直部与所述第2铅直部隔开。据此，能使第1铅直部及第2铅直部的构造简化。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，所述箱体具备：前壁，与所述第1液处理室及所述第2液处理室面对面，且沿着大致铅直方向延伸；及侧壁，连接于所述前壁，相对于所述前壁大致垂直；且所述前壁的宽度比所述侧壁的宽度长。据此，能较好地使箱体的厚度较薄。由此，既能抑制衬底处理装置的大型化，又容易确保箱体的设置空间。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备：第3供给通道，向所述第1液处理室供给气体；及第4供给通道，向所述第2液处理室供给气体；且所述第3供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第3铅直部，所述第4供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第4铅直部，所述第3铅直部及所述第4铅直部均延伸至比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的至少任一位置。尽管第2液处理室配置于第1液处理室的下方，但第3供给通道具有第3铅直部，且第4供给通道具有第4铅直部。第3铅直部及第4铅直部均延伸至比第1液处理室高的位置、及比第2液处理室低的位置中的至少任一位置。因此，第3铅直部及第4铅直部分别相对较长。也就是说，第3供给通道及第4供给通道分别相对较长。由此，能较好地抑制第1供给通道向第1液处理室供给的气体供给量、第2供给通道向第2液处理室供给的气体供给量、第3供给通道向第1液处理室供给的气体供给量、第4供给通道向第2液处理室供给的气体供给量相互造成影响。从而，能更好地抑制相对于第1液处理室的气体供给量与相对于第2液处理室的气体供给量相互造成影响。进而，通过第1供给通道与第3供给通道，能以较好的效率向第1液处理室供给气体。通过第2供给通道与第4供给通道，能以较好的效率向第2液处理室供给气体。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备：第1吹出单元，设置于所述第1液处理室，向所述第1液处理室吹出气体；及第2吹出单元，设置于所述第2液处理室，向所述第2液处理室吹出气体；且所述第1供给通道及所述第3供给通道均与所述第1吹出单元连接，通过所述第1吹出单元向所述第1液处理室供给气体，所述第2供给通道及所述第4供给通道均与所述第2吹出单元连接，通过所述第2吹出单元向所述第2液处理室供给气体。第1供给通道及第3供给通道均是通过第1吹出单元向第1液处理室供给气体。由此，第1供给通道与第3供给通道能以相同的方式向第1液处理室供给气体。同样地，第2供给通道及第4供给通道均是通过第2吹出单元向第2液处理室供给气体。由此，第2供给通道与第4供给通道能以相同的方式向第2液处理室供给气体。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备气体控制装置，该气体控制装置调整气体的温度及湿度，将温度及湿度经调整后的气体输送至所述第1供给通道及所述第2供给通道。能向第1液处理室及第2液处理室供给温度及湿度经调整后的气体。

本发明为了达成第2目的，而采用如下构成。

也就是说，本发明是一种衬底处理装置，具备：第1搬送室，搬送衬底；第2搬送室，配置于所述第1搬送室的下方，搬送衬底；第1供给通道，向所述第1搬送室供给气体；及第2供给通道，向所述第2搬送室供给气体；且所述第1供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，所述第2供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1搬送室高的位置、及比所述第2搬送室低的位置中的至少任一位置。

尽管第2搬送室配置于第1搬送室的下方，但第1供给通道具有第1铅直部，且第2供给通道具有第2铅直部。第1铅直部及第2铅直部均延伸至比第1搬送室高的位置、及比第2搬送室低的位置中的至少任一位置。因此，第1铅直部及第2铅直部分别相对较长。也就是说，第1供给通道及第2供给通道分别相对较长。由此，能较好地抑制第1供给通道向第1搬送室供给的气体供给量与第2供给通道向第2搬送室供给的气体供给量相互造成影响。从而，能较好地抑制相对于第1搬送室的气体供给量与相对于第2搬送室的气体供给量相互造成影响。

如上所述，根据衬底处理装置，能较好地抑制相对于各搬送室的气体供给量相互造成影响。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。假设在第1铅直部比第2铅直部长的情况下，第1铅直部具有比第2铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第1铅直部的压力损失相比于第2铅直部的压力损失变得过大。假设在第2铅直部比第1铅直部长的情况下，第2铅直部具有比第1铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第2铅直部的压力损失相比于第1铅直部的压力损失变得过大。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备送风部，该送风部将所述衬底处理装置外部的气体输送至所述第1供给通道及所述第2供给通道。能较好地向第1搬送室及第2搬送室供给衬底处理装置外部的气体。

本发明为了达成第3目的，而采用如下构成。

也就是说，本发明是一种衬底处理装置，具备：所述第1液处理室，对衬底进行液处理；第2液处理室，配置于所述第1液处理室的下方，对衬底进行液处理；第1排出通道，将所述第1液处理室的气体排出；及第2排出通道，将所述第2液处理室的气体排出；且所述第1排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，所述第2排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的至少任一位置。

尽管第2液处理室配置于第1液处理室的下方，但第1排出通道具有第1铅直部，且第2排出通道具有第2铅直部。第1铅直部及第2铅直部均延伸至比第1液处理室高的位置、及比第2液处理室低的位置中的至少任一位置。因此，第1铅直部及第2铅直部分别相对较长。也就是说，第1排出通道及第2排出通道分别相对较长。由此，能较好地抑制第1排出通道从第1液处理室排出的气体排出量与第2排出通道从第2液处理室排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于第1液处理室的气体排出量与来自于第2液处理室的气体排出量相互造成影响。

如上所述，根据衬底处理装置，能较好地抑制来自于各液处理室的气体排出量相互造成影响。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。假设在第1铅直部比第2铅直部长的情况下，第1铅直部具有比第2铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第1铅直部的压力损失相比于第2铅直部的压力损失变得过大。假设在第2铅直部比第1铅直部长的情况下，第2铅直部具有比第1铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第2铅直部的压力损失相比于第1铅直部的压力损失变得过大。

本发明为了达成第4目的，而采用如下构成。

也就是说，本发明是一种衬底处理装置，具备：

第1搬送室，搬送衬底；

第2搬送室，配置于所述第1搬送室的下方，搬送衬底；

第1排出通道，将所述第1搬送室的气体排出；及

第2排出通道，将所述第2搬送室的气体排出；且

所述第1排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，

所述第2排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，

所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1搬送室高的位置、及比所述第2搬送室低的位置中的至少任一位置。

尽管第2搬送室配置于第1搬送室的下方，但第1排出通道具有第1铅直部，且第2排出通道具有第2铅直部。第1铅直部及第2铅直部均延伸至比第1搬送室高的位置、及比第2搬送室低的位置中的至少任一位置。因此，第1铅直部及第2铅直部分别相对较长。也就是说，第1排出通道及第2排出通道分别相对较长。由此，能较好地抑制第1排出通道从第1搬送室排出的气体排出量与第2排出通道从第2搬送室排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于第1搬送室的气体排出量与来自于第2搬送室的气体排出量相互造成影响。

如上所述，根据衬底处理装置，能较好地抑制来自于各搬送室的气体排出量相互造成影响。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。假设在第1铅直部比第2铅直部长的情况下，第1铅直部具有比第2铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第1铅直部的压力损失相比于第2铅直部的压力损失变得过大。假设在第2铅直部比第1铅直部长的情况下，第2铅直部具有比第1铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第2铅直部的压力损失相比于第1铅直部的压力损失变得过大。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备：第3排出通道，将所述第1搬送室的气体排出；及第4排出通道，将所述第2搬送室的气体排出；且所述第3排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第3铅直部，所述第4排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第4铅直部，所述第3铅直部及所述第4铅直部均延伸至比所述第1搬送室高的位置、及比所述第2搬送室低的位置中的至少任一位置。尽管第2搬送室配置于第1搬送室的下方，但第3排出通道具有第3铅直部，且第4排出通道具有第4铅直部。第3铅直部及第4铅直部均延伸至比第1搬送室高的位置、及比第2搬送室低的位置中的至少任一位置。因此，第3铅直部及第4铅直部分别相对较长。也就是说，第3排出通道及第4排出通道分别相对较长。由此，能较好地抑制第1排出通道从第1搬送室排出的气体排出量、第2排出通道从第2搬送室排出的气体排出量、第3排出通道从第1搬送室排出的气体排出量、第4排出通道从第2搬送室排出的气体排出量相互造成影响。从而，能更好地抑制来自于第1搬送室的气体排出量与来自于第2搬送室的气体排出量相互造成影响。进而，通过第1排出通道与第3排出通道，能以较好的效率从第1搬送室将气体排出。通过第2排出通道与第4排出通道，能以较好的效率从第2搬送室将气体排出。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，具备：第1吸入单元，设置于所述第1搬送室，吸入所述第1搬送室的气体；及第2吸入单元，设置于所述第2搬送室，吸入所述第2搬送室的气体；且所述第1排出通道及所述第3排出通道均与所述第1吸入单元连接，通过所述第1吸入单元将所述第1搬送室的气体排出，所述第2排出通道及所述第4排出通道均与所述第2吸入单元连接，通过所述第2吸入单元将所述第2搬送室的气体排出。第1排出通道及第3排出通道均是通过第1吸入单元将第1搬送室的气体排出。由此，第1排出通道与第3排出通道能以相同的方式将第1搬送室的气体排出。同样地，第2排出通道及第4排出通道均是通过第2吸入单元将第2搬送室的气体排出。由此，第2排出通道与第4排出通道能以相同的方式将第2搬送室的气体排出。

本发明为了达成第5目的，而采用如下构成。

也就是说，本发明是一种衬底处理装置，具备：第1热处理室，对衬底进行热处理；第2热处理室，配置于所述第1热处理室的下方，对衬底进行热处理；第1排出通道，将所述第1热处理室的气体排出；及第2排出通道，将所述第2热处理室的气体排出；且所述第1排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，所述第2排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1热处理室高的位置、及比所述第2热处理室低的位置中的至少任一位置。

尽管第2热处理室配置于第1热处理室的下方，但第1排出通道具有第1铅直部，且第2排出通道具有第2铅直部。第1铅直部及第2铅直部均延伸至比第1热处理室高的位置、及比第2热处理室低的位置中的至少任一位置。因此，第1铅直部及第2铅直部分别相对较长。也就是说，第1排出通道及第2排出通道分别相对较长。由此，能较好地抑制第1排出通道从第1热处理室排出的气体排出量与第2排出通道从第2热处理室排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于第1热处理室的气体排出量与来自于第2热处理室的气体排出量相互造成影响。

如上所述，根据衬底处理装置，能较好地抑制来自于各热处理室的气体排出量相互造成影响。

在所述衬底处理装置中，优选如下情况，即，所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。假设在第1铅直部比第2铅直部长的情况下，第1铅直部具有比第2铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第1铅直部的压力损失相比于第2铅直部的压力损失变得过大。假设在第2铅直部比第1铅直部长的情况下，第2铅直部具有比第1铅直部大的流路截面积。由此，能抑制第2铅直部的压力损失相比于第1铅直部的压力损失变得过大。

附图说明

为了说明发明，而图示出了认为当下较好的若干个实施方式，但希望予以了解的是，发明并不限定于像图示那样的构成及方案。

图1是实施例的衬底处理装置的概念图。

图2是衬底处理装置的上部的俯视图。

图3是衬底处理装置的下部的俯视图。

图4是图2中的箭视IV-IV的侧视图。

图5是图2中的箭视V-V的侧视图。

图6是图2中的箭视VI-VI的侧视图。

图7是图2中的箭视VII-VII的侧视图。

图8是图2中的箭视VIII-VIII的前视图。

图9是图2中的箭视IX-IX的前视图。

图10是主搬送机构的立体图。

图11A是多管单元的前视图。

图11B是多管单元的侧视图。

图11C是多管单元的垂直剖视图。

图12是沿着图11C中的XII-XII线的水平剖视图。

图13是处理区块的侧面详细图。

图14是吸入单元与排出通道的仰视立体图。

图15是衬底处理装置的控制框图。

图16是变形实施例的处理区块的侧视图。

图17是变形实施例的处理区块的侧视图。

图18是变形实施例的处理区块的前视图。

具体实施方式

<1.衬底处理装置的概要>

图1是实施例的衬底处理装置的概念图。图1表示出了铅直方向Z。将铅直方向Z的一个方向称作“上方”。将与上方相反的方向称作“下方”。图1等分别以“上”与“下”表示上方与下方。

实施例1的衬底处理装置1对衬底(例如，半导体晶圆)进行液处理与热处理。这里，所谓“衬底”，例如为半导体晶圆、光罩用玻璃衬底、液晶显示器用衬底、有机EL(Electroluminescence)用衬底、FPD(Flat Panel Display)用衬底、等离子体显示器用衬底、光显示器用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、太阳电池用衬底。

衬底处理装置1具备第1液处理室2a与第2液处理室2b。第1液处理室2a是对衬底进行液处理的空间。第2液处理室2b是对衬底进行液处理的空间。第2液处理室2b配置于第1液处理室2a的下方。

衬底处理装置1具备第1供给通道3a与第2供给通道3b。第1供给通道3a连通至第1液处理室2a。第1供给通道3a向第1液处理室2a供给气体。更详细来说，第1供给通道3a不向第2液处理室2b供给气体，而向第1液处理室2a供给气体。第2供给通道3b连通至第2液处理室2b。第2供给通道3b向第2液处理室2b供给气体。更详细来说，第2供给通道3b不向第1液处理室2a供给气体，而向第2液处理室2b供给气体。

第1供给通道3a具备沿着大致铅直方向Z延伸的第1铅直部4a。第2供给通道3b具备沿着大致铅直方向Z延伸的第2铅直部4b。第1铅直部4a及第2铅直部4b均延伸至比第2液处理室2b低的位置。

衬底处理装置1具备气体控制装置5。气体控制装置5连通至第1供给通道3a及第2供给通道3b。气体控制装置5调整气体的温度及湿度，将温度及湿度经调整后的气体输送至第1供给通道3a及第2供给通道3b。气体例如为空气。

如上所述，第1供给通道3a包含第1铅直部4a，因此第1供给通道3a相对较长。第2供给通道3b包含第2铅直部4b，因此第2供给通道3b相对较长。因此，能较好地抑制第2供给通道3b的气体供给量因为第1供给通道3a的气体供给量的变化而发生变动。进而，能较好地抑制第1供给通道3a的气体供给量因为第2供给通道3b的气体供给量的变化而发生变动。也就是说，能较好地抑制第1供给通道3a向第1液处理室2a供给的气体供给量与第2供给通道3b向第2液处理室2b供给的气体供给量相互造成影响。从而，能较好地抑制相对于第1液处理室2a的气体供给量与相对于第2液处理室2b的气体供给量相互造成影响。

衬底处理装置1具备第1排出通道6a与第2排出通道6b。第1排出通道6a连通至第1液处理室2a。第1排出通道6a将第1液处理室2a的气体排出。更详细来说，第1排出通道6a不将第2液处理室2b的气体排出，而将第1液处理室2a的气体排出。第2排出通道6b连通至第2液处理室2b。第2排出通道6b将第2液处理室2b的气体排出。更详细来说，第2排出通道6b不将第1液处理室2a的气体排出，而将第2液处理室2b的气体排出。

第1排出通道6a具备沿着大致铅直方向Z延伸的第1铅直部7a。第2排出通道6b具备沿着大致铅直方向Z延伸的第2铅直部7b。第1铅直部7a及第2铅直部7b均延伸至比第2液处理室2b低的位置。

第1排出通道6a与第2排出通道6b连通至气体处理装置8。气体处理装置8抽吸气体，并处理所抽吸的气体。具体来说，气体处理装置8处理通过第1排出通道6a及第2排出通道6b所排出的气体。气体处理装置8例如进行将有害气体转换成无害气体的处理。

如上所述，第1排出通道6a包含第1铅直部7a，因此第1排出通道6a相对较长。第2排出通道6b包含第2铅直部7b，因此第2排出通道6b相对较长。因此，能较好地抑制第2排出通道6b的气体排出量因为第1排出通道6a的气体排出量的变化而发生变动。进而，能较好地抑制第1排出通道6a的气体排出量因为第2排出通道6b的气体排出量的变化而发生变动。也就是说，能较好地抑制第1排出通道6a从第1液处理室2a排出的气体排出量与第2排出通道6b从第2液处理室2b排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于第1液处理室2a的气体排出量与来自于第2液处理室2b的气体排出量相互造成影响。

衬底处理装置1具备第1搬送室12a与第2搬送室12b。第1搬送室12a是搬送衬底的空间。第2搬送室12b是搬送衬底的空间。第2搬送室12b配置于第1搬送室12a的下方。

衬底处理装置1具备第1供给通道13a与第2供给通道13b。第1供给通道13a连通至第1搬送室12a。第1供给通道13a向第1搬送室12a供给气体。更详细来说，第1供给通道13a不向第2搬送室12b供给气体，而向第1搬送室12a供给气体。第2供给通道13b连通至第2搬送室12b。第2供给通道13b向第2搬送室12b供给气体。更详细来说，第2供给通道13b不向第1搬送室12a供给气体，而向第2搬送室12b供给气体。

第1供给通道13a具备沿着大致铅直方向Z延伸的第1铅直部14a。第2供给通道13b具备沿着大致铅直方向Z延伸的第2铅直部14b。第1铅直部14a及第2铅直部14b均延伸至比第2搬送室12b低的位置。

气体控制装置5连通至第1供给通道13a及第2供给通道13b。气体控制装置5将温度及湿度经调整后的气体输送至第1供给通道13a及第2供给通道13b。

如上所述，第1供给通道13a包含第1铅直部14a，因此第1供给通道13a相对较长。第2供给通道13b包含第2铅直部14b，因此第2供给通道13b相对较长。因此，能较好地抑制第2供给通道13b的气体供给量因为第1供给通道13a的气体供给量的变化而发生变动。进而，能较好地抑制第1供给通道13a的气体供给量因为第2供给通道13b的气体供给量的变化而发生变动。也就是说，能较好地抑制第1供给通道13a向第1搬送室12a供给的气体供给量与第2供给通道13b向第2搬送室12b供给的气体供给量相互造成影响。从而，能较好地抑制相对于第1搬送室12a的气体供给量与相对于第2搬送室12b的气体供给量相互造成影响。

衬底处理装置1具备第1排出通道16a与第2排出通道16b。第1排出通道16a连通至第1搬送室12a。第1排出通道16a将第1搬送室12a的气体排出。更详细来说，第1排出通道16a不将第2搬送室12b的气体排出，而将第1搬送室12a的气体排出。第2排出通道16b连通至第2搬送室12b。第2排出通道16b将第2搬送室12b的气体排出。更详细来说，第2排出通道16b不将第1搬送室12a的气体排出，而将第2搬送室12b的气体排出。

第1排出通道16a具备沿着大致铅直方向Z延伸的第1铅直部17a。第2排出通道16b具备沿着大致铅直方向Z延伸的第2铅直部17b。第1铅直部17a及第2铅直部17b均延伸至比第2搬送室12b低的位置。

第1排出通道16a与第2排出通道16b连通至气体处理装置18。气体处理装置18抽吸气体，并处理所抽吸的气体。具体来说，气体处理装置18处理通过第1排出通道16a及第2排出通道16b所排出的气体。

如上所述，第1排出通道16a包含第1铅直部17a，因此第1排出通道16a相对较长。第2排出通道16b包含第2铅直部17b，因此第2排出通道16b相对较长。因此，能较好地抑制第2排出通道16b的气体排出量因为第1排出通道16a的气体排出量的变化而发生变动。进而，能较好地抑制第1排出通道16a的气体排出量因为第2排出通道16b的气体排出量的变化而发生变动。也就是说，能较好地抑制第1排出通道16a从第1搬送室12a排出的气体排出量与第2排出通道16b从第2搬送室12b排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于第1搬送室12a的气体排出量与来自于第2搬送室12b的气体排出量相互造成影响。

衬底处理装置1具备第1热处理室22a与第2热处理室22b。第1热处理室22a是对衬底进行热处理的空间。第2热处理室22b是对衬底进行热处理的空间。第2热处理室22b配置于第1热处理室22a的下方。

衬底处理装置1具备第1排出通道26a与第2排出通道26b。第1排出通道26a连通至第1热处理室22a。第1排出通道26a将第1热处理室22a的气体排出。更详细来说，第1排出通道26a不将第2热处理室22b的气体排出，而将第1热处理室22a的气体排出。第2排出通道26b连通至第2热处理室22b。第2排出通道26b将第2热处理室22b的气体排出。更详细来说，第2排出通道26b不将第1热处理室22a的气体排出，而将第2热处理室22b的气体排出。

第1排出通道26a具备沿着大致铅直方向Z延伸的第1铅直部27a。第2排出通道26b具备沿着大致铅直方向Z延伸的第2铅直部27b。第1铅直部27a及第2铅直部27b均延伸至比第2热处理室22b低的位置。

第1排出通道26a与第2排出通道26b连通至气体处理装置28。气体处理装置28抽吸气体，并处理所抽吸的气体。具体来说，气体处理装置28处理通过第1排出通道26a及第2排出通道26b所排出的气体。

如上所述，第1排出通道26a包含第1铅直部27a，因此第1排出通道26a相对较长。第2排出通道26b包含第2铅直部27b，因此第2排出通道26b相对较长。因此，能较好地抑制第2排出通道26b的气体排出量因为第1排出通道26a的气体排出量的变化而发生变动。进而，能较好地抑制第1排出通道26a的气体排出量因为第2排出通道26b的气体排出量的变化而发生变动。也就是说，能较好地抑制第1排出通道26a从第1热处理室22a排出的气体排出量与第2排出通道26b从第2热处理室22b排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于第1热处理室22a的气体排出量与来自于第2热处理室22b的气体排出量相互造成影响。

气体处理装置8、18、28均并非衬底处理装置1的要素。气体处理装置8、18、28分别为衬底处理装置1的外部装置。气体处理装置8、18、28例如分别为设置衬底处理装置1的工厂的公用设备。

<衬底处理装置1的构造>

更详细地对衬底处理装置1的构造进行说明。

图2是衬底处理装置的上部的俯视图。图3是衬底处理装置的下部的俯视图。衬底处理装置1具备装载部31、处理部37、接口部39。装载部31与处理部37连接。装载部31向处理部37递交衬底W，且从处理部37接收衬底W。处理部37对衬底W进行液处理及热处理。接口部39与处理部37连接。接口部39进而与曝光机EXP连接。曝光机EXP并非衬底处理装置1的要素。曝光机EXP为衬底处理装置1的外部装置。接口部39在处理部37与曝光机EXP之间搬送衬底W。曝光机EXP对衬底W进行曝光处理。装载部31、处理部37、接口部39、曝光机EXP依次呈1列排列。

在本说明书中，将装载部31、处理部37、接口部39呈1列排列的方向称作“前后方向X”。前后方向X是水平的。前后方向X与铅直方向Z正交。将与前后方向X正交的水平方向称作“宽度方向Y”。宽度方向Y与铅直方向Z正交。在不特别区分前后方向X与宽度方向Y的情况下，简记作“水平方向”。

将从接口部39朝向装载部31的前后方向X的一个方向称作“前方”。将与前方相反的方向称作“后方”。将宽度方向Y的一个方向称作“右方”。将与右方相反的方向称作“左方”。图2等分别以“前”、“后”、“右”、“左”表示前方、后方、右方、左方。在不特别区分前方、后方、右方、左方的情况下，简记作“侧方”。

处理部37具备2个处理区块BA、BB。处理区块BA配置于处理区块BB的前方。装载部31与处理区块BA连接。处理区块BA与处理区块BB连接。处理区块BB与接口部39连接。

<装载部31的构造>

参照图2～5。图4是图2中的箭视IV-IV的侧视图。图5是图2中的箭视V-V的侧视图。图4、5省略了曝光机EXP的图示。装载部31具备载具载置部32、搬送室33、装载用搬送机构TID。

载具载置部32载置载具C。载具C收容多片衬底W。载具C例如为FOUP(frontopening unified pod，前开式单元匣)。载具C例如由未图示的外部搬送机构搬送至载具载置部32上。

搬送室33配置于载具载置部32的后方。装载用搬送机构TID设置于搬送室33。装载用搬送机构TID在载具C与处理部37(具体来说，为处理区块BA)之间搬送衬底W。具体来说，装载用搬送机构TID从载具C向处理部37搬送衬底W，且从处理部37向载具C搬送衬底W。

装载用搬送机构TID例如具备保持衬底W的2个手34、及驱动各手34的手驱动机构35。各手34分别保持1片衬底W。手驱动机构35使手34沿着前后方向X、宽度方向Y及铅直方向Z移动，且使手34以铅直方向Z为中心旋转。由此，手34接近载具C及处理部37(具体来说，为处理区块BA)。

<处理部37的构成的概略>

参照图2、3、6～9。图6、7是处理部的侧视图。具体来说，图6是图2中的箭视VI-VI的侧视图。图7是图2中的箭视VII-VII的侧视图。图8、9是处理部的前视图。具体来说，图8是图2中的箭视VIII-VIII的前视图。图9是图2中的箭视IX-IX的前视图。

处理部37在俯视、前视及侧视下，具有大致矩形形状。

对处理区块BA进行说明。处理区块BA在俯视、前视及侧视下，具有大致矩形形状。处理区块BA具备区块壳体41A。区块壳体41A具有箱形形状。处理区块BA是由区块壳体41A界划出来的。

参照图2、3。处理区块BA具备液处理室42a～42d、搬送室44a、44b、热处理室45a～45v。此外，关于液处理室42b、42d，见图6、8、9所示。关于热处理室45b等，见图7所示。液处理室42a～42d、搬送室44a、44b、热处理室45a～45v配置于处理区块BA内(也就是说，区块壳体41A内)。液处理室42a～42d配置于处理区块BA的右部。搬送室44a、44b配置于处理区块BA的中央部。搬送室44a、44b从处理区块BA的前部遍及后部，沿着前后方向X延伸。热处理室45a～45v配置于处理区块BA的左部。

参照图6。液处理室42a～42d依次朝向下方排列。也就是说，液处理室42b配置于液处理室42a的下方。液处理室42c配置于液处理室42b的下方。液处理室42d配置于液处理室42c的下方。液处理室42a～42d俯视下配置于大致相同的位置。

处理区块BA具备单元壳体43A。单元壳体43A设置于处理区块BA内。单元壳体43A具有相当于液处理室42a～42d的内部空间。单元壳体43A界划出液处理室42a～42d。也就是说，液处理室42a～42d由单元壳体43A间隔开来。

参照图4、5。搬送室44b配置于搬送室44a的下方。搬送室44b俯视下配置于与搬送室44a大致相同的位置。

搬送室44a、44b隔开。例如，搬送室44a、44b由下述吹出单元81b及吸入单元91a中的至少任一者间隔开来。

参照图2、3、8。搬送室44a配置于液处理室42a、42b的侧方(具体来说，为左方)。也就是说，搬送室44a配置于与液处理室42a、42b相同的高度位置。搬送室44b配置于液处理室42c、42d的侧方(具体来说，为左方)。

参照图7。热处理室45a～45v沿着前后方向X及铅直方向Z呈矩阵状排列。

热处理室45a～45j配置于处理区块BA的前部。热处理室45a～45j依次朝向下方排列。热处理室45a～45j俯视下配置于大致相同的位置。

热处理室45k～45p配置于热处理室45a～45j的后方。热处理室45k～45p依次朝向下方排列。热处理室45k～45p俯视下配置于大致相同的位置。

热处理室45q～45v配置于热处理室45k～45p的后方。热处理室45q～45v配置于处理区块BA的后部。热处理室45q～45v依次朝向下方排列。热处理室45q～45v俯视下配置于大致相同的位置。

处理区块BA具备单元壳体47A。单元壳体47A设置于处理区块BA内。单元壳体47A具有相当于热处理室45a～45v的内部空间。单元壳体47A界划出热处理室45a～45v。也就是说，热处理室45a～45v由单元壳体47A间隔开来。

参照图2、3、8。热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s配置于搬送室44a的侧方(具体来说，为左方)。热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v配置于搬送室44b的侧方(具体来说，为左方)。

参照图2～7。对处理区块BB进行说明。处理区块BB具有与处理区块BA类似的构造。因此，适当省略处理区块BB的说明。

处理区块BB具备区块壳体41B、液处理室42e～42h、单元壳体43B、搬送室44c、44d、单元壳体47B。区块壳体41B与区块壳体41A类似。液处理室42e～42h与液处理室42a～42d类似。单元壳体43B与单元壳体43A类似。搬送室44c、44d与搬送室44a、44b类似。单元壳体47B与单元壳体47A类似。

参照图4、5。搬送室44c配置于搬送室44a的后方。搬送室44c配置于与搬送室44a相同的高度位置。搬送室44c与搬送室44a相连。搬送室44d与搬送室44b的关系和搬送室44c与搬送室44a的关系相同。

参照图7。处理区块BB具备热处理室46a～46t。热处理室46a～46t沿着前后方向X及铅直方向Z呈矩阵状排列。热处理室46a～46j依次朝向下方排列。热处理室46l配置于热处理室46k的下方。热处理室46m～46t依次朝向下方排列。热处理室46a～46e、46k、46m～46p配置于搬送室44c的侧方(具体来说，为左方)。热处理室46f～46j、46l、46q～46t配置于搬送室44d的侧方(具体来说，为左方)。

在不特别区分液处理室42a～42h的情况下，称作“液处理室42”。在不特别区分搬送室44a～44d的情况下，称作“搬送室44”。在不特别区分热处理室45a～45v的情况下，称作“热处理室45”。在不特别区分热处理室46a～46t的情况下，称作“热处理室46”。

<处理部37的详细构造>

参照图6。处理部37具备多个液处理单元SA、多个液处理单元SB。液处理单元SA、SB分别对衬底W进行液处理。液处理是向衬底W供给处理液的处理。

液处理单元SA设置于处理区块BA。各液处理室42a～42d收容2个液处理单元SA。设置于液处理室42a的2个液处理单元SA沿着大致水平方向(具体来说，为前后方向X)排列。设置于液处理室42b～42d的液处理单元SA也同样配置。

液处理单元SA所进行的液处理为涂布处理。涂布处理是对衬底W涂布处理液，从而在衬底W的表面形成涂膜的处理。

参照图8、9。液处理单元SA根据液处理的种类，分类成为抗蚀膜用涂布单元RESIST与抗反射膜用涂布单元BARC。抗蚀膜用涂布单元RESIST例如设置于液处理室42a、42c。抗蚀膜用涂布单元RESIST进行抗蚀膜形成处理。抗蚀膜形成处理是对衬底W涂布抗蚀膜材料，从而在衬底W的表面形成抗蚀膜的处理。抗反射膜用涂布单元BARC例如设置于液处理室42b、42d。抗反射膜用涂布单元BARC进行抗反射膜形成处理。抗反射膜形成处理是对衬底W涂布抗反射膜材料，从而在衬底W的表面形成抗反射膜的处理。

参照图2、3、6。各液处理单元SA具备旋转保持部51A、承杯52A、喷嘴53A、喷嘴搬送机构54A。旋转保持部51A可旋转地保持衬底W。承杯52A配置于旋转保持部51A周围。液处理单元SA对衬底W进行处理时，承杯52A包围由旋转保持部51A所保持的衬底W的侧方。由此，承杯52A回收从衬底W飞散出的处理液。关于喷嘴53A与喷嘴搬送机构54A，见图2、3所示。喷嘴53A喷出处理液。更详细来说，抗蚀膜用涂布单元RESIST的喷嘴53A喷出抗蚀膜材料。抗反射膜用涂布单元BARC的喷嘴53A喷出抗反射膜材料。喷嘴搬送机构54A保持喷嘴53A，并在待机位置与处理位置之间移动喷嘴53A。喷嘴53A位于待机位置时，喷嘴53A俯视下不与保持于旋转保持部51A的衬底W重叠。喷嘴53A的待机位置例如配置于距搬送室44a、44b较远的液处理室42a～42d的侧部。距搬送室44a、44b较远的液处理室42a～42d的侧部例如为液处理室42a～42d的右部。喷嘴53A的处理位置是保持于旋转保持部51A的衬底W上方的位置。喷嘴53A位于处理位置时，喷嘴53A俯视下与保持于旋转保持部51A的衬底W重叠。

液处理单元SB设置于处理区块BB。液处理室42e～42h收容2个液处理单元SB。设置于相同液处理室42e～42h的液处理单元SB沿着水平方向(具体来说，为前后方向X)排列。

液处理单元SB所进行的液处理为显影处理。显影处理是向衬底W供给显影液的处理。也就是说，液处理单元SB相当于显影处理单元DEV。

各液处理单元SB具备旋转保持部51B、承杯52B、喷嘴53B、喷嘴搬送机构54B。旋转保持部51B与承杯52B分别具有和旋转保持部51A与承杯52A实质上相同的构造。喷嘴53B喷出显影液。喷嘴53B例如为狭缝喷嘴。喷嘴搬送机构54B在待机位置与处理位置之间移动喷嘴53B。喷嘴53B位于待机位置时，喷嘴53B俯视下不与保持于旋转保持部51B的衬底W重叠。喷嘴53B的处理位置是保持于旋转保持部51B的衬底W上方的位置。喷嘴53B位于处理位置时，喷嘴53B俯视下与保持于旋转保持部51B的衬底W重叠。

参照图4、5。处理部37具备主搬送机构T1～T4。主搬送机构T1～T4分别搬送衬底W。主搬送机构T1设置于搬送室44a。同样地，主搬送机构T2～T4设置于搬送室44b～44d。主搬送机构T1～T4具备大致相同的构成。以下，对主搬送机构T1的构成进行说明。

参照图10。图10是主搬送机构的立体图。主搬送机构T1具备一对第1导轨55、第2导轨56、基座部57、旋转台58、2个手59。

第1导轨55设置于距液处理室42a、42b较近的搬送室44a的侧部。具体来说，距液处理室42a、42b较近的搬送室44a的侧部为搬送室44a的右部。更详细来说，一第1导轨55配置于搬送室44a的右前部，另一第1导轨55配置于搬送室44a的右后部(参照图1)。

第1导轨55沿着铅直方向Z延伸。

第2导轨56支撑于一对第1导轨55。第2导轨56沿着前后方向X延伸。一第1导轨55与第2导轨56的前端部连接，另一第1导轨55与第2导轨56的后端部连接。第2导轨56可相对于一对第1导轨55沿着铅直方向Z移动。基座部57支撑于第2导轨56。基座部57可相对于第2导轨56沿着前后方向X移动。旋转台58支撑于基座部57。旋转台58可相对于基座部57绕与铅直方向Z平行的纵轴心Q旋转。2个手59分别支撑于旋转台58。各手59分别可沿着相对于旋转台58水平的1个方向进退移动。各手59保持1片衬底W。

主搬送机构T1还具备用来使第2导轨56、基座部57、旋转台58及手59分别移动的各种驱动机构。各种驱动机构使第2导轨56沿着铅直方向Z升降，使基座部57沿着前后方向X移动，使旋转台58绕纵轴心Q旋转，使手59进退移动。由此，手59沿着前后方向X、宽度方向Y及铅直方向Z移动，且以纵轴心Q为中心旋转。

参照图2、3。处理部37具备多个热处理单元HU。热处理单元HU对衬底W进行热处理。各热处理室45a～45v、46a～46t收容1个热处理单元HU。

参照图7。热处理单元HU根据处理的种类，分类成为加热冷却单元PHP、冷却单元CP、疏水化处理单元AHL、曝光后热处理(Post Exposure Bake)单元PEB。加热冷却单元PHP例如设置于热处理室45a～45d、45f～45i、45q～45v、46a～46d、46f～46i。加热冷却单元PHP进行加热衬底W继而冷却衬底W的加热冷却处理。冷却单元CP例如设置于热处理室45e、45j、45m、45p、46e、46j～46l。冷却单元CP进行冷却衬底W的冷却处理。疏水化处理单元AHL例如设置于热处理室45k、45l、45n、45o。疏水化处理单元AHL是为了提高衬底W与被膜的密接性，而实施在六甲基二矽氮烷(HMDS)的蒸气氛围下进行热处理的疏水化处理。曝光后热处理单元PEB例如设置于热处理室46m～46t。曝光后热处理单元PEB对曝光处理后的衬底W进行曝光后热处理。

参照图2、3、8。各热处理单元HU分别具备载置衬底W的1个或2个平板61。

参照图2、3、7。处理区块BB具备多个(例如2个)边缘曝光单元EEWa、EEWb。各边缘曝光单元EEWa、EEWb配置于处理区块BB的左部。边缘曝光单元EEWa配置于搬送室44c的侧方(具体来说，为左方)。边缘曝光单元EEWb配置于搬送室44d的侧方(具体来说，为左方)。边缘曝光单元EEWa、EEWb将衬底W的周缘部曝光。各边缘曝光单元EEWa、EEWb具备旋转保持部62(参照图2、3)、光照射部(未图示)。旋转保持部62可旋转地保持衬底W。光照射部向保持于旋转保持部62的衬底W周缘照射光，将保持于旋转保持部62的衬底W周缘曝光。

参照图2、3。处理部37具备载置衬底W的载置部P1～P6。载置部P1、P2设置于装载部31与处理区块BA之间。载置部P1跨及搬送室33与搬送室44a而设置。载置部P2跨及搬送室33与搬送室44b而设置。载置部P3、P4设置于处理区块BA与处理区块BB之间。载置部P3跨及搬送室44a与搬送室44c而设置。载置部P4跨及搬送室44b与搬送室44d而设置。载置部P5、P6配置于处理区块BB的后左部。载置部P5配置于搬送室44c的侧方(左方)。载置部P6配置于搬送室44d的侧方(左方)。各载置部P1～P6具备载置衬底W的平板63等。

主搬送机构T1向液处理室42a、42b、热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s搬送衬底W。具体来说，主搬送机构T1向液处理室42a、42b的液处理单元SA，及热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s的热处理单元HU搬送衬底W。更具体来说，主搬送机构T1的手59将衬底W载置于液处理室42a、42b的旋转保持部51A，且获取液处理室42a、42b的旋转保持部51A上的衬底W。主搬送机构T1的手59将衬底W载置于热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s的平板61，且获取热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s的平板61上的衬底W。进而，主搬送机构T1向载置部P1、P3搬送衬底W。具体来说，主搬送机构T1的手59将衬底W载置于载置部P1、P3的平板63，且获取载置部P1、P3的平板63上的衬底W。

主搬送机构T2向液处理室42c、42d、热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v、载置部P2、P4搬送衬底W。主搬送机构T3向液处理室42e、42f、热处理室46a～46e、46k、46m～46p、边缘曝光单元EEWa、载置部P3、P5搬送衬底W。主搬送机构T4向液处理室42g、42h、热处理室46f～46j、46l、46q～46t、边缘曝光单元EEWb、载置部P4、P6搬送衬底W。

主搬送机构T1与主搬送机构T3经由载置部P3相互搬送衬底W。主搬送机构T2与主搬送机构T4经由载置部P4相互搬送衬底W。

装载用搬送机构TID向载置部P1、P2搬送衬底W。装载用搬送机构TID与主搬送机构T1经由载置部P1相互搬送衬底W。装载用搬送机构TID与主搬送机构T2经由载置部P2相互搬送衬底W。

在不特别区分主搬送机构T1～T4的情况下，称作“主搬送机构T”。在不特别区分承杯52A、52B的情况下，称作“承杯52”。在不特别区分边缘曝光单元EEWa、EEWb的情况下，称作“边缘曝光单元EEW”。

<液处理室用供给通道的构造>

参照图6。衬底处理装置1具备吹出单元65a～65h。吹出单元65a向液处理室42a吹出气体。吹出单元65a设置于液处理室42a。吹出单元65a配置于液处理室42a的2个液处理单元SA的上方。吹出单元65a配置于液处理室42a的2个旋转保持部51A及2个承杯52A的上方。同样地，吹出单元65b～65h向液处理室42b～42h吹出气体。吹出单元65b～65h设置于液处理室42b～42h。

吹出单元65a～65h分别具有吹出口(未图示)。吹出口形成于吹出单元65a～65h的下表面。吹出单元65a～65h通过吹出口，向下方吹出气体。

衬底处理装置1具备供给通道66a～66h。供给通道66a向液处理室42a供给气体。更详细来说，供给通道66a不向液处理室42b～42h供给气体，而向液处理室42a供给气体。供给通道66a连通至液处理室42a。供给通道66a连接于吹出单元65a。同样地，供给通道66b～66h向液处理室42b～42h供给气体。供给通道66b～66h连通至液处理室42b～42h。供给通道66b～66h连接于吹出单元65b～65h。

供给通道66a～66h分别具备水平部67a～67h。水平部67a连接于吹出单元65a。同样地，水平部67b～67h连接于吹出单元65b～65h。

水平部67a～67d设置于处理区块BA内。水平部67e～67h设置于处理区块BB内。水平部67a设置于与液处理室42a相同的高度位置。同样地，水平部67b～67h设置于与液处理室42b～42h相同的高度位置。

水平部67a～67h沿着大致水平方向(具体来说，为前后方向X)延伸。水平部67a～67d贯通单元壳体43A。水平部67e～67h贯通单元壳体43B。俯视下，水平部67a贯通单元壳体43A的位置与水平部67b～67d贯通单元壳体43A的位置大致相同。同样地，俯视下，水平部67e贯通单元壳体43B的位置与水平部67f～67h贯通单元壳体43B的位置大致相同。

水平部67a～67h分别具有第1端部。水平部67a的第1端部位于液处理室42a。水平部67a的第1端部连接于吹出单元65a。同样地，水平部67b～67h的第1端部位于液处理室42b～42h。水平部67b～67d的第1端部连接于吹出单元65b～65h。

水平部67a～67h分别具有第2端部。水平部67a～67h的第2端部位于单元壳体43A、43B的外部。水平部67a的第2端部位于液处理室42a的侧方(具体来说，为后方)。同样地，水平部67b～67h的第2端部位于液处理室42b～42h的侧方(具体来说，为后方)。

供给通道66a～66h分别具备铅直部68a～68h。铅直部68a连接于水平部67a。同样地，铅直部68b～68h连接于水平部67b～67h。

铅直部68a～68d设置于处理区块BA内。铅直部68a～68d设置于单元壳体43A的侧方(具体来说，为后方)。铅直部68e～68h设置于处理区块BB内。铅直部68e～68h设置于单元壳体43B的侧方(具体来说，为后方)。铅直部68a～68h沿着大致铅直方向Z延伸。

铅直部68a～68h分别具有上端部。铅直部68a的上端部位于与液处理室42a相同的高度位置。铅直部68a的上端部连接于水平部67a的第2端部。铅直部68a从水平部67a向下方延伸。同样地，铅直部68b～68h的上端部设置于与液处理室42b～42h相同的高度位置。铅直部68b～68h的上端部连接于水平部67b～67h的第2端部。铅直部68b～68h从水平部67b～67h向下方延伸。

铅直部68a～68d均延伸至比液处理室42d低的位置。铅直部68e～68h均延伸至比液处理室42h低的位置。

铅直部68a～68h分别具有下端部。铅直部68a～68d的下端部位于比液处理室42a～42d低的位置。铅直部68e～68h的下端部位于比液处理室42e～42h低的位置。

铅直部68a～68d包含1个多管单元71a。铅直部68e～68h包含1个多管单元71b。多管单元71a、71b具有大致相同的构造。以下，对多管单元71a的构造进行说明。

参照图11A、11B、11C、图12。图11A是多管单元71a的前视图，图11B是多管单元71a的侧视图，图11C是多管单元71a的垂直剖视图。图12是沿着图11C中的XII-XII线的水平剖视图。多管单元71a具备箱体72。箱体72沿着大致铅直方向Z延伸。箱体72在箱体72内，具有内部空间。水平剖视下，箱体72具有大致矩形形状。

箱体72包含前壁72a、后壁72b、右壁72c、左壁72d、上壁72e。箱体72的内部空间是由前壁72a、后壁72b、右壁72c、左壁72d、上壁72e界划出来的。

前壁72a沿着大致铅直方向Z延伸。具体来说，前壁72a是与铅直方向Z及宽度方向Y大致平行的平板。后壁72b配置得比前壁72a更靠后方。后壁72b是与前壁72a大致平行的平板。右壁72c与左壁72d相对于前壁72a大致垂直。具体来说，右壁72c与左壁72d是和铅直方向Z及前后方向X大致平行的平板。右壁72c连接于前壁72a与后壁72b。具体来说，右壁72c连接于前壁72a的右缘与后壁72b的右缘。左壁72d连接于前壁72a与后壁72b。具体来说，左壁72d连接于前壁72a的左缘与后壁72b的左缘。上壁72e连接于前壁72a、后壁72b、右壁72c、左壁72d。具体来说，上壁72e连接于前壁72a的上缘、后壁72b的上缘、右壁72c的上缘、左壁72d的上缘。前壁72a的上缘位于比后壁72b的上缘高的位置。上壁72e从后壁72b向前壁72a朝上方倾斜。

前壁72a的宽度La比右壁72c及左壁72d的宽度Lb长。也就是说，前后方向X上的箱体72的厚度较薄。这里，前壁72a的宽度La是宽度方向Y上的前壁72a的长度。右壁72c及左壁72d的宽度Lb是前后方向X上的右壁72c及左壁72d的长度。右壁72c与左壁72d相当于箱体72的侧壁。

箱体72具有入口72f。入口72f是形成于箱体72下端部的开口。气体通过入口72f进入箱体72的内部空间。

箱体72具有出口72g～72j。出口72g～72j依次朝向下方排列。各出口72g～72j是形成于前壁72a的开口。箱体72的内部空间的气体通过出口72g～72j释出。

宽度方向Y上的各出口72g～72j的位置大致相同。换句话来说，俯视下，各出口72g～72j配置于大致相同的位置。

多管单元71a具备间隔部件73。间隔部件73设置于箱体72内。间隔部件73将箱体72的内部空间间隔成多个空间。由间隔部件73间隔而成的多个空间相当于铅直部68a～68d的流路。也就是说，铅直部68a～68d形成于箱体72内。铅直部68a～68d由间隔部件73隔开。

间隔部件73具备铅直板部73a、73b、73c。铅直板部73a～73c沿着大致铅直方向Z延伸。具体来说，铅直板部73a～73c是与前壁72a大致平行的平板。铅直板部73a～73c设置于前壁72a的后方且后壁72b的前方。铅直板部73b设置于铅直板部73a的后方。铅直板部73c设置于铅直板部73b的后方。

铅直板部73a～73c连接于右壁72c及左壁72d。铅直板部73a～73c具有与前壁72a相同的宽度。右壁72c与铅直板部73a的右缘、铅直板部73b的右缘、铅直板部73c的右缘连接。左壁72d与铅直板部73a的左缘、铅直板部73b的左缘、铅直板部73c的左缘连接。

间隔部件73具备闭塞板部73d、73e、73f。闭塞板部73d连接于铅直板部73a的上缘。闭塞板部73d从铅直板部73a向前壁72a延伸。具体来说，闭塞板部73d从铅直板部73a向前壁72a朝上方倾斜。闭塞板部73d连接于前壁72a。具体来说，前壁72a与闭塞板部73d的前缘连接。闭塞板部73d与前壁72a的连接位置比出口72i低，比出口72j高。具体来说，闭塞板部73d与前壁72a的连接位置为出口72j的上缘附近。同样地，闭塞板部73e、73f连接于铅直板部73b、73c。闭塞板部73e、73f从铅直板部73b、73c向前壁72a延伸。闭塞板部73e、73f连接于前壁72a。闭塞板部73e与前壁72a的连接位置比出口72h低，比出口72i高。闭塞板部73f与前壁72a的连接位置比出口72g低，比出口72h高。

闭塞板部73d～73f连接于右壁72c及左壁72d。闭塞板部73d～73f具有与前壁72a相同的宽度。右壁72c与闭塞板部73d的右缘、闭塞板部73e的右缘、闭塞板部73f的右缘连接。左壁72d与闭塞板部73d的左缘、闭塞板部73e的左缘、闭塞板部73f的左缘连接。

箱体72、铅直板部73c、闭塞板部73f界划出铅直部68a。箱体72、铅直板部73b、73c、闭塞板部73e、73f界划出铅直部68b。箱体72、铅直板部73a、73b、闭塞板部73d、73e界划出铅直部68c。箱体72、铅直板部73a、闭塞板部73d界划出铅直部68d。

铅直部68a与铅直部68b由铅直板部73c与闭塞板部73f隔开。铅直部68b与铅直部68c由铅直板部73b与闭塞板部73e隔开。铅直部68c与铅直部68d由铅直板部73a与闭塞板部73d隔开。

铅直板部73c与闭塞板部73f不仅仅是铅直部68a的一部分，也是铅直部68b的一部分。也就是说，铅直部68a的一部分与铅直部68b的一部分是由相同的部件构成的。因此，能使多管单元71小型化。具体来说，能抑制前后方向X上的箱体72的长度(也就是说，箱体72的侧壁的宽度Lb)。同样地，铅直板部73b与闭塞板部73e不仅仅是铅直部68b的一部分，也是铅直部68c的一部分。铅直板部73a与闭塞板部73d不仅仅是铅直部68c的一部分，也是铅直部68d的一部分。因此，能使箱体72在前后方向X上更薄。

铅直板部73a～73c的下缘相当于铅直部68a～68d的下端部。铅直板部73a～73c的下缘位于大致相同的高度位置。从而，铅直部68a～68d的下端部位于大致相同的高度位置。铅直部68a比铅直部68b长。铅直部68b比铅直部68c长。铅直部68c比铅直部68d长。

铅直板部73a～73c的下缘位于与箱体72的下端部大致相同的高度位置。从而，箱体72的下端部相当于铅直部68a～68d的下端部。

后壁72b与铅直板部73c的间隔Da比铅直板部73c与铅直板部73b的间隔Db大。因此，铅直部68a的流路截面积比铅直部68b的流路截面积大。铅直板部73c与铅直板部73b的间隔Db比铅直板部73b与铅直板部73a的间隔Dc大。因此，铅直部68b的流路截面积比铅直部68c的流路截面积大。铅直板部73b与铅直板部73a的间隔Dc比铅直板部73a与前壁72a的间隔Dd大。因此，铅直部68b的流路截面积比铅直部68a的流路截面积大。

在不区分铅直部68a～68d的情况下，称作“铅直部68”。铅直部68越长，铅直部68具有越大的流路截面积。

参照图13。图13是处理区块BA的侧面详细图。箱体72设置于液处理室42a～42d的侧方(具体来说，为后方)。箱体72设置于单元壳体43A的侧方(具体来说，为后方)。前壁72a与液处理室42a～42d面对面。前壁72a与单元壳体43A面对面。箱体72的上端部位于与液处理室42a相同的高度位置。箱体72的下端部位于比液处理室42d低的位置。出口72g位于与液处理室42a相同的高度位置。同样地，出口72h～72j位于与液处理室42b～42d相同的高度位置。

前壁72a与水平部67a～67d连接。具体来说，水平部67a的第2端部在出口72g周围，与前壁72a连接。由此，水平部67a经由出口72g，与铅直部68a连通。同样地，水平部67b～67d的第2端部在出口72h～72j周围，与前壁72a连接。由此，水平部67b～67d经由出口72h～72j，与铅直部68b～68d连通。

参照图6、13。衬底处理装置1具备挡板75a～75h。挡板75a设置于供给通道66a。挡板75a调整在供给通道66a中流通的气体的流量。同样地，挡板75b～75h设置于供给通道66b～66h。挡板75b～75h调整在供给通道66b～66h中流通的气体的流量。

挡板75a配置得比铅直部68a更靠下游。具体来说，挡板75a设置于水平部67a。挡板75a配置于液处理室42a。同样地，挡板75b～75h配置得比铅直部68b～68h更靠下游。具体来说，挡板75b～75h设置于水平部67b～67h。挡板75b～75h配置于液处理室42b～42h。

衬底处理装置1具备分配管76a、76b。分配管76a向供给通道66a～66d供给气体。分配管76a连接于供给通道66a～66d。分配管76b向供给通道66e～66h供给气体。分配管76b连接于供给通道66e～66h。

分配管76a、76b具有大致相同的构造。以下，对分配管76a的构造进行说明。

分配管76a具有连接部77a。连接部77a连接于多管单元71a。具体来说，连接部77a连接于箱体72的下端部。也就是说，连接部77a连接于铅直部68a～68d的下端部。铅直部68a～68d的下端部相当于供给通道66a～66d的上游端部。

连接部77a设置于处理区块BA内。连接部77a配置于比液处理室42d低的位置。也就是说，分配管76a与供给通道66a～66d的连接位置比液处理室42d低。

连接部77a沿着大致铅直方向Z延伸。连接部77a具有连接于供给通道66a～66d的上端部。从而，连接部77a的延伸方向与铅直部68a～68d的下端部的延伸方向相同。也就是说，连接部77a的延伸方向与供给通道66a～66d的上游端部的延伸方向相同。

分配管76a连接于气体控制装置5(参照图1)。气体控制装置5例如设置于处理部37的外部。分配管76a是从处理区块BA的内部遍及处理部37的外部。分配管76a贯通区块壳体41A(例如，区块壳体41A的底板)。分配管76a具备上游端部(未图示)。分配管76a的上游端部连接于气体控制装置5。

在不特别区分吹出单元65a～65h的情况下，称作“吹出单元65”。在不特别区分供给通道66a～66h的情况下，称作“供给通道66”。

液处理室42a～42d中任两者是所述第1液处理室2a与第2液处理室2b(参照图1)的例子。供给通道66a～66d中任两者是第1供给通道3a与第2供给通道3b的例子。铅直部68a～68d中任两者是第1铅直部4a与第2铅直部4b的例子。吹出单元65a～65d中任两者是本发明的第1吹出单元与第2吹出单元的例子。挡板75a～75d中任两者是本发明的第1调整部与第2调整部的例子。

同样地，液处理室42e～42h中任两者是第1液处理室2a与第2液处理室2b的例子。供给通道66e～66h中任两者是第1供给通道3a与第2供给通道3b的例子。铅直部68e～68h中任两者是第1铅直部4a与第2铅直部4b的例子。吹出单元65e～65h中任两者是本发明的第1吹出单元与第2吹出单元的例子。挡板75e～75h中任两者是本发明的第1调整部与第2调整部的例子。

<搬送室用供给通道的构造>

参照图4、5。衬底处理装置1具备吹出单元81a～81d。吹出单元81a向搬送室44a吹出气体。吹出单元81a设置于搬送室44a。吹出单元81a配置于主搬送机构T1的上方。吹出单元81a俯视下具有与搬送室44a大致相同的宽窄。同样地，吹出单元81b～81d向搬送室44b～44d吹出气体。吹出单元81b～81d设置于搬送室44b～44d。

吹出单元81a～81d分别具有吹出口(未图示)。吹出口形成于吹出单元81a～81d的下表面。吹出单元81a～81d通过吹出口，向下方吹出气体。

参照图4。衬底处理装置1具有供给通道82a～82d。供给通道82a向搬送室44a供给气体。供给通道82a不向搬送室44b～44d供给气体，而向搬送室44a供给气体。供给通道82a连通至搬送室44a。供给通道82a连接于吹出单元81a。同样地，供给通道82b～82d向搬送室44b～44d供给气体。供给通道82b～82d连通至搬送室44b～44d。供给通道82b～82d连接于吹出单元81b～81d。此外，为了方便起见，图4将供给通道82a～82d图示在与图1不同的位置。

供给通道82a～82d分别具备铅直部83a～83d。铅直部83a～83d连接于吹出单元81a～81d。

铅直部83a、83b设置于处理区块BA内。铅直部83c、83d设置于处理区块BB内。铅直部83a～83d沿着大致铅直方向Z延伸。

铅直部83a～83d分别具有上端部。铅直部83a的上端部位于与搬送室44a相同的高度位置。铅直部83a的上端部连接于吹出单元81a。同样地，83b～83d的上端部设置于与搬送室44b～44d相同的高度位置。铅直部83b～83d的上端部连接于吹出单元81b～81d。

参照图9。铅直部83a连接于距液处理室42a、42b较近的吹出单元81a的侧部。距液处理室42a、42b较近的吹出单元81a的侧部例如为吹出单元81a的右部。同样地，铅直部83b～83d连接于距液处理室42c～42h较近的吹出单元81b～81d的侧部。

铅直部83a从吹出单元81a向下方延伸。同样地，铅直部83b～83d从吹出单元81b～81d向下方延伸。

参照图2。铅直部83a通过搬送室44a。铅直部83a通过距液处理室42a、42b较近的搬送室44a的侧部。具体来说，距液处理室42a、42b较近的搬送室44a的侧部为搬送室44a的右部。更详细来说，铅直部83a通过搬送室44a的右后部。铅直部83a通过载置部P3的右方的位置。同样地，铅直部83c通过搬送室44c。

参照图3。铅直部83a、83b通过搬送室44b。铅直部83a、83b通过距液处理室42c、42d较近的搬送室44b的侧部。具体来说，距液处理室42c、42d较近的搬送室44b的侧部为搬送室44b的右部。更详细来说，铅直部83a、83b通过搬送室44b的右后部。铅直部83a、83b通过载置部P4的右方的位置。在搬送室44b中，铅直部83a、83b是以沿着宽度方向Y排列的方式配置。在搬送室44b中，铅直部83a、83b邻接。同样地，铅直部83c、83d通过搬送室44d。

参照图4、9。铅直部83a、83b均延伸至比搬送室44b低的位置。同样地，铅直部83c、83d均延伸至比搬送室44d低的位置。

铅直部83a～83d具有下端部。铅直部83a、83b的下端部位于比搬送室44a、44b低的位置。铅直部83c、83d的下端部位于比搬送室44c、44d低的位置。

铅直部83a、83b的下端部位于大致相同的高度位置。铅直部83c、83d的下端部位于大致相同的高度位置。

铅直部83a比铅直部83b长。铅直部83a具有比铅直部83b大的流路截面积。同样地，铅直部83c比铅直部83d长。铅直部83c具有比铅直部83d大的流路截面积。

衬底处理装置1具备挡板84a～84d。挡板84a设置于供给通道82a。挡板84a调整在供给通道82a中流通的气体的流量。同样地，挡板84b～84d设置于供给通道82b～82d。挡板84b～84d调整在供给通道82b～82d中流通的气体的流量。

挡板84a～84d设置于铅直部83a～83d。挡板84a、84b位于比搬送室44a、44b低的位置。挡板84c、84d位于比搬送室44c、44d低的位置。

参照图9。分配管76a进而向供给通道82a～82b供给气体。分配管76a连接于供给通道82a～82b。

以下，对分配管76a的构造进行说明。

分配管76a具有连接部77b。连接部77b连接于铅直部83a、83b的下端部。铅直部83a、83b的下端部相当于供给通道82a、82b的上游端部。

连接部77b设置于处理区块BA内。连接部77b配置于比搬送室44b低的位置。从而，分配管76a与供给通道82a、82b的连接位置比搬送室44b低。俯视下，连接部77b配置于与连接部77a不同的位置。

连接部77b沿着大致水平方向(例如，宽度方向Y)延伸。从而，连接部77b的延伸方向与铅直部83a、83b的下端部的延伸方向大致正交。也就是说，连接部77b的延伸方向与供给通道81a、81b的上游端部的延伸方向大致正交。

分配管76a还具备主管77c、分支部77d、支管77e、77f。主管77c遍及处理区块BA的内部与处理部37的外部。主管77c贯通区块壳体41A(例如，区块壳体41A的底板)。主管77c具有连接于气体控制装置5的上游端部(未图示)。主管77c具有连接于分支部77d的下游端部。分支部77d进而连接于支管77e、77f。分支部77d与支管77e、77f设置于处理区块BA内。连接部77a相当于支管77e的下游端部。连接部77b相当于支管77f的下游端部。

分支部77d具备本体部77d1。本体部77d1具有箱形形状。本体部77d1在本体部77d1内，具有内部空间。本体部77d1与主管77c及支管77e、77f连接。

分支部77d具备引导部77d2。引导部77d2将本体部77d1内的一部分气体向支管77e引导，将本体部77d1内的其他气体向支管77f引导。引导部77d2例如具有平板形状。引导部77d2配置于本体部77d1内。引导部77d2连接于本体部77d1的内壁。引导部77d2与本体部77d1的连接位置为本体部77d1与支管77e的连接位置和本体部77d1与支管77f的连接位置之间。引导部77d2从本体部77d1的内壁向本体部77d1的内部空间的中央延伸。

参照图6。分配管76b具有与分配管76a大致相同的构造。也就是说，分配管76b向供给通道82c～82d供给气体。分配管76b连接于供给通道82c～82d。

参照图9。衬底处理装置1具备挡板78a、78b。挡板78a设置于支管77e。挡板78a调整在支管77e中流通的气体的流量。也就是说，挡板78a调整在供给通道66a～66d中流通的气体的流量的总和。挡板78b设置于支管77f。挡板78b调整在支管77f中流通的气体的流量。也就是说，挡板78b调整在供给通道82a、82b中流通的气体的流量的总和。

在不特别区分吹出单元81a～81d的情况下，称作“吹出单元81”。在不特别区分供给通道82a～82d的情况下，称作“供给通道82”。

搬送室44a与搬送室44b是第1搬送室12a与第2搬送室12b(图参照1)的例子。供给通道82a、82b是第1供给通道13a与第2供给通道13b的例子。铅直部83a、83b是第1铅直部14a与第2铅直部14b的例子。

同样地，搬送室44c与搬送室44d是第1搬送室12a与第2搬送室12b的例子。供给通道82c、82d是第1供给通道13a与第2供给通道13b的例子。铅直部83c、83d是第1铅直部14a与第2铅直部14b的例子。

<液处理室用排出通道的构造>

参照图6、13。衬底处理装置1具备排出通道85a～85h。排出通道85a将液处理室42a的气体排出。更详细来说，排出通道85a不将液处理室42b～42h的气体排出，而将液处理室42a的气体排出。排出通道85a连通至液处理室42a。同样地，排出通道85b～85h将液处理室42b～42h的气体排出。排出通道85b～85h连通至液处理室42b～42h。

排出通道85a～85h分别具备水平部86a～86h。水平部86a与设置于液处理室42a的2个承杯52A连接。同样地，水平部86b～86d与设置于液处理室42b～42d的承杯52A连接。水平部86e～86h与设置于液处理室42e～42h的承杯52B连接。

水平部86a～86d设置于处理区块BA内。水平部86e～86h设置于处理区块BB内。水平部86a设置于与液处理室42a相同的高度位置。同样地，水平部86b～86h设置于与液处理室42b～42h相同的高度位置。

水平部86a～86h沿着大致水平方向(具体来说，为前后方向X)延伸。水平部86a～86d贯通单元壳体43A。同样地，水平部86e～86h贯通单元壳体43B。俯视下，水平部86a贯通单元壳体43A的位置与水平部86b～86d贯通单元壳体43A的位置大致相同。同样地，俯视下，水平部86e贯通单元壳体43B的位置与水平部86f～86h贯通单元壳体43B的位置大致相同。

参照图2、3。水平部86a～86h分别具有第1端部。水平部86a的第1端部位于液处理室42a。位于液处理室42a的水平部86a的部分配置于距搬送室44a较近的液处理室42a的侧部。具体来说，距搬送室44a较近的液处理室42a的侧部为液处理室42a的左部。水平部86a的第1端部与设置于液处理室42a的2个承杯52A连接。同样地，水平部86b～86h的第1端部位于液处理室42b～42h。

参照图6、13。水平部86a～86h分别具有第2端部。水平部86a～86h的第2端部位于单元壳体43A、43B的外部。水平部86a的第2端部位于液处理室42a的侧方(具体来说，为前方)。水平部86b～86h的第2端部位于液处理室42b～42h的侧方(具体来说，为前方)。

排出通道85a～85h分别具备铅直部87a～87h。铅直部87a连接于水平部86a。同样地，铅直部87b～87h连接于水平部86b～86h。

铅直部87a～87d设置于单元壳体43A的侧方(具体来说，为前方)。铅直部87e～87h设置于单元壳体43B的侧方(具体来说，为前方)。铅直部87a～87h沿着大致铅直方向Z延伸。

铅直部87a～87h分别具有上端部。铅直部87a的上端部设置于与液处理室42a相同的高度位置。铅直部87a的上端部连接于水平部86a的第2端部。同样地，铅直部87b～87h的上端部设置于与液处理室42b～42h相同的高度位置。铅直部87b～87h的上端部连接于水平部86b～86h的第2端部。

铅直部87a从水平部86a向下方延伸。同样地，铅直部87b～87h从水平部86b～86h向下方延伸。

参照图8。更严谨来说，各水平部86a～86c在液处理室42a～42c的前方，向大致宽度方向Y(例如，右方)弯曲。俯视下，水平部86a～86d的第2端部相互在宽度方向Y上错开。因此，铅直部87a～87d相互不会发生干涉。例如，铅直部87a～87d沿着大致宽度方向Y排列。同样地，各水平部86e～86g在液处理室42e～42g的前方，向大致宽度方向Y(例如，右方)弯曲。因此，铅直部87e～87h相互不会发生干涉。

参照图6、8、13。铅直部87a～87d均延伸至比液处理室42d低的位置。铅直部87e～87h均延伸至比液处理室42h低的位置。

铅直部87a～87h分别具有下端部。铅直部87a～87d的下端部位于比液处理室42a～42d低的位置。铅直部87e～87h的下端部位于比液处理室42e～42h低的位置。

铅直部87a～87d延伸至比处理区块BA低的位置。铅直部87a～87d是从处理区块BA的内部遍及处理部37的外部。铅直部87a～87d贯通区块壳体41A(例如，区块壳体41A的底板)。同样地，铅直部87e～87h延伸至比处理区块BB低的位置。

铅直部87a～87d的下端部位于大致相同的高度位置。铅直部87e～87h的下端部位于大致相同的高度位置。

铅直部87a比铅直部87b长。铅直部87a具有比铅直部87b大的流路截面积。铅直部87b比铅直部87c长。铅直部87b具有比铅直部87c大的流路截面积。铅直部87c比铅直部87d长。铅直部87c具有比铅直部87d大的流路截面积。

铅直部87e～87h的长度与铅直部87e～87h的流路截面积的关系和铅直部87a～87d的长度与铅直部87a～87d的流路截面积的关系相同。

在不区分铅直部87a～87h的情况下，称作“铅直部87”。铅直部87越长，铅直部87具有越大的流路截面积。

参照图6。排出通道85a～85h分别具备下游部88a～88h。下游部88a～88h设置于处理部37的外部(例如，处理部37的下方)。下游部88a连接于铅直部87a。具体来说，下游部88a连接于铅直部87a的下端部。同样地，下游部88b～88h连接于铅直部87b～87h。

下游部88a～88h连接于气体处理装置8(参照图1)。气体处理装置8设置于处理部37的外部。

衬底处理装置1具备挡板89a～89h。挡板89a设置于排出通道85a。挡板89a调整在排出通道85a中流通的气体的流量。同样地，挡板89b～89h设置于排出通道85b～85h。挡板89b～89h调整在排出通道85b～85h中流通的气体的流量。

挡板89a～89h设置于铅直部87a～87h。挡板89a～89d位于比液处理室42a～42d低的位置。挡板89a～89d设置于处理区块BA内。挡板89e～89h位于比液处理室42e～42h低的位置。挡板89e～89h设置于处理区块BB内。

在不特别区分排出通道85a～85h的情况下，称作“排出通道85”。

液处理室42a～42d中任两者是第1液处理室2a与第2液处理室2b(参照图1)的例子。排出通道85a～85d中任两者是第1排出通道6a与第2排出通道6b的例子。铅直部87a～87d中任两者是第1铅直部7a与第2铅直部7b的例子。

同样地，液处理室42e～42h中任两者是第1液处理室2a与第2液处理室2b的例子。排出通道85e～85h中任两者是第1排出通道6a与第2排出通道6b的例子。铅直部87e～87h中任两者是第1铅直部7a与第2铅直部7b的例子。

<搬送室用排出通道的构造>

参照图4、5。衬底处理装置1具备吸入单元91a～91d。吸入单元91a吸入搬送室44a的气体。吸入单元91a设置于搬送室44a。吸入单元91a配置于主搬送机构T1的下方。吸入单元91a俯视下具有与搬送室44a大致相同的宽窄。同样地，吸入单元91b～91d吸入搬送室44b～44d的气体。吸入单元91b～91d设置于搬送室44b～44d。

吸入单元91a～91d分别具有吸入口(未图示)。吸入口形成于吸入单元91a～91d的上表面。吸入单元91a～91d通过吸入口，吸入吸入单元91a～91d上方的气体。

参照图5。衬底处理装置1具备排出通道92a～92h。排出通道92a、92b将搬送室44a的气体排出。更详细来说，排出通道92a、92b不将搬送室44b～44d的气体排出，而将搬送室44a的气体排出。排出通道92a、92b连通至搬送室44a。排出通道92a、92b连接于吸入单元91a。同样地，排出通道92c、92d将搬送室44b的气体排出。排出通道92e、92f将搬送室44c的气体排出。排出通道92g、92h将搬送室44d的气体排出。为了方便起见，图5将排出通道92a～92h图示在与图2、3不同的位置。

排出通道92a～92d具有与排出通道92e～92h大致相同的构造。以下，对排出通道92a～92d的构造进行说明。

参照图14。图14是吸入单元91a、91b与排出通道92a～92d的仰视立体图。排出通道92a、92b分别具备水平部93a、93b。水平部93a、93b连接于吸入单元91a。

水平部93a、93b配置于处理区块BA内。水平部93a、93b设置于与吸入单元91a大致相同的高度位置。水平部93a、93b分别沿着大致水平方向延伸。

水平部93a、93b分别具有第1端部。水平部93a、93b的第1端部分别连接于吸入单元91a。具体来说，水平部93a连接于吸入单元91a的前部，水平部93b连接于吸入单元91a的后部。更详细来说，水平部93a、93b连接于距热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s较近的吸入单元91a的侧部。距热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s较近的吸入单元91a的侧部例如为吸入单元91a的左部。从而，水平部93a连接于吸入单元91a的左前部。水平部93b连接于吸入单元91a的左后部。

水平部93a从水平部93a的第1端部向后方延伸。水平部93b从水平部93b的第1端部向左方延伸。水平部93a、93b分别具有第2端部。水平部93a、93b的第2端部位于搬送室44a、44b的外部。具体来说，水平部93a、93b的第2端部位于与吸入单元91a的左后部近接的位置。

排出通道92a、92b分别具备铅直部94a、94b。铅直部94a、94b连接于水平部93a、93b。

铅直部94a、94b配置于处理区块BA内。铅直部94a、94b设置于搬送室44a、44b的外部。铅直部94a、94b设置于搬送室44a、44b的左方。铅直部94a、94b设置于与搬送室44a、44b的左后部近接的位置。铅直部94a、94b是以沿着宽度方向Y排列的方式配置。铅直部94a、94b邻接。铅直部94a、94b沿着大致铅直方向Z延伸。

铅直部94a、94b具有上端部。铅直部94a、94b的上端位于与吸入单元91a相同的高度位置。铅直部94a的上端部与水平部93a的第2端部连接。铅直部94b的上端部与水平部93b的第2端部连接。铅直部94a、94b从水平部93a、93b向下方延伸。

排出通道92c具备水平部93c。水平部93c连接于吸入单元91b。

水平部93c配置于处理区块BA内。水平部93c设置于与吸入单元91b大致相同的高度位置。水平部93c沿着大致水平方向延伸。

水平部93c具有第1端部。水平部93c的第1端部连接于吸入单元91b。具体来说，水平部93c连接于吸入单元91b的前部。更详细来说，水平部93c连接于距热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v较近的吸入单元91b的侧部。距热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v较近的吸入单元91b的侧部例如为吸入单元91b的左部。从而，水平部93c连接于吸入单元91b的左前部。

水平部93c从水平部93c的第1端部向后方延伸。水平部93c具有第2端部。水平部93c的第2端部位于吸入单元91b的左后部的下方。

排出通道92c、92d分别具备铅直部94c、94d。铅直部94c连接于水平部93c。铅直部94d直接连接于吸入单元91b。

铅直部94c、94d配置于处理区块BA内。铅直部94c、94d设置于搬送室44a、44b的外部。铅直部94c、94d设置于搬送室44b的下方。铅直部94c、94d设置于吸入单元91b的左后部的下方。铅直部94c、94d是以沿着前后方向X排列的方式配置。铅直部94c、94d邻接。进而，铅直部94d与铅直部94a、94b沿着宽度方向Y呈1列排列。铅直部94a、94b、94d邻接。铅直部94c、94d沿着大致铅直方向Z延伸。

铅直部94c、94d分别具有上端部。铅直部94c、94d的上端位于与吸入单元91b相同的高度位置。铅直部94c的上端部与水平部93c的第2端部连接。铅直部94c从水平部93c向下方延伸。铅直部94d的上端部连接于吸入单元91b。具体来说，铅直部94d连接于吸入单元91b的后部。更详细来说，铅直部94d连接于距热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v较近的吸入单元91b的侧部。从而，铅直部94d连接于吸入单元91b的左后部。铅直部94d从吸入单元91b向下方延伸。

参照图5。排出通道92e～92h具有与排出部92a～92d大致相同的构造。具体来说，排出通道92e～92h具备铅直部94e～94h。

参照图5、9。铅直部94a～94d均延伸至比搬送室44b低的位置。同样地，铅直部94e～94h均延伸至比搬送室44d低的位置。

铅直部94a～94h分别具有下端部。铅直部94a～94d的下端部位于比搬送室44a、44b低的位置。铅直部94e～94h的下端部位于比搬送室44c、44d低的位置。

铅直部94a～94d的下端位于大致相同的高度位置。铅直部94e～94h的下端位于大致相同的高度位置。

铅直部94a比铅直部94c、94d长。铅直部94a具有比铅直部94c、94d大的流路截面积。铅直部94b比铅直部94c、94d长。铅直部94b具有比铅直部94c、94d大的流路截面积。

铅直部94e～94h的长度与铅直部94e～94h的流路截面积的关系和铅直部94a～94d的长度与铅直部94a～94d的流路截面积的关系相同。

在不区分铅直部94a～94h的情况下，称作“铅直部94”。铅直部94越长，铅直部94具有越大的流路截面积。

参照图9。排出通道92a～92d具备下游部95a～95d。下游部95a连接于铅直部94a。具体来说，下游部95a连接于铅直部94a的下端部。同样地，下游部95b～95d连接于铅直部94b～94d。下游部95a～95d设置于处理区块BA内。下游部95a～95d设置于比搬送室44b低的位置。

衬底处理装置1具备集合管96。集合管96连接于下游部95a～95d。具体来说，集合管96连接于下游部95a～95d的下游端部。集合管96将在下游部95a～95d中流通的气体集合。换句话来说，集合管96从下游部95a～95d回收气体。下游部95a～95d的下游端部相当于排出通道92a～92d的下游端部。

集合管96连接于气体处理装置18(参照图1)。气体处理装置18设置于处理部37的外部。集合管96是从处理区块BA的内部遍及处理部37的外部。集合管96贯通区块壳体41A(例如，区块壳体41A的底板)。

参照图5、9。衬底处理装置1具备风扇97a～97h。风扇97a设置于排出通道92a。风扇97a向排出通道92a的下游输送气体。换句话来说，风扇97a向气体处理装置18输送气体。进而，风扇97a调整在排出通道92a中流通的气体的流量。同样地，风扇97b～97h设置于排出通道97b～97h。

风扇97a～97h设置于下游部95a～95h。风扇97a～97d配置于比搬送室44a～44b低的位置。风扇97e～97h配置于比搬送室44c～44d低的位置。

在不特别区分吸入单元91a～91d的情况下，称作“吸入单元91”。在不特别区分排出通道92a～92h的情况下，称作“排出通道92”。在不特别区分风扇97a～97h的情况下，称作“风扇97”。

搬送室44a、44b是第1搬送室12a与第2搬送室12b的例子。吸入单元91a、92b是本发明的第1吸入单元与第2吸入单元的例子。排出通道92a、92b中的任一者是第1排出通道16a的例子。更详细来说，排出通道92a、92b是本发明的第1排出通道与第3排出通道的例子。排出通道92c、92d中的任一者是第2排出通道16b的例子。更详细来说，排出通道92c、92d是本发明的第2排出通道与第4排出通道的例子。铅直部94a、94b中的任一者是第1铅直部17a的例子。更详细来说，铅直部94a、94b是本发明的第1铅直部与第3铅直部的例子。铅直部94c、94d中的任一者是第2铅直部17b的例子。更详细来说，铅直部94c、94d是本发明的第2铅直部与第4铅直部的例子。

同样地，搬送室44c、44d是第1搬送室12a与第2搬送室12b的例子。吸入单元91c、92d是本发明的第1吸入单元与第2吸入单元的例子。排出通道92e、92f中的任一者是第1排出通道16a的例子。更详细来说，排出通道92e、92f是本发明的第1排出通道与第3排出通道的例子。排出通道92g、92h中的任一者是第2排出通道16b的例子。更详细来说，排出通道92g、92h是本发明的第2排出通道与第4排出通道的例子。铅直部94e、94f中的任一者是第1铅直部17a的例子。更详细来说，铅直部94e、94f是本发明的第1铅直部与第3铅直部的例子。铅直部94g、94h中的任一者是第2铅直部17b的例子。更详细来说，铅直部94g、94h是本发明的第2铅直部与第4铅直部的例子。

<热处理室用排出通道的构造>

参照图7。衬底处理装置1具备排出通道101a～101l。排出通道101a将热处理室45a～45e的气体排出。排出通道101a不将热处理室45f～45v、46a～46t的气体排出，而将热处理室45a～45e的气体排出。排出通道101a连通至热处理室45a～45e。同样地，排出通道101b将热处理室45f～45j的气体排出。排出通道101c将热处理室45k～45m的气体排出。排出通道101d将热处理室45n～45p的气体排出。排出通道101e将热处理室45q～45s的气体排出。排出通道101f将热处理室45t～45v的气体排出。排出通道101g将热处理室46a～46e的气体排出。排出通道101h将热处理室46f～46j的气体排出。排出通道101i将热处理室46k的气体排出。排出通道101j将热处理室46l的气体排出。排出通道101k将热处理室46m～46p的气体排出。排出通道101l将热处理室46q～46t的气体排出。

排出通道101a具有与排出通道101c、101e、101g、101i、101k大致相同的构造。排出通道101b具有与排出通道101d、101f、101h、101j、101l大致相同的构造。以下，对排出通道101a、101b的构造进行说明。

参照图8。排出通道101a具备水平部102a～102e。排出通道101b具备水平部102f～102j。水平部102a连接于热处理室45a。同样地，水平部102b～102j连接于热处理室45b～45j。

水平部102a～102j设置于处理区块BA。水平部102a配置于与热处理室45a相同的高度位置。同样地，水平部102b～102j设置于与热处理室45b～45j相同的高度位置。

水平部102a～102j沿着大致水平方向(具体来说，为宽度方向Y)延伸。水平部102a～102j贯通单元壳体47A。俯视下，水平部102a贯通单元壳体47A的位置与水平部102b～102j贯通单元壳体47A的位置大致相同。

水平部102a～102j分别具有第1端部。水平部102a的第1端部位于热处理室45a。同样地，水平部102b～102j的第1端部位于热处理室45b～45j。

水平部102a～102j分别具有第2端部。水平部102a～102j的第2端部位于单元壳体47A的外部。水平部102a的第2端部位于热处理室45a的侧方(具体来说，为左方)。同样地，水平部102b～102j的第2端部位于热处理室45b～45j的侧方(具体来说，为左方)。

排出通道101a、101b分别具备铅直部103a、103b。铅直部103a连接于水平部102a～102e。铅直部103b连接于水平部102f～102j。

铅直部103a、103b设置于处理区块BA内。铅直部103a、103b设置于单元壳体47A的侧方(具体来说，为左方)。铅直部103a、103b沿着大致铅直方向Z延伸。

铅直部103a、103b分别具有上端部。铅直部103a的上端部位于与热处理室45a相同的高度位置。铅直部103a连接于水平部102a～102e的第2端部。铅直部103b的上端部位于与热处理室45f相同的高度位置。铅直部103b连接于水平部102f～102j的第2端部。

铅直部103a从水平部102a～102e向下方延伸。同样地，铅直部103b从水平部102f～102j向下方延伸。

参照图7。更严谨来说，铅直部103a具有向大致前后方向X(例如，前方)弯曲的弯曲部。弯曲部形成于比水平部102e低且比水平部102f高的位置。因此，铅直部103a、103b相互不会发生干涉。例如，铅直部103a、103b沿着大致前后方向X排列。

铅直部103a、103b均延伸至比热处理室45j低的位置。

参照图8。铅直部103a、103b分别具有下端部。铅直部103a、103b的下端部位于比热处理室45a～45j低的位置。

铅直部103a、103b的下端部位于大致相同的高度位置。

铅直部103a比铅直部103b长。铅直部103a具有比铅直部103b大的流路截面积。

在不区分铅直部103a～103l的情况下，称作“铅直部103”。铅直部103越长，铅直部103具有越大的流路截面积。

排出通道101a、101b分别具备下游部104a、104b。下游部104a连接于铅直部103a。具体来说，下游部104a连接于铅直部103a的下端部。同样地，下游部104b连接于铅直部103b。

下游部104a、104b连接于气体处理装置28(参照图1)。气体处理装置28设置于处理部37的外部。下游部104a、104b是从处理区块BA的内部遍及处理部37的外部。下游部104a、104b贯通区块壳体41A(例如，区块壳体41A的底板)。

衬底处理装置1具备挡板105a～105j。挡板105a～105e设置于排出通道101a。挡板105a～105e全体调整在排出通道101a中流通的气体的流量。挡板105f～105j设置于排出通道101b。挡板105f～105j全体调整在排出通道101b中流通的气体的流量。

挡板105a配置得比铅直部103a更靠上游。具体来说，挡板105a设置于水平部102a。挡板105a调整在水平部102a中流通的气体的流量。同样地，挡板105b～105e配置得比铅直部103a更靠上游。挡板105f～105j配置得比铅直部103b更靠上游。具体来说，挡板105b～105j设置于水平部102b～102j。挡板105b～105j调整在水平部102b～102j中流通的气体的流量。

衬底处理装置1具备与排出通道101a相同地，于排出通道101c、101e、101g、101i、101k设置的挡板105a～105e。衬底处理装置1具备与排出通道101b相同地，于排出通道101d、101f、101h、101j、101l设置的挡板105f～105j。

在不特别区分排出通道101a～101l的情况下，称作“排出通道101”。

热处理室45a～45e中的任一者是第1热处理室22a的例子。热处理室45f～45j中的任一者是第2热处理室22b的例子。排出通道101a、101b是第1排出通道26a与第2排出通道26b的例子。铅直部103a、103b是第1铅直部27a与第2铅直部27b的例子。

同样地，热处理室45k～45m、45q～45s、46a～46e、46k、46m～46p是第1热处理室22a的例子。热处理室45n～45p、45t～45v、46f～46j、46l、46q～46t是第2热处理室22b的例子。排出通道101c、101e、101g、101i、101k是第1排出通道26a的例子。排出通道101d、101f、101h、101j、101l是第2排出通道26b的例子。铅直部103a、103b是第1铅直部27a与第2铅直部27b的例子。

<接口部39>

参照图2、3。接口部39具备接口用搬送机构TIF。在本实施例中，接口用搬送机构TIF包含2台搬送机构TIFa、TIFb。搬送机构TIFa、TIFb分别搬送衬底W。

参照图4、5。接口部39具备载置部P7、P8与缓冲部BF。载置部P7、P8与缓冲部BF设置于搬送机构TIFa与搬送机构TIFb之间。载置部P7载置衬底W，且冷却衬底W。载置部P8仅载置衬底W。缓冲部BF可载置多片衬底W。

搬送机构TIFa、TIFb均可接近载置部P7、P8与缓冲部BF。搬送机构TIFa、TIFb经由载置部P7、P8相互搬送衬底W。

搬送机构TIFa进而可接近处理区块BB的载置部P5、P6及曝光后热处理单元PEB。搬送机构TIFa与主搬送机构T3经由载置部P5相互搬送衬底W。搬送机构TIFa与主搬送机构T4经由载置部P6相互搬送衬底W。搬送机构TIFa向曝光后热处理单元PEB搬送衬底W。

搬送机构TIFb进而向曝光机EXP搬送衬底W。

参照图2、3。搬送机构TIFa、TIFb分别具备保持衬底W的2个手107、及驱动各手107的手驱动机构108。各手107分别保持1片衬底W。手驱动机构108使手107沿着前后方向X、宽度方向Y及铅直方向Z移动，且使手107以铅直方向Z为中心旋转。由此，手107接近载置部P5、P6等。

<控制系统的构成>

参照图15。图15是衬底处理装置1的控制框图。衬底处理装置1还具备控制部111。

控制部111例如设置于装载部31。控制部111统括地控制衬底处理装置1。具体来说，控制部111控制各搬送机构TID、T1～T4、TIFa、TIFb、液处理单元SA、SB、热处理单元HU、边缘曝光单元EEW、气体控制装置5、风扇97的动作。热处理单元HU为疏水化处理单元AHL、冷却单元CP、加热冷却单元PHP、曝光后热处理单元PEB。

进而，控制部111也可控制挡板75a～75h、84a～84d、89a～89h、105a～105j中的至少任一者。或者，使用者也可不经由控制部111，而手动操作挡板75a～75h、84a～84d、89a～89h、105a～105j中的至少任一者。

控制部111通过执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)、作为运算处理作业区域的RAM(Random-Access Memory，随机存取存储器)、固定碟片等存储媒体等而实现。存储媒体中存储着用来处理衬底W的处理配方(处理程序)、或用来识别各衬底W的信息等各种信息。

<搬送衬底W，处理衬底W的动作例>

衬底W在装载部31与曝光机EXP之间往返。将从装载部31到曝光机EXP的区间称作“去程”。将从曝光机EXP到装载部31的区间称作“返程”。

对去程的动作例进行说明。在装载部31中，装载用搬送机构TID从载具C向载置部P1、P2搬送衬底W。

在处理区块BA中，主搬送机构T1收取载置部P1上的衬底W，并向液处理室42a、42b及热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s搬送衬底W。同样地，主搬送机构T2收取载置部P2上的衬底W，并向液处理室42c、42d及热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v搬送衬底W。

液处理单元SA对衬底W进行涂布处理，设置于处理区块BA的热处理单元HU对衬底W进行热处理。由此，在衬底W形成抗反射膜与抗蚀膜。

搬送衬底W的处理单元的顺序例如如下所述。

疏水化处理单元AHL→冷却单元CP→抗反射膜用涂布单元BARC→加热冷却单元PHP→冷却单元CP→抗蚀膜用涂布单元RESIST→加热冷却单元PHP→冷却单元CP

然后，主搬送机构T1将衬底W搬送至载置部P3。主搬送机构T2将衬底W搬送至载置部P4。

在处理区块BB中，主搬送机构T3从载置部P3向边缘曝光单元EEWa搬送衬底W。边缘曝光单元EEWa将衬底W的周缘部曝光。然后，主搬送机构T3从边缘曝光单元EEWa向载置部P5搬送衬底W。同样地，主搬送机构T4从载置部P4向边缘曝光单元EEWb搬送衬底W，并从边缘曝光单元EEWb向载置部P6搬送衬底W。

在接口部39中，搬送机构TIFa从载置部P5、P6向载置部P7搬送衬底W。搬送机构TIFb从载置部P7向曝光机EXP搬送衬底W。曝光机EXP对衬底W进行曝光处理。

对返程的动作例进行说明。搬送机构TIFb从曝光机EXP向载置部P8搬送衬底W。搬送机构TIFa从载置部P8向热处理室46m～46t进行搬送。曝光后热处理单元PEB对衬底W进行曝光后热处理。搬送机构TIFa将经过曝光后热处理的衬底W从热处理室46m～46t搬送至载置部P5、P6。

在处理区块BB中，主搬送机构T3收取载置部P5上的衬底W，并向液处理室42e、42f及热处理室46a～46e、46k搬送衬底W。同样地，主搬送机构T4收取载置部P6上的衬底W，并向液处理室42g、42h及热处理室46f～46j、46l搬送衬底W。

液处理单元SB对衬底W进行显影处理，设置于处理区块BB的热处理单元HU对衬底W进行热处理。由此，使衬底W显影。

搬送衬底W的处理单元的顺序例如如下所述。

冷却单元CP→显影处理单元DEV→加热冷却单元PHP→冷却单元CP

然后，主搬送机构T3将衬底W搬送至载置部P3。主搬送机构T4将衬底W搬送至载置部P4。

在处理区块BA中，主搬送机构T1从载置部P3向载置部P1搬送衬底W。主搬送机构T2从载置部P4向载置部P2搬送衬底W。

装载用搬送机构TID从载置部P1、P2向载具C搬送衬底W。

<与相对于液处理室42、搬送室44、热处理室45、46的供气及排气相关的动作例>

气体控制装置5调整气体的温度及湿度，将温度及湿度经调整后的气体输送至分配管76a、76b。具体来说，在分配管76a中，气体从主管77c向分支部77d流通。一部分气体从分支部77d经由支管77e向连接部77a流通，其他气体从分支部77d经由支管77f向连接部77b流通。在分配管76b中，气体也同样流通。

分配管76a向供给通道66a～66d供给气体。具体来说，分配管76a的连接部77a向铅直部68a～68d分配气体。同样地，分配管76b向供给通道66e～66h供给气体。

供给通道66a～66h向液处理室42a～42h供给气体。挡板75a～75h调整在供给通道66a～66h中流通的气体的流量。具体来说，在供给通道66a中，气体从铅直部68a向水平部67a流通，并从水平部67a向吹出单元65a流通。然后，气体从吹出单元65a向液处理室42a吹出。在供给通道66b～66h中，气体也同样流通。

由此，温度及湿度经调整后的气体被供给至液处理室42a～42h。

分配管76a向供给通道82a、82b供给气体。具体来说，分配管76a的连接部77b向铅直部83a、83b分配气体。同样地，分配管76b向供给通道82c、82d供给气体。

供给通道82a～82d向搬送室44a～44d供给气体。挡板84a～84d调整在供给通道82a～82d中流通的气体的流量。具体来说，在供给通道82a中，气体从铅直部83a向吹出单元81a流通。然后，气体从吹出单元81a向搬送室44a吹出。在供给通道82b～82d中，气体也同样流通。

由此，温度及湿度经调整后的气体被供给至搬送室44a～44d。

气体处理装置8抽吸气体。由此，排出通道85a～85h将液处理室42a～42h的气体排出。挡板89a～89h调整在排出通道85a～85h中流通的气体的流量。具体来说，关于排出通道85a，气体从设置于液处理室42a的承杯52A向水平部86a流通。气体从水平部86a向铅直部87a流通，并从铅直部87a向下游部88a流通，再从下游部88a向气体处理装置8流通。关于排出通道85b～85h，气体也同样流通。

气体处理装置8处理通过排出通道85a～85h所排出的气体。

气体处理装置18抽吸气体，风扇97a～97h将气体输送至下游。由此，排出通道92a～92h将搬送室44a～44d的气体排出。风扇97a～97h调整在排出通道85a～85h中流通的气体的流量。具体来说，关于排出通道92a、92b，气体从搬送室44a向吸入单元91a流通。一部分气体从吸入单元91a向水平部93a流通，其他气体从吸入单元91a向水平部93b流通。一部分气体进而从水平部93a向铅直部94a流通，并从铅直部94a向下游部95a流通，再从下游部95a向集合管96流通。其他气体进而从水平部93b向铅直部94b流通，并从铅直部94b向下游部95b流通，再从下游部95b向集合管96流通。也就是说，一部分气体与其他气体在集合管96合流。进而，气体从集合管96向气体处理装置18流通。关于排出通道92c～92h，气体也同样流通。

气体处理装置18处理通过排出通道92a～92h所排出的气体。

气体处理装置28抽吸气体。由此，排出通道101a～101l将热处理室45a～45v、46a～46t的气体排出。挡板105a～105j调整在排出通道101a～101l中流通的气体的流量。具体来说，关于排出通道101a，气体从热处理室45a向水平部102a流通。同样地，气体从热处理室45b～45e向水平部102b～102e流通。气体从水平部102a～102e向铅直部103a流通。也就是说，通过水平部102a～102e的气体在铅直部103a合流。进而，气体从铅直部103a向下游部104a流通，并从下游部104a向气体处理装置28流通。关于排出通道101b～101l，气体也同样流通。

气体处理装置28处理通过排出通道101a～101l所排出的气体。

<效果>

根据本实施例，达成以下的效果。

供给通道66a～66d分别具备铅直部68a～68d。这里，液处理室42a～42d沿着大致铅直方向Z排列。因此，轻易便可用1条管路来将铅直部68a～68d汇总起来。假设将铅直部68a～68d用1条管路来代替，那么能使铅直部68a～68d的构造简化。尽管如此，但在本实施例中，不用1条管路来代替供给通道66a～66d。进而，铅直部68a～68d均延伸至比液处理室42a～42d低的位置。因此，供给通道66a～66d均相对较长。由此，能较好地抑制供给通道66a向液处理室42a供给的气体供给量、供给通道66b向液处理室42b供给的气体供给量、供给通道66c向液处理室42c供给的气体供给量、供给通道66d向液处理室42d供给的气体供给量相互造成影响。例如，能较好地抑制供给通道66a的气体供给量因为供给通道66b～66d中的至少任一者的气体供给量的变化而发生变动。从而，能较好地抑制相对于液处理室42a～42d的气体供给量相互造成影响。

同样地，供给通道66e～66h具备铅直部68e～68h。铅直部68e～68h延伸至比液处理室42e～42h低的位置。因此，供给通道66e～66h相对较长。从而，能较好地抑制相对于液处理室42e～42h的气体供给量相互造成影响。

铅直部68越长，铅直部68具有越大的流路截面积。由此，能缩小各铅直部68的压力损失之间的差。从而，各供给通道66a～66h能较好地供给气体。

挡板75a～75d配置得比铅直部68a～68d更靠下游。因此，位于比挡板75a～75d更靠上游的供给通道66a～66d的部分包含铅直部68a～68d。由此，位于比挡板75a～75d更靠上游的供给通道66a～66d的部分相对较长。从而，能更好地抑制供给通道66a～66d向液处理室42a～42d供给的气体供给量相互造成影响。同样地，挡板75e～75h配置得比铅直部68e～68h更靠下游。从而，能更好地抑制相对于液处理室42e～42h的气体供给量相互造成影响。

分配管76a与供给通道66a～66d的连接位置配置于比液处理室42a～42d低的位置。因此，尽管供给通道66a～66d具有铅直部68a～68d，供给通道66a～66d也能较好地与分配管76a连接。同样地，分配管76b与供给通道66e～66h的连接位置配置于比液处理室42e～42h低的位置。因此，尽管供给通道66e～66h具有铅直部68e～68h，供给通道66e～66h也能较好地与分配管76b连接。

分配管76a的连接部77a的延伸方向与供给通道66a～66d的上游端部的延伸方向大致相同。因此，气体顺利地从分配管76a的连接部77a向供给通道66a～66d的上游端部流通。也就是说，分配管76a能顺利地向供给通道66a～66d供给气体。同样地，分配管76b的连接部77a的延伸方向与供给通道66e～66h的上游端部的延伸方向大致相同。因此，气体顺利地从分配管76b的连接部77a向供给通道66e～66h的上游端部流通。

分配管76a连接于供给通道82a～82b，向供给通道82a～82b供给气体。如此，通过1根分配管76a，不仅能向供给通道66a～66d，还能向供给通道82a～82b供给气体。由此，能使衬底处理装置1的构造简化。同样地，分配管76b连接于供给通道82c～82d，向供给通道82c～82d供给气体。由此，能使衬底处理装置1的构造进一步简化。

分配管76a具备分支部77d。因此，能将连接部77a、77b分别设置于不同的位置。由此，分配管76a能在恰当的位置与供给通道66a～66d连接，且能在恰当的位置与供给通道82a～82b连接。

分支部77d具备引导部77d2。因此，分支部77d能顺利地将气体分配至支管77e、77f。

铅直部68a～68d形成于多管单元71a的箱体72内。多管单元71a的间隔部件73将铅直部68a～68d隔开。因此，能使铅直部68a～68d的构造简化。同样地，铅直部68e～68h形成于多管单元71b的箱体72内。多管单元71b的间隔部件73将铅直部68e～68h隔开。因此，能使铅直部68e～68h的构造简化。

前壁72a的宽度La比右壁72c及左壁72d的宽度Lb长。因此，能较好地使箱体72的厚度较薄。由此，既能抑制衬底处理装置1的大型化，又容易确保箱体72的设置空间。

俯视下，各出口72g～72j配置于大致相同的位置。因此，能较好地防止供给通道66a～66d的构造复杂化。

上壁72e从后壁72b向前壁72a朝上方倾斜。因此，气体能顺利地从铅直部68a向水平部67a流通。

闭塞板部73f从铅直板部73c向前壁72a朝上方倾斜。因此，气体能顺利地从铅直部68b向水平部67b流通。同样地，闭塞板部73e、73d从铅直板部73b、73a向前壁72a朝上方倾斜。因此，气体能顺利地从铅直部68c、68d向水平部67c、67d流通。

衬底处理装置1具备气体控制装置5。因此，能向液处理室42a～42h及搬送室44a～44d供给温度及湿度经调整后的气体。

俯视下，供给通道66a～66d在大致相同的位置，贯通单元壳体43A。因此，能抑制供给通道66a～66d及单元壳体43A的构造复杂化。同样地，俯视下，供给通道66e～66h在大致相同的位置，贯通单元壳体43B。因此，能抑制供给通道66e～66h及单元壳体43B的构造复杂化。

尽管搬送室44b也配置于搬送室44a的下方，但供给通道82a、82b分别具备铅直部83a、83b。铅直部83a、83b均延伸至比搬送室44a、44b低的位置。因此，供给通道82a、82b相对较长。由此，能较好地抑制供给通道82a向搬送室44a供给的气体供给量与供给通道82b向搬送室44b供给的气体供给量相互造成影响。从而，能较好地抑制相对于搬送室44a、44b的气体供给量相互造成影响。

同样地，供给通道82c、82d具备铅直部83c、83d。铅直部83c、83d均延伸至比搬送室44c、44d低的位置。因此，供给通道82c，82d相对较长。从而，能较好地抑制相对于搬送室44c、44d的气体供给量相互造成影响。

铅直部83a比铅直部83b长，且具有比铅直部83b大的流路截面积。由此，能抑制铅直部83a的压力损失相比于铅直部83b的压力损失变大过大。由此，不仅仅是铅直部83b，铅直部83a也能较好地供给气体。同样地，铅直部83c比铅直部83d长，且具有比铅直部83d大的流路截面积。由此，能抑制铅直部83c的压力损失相比于铅直部83d的压力损失变得过大。由此，不仅仅是铅直部83d，铅直部83c也能较好地供给气体。

铅直部83a连接于距液处理室42a、42b较近的吹出单元81a的侧部。换句话来说，铅直部83a连接于距热处理室45a～45v较远的吹出单元81a的侧部。进而，铅直部83a通过距液处理室42a、42b较近的搬送室44a的侧部。换句话来说，铅直部83a通过距热处理室45a～45v较远的搬送室44a的侧部。因此，能抑制供给通道82a受到来自热处理室45a～45v的热影响。关于铅直部83b～83d，也同样如此。

挡板84a、84b配置于比搬送室44a、44b低的位置。由此，使用者能较好地接近挡板84a、84b。因此，能提高挡板84a、84b的操作性、及挡板84a、84b的维护性。关于挡板84c、84d，也同样如此。

尽管液处理室42a～42d沿着大致铅直方向Z排列，但排出通道85a～85d具备铅直部87a～87d。铅直部87a～87d均延伸至比液处理室42a～42d低的位置。因此，排出通道85a～85d相对较长。由此，能较好地抑制排出通道85a从液处理室42a排出的气体排出量、排出通道85b从液处理室42b排出的气体排出量、排出通道85c从液处理室42c排出的气体排出量、排出通道85d从液处理室42d排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于液处理室42a～42d的气体排出量相互造成影响。

同样地，排出通道85e～85h具备铅直部87e～87h。铅直部87e～87h均延伸至比液处理室42e～42h低的位置。因此，排出通道85e～85h相对较长。从而，能较好地抑制来自于液处理室42e～42h的气体排出量相互造成影响。

铅直部87越长，铅直部87具有越大的流路截面积。由此，能缩小各铅直部87的压力损失之间的差。从而，各排出通道85a～85h能较好地将气体排出。

俯视下，排出通道85a～85d在大致相同的位置，贯通单元壳体43A。因此，能抑制排出通道85a～85d及单元壳体43A的构造复杂化。同样地，俯视下，排出通道85e～85h在大致相同的位置，贯通单元壳体43B。因此，能抑制排出通道85e～85h及单元壳体43B的构造复杂化。

位于液处理室42a的排出通道85a的部分配置于距搬送室44a较近的液处理室42a的侧部。喷嘴53A的待机位置配置于距搬送室44a较远的液处理室42a的侧部。因此，能较好地防止排出通道85a与喷嘴53A发生干涉。关于排出通道85b～85h，也同样如此。

挡板89a～89d配置于比液处理室42a～42d低的位置。由此，使用者能较好地接近挡板89a～89d。因此，能提高挡板89a～89d的操作性、及挡板89a～89d的维护性。关于挡板89e～89h，也同样如此。

尽管搬送室44b也配置于搬送室44a的下方，但排出通道92a～92d分别具备铅直部94a～94d。铅直部94a～94d均延伸至比搬送室44a、44b低的位置。因此，排出通道92a～92d相对较长。由此，能较好地抑制排出通道92a从搬送室44a排出的气体排出量、排出通道92b从搬送室44a排出的气体排出量、排出通道92c从搬送室44b排出的气体排出量、排出通道92d从搬送室44b排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于搬送室44a、44b的气体排出量相互造成影响。

同样地，排出通道92e～92h具备铅直部94e～94h。铅直部94e～94h延伸至比搬送室44c、44d低的位置。因此，排出通道92e～92h相对较长。从而，能较好地抑制来自于搬送室44c、44d的气体排出量相互造成影响。

铅直部94越长，铅直部94具有越大的流路截面积。由此，能缩小各铅直部94的压力损失之间的差。从而，各排出通道92a～92h能较好地将气体排出。

排出通道92a、92b均是将搬送室44a的气体排出。因此，能以较好的效率从搬送室44a将气体排出。同样地，能以较好的效率从搬送室44b～44d将气体排出。

排出通道92a及排出通道92b均与吸入单元91a连接，通过吸入单元91a将搬送室44a的气体排出。因此，排出通道92a与排出通道92b能以相同的方式从搬送室44a将气体排出。例如，吸入单元91a能遍及吸入单元91a的上表面，更均匀地吸入气体。同样地，能更恰当地将搬送室44b～44d的气体排出。

排出通道92a与吸入单元91a的前部连接，排出通道92b与吸入单元91a的后部连接。因此，吸入单元91a能遍及吸入单元91a的上表面，进一步更均匀地吸入气体。关于吸入单元91b～91d，也同样如此。

风扇97a～97d配置于比搬送室44a、44b低的位置。由此，使用者能较好地接近风扇97a～97d。因此，能提高风扇97a～97d的操作性、及风扇97a～97d的维护性。关于风扇97e～97h，也同样如此。

风扇97a～97h禁止气体在排出通道92a～92h中逆流。具体来说，风扇97a～97h禁止气体从排出通道92a～92h向搬送室44a～44d流通。由此，能防止搬送室44a～44d的清洁度下降。

尽管热处理室45a～45j沿着大致铅直方向Z排列，但排出通道101a、101b具备铅直部103a、103b。铅直部103a、103b均延伸至比热处理室45a～45j低的位置。因此，排出通道101a、101b相对较长。由此，能较好地抑制排出通道101a从热处理室45a～45e排出的气体排出量与排出通道101b从热处理室45f～45j排出的气体排出量相互造成影响。从而，能较好地抑制来自于热处理室45a～45j的气体排出量相互造成影响。

同样地，排出通道101c～101l具备铅直部103a、103b。铅直部103a、103b均延伸至比热处理室45k～45v、46a～46t低的位置。因此，排出通道101c～101l相对较长。从而，能较好地抑制来自于热处理室45k～45v、46a～46t的气体排出量相互造成影响。

铅直部103a比铅直部103b长，且铅直部103a具有比铅直部103b大的流路截面积。由此，能抑制铅直部103a的压力损失相比于铅直部103b的压力损失变得过大。由此，不仅仅是铅直部103b，铅直部103a也能较好地将气体排出。

俯视下，排出通道101a、101b在大致相同的位置，贯通单元壳体47A。因此，能较好地防止排出通道101a、101b及单元壳体47A的构造复杂化。

挡板105a～105j配置得比铅直部103a、103b更靠上游。因此，位于比挡板105a～105j更靠下游的排出通道101a、101b的部分包含铅直部103a、103b。由此，位于比挡板105a～105j更靠下游的排出通道101a、101b的部分相对较长。从而，能更好地抑制排出通道101a从热处理室45a～45e排出的气体排出量与排出通道101b从热处理室45f～45j排出的气体排出量相互造成影响。同样地，能更好地抑制排出通道101c～101l从热处理室45、46排出的气体排出量相互造成影响。

本发明并不限于所述实施方式，而可按照如下所述变形实施。

(1)在实施例中，铅直部68a～68d均延伸至比液处理室42d低的位置。但是，并不限于此。铅直部68a～68d也可均延伸至比液处理室42a高的位置。铅直部68a～68d也可均延伸至比液处理室42a高的位置、及比液处理室42d低的位置。关于铅直部68e～68h，也同样如此。

(2)在实施例中，向1个液处理室42供给气体的供给通道66的数量为1个。但是，并不限于此。向1个液处理室42供给气体的供给通道66的数量也可为多个。在实施例中，连接于1个吹出单元65的供给通道66的数量为1个。但是，并不限于此。连接于1个吹出单元65的供给通道66的数量也可为多个。

参照图16。图16是变形实施例的处理区块BA的侧视图。此外，关于与实施例相同的构成，标注相同的符号，以便省略详细的说明。为了方便起见，图16将排出通道85a～85d的图示省略。

在变形实施例中，衬底处理装置1除了供给通道66a～66d以外，还具备供给通道66i～66l。供给通道66a、66i向液处理室42a供给气体。更详细来说，供给通道66a、66i不向液处理室42b～42h供给气体，而向液处理室42a供给气体。供给通道66a、66i连通至液处理室42a。供给通道66a、66i连接于吹出单元65a。同样地，供给通道66b、66j向液处理室42b供给气体。供给通道66c、66k向液处理室42c供给气体。供给通道66d、66l向液处理室42d供给气体。

供给通道66i～66l分别具备水平部67i～67l。水平部67a、67i连接于吹出单元65a。水平部67a连接于吹出单元65a的后部。水平部67i连接于吹出单元65a的前部。同样地，水平部67b、67j连接于吹出单元65b。水平部67c、67k连接于吹出单元65c。水平部67d、67l连接于吹出单元65d。

水平部67a～67d、67i～67l从吹出单元65a～65d向单元壳体43A的外部延伸。水平部67a～67d从吹出单元65a～65d延伸的方向与水平部67i～67l从吹出单元65a～65d延伸的方向不同。水平部67a～67d从吹出单元65a～65d延伸的方向与水平部67i～67l从吹出单元65a～65d延伸的方向相反。水平部67a～67d从吹出单元65a～65d向后方延伸，水平部67i～67l从吹出单元65a～65d向前方延伸。

供给通道66i～66l分别具备铅直部68i～68l。铅直部68i～68l连接于水平部67i～67l。铅直部68i～68l沿着大致铅直方向Z延伸。铅直部68i～68l均延伸至比液处理室42d低的位置。

铅直部68a～68d设置于液处理室42a～42d的第1侧方(例如后方)，铅直部68i～68l设置于液处理室42a～42d的第2侧方(例如前方)。第2侧方与第1侧方不同。第2侧方与第1侧方相反。

衬底处理装置1具备挡板75i～75l。挡板75i～75l设置于供给通道66i～66l。挡板75i～75l调整在供给通道66i～66l中流通的气体的流量。挡板75i～75l配置得比铅直部68i～68l更靠下游。挡板75i～75l设置于水平部67i～67l。

衬底处理装置1具备分配管121取代了分配管76a。分配管121向供给通道66a～66d、66i～66l供给气体。分配管121与供给通道66a～66d、66i～66l连接。

例如，分配管121具备第1接合部122与第2接合部123。第1接合部122与供给通道66a～66d连接。第2接合部123与供给通道66i～66l连接。分配管121还具备未图示的上游端部。分配管121的上游端部连接于气体控制装置5(参照图1)。

根据本变形实施例，尽管液处理室42a～42d沿着大致铅直方向Z排列，但供给通道66a～66d、66i～66l具备铅直部68a～68d、68i～68l。铅直部68a～68d、68i～68l均延伸至比液处理室42d低的位置。因此，供给通道66a～66d、66i～66l相对较长。由此，能较好地抑制供给通道66a～66d、66i～66l向液处理室42a～42d供给的气体供给量相互造成影响。

供给通道66a、66i均是向液处理室42a供给气体。因此，通过供给通道66a、66i，能以较好的效率向液处理室42a供给气体。同样地，能以较好的效率向液处理室42b～42d供给气体。

供给通道66a、66i均是通过吹出单元65a向液处理室42a供给气体。由此，供给通道66a、66i能以相同的方式向液处理室42a供给气体。例如，吹出单元65a能遍及吹出单元65a的下表面，更均匀地吹出气体。

供给通道66a与吹出单元65a的后部连接，供给通道66i与吹出单元65a的前部连接。因此，吹出单元65a能遍及吹出单元65a的下表面，进一步更均匀地吹出气体。

铅直部68a～68d设置于液处理室42a～42d的第1侧方，铅直部68i～68l设置于液处理室42a～42d的第2侧方。因此，能较好地防止铅直部68a～68d与铅直部68i～68l发生干涉。

供给通道66i～66l中任两者是本发明的第3供给通道与第4供给通道的例子。铅直部68i～68l中任两者是本发明的第3铅直部与第4铅直部的例子。

(3)在实施例中，供1个供给通道66供给气体的液处理室42的数量为1个。但是，并不限于此。例如，供1个供给通道66供给气体的液处理室42的数量也可为多个。

参照图17。图17是变形实施例的处理区块BA的侧视图。此外，关于与实施例相同的构成，标注相同的符号，以便省略详细的说明。

在变形实施例中，衬底处理装置1具备供给通道66m、66n取代了供给通道66a～66d。供给通道66m向液处理室42a、42b供给气体。更详细来说，供给通道66m不向液处理室42c～42h供给气体，而向液处理室42a、42b供给气体。供给通道66m连通至液处理室42a、42b。供给通道66m连接于吹出单元65a、65b。同样地，供给通道66n向液处理室42c、42d供给气体。

供给通道66m具备水平部67m1、67m2与铅直部68m。供给通道66n具备水平部67n1、67n2与铅直部68n。水平部67m1、67m2、67n1、67n2具有与实施例的水平部67a～67d实质上相同的构造。铅直部68m连接于水平部67m1、67m2。铅直部68n连接于水平部67n1、67n2。铅直部68m、68n沿着大致铅直方向Z延伸。铅直部68m、68n均延伸至比液处理室42d低的位置。

供给通道66m、66n包含多管单元131。多管单元131相当于从多管单元71a中省略掉铅直板部73a、73c及闭塞板部73d、73f而成的部件。也就是说，多管单元131具备箱体72与间隔部件133。间隔部件133具备铅直板部73b与闭塞板部73e。

间隔部件133将箱体72的内部空间间隔成2个空间。2个空间相当于铅直部68m、68n的流路。也就是说，铅直部68m、68n形成于箱体72内。铅直部68m、68n由间隔部件133隔开。具体来说，铅直部68m、68n由铅直板部73b与闭塞板部73e隔开。

根据本变形实施例，尽管液处理室42a～42d沿着大致铅直方向Z排列，但供给通道66m、66n具备铅直部68m、68n。铅直部68m、68n均延伸至比液处理室42d低的位置。因此，供给通道66m、66n相对较长。由此，能较好地抑制供给通道66m向液处理室42a、42b供给的气体供给量与供给通道66n向液处理室42c、42d供给的气体供给量相互造成影响。

(4)在实施例中，铅直部68a设置于液处理室42a～42h的外部。但是，并不限于此。例如，也可为铅直部68a至少一部分设置于液处理室42a～42h中的至少任一者。换句话来说，也可为铅直部68a至少一部分设置于单元壳体43A、44B的内部。关于铅直部68b～68h，也同样如此。

(5)在实施例中，铅直部68a设置于处理区块BA内。但是，并不限于此。也可为铅直部68a至少一部分设置于处理区块BA的外部。例如，可为铅直部68a延伸至比处理区块BA低的位置。

(6)在实施例中，铅直板部73a～73c为与前壁72a大致平行的平板。但是，并不限于此。例如，铅直板部73a～73c也可为与前壁72a大致正交的平板。例如，铅直板部73a～73c也可为与右壁72c及左壁72d中的至少任一者大致平行的平板。在本变形实施例中，铅直板部73a～73c设置于右壁72c的左方且左壁72d的右方。

(7)在实施例中，铅直部68a～68d包含箱体72与间隔部件73。但是，并不限于此。铅直部68a～68d也可包含互不同体的4根配管。关于铅直部68e～68h，也同样如此。

(8)在实施例中，分配管76a向供给通道66a～66d及供给通道82a～82b供给气体。但是，并不限于此。

分配管76a也可不向供给通道82a～82b供给气体。也就是说，分配管76a也可仅向供给通道66a～66d供给气体。衬底处理装置1可还具备与分配管76a不同体的、向供给通道82a～82b供给气体的分配管。或者，供给通道82a～82b可直接连接于气体控制装置5。

分配管76a也可不向供给通道66a～66d供给气体。也就是说，分配管76a也可仅向供给通道82a～82b供给气体。供给通道66a～66d可直接连接于气体控制装置5。

也可将分配管76a省略。供给通道66a～66d及供给通道82a～82b可直接连接于气体控制装置5。

关于分配管76b，也同样如此。

(9)在实施例中，分配管76a不向供给通道66e～66h供给气体。但是，并不限于此。例如，分配管76a也可向供给通道66e～66h供给气体。在实施例中，分配管76a不向供给管82c、82d供给气体。但是，并不限于此。例如，分配管76a也可向供给通道82c、82d供给气体。

(10)在实施例中，将通过气体控制装置5加以调整后的气体供给至供给通道66。但是，并不限于此。例如，也可将衬底处理装置1外部的气体供给至供给通道66。这里，衬底处理装置1外部的气体例如为设置衬底处理装置1的无尘室的气体。衬底处理装置1外部的气体例如为衬底处理装置1周围的气体。

(11)在实施例中，气体控制装置5向供给通道66及供给通道82供给气体。但是，并不限于此。

气体控制装置5也可不向供给通道82供给气体。气体控制装置5也可仅向供给通道66供给气体。在本变形实施例中，可还具备与气体控制装置5不同体的、向供给通道82供给气体的气体控制装置。

气体控制装置5也可不向供给通道66供给气体。气体控制装置5也可仅向供给通道82供给气体。

(12)在实施例中，设置于1个液处理室42的液处理单元SA的数量为2个。但是，并不限于此。设置于1个液处理室42的液处理单元SA的数量也可为1个、或3个以上。在实施例中，设置于1个液处理室42的液处理单元SB的数量为2个。但是，并不限于此。设置于1个液处理室42的液处理单元SB的数量也可为1个、或3个以上。

(13)在实施例中，铅直部83a、83b均延伸至比搬送室44b低的位置。但是，并不限于此。铅直部83a、83b也可均延伸至比搬送室44a高的位置。铅直部83a、83b也可均延伸至比搬送室44a高的位置、及比搬送室44b低的位置。关于铅直部83c、83d，也同样如此。

(14)在实施例中，向1个搬送室44供给气体的供给通道82的数量为1个。但是，并不限于此。向1个搬送室44供给气体的供给通道82的数量也可为多个。根据本变形实施例，能以较好的效率向搬送室44供给气体。

(15)在实施例中，连接于1个吹出单元81的供给通道82的数量为1个。但是，并不限于此。连接于1个吹出单元81的供给通道82的数量也可为多个。根据本变形实施例，多个供给通道82均是通过1个吹出单元81向搬送室44供给气体。由此，多个供给通道82能以相同的方式向搬送室44供给气体。例如，吹出单元81能遍及吹出单元81的下表面，更均匀地吹出气体。

(16)在实施例中，供1个供给通道82供给气体的搬送室44的数量为1个。但是，并不限于此。供1个供给通道82供给气体的搬送室44的数量也可为多个。例如，在衬底处理装置1具备沿着大致铅直方向Z排列的4个搬送室44的情况下，也可为如下情况，即，供给通道82a向上侧的2个搬送室44供给气体，供给通道82b向下侧的2个搬送室44供给气体。

(17)在实施例中，铅直部83a一部分设置于搬送室44a。但是，并不限于此。例如，也可为铅直部83a全部设置于搬送室44a的外部。在实施例中，铅直部83a一部分设置于搬送室44b。但是，并不限于此。例如，也可为铅直部83a全部设置于搬送室42b的外部。关于铅直部83b～83d，也同样如此。

(18)在实施例中，铅直部83a设置于处理区块BA内。但是，并不限于此。也可为铅直部83a至少一部分设置于处理区块BA的外部。例如，铅直部83a可延伸至比处理区块BA低的位置。

(19)在实施例中，将通过气体控制装置5加以调整后的气体供给至供给通道82。但是，并不限于此。也可将衬底处理装置1外部的气体供给至供给通道82。

参照图18。图18是变形实施例的处理区块BA的前视图。此外，关于与实施例相同的构成，标注相同的符号，以便省略详细的说明。衬底处理装置1具备送风部141。送风部141取入衬底处理装置1外部的气体。这里，衬底处理装置1外部的气体例如为设置衬底处理装置1的无尘室的气体。送风部141设置于处理部37(例如，区块壳体41A)之上。但是，送风部141的配置并不限于此。例如，送风部141也可设置于处理区块BA内。在该情况下，送风部141通过形成于区块壳体41A的开口，取入无尘室的气体。

送风部141具备用来输送气体的风扇。进而，送风部141优选具备过滤器。过滤器例如为化学吸附过滤器、或ULPA过滤器(Ultra Low Penetration Air Filter，超低穿透率空气过滤器)。

衬底处理装置1具备供给通道142a、142b。供给通道142a向搬送室44a供给气体。供给通道142a不向搬送室44b～44d供给气体，而向搬送室44a供给气体。供给通道142a连通至搬送室44a。供给通道142a连接于送风部141与吹出单元81a。同样地，供给通道142b向搬送室44b供给气体。

供给通道142a、142b分别具备铅直部143a、143b。铅直部143a连接于送风部141与吹出单元81a。铅直部143b连接于送风部141与吹出单元81b。

铅直部143a、143b沿着大致铅直方向Z延伸。铅直部143a、143b均延伸至比搬送室44a高的位置。铅直部143a、143b遍及处理区块BA的内部与处理区块BA的外部而延伸。铅直部143a、143b例如贯通区块壳体41A(例如，区块壳体41A的上板)。

铅直部143a、143b分别具有上端部。铅直部143a、143b的上端部位于处理部37的上方。铅直部143a、143b的上端部连接于送风部141。

铅直部143a、143b分别具有下端部。铅直部143a、143b的下端部位于处理区块BA内。铅直部143a的下端部位于与搬送室44a相同的高度位置。铅直部143a的下端部连接于吹出单元81a。铅直部143b的下端部位于与搬送室44b相同的高度位置。铅直部143b的下端部连接于吹出单元81b。

送风部141将衬底处理装置1上方的气体输送至供给通道142a、142b。具体来说，气体从送风部141向铅直部143a流通，并从铅直部143a向吹出单元81a流通。然后，气体从吹出单元81a向搬送室44a吹出。同样地，气体从送风部141向铅直部143b流通，并从铅直部143b向吹出单元81b流通。然后，气体从吹出单元81b向搬送室44b吹出。

根据本变形实施例，供给通道142a、142b分别具备铅直部143a、143b。铅直部143a、143b均延伸至比搬送室44a高的位置。因此，供给通道142a、142b相对较长。由此，能较好地抑制供给通道142a向搬送室44a供给的气体供给量与供给通道142b向搬送室44b供给的气体供给量相互造成影响。从而，能较好地抑制相对于搬送室44a、44b的气体供给量相互造成影响。

送风部141能较好地将衬底处理装置1外部的气体(具体来说，为衬底处理装置1周围的气体)供给至搬送室44a、44b。

(20)在实施例中，设置于1个搬送室44的主搬送机构T的数量为1个。但是，并不限于此。设置于1个搬送室44的主搬送机构T的数量也可为2个以上。

(21)在实施例中，铅直部87a～87d均延伸至比液处理室42d低的位置。但是，并不限于此。铅直部87a～87d也可均延伸至比液处理室42a高的位置。铅直部87a～87d也可均延伸至比液处理室42a高的位置、及比液处理室42d低的位置。关于铅直部87e～87h，也同样如此。

(22)在实施例中，从1个液处理室42将气体排出的排出通道85的数量为1个。但是，并不限于此。从1个液处理室42将气体排出的排出通道85的数量也可为多个。在实施例中，连接于1个承杯52的排出通道85的数量为1个，但并不限于此。连接于1个承杯52的排出通道85的数量也可为多个。

(23)在实施例中，供1个排出通道85将气体排出的液处理室42的数量为1个。但是，并不限于此。例如，供1个排出通道85将气体排出的液处理室42的数量也可为多个。

(24)在实施例中，铅直部87a设置于液处理室42a～42h的外部。但是，并不限于此。例如，也可为铅直部87a至少一部分设置于液处理室42a～42h中的至少任一者。换句话来说，也可为铅直部87a至少一部分设置于单元壳体43A、44B的内部。关于铅直部87b～87h，也同样如此。

(25)在实施例中，铅直部87a是从处理区块BA的内部遍及处理部37的外部。但是，并不限于此。例如，也可为铅直部87a全体设置于处理区块BA内。

(26)在实施例中，排出通道85a～85h不经集合地，连接于气体处理装置8。但是，并不限于此。例如，衬底处理装置1也可具备：第1集合管，连接于排出通道85a～85d，将在排出通道85a～85d中流通的气体集合；及第2集合管，连接于排出通道85e～85h，将在排出通道85e～85h中流通的气体集合。例如，衬底处理装置1可具备如下所述的集合管：连接于排出通道85a～85h，将在排出通道85a～85h中流通的气体集合。例如，集合管96可除了排出通道92a～92d以外，还连接于排出通道85a～85d。也就是说，集合管96可将从液处理室42a～42d通过排出通道85a～85d所排出的气体、及从搬送室44a、44b通过排出通道92a～92d所排出的气体集合。

(27)在实施例中，衬底处理装置1具备挡板89a～89h。但是，并不限于此。例如，也可将挡板89a～89h变更成风扇。

(28)在实施例中，铅直部94a～94d均延伸至比搬送室44b低的位置。但是，并不限于此。铅直部94a～94d也可均延伸至比搬送室44a高的位置。铅直部94a～94d也可均延伸至比搬送室44a高的位置、及比搬送室44b低的位置。关于铅直部94e～94h，也同样如此。

(29)在实施例中，从1个搬送室44将气体排出的排出通道92的数量为2个。但是，并不限于此。例如，从1个搬送室44将气体排出的排出通道92的数量也可为1个。根据本变形实施例，能使排出通道92的构造简化。例如，从1个搬送室44将气体排出的排出通道92的数量也可为3个以上。根据本变形实施例，能以更好的效率从搬送室44将气体排出。

(30)在实施例中，连接于1个吸入单元91的排出通道92的数量为2个。但是，并不限于此。连接于1个吸入单元91的排出通道92的数量也可为1个、或3个以上。

(31)在实施例中，供1个排出通道92将气体排出的搬送室44的数量为1个。但是，并不限于此。供1个排出通道92将气体排出的搬送室44的数量也可为多个。例如，在衬底处理装置1具备沿着大致铅直方向Z排列的4个搬送室44的情况下，也可为如下情况，即，排出通道92a从上侧的2个搬送室44将气体排出，排出通道92c从下侧的2个搬送室44将气体排出。

(32)在实施例中，铅直部94a设置于搬送室44a的外部。但是，并不限于此。例如，也可为铅直部94a一部分设置于搬送室44a。在实施例中，铅直部94a设置于搬送室44b的外部。但是，并不限于此。例如，也可为铅直部94a一部分设置于搬送室44b。关于铅直部94b～94h，也同样如此。

(33)在实施例中，铅直部94a设置于处理区块BA内。但是，并不限于此。也可为铅直部94a至少一部分设置于处理区块BA的外部。例如，铅直部94a可延伸至比处理区块BA低的位置。关于铅直部94b～94h，也同样如此。

(34)在实施例中，衬底处理装置1具备集合管96。但是，并不限于此。例如，也可将集合管96省略。排出通道92a～92d可不经集合地，连接于气体处理装置18。例如，可为下游部95a～95d的下游端部直接连接于气体处理装置18。关于排出通道92e～92h，也同样如此。

(35)在实施例中，衬底处理装置1具备风扇97a～97h。但是，并不限于此。例如，也可将风扇97a～97h变更成挡板。

(36)在实施例中，排出通道92连通至气体处理装置18。但是，并不限于此。例如，排出通道92也可连通至气体处理装置8。也就是说，气体处理装置8也可处理从液处理室42通过排出通道85所排出的气体、及从搬送室44通过排出通道92所排出的气体。例如，排出通道92可对衬底处理装置1的外部开放。也就是说，排出通道92可将从搬送室44排出的气体向衬底处理装置1的外部释放。

(37)在实施例中，排出通道101a、101b的铅直部103a、103b均延伸至比热处理室45a～45j低的位置。但是，并不限于此。排出通道101a、101b的铅直部103a、103b也可均延伸至比热处理室45a～45j高的位置。排出通道101a、101b的铅直部103a、103b也可均延伸至比热处理室45a～45j高的位置、及比热处理室45a～45j低的位置。关于排出通道101c～101l的铅直部103a、103b，也同样如此。

(38)在实施例中，从1个热处理室45将气体排出的排出通道101的数量为1个。但是，并不限于此。从1个热处理室45将气体排出的排出通道101的数量也可为多个。同样地，从1个热处理室46将气体排出的排出通道101的数量也可为多个。

(39)在实施例中，供1个排出通道101将气体排出的热处理室45的数量为多个。但是，并不限于此。例如，供1个排出通道101将气体排出的热处理室45的数量也可为1个。同样地，供1个排出通道101将气体排出的热处理室46的数量也可为1个。

(40)在实施例中，供1个排出通道101将气体排出的多个热处理室45沿着大致铅直方向Z排列。但是，并不限于此。

例如，供1个排出通道101将气体排出的多个热处理室45也可沿着大致水平方向(例如，前后方向X)排列。

为了方便起见，参照图7，对变形实施例的衬底处理装置1进行说明。衬底处理装置1具备第1排出通道(未图示)与第2排出通道(未图示)。第1排出通道将热处理室45a、45k、45q的气体排出。第2排出通道将热处理室45b、45l、45r的气体排出。第1排出通道具备沿着大致铅直方向Z延伸的第1铅直部。第2排出通道具备沿着大致铅直方向Z延伸的第2铅直部。第1铅直部与第2铅直部均延伸至比热处理室45b、45l、45r低的位置。

根据本变形实施例，能较好地抑制第1排出通道从热处理室45a、45k、45q排出的气体排出量与第2排出通道从热处理室45b、45l、45r排出的气体排出量相互造成影响。

热处理室45a、45k、45q中的任一者是本发明中的第1热处理室的例子。热处理室45b、45l、45r中的任一者是本发明中的第2热处理室的例子。

例如，供1个排出通道101将气体排出的多个热处理室45也可沿着大致铅直方向Z及大致水平方向(例如，前后方向X)呈矩阵状排列。

为了方便起见，参照图7，对变形实施例的衬底处理装置1进行说明。衬底处理装置1具备第1排出通道与第2排出通道。第1排出通道将热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s的气体排出。第2排出通道将热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v的气体排出。第1排出通道具备沿着大致铅直方向Z延伸的第1铅直部。第2排出通道具备沿着大致铅直方向Z延伸的第2铅直部。第1铅直部与第2铅直部均延伸至比热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v低的位置。

根据本变形实施例，能较好地抑制第1排出通道从热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s排出的气体排出量与第2排出通道从热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v排出的气体排出量相互造成影响。

热处理室热处理室45a～45e、45k～45m、45q～45s中的任一者是本发明中的第1热处理室的例子。热处理室45f～45j、45n～45p、45t～45v中的任一者是本发明中的第2热处理室的例子。

(41)在实施例中，排出通道101a的铅直部103a设置于热处理室45、46的外部。但是，并不限于此。例如，也可为排出通道101a的铅直部103a至少一部分设置于热处理室45、46中的至少任一者。换句话来说，也可为排出通道101a的铅直部103a至少一部分设置于单元壳体47A、47B的内部。关于排出通道101b～101l的铅直部103a、103b，也同样如此。

(42)在实施例中，排出通道101a的铅直部103a设置于处理区块BA内。但是，并不限于此。也可为铅直部103a至少一部分设置于处理区块BA的外部。例如，可为排出通道101a的铅直部103a延伸至比处理区块BA低的位置。关于排出通道101b～101l的铅直部103a、103b，也同样如此。

(43)在实施例中，排出通道101a～101l不经集合地，连接于气体处理装置28。但是，并不限于此。例如，衬底处理装置1也可具备：第1集合管，连接于排出通道101a～101f，将在排出通道101a～101f中流通的气体集合；及第2集合管，连接于排出通道101g～101l，将在排出通道101g～101l中流通的气体集合。例如，衬底处理装置1可具备如下所述的集合管：连接于排出通道101a～101l，将在排出通道101a～101l中流通的气体集合。

(44)在实施例中，衬底处理装置1具备挡板105a～105j。但是，并不限于此。例如，也可将挡板105a～105j变更成风扇。

(45)在实施例中，排出通道101连通至气体处理装置28。但是，并不限于此。例如，排出通道101也可连通至气体处理装置8。例如，排出通道101也可连通至气体处理装置18。

(46)在实施例中，设置于1个热处理室45的热处理单元HU的数量为1个。但是，并不限于此。设置于1个热处理室45的热处理单元HU的数量也可为2个以上。

(47)在实施例中，衬底处理装置1对衬底W进行液处理与热处理。但是，并不限于此。衬底处理装置1也可对衬底W进行液处理与热处理中的任一者。在实施例中，衬底处理装置1具备液处理室42、搬送室44、热处理室45、46。但是，并不限于此。衬底处理装置1也可具备液处理室42、搬送室44、热处理室45、46中的至少任一者。

(48)在实施例中，分配管76a与供给通道66a～66d的连接位置均配置于比液处理室42b低的位置。但是，并不限于此。分配管76a与供给通道66a～66d的连接位置也可均配置于比液处理室42a高的位置。分配管76a与供给通道66a～66d的连接位置也可均配置于比液处理室42b低的位置、及比液处理室42a高的位置。关于分配管76b与供给通道66e～66h的连接位置，也同样如此。

(49)也能以将所述实施例及各变形实施例的各构成适当组合的方式进行变更。

本发明可在不脱离其思想或本质的条件下以其他具体方式加以实施，因此作为表示发明范围的内容，不应参照以上的说明，而应参照所附加的权利要求书。

[元件符号说明]

1 衬底处理装置

2a 第1液处理室

2b 第2液处理室

3a 第1供给通道

3b 第2供给通道

4a 第1铅直部

4b 第2铅直部

5 气体控制装置

6a 第1排出通道

6b 第2排出通道

7a 第1铅直部

7b 第2铅直部

12a 第1搬送室

12b 第2搬送室

13a 第1供给通道

13b 第2供给通道

14a 第1铅直部

14b 第2铅直部

16a 第1排出通道

16b 第2排出通道

17a 第1铅直部

17b 第2铅直部

22a 第1热处理室

22b 第2热处理室

26a 第1排出通道

26b 第2排出通道

27a 第1铅直部

27b 第2铅直部

42a～42h 液处理室(第1液处理室、第2液处理室)

44a～44d 搬送室(第1搬送室、第2搬送室)

45a～45v、46a～46t 热处理室(第1热处理室、第2热处理室)

65、65a～65h 吹出单元(第1吹出单元、第2吹出单元)

66、66a～66h 供给通道(第1供给通道、第2供给通道)

66i～66l 供给通道(第3供给通道、第4供给通道)

66m、66n 供给通道(第1供给通道、第2供给通道)

68、68a～68h 铅直部(第1铅直部、第2铅直部)

68i～68l 铅直部(第3铅直部、第4铅直部)

68m、68n 铅直部(第1铅直部、第2铅直部)

71a、71b 多管单元

72 箱体

72a 前壁

72c 右壁(侧壁)

72d 左壁(侧壁)

73 间隔部件

75a～75h 挡板(第1调整部、第2调整部)

75i～75l 挡板(第3调整部、第4调整部)

76a、76b 分配管

77a、77b 连接部

81、81a～81d 吹出单元(第1吹出单元、第2吹出单元)

82、82a～82d 供给通道(第1供给通道、第2供给通道)

83a～83d 铅直部(第1铅直部、第2铅直部)

84a～84d 挡板(第1调整部、第2调整部)

85、85a～85h 排出通道(第1排出通道、第2排出通道)

87a～87h 铅直部(第1铅直部、第2铅直部)

89a～89h 挡板(第1调整部、第2调整部)

91、91a～91d 吸入单元(第1吸入单元、第2吸入单元)

92、92a～92h 排出通道(第1排出通道、第2排出通道、第3排出通道、第4排出通道)

94a～94h 铅直部(第1铅直部、第2铅直部、第3铅直部、第4铅直部)

97、97a～97h 风扇(第1调整部、第2调整部、第3调整部、第4调整部)

101、101a～101l 排出通道(第1排出通道、第2排出通道)

103a、103b 铅直部(第1铅直部、第2铅直部)

105a～105j 挡板(第1调整部、第2调整部)

121 分配管

122 第1接合部(接合部)

123 第2接合部(接合部)

131 多管单元

133 间隔部件

141 送风部

142a、142b 供给通道(第1供给通道、第2供给通道)

143a、143b 铅直部(第1铅直部、第2铅直部)

La 前壁72a的宽度

Lb 右壁72c及左壁72d的宽度(侧壁的宽度)

W 衬底

Z 铅直方向

Claims (22)

1.一种衬底处理装置，具备：

第1液处理室，对衬底进行液处理；

第2液处理室，配置于所述第1液处理室的下方，对衬底进行液处理；

第1供给通道，向所述第1液处理室供给气体；及

第2供给通道，向所述第2液处理室供给气体；且

所述第1供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，

所述第2供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，

所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的至少任一位置。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中

所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，具备：

第1调整部，设置于所述第1供给通道，调整在所述第1供给通道中流通的气体的流量；及

第2调整部，设置于所述第2供给通道，调整在所述第2供给通道中流通的气体的流量；且

所述第1调整部配置得比所述第1铅直部更靠下游，

所述第2调整部配置得比所述第2铅直部更靠下游。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，具备分配管，该分配管连接于所述第1供给通道及所述第2供给通道，向所述第1供给通道及所述第2供给通道供给气体；且

所述分配管与所述第1供给通道的连接位置、及所述分配管与所述第2供给通道的连接位置均配置于比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的任一位置。

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中

所述第1供给通道具有上游端部，

所述第2供给通道具有上游端部，

所述分配管具有与所述第1供给通道的所述上游端部及所述第2供给通道的所述上游端部连接的连接部，且

所述连接部的延伸方向与所述第1供给通道的所述上游端部的延伸方向大致相同，

所述连接部的延伸方向与所述第2供给通道的所述上游端部的延伸方向大致相同。

6.根据权利要求4所述的衬底处理装置，具备：

第1搬送室，配置于所述第1液处理室的侧方，将衬底搬送至所述第1液处理室；

第2搬送室，配置于所述第1搬送室的下方且所述第2液处理室的侧方，将衬底搬送至所述第2液处理室；

供给通道，向所述第1搬送室供给气体；及

供给通道，向所述第2搬送室供给气体；且

所述分配管连接于所述第1搬送室用的所述供给通道及所述第2搬送室用的所述供给通道，向所述第1搬送室用的所述供给通道及所述第2搬送室用的所述供给通道供给气体。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，具备：

箱体，沿着大致铅直方向延伸；及

间隔部件，配置于所述箱体内；且

所述第1铅直部及所述第2铅直部均形成于所述箱体内，

所述间隔部件将所述第1铅直部与所述第2铅直部隔开。

8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中

所述箱体具备：

前壁，与所述第1液处理室及所述第2液处理室面对面，且沿着大致铅直方向延伸；及

侧壁，连接于所述前壁，相对于所述前壁大致垂直；且

所述前壁的宽度比所述侧壁的宽度长。

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，具备：

第3供给通道，向所述第1液处理室供给气体；及

第4供给通道，向所述第2液处理室供给气体；且

所述第3供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第3铅直部，

所述第4供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第4铅直部，

所述第3铅直部及所述第4铅直部均延伸至比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的至少任一位置。

10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，具备：

第1吹出单元，设置于所述第1液处理室，向所述第1液处理室吹出气体；及

第2吹出单元，设置于所述第2液处理室，向所述第2液处理室吹出气体；且

所述第1供给通道及所述第3供给通道均与所述第1吹出单元连接，通过所述第1吹出单元向所述第1液处理室供给气体，

所述第2供给通道及所述第4供给通道均与所述第2吹出单元连接，通过所述第2吹出单元向所述第2液处理室供给气体。

11.根据权利要求1所述的衬底处理装置，具备气体控制装置，

该气体控制装置调整气体的温度及湿度，将温度及湿度经调整后的气体输送至所述第1供给通道及所述第2供给通道。

12.一种衬底处理装置，其具备：

第1搬送室，搬送衬底；

第2搬送室，配置于所述第1搬送室的下方，搬送衬底；

第1供给通道，向所述第1搬送室供给气体；及

第2供给通道，向所述第2搬送室供给气体；且

所述第1供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，

所述第2供给通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，

所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1搬送室高的位置、及比所述第2搬送室低的位置中的至少任一位置。

13.根据权利要求12所述的衬底处理装置，其中

所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。

14.根据权利要求12所述的衬底处理装置，具备送风部，

该送风部将所述衬底处理装置外部的气体输送至所述第1供给通道及所述第2供给通道。

15.一种衬底处理装置，具备：

所述第1液处理室，对衬底进行液处理；

第2液处理室，配置于所述第1液处理室的下方，对衬底进行液处理；

第1排出通道，将所述第1液处理室的气体排出；及

第2排出通道，将所述第2液处理室的气体排出；且

所述第1排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，

所述第2排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，

所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1液处理室高的位置、及比所述第2液处理室低的位置中的至少任一位置。

16.根据权利要求15所述的衬底处理装置，其中

所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。

17.一种衬底处理装置，具备：

第1搬送室，搬送衬底；

第2搬送室，配置于所述第1搬送室的下方，搬送衬底；

第1排出通道，将所述第1搬送室的气体排出；及

第2排出通道，将所述第2搬送室的气体排出；且

所述第1排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，

所述第2排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，

所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1搬送室高的位置、及比所述第2搬送室低的位置中的至少任一位置。

18.根据权利要求17所述的衬底处理装置，其中

所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。

19.根据权利要求17所述的衬底处理装置，具备：

第3排出通道，将所述第1搬送室的气体排出；及

第4排出通道，将所述第2搬送室的气体排出；且

所述第3排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第3铅直部，

所述第4排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第4铅直部，

所述第3铅直部及所述第4铅直部均延伸至比所述第1搬送室高的位置、及比所述第2搬送室低的位置中的至少任一位置。

20.根据权利要求19所述的衬底处理装置，具备：

第1吸入单元，设置于所述第1搬送室，吸入所述第1搬送室的气体；及

第2吸入单元，设置于所述第2搬送室，吸入所述第2搬送室的气体；且

所述第1排出通道及所述第3排出通道均与所述第1吸入单元连接，通过所述第1吸入单元将所述第1搬送室的气体排出，

所述第2排出通道及所述第4排出通道均与所述第2吸入单元连接，通过所述第2吸入单元将所述第2搬送室的气体排出。

21.一种衬底处理装置，具备：

第1热处理室，对衬底进行热处理；

第2热处理室，配置于所述第1热处理室的下方，对衬底进行热处理；

第1排出通道，将所述第1热处理室的气体排出；及

第2排出通道，将所述第2热处理室的气体排出；且

所述第1排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第1铅直部，

所述第2排出通道具有沿着大致铅直方向延伸的第2铅直部，

所述第1铅直部及所述第2铅直部均延伸至比所述第1热处理室高的位置、及比所述第2热处理室低的位置中的至少任一位置。

22.根据权利要求21所述的衬底处理装置，其中

所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方长，且所述第1铅直部及所述第2铅直部的其中一方具有比所述第1铅直部及所述第2铅直部的另一方大的流路截面积。