JP7441665B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に処理液を用いた所定の処理を行う基板処理装置に関する。

従来より、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。

このような基板処理装置では、例えば１枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、基板の被処理面にレジスト膜を形成するための塗布処理部を備える。その塗布処理部においては、複数の塗布処理室の各々に塗布処理ユニットが設けられている。塗布処理ユニットは、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させるスピンチャックと、基板上に塗布液を供給する塗布液ノズルと、スピンチャックの周りを取り囲むように設けられるカップとを備える。

基板にレジスト膜を形成する際には、スピンチャックにより回転される基板の被処理面に、塗布液ノズルからレジスト膜用の塗布液が吐出される。吐出された塗布液が、基板の被処理面全体に広がることにより基板上にレジスト膜が形成される。このとき、基板の周囲に飛散する塗布液は、カップにより受け止められる。カップに回収配管が接続されている。カップにより受け止められた使用済みの塗布液は、カップから回収配管を通して回収タンクに導かれる。

特開２０１７－１１０９５号公報

上記の各塗布処理室には、処理対象となる基板の清浄度が低下することを防止するために、通常、清浄な下降気流が形成される。この下降気流を形成するために、塗布処理室の上部には、下方に向かって気体を供給するための気体供給部が設けられる。また、塗布処理部の下部には、その内部空間の気体を基板処理装置の外部に排気するための排気管が設けられる。

塗布処理室の内部空間の気体には、基板に供給される塗布液の成分が含まれる。そのため、塗布液の種類によっては、排気管の内面に塗布液が固着して排気管が詰まる可能性がある。例えば、使用される塗布液が高い粘度を有する場合、その塗布液の成分を含む気体が流通する排気管には、塗布液に起因する詰まりが生じやすい。排気管が詰まると、基板処理装置のダウンタイムが長くなる。基板処理装置のダウンタイムが長くなることを防止するために塗布処理部を開放して回収配管のメンテナンスを行うと、メンテナンスが行われるごとに基板処理装置の外部から塗布処理部内に汚染物質が進入する可能性がある。

本発明の目的は、基板処理装置のダウンタイムが長くなることを防止するとともに基板の処理室内の汚染を防止することを可能にする基板処理装置を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う基板処理装置であって、処理液を吐出する液吐出部と、液吐出部から処理液が吐出される第１の空間部分を有し、液吐出部から第１の空間部分に吐出された処理液を受け止める受け止め部と、液吐出部および受け止め部を収容する処理室と、第１の空間部分の気体を収集する第１の気体収集部と、処理室の下部に設けられ、第１の気体収集部を収容する収集室と、処理室と収集室とを区画する隔壁と、隔壁を貫通して受け止め部と第１の気体収集部との間に接続される第１の気体収集配管と、収集室の内部空間の気体を収集する第２の気体収集部と、第２の気体収集部により収集された気体を基板処理装置の外部に排気する第２の排気管とを備える。

その基板処理装置においては、処理室内で、液吐出部から第１の空間部分に吐出された処理液を用いて基板に処理が行われる。液吐出部から吐出された処理液は、受け止め部により受け止められる。

第１の空間部分の気体は、受け止め部から第１の気体収集配管を通して第１の気体収集部に収集される。それにより、処理液の成分を含む気体が処理室内で拡散することが防止され、処理室内の汚染が防止される。

第１の気体収集配管は、隔壁を貫通して受け止め部と第１の気体収集部とを接続する。この構成によれば、隔壁を迂回して受け止め部と第１の気体収集部とを接続するように第１の気体収集配管を構成する場合に比べて、第１の気体収集配管を隔壁の方向に大きく延ばす必要がない。そのため、第１の気体収集配管の長さを短くすることができる。したがって、第１の気体収集配管内を処理液の成分を含む気体が流通する場合でも、第１の気体収集配管内では処理液に起因する固着物が多量に発生することが防止される。それにより、第１の気体収集配管における詰まりの発生が防止される。

さらに、上記の基板処理装置においては、処理室と収集室とが隔壁で区画されている。そのため、第１の気体収集部および第１の気体収集配管のメンテナンス時に収集室が開放される場合でも、基板処理装置の外部から収集室を通して処理室内に汚染物質が進入することが防止される。

これらの結果、基板処理装置のダウンタイムが長くなることを防止するとともに処理室内の汚染を防止することが可能になる。また、収集室の内部空間の気体が第２の気体収集部により収集され、収集された気体が第２の排気管を通して基板処理装置の外部に排気される。

（２）基板処理装置は、処理室内の第１の空間部分を除く第２の空間部分に上流端が位置するように隔壁を貫通しかつ第２の空間部分の気体を収集する第２の気体収集配管と、第１の気体収集配管を通して第１の気体収集部に収集される気体および第２の気体収集配管を通して収集される気体を基板処理装置の外部に排気する第１の排気管と、第１の気体収集部、第２の気体収集配管の下流端および第１の排気管の上流端に接続され、第１の気体収集部から第１の排気管に導かれる気体の流量が第２の気体収集配管から第１の排気管に導かれる気体の流量よりも大きい第１の状態と、第１の気体収集部から第１の排気管に導かれる気体の流量が第２の気体収集配管から第１の排気管に導かれる気体の流量よりも小さい第２の状態とに切替可能に構成された排気切替部とをさらに備えてもよい。

上記の構成によれば、排気切替部が第１の状態にある場合、第１の空間部分の気体が第２の空間部分の気体よりも大きい流量で基板処理装置の外部に排気される。排気切替部が第２の状態にある場合、第２の空間部分の気体が第１の空間部分の気体よりも大きい流量で基板処理装置の外部に排気される。これにより、基板の処理状態に応じて、第１の空間部分の気体の排気量を切り替えることができる。

（３）第１の気体収集配管の内面、第１の気体収集部の内面、第２の気体収集配管の内面および第１の排気管の内面のうち少なくとも一部に、フッ素樹脂の被膜が形成されてもよい。

この場合、第１の気体収集配管の内面、第１の気体収集部の内面、第２の気体収集配管の内面および第１の排気管の内面のうちフッ素樹脂の被膜が形成されている部分に、処理液の成分が固着することが防止される。それにより、フッ素樹脂の被膜が形成されている部分において処理液に起因する固着物の発生が抑制され、排気系のメンテナンスを頻繁に行う必要がなくなる。

（４）排気切替部は、第１の気体収集部から第１の排気管の上流端に至る第１の気体流路と、第２の気体収集配管の下流端から第１の排気管の上流端に至る第２の気体流路とを形成する流路形成部と、流路形成部における第１および第２の気体流路のうち少なくとも一方の経路を開閉可能な第１の開閉部材と、第１の開閉部材を動作させる開閉駆動部とを含んでもよい。この場合、簡単な構成で排気切替部が形成される。

（５）収集室には、収集室の内部空間と収集室の外部とを連通させるメンテナンス用開口部が形成されるとともに、メンテナンス用開口部を開閉可能な第２の開閉部材が取り付けられてもよい。

この場合、メンテナンス用開口部を開くことにより、収集室内部のメンテナンスを行うことができる。このとき、処理室を開放する必要がないので、処理室内の汚染を防止することが可能になる。また、収集室内部のメンテナンス時に、メンテナンス用開口部から収集室内部の気体が基板処理装置の外部に漏れ出ることが防止される。

（６）収集室は、メンテナンス用開口部と反対側に側壁部を有し、第２の気体収集部は、メンテナンス用開口部よりも側壁部に近い位置に設けられてもよい。

この場合、収集室内部のメンテナンス時に、メンテナンス用開口部から収集室内部の気体が基板処理装置の外部に漏れ出ることがさらに防止される。

（７）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う基板処理装置であって、処理液を吐出する液吐出部と、液吐出部から処理液が吐出される第１の空間部分を有し、液吐出部から第１の空間部分に吐出された処理液を受け止める受け止め部と、液吐出部および受け止め部を収容する処理室と、第１の空間部分の気体を収集する第１の気体収集部と、処理室の下部に設けられ、第１の気体収集部を収容する収集室と、処理室と収集室とを区画する隔壁と、隔壁を貫通して受け止め部と第１の気体収集部との間に接続される第１の気体収集配管と、収集室の内部空間を通るように設けられ、収集室の内部空間に開放された開口部を有する気体供給ダクトと、開口部に取り付けられたフィルタと、気体供給ダクトに気体を供給する気体供給部とを備える。

この場合、気体供給ダクトから収集室内に、フィルタを通過した清浄な気体が供給される。それにより、収集室内部のメンテナンス時に、収集室内に発生する処理液を含む気体が清浄な気体により置換される。したがって、収集室内部の汚染が防止されるとともに処理液に起因する作業環境の快適性の低下が防止される。

（８）基板処理装置は、収集室内に収容され、処理液を収集する液収集部と、隔壁を貫通して受け止め部と液収集部との間に接続される液収集配管とをさらに備えてもよい。

この場合、収集室を開放することにより、第１の気体収集部および第１の気体収集配管とともに液収集部および液収集配管のメンテナンスを行うことができる。

（９）基板処理装置は、処理室に収容され、基板を第１の空間部分内で水平姿勢で保持する基板保持部をさらに備え、収集室は、処理室の下部に設けられ、受け止め部は、基板保持部により保持される基板を取り囲むように設けられ、基板に供給された処理液を受け止めるカップを含み、液収集配管は、カップと液収集部との間に接続されてもよい。

この場合、カップにより受け止められた処理液が、その自重により円滑にカップ配管を流れ、液収集部に収集される。
（１０）第３の発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う基板処理装置であって、前記処理液を吐出する液吐出部と、前記液吐出部から前記処理液が吐出される第１の空間部分を有し、前記液吐出部から前記第１の空間部分に吐出された前記処理液を受け止める受け止め部と、前記液吐出部および前記受け止め部を収容する処理室と、前記第１の空間部分の気体を収集する第１の気体収集部と、前記処理室の下部に設けられ、前記第１の気体収集部を収容する収集室と、前記処理室と前記収集室とを区画する隔壁と、前記隔壁を貫通して前記受け止め部と前記第１の気体収集部との間に接続されるとともに分散配置された複数の第１の気体収集配管とを備え、前記複数の第１の気体収集配管の各々は、上下方向に直線状に延びる配管であり、前記第１の気体収集部は、平面視で前記複数の第１の気体収集配管に重なる内部空間を有するように構成されている。

本発明によれば、基板処理装置のダウンタイムが長くなることを防止するとともに基板の処理室内の汚染を防止することが可能になる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成の概略を説明するための模式的ブロック図である。 図１の塗布装置における排気系の具体的な構成例を示す外観斜視図である。 図２の排気切替部の切替動作を説明するための外観斜視図である。 図２の排気切替部の切替動作を説明するための外観斜視図である。 塗布装置を備える基板処理装置の具体例を説明するための模式的平面図である。 図５の塗布処理部内の構成を白抜きの矢印Ａの方向に見た模式的側面図である。 図６の第１室および第３室内の気体の流れを説明するための斜視図である。 図６の第２室および第４室内の気体の流れを説明するための斜視図である。 図５の塗布処理部の外観斜視図である。 図６の第２室および第４室内の気体を排気する気体収集配管の塗布処理部における位置を示す平面図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、本実施の形態において処理の対象となる基板は、主面および裏面を有する。

［１］基板処理装置の構成の概略
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成の概略を説明するための模式的ブロック図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、例えば露光装置５００に隣接するように設けられ、制御装置１１０、塗布処理部１２０、現像処理部１３０、熱処理部１４０および搬送部１５０を備える。

制御装置１１０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、塗布処理部１２０、現像処理部１３０、熱処理部１４０および搬送部１５０の動作を制御する。搬送部１５０は、基板Ｗを塗布処理部１２０、現像処理部１３０、熱処理部１４０および露光装置５００の間で搬送する。

塗布処理部１２０は塗布装置２００を備える。塗布装置２００は、未処理の基板Ｗの主面上に感光性膜用の処理液を供給する（塗布処理）。これにより、基板Ｗの主面上に感光性膜が形成される。塗布装置２００で用いられる処理液は、１０００ｃｐ～１８０００ｃｐ程度の高い粘度を有する。本実施の形態において、処理液は、ネガ型またはポジ型の感光性ポリイミドおよび溶剤を含む。溶剤としては、例えばシクロペンタノンまたはＮ－メチル－２－ピロリドン等を含む溶剤が用いられる。

感光性膜が形成された基板Ｗには、露光装置５００において露光処理が行われる。現像処理部１３０は、露光装置５００による露光処理後の基板Ｗに現像液を供給することにより、基板Ｗの現像処理を行う。熱処理部１４０は、塗布処理部１２０による塗布処理の前後、現像処理部１３０による現像処理の前後、および露光装置５００による露光処理の前後に基板Ｗの熱処理を行う。

［２］塗布装置２００の基本構成
塗布処理部１２０が備える塗布装置２００の基本構成について説明する。本例の塗布処理部１２０は、第１室Ｒ１および第２室Ｒ２を有する。第１室Ｒ１は、主として基板保持部１０、カップ１１、ノズル１２、ノズル容器１３を収容する。第２室Ｒ２は、主として液収集部２０、気体収集部３０および排気切替部５０を収容する。

第１室Ｒ１および第２室Ｒ２は、この順で上から下に並ぶように積層配置されている。第１室Ｒ１の内部空間と第２室Ｒ２とを区画するように隔壁ＷＬ１が設けられ、第２室Ｒ２の内部空間と第２室Ｒ２の下方の空間とを区画するように隔壁ＷＬ２が設けられている。

基板保持部１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持するとともに、保持された基板Ｗを上下方向の軸の周りで回転させることが可能に構成されている。カップ１１は、基板保持部１０により保持される基板Ｗを取り囲むように設けられる。カップ１１は、基板保持部１０により回転する基板Ｗに供給されて基板Ｗの外方に飛散する処理液を受け止める。カップ１１の底部には、液収集配管２１の上流端が接続されている。液収集配管２１は、カップ１１から隔壁ＷＬ１を貫通して第２室Ｒ２内に延びている。液収集配管２１の下流端は、液収集部２０に接続されている。

ノズル１２は、基板保持部１０により保持された基板Ｗの上方の処理位置ｐ０とカップ１１の一側方の待機位置ｐ１との間で移動可能に設けられ、処理液を吐出する先端部を有する。ノズル容器１３は待機位置ｐ１にあるノズル１２の先端部を収容可能に設けられ、後述するプリディスペンスによりノズル１２から吐出される処理液を受け止める。ノズル容器１３には、液収集配管２２の上流端が接続されている。液収集配管２２は、ノズル容器１３から隔壁ＷＬ１を貫通して第２室Ｒ２内に延びている。液収集配管２２の下流端は、液収集部２０に接続されている。

液収集部２０は、液収集配管２１，２２から導かれる処理液を収集する。液収集部２０には、液収集配管２３の上流端が接続されている。液収集配管２３は、液収集部２０から隔壁ＷＬ２を貫通して第２室Ｒ２の下方の空間に延びている。液収集配管２３の下流端は、図示しない他の液収集部または排液設備に接続されている。

カップ１１の底部には、上記の液収集配管２１に加えて複数の気体収集配管３１の上流端が接続されている。複数の気体収集配管３１の上流端は、カップ１１の内側の空間に開放されている。以下の説明では、第１室Ｒ１の内部空間のうちカップ１１により取り囲まれる空間を第１の空間部分Ｓ１と呼ぶ。また、第１室Ｒ１の内部空間のうち第１の空間部分Ｓ１を除く空間を第２の空間部分Ｓ２と呼ぶ。

図１では、２つの気体収集配管３１が示される。各気体収集配管３１は、隔壁ＷＬ１を貫通して第２室Ｒ２内に延びている。液収集配管２１の下流端は、気体収集部３０に接続されている。気体収集部３０は、複数の気体収集配管３１を通してカップ１１内の気体を収集する。気体収集部３０には、さらに気体収集配管３２の上流端が接続されている。気体収集配管３２の下流端は、排気切替部５０に接続されている。

塗布装置２００においては、第１室Ｒ１内に上流端が位置するとともに第２室Ｒ２内に下流端が位置するように、上下方向に隔壁ＷＬ１を貫通する気体収集配管４１がさらに設けられている。気体収集配管３１の上流端は、第２の空間部分Ｓ２に開放されている。気体収集配管４１の下流端は、排気切替部５０に接続されている。

第２室Ｒ２から下方に延びるように、ダクトＤＵ１が設けられている。ダクトＤＵ１の下流端は、基板処理装置１００の外部に設けられる図示しない排気設備に接続されている。ダクトＤＵ１の上流端と排気切替部５０とを繋ぐように、気体収集配管３３が設けられている。

排気切替部５０は、気体収集配管３２，３３が接続された状態で、気体収集配管３２の内部空間と気体収集配管３３の内部空間とを連通可能に構成されている。この場合、第１の空間部分Ｓ１の気体が、複数の気体収集配管３１、気体収集部３０、気体収集配管３２、排気切替部５０および気体収集配管３３を通してダクトＤＵ１に導かれる。また、排気切替部５０は、気体収集配管４１，３３が接続された状態で、気体収集配管４１の内部空間と気体収集配管３３の内部空間とを連通可能に構成されている。この場合、第２の空間部分Ｓ２の気体が、気体収集配管４１、排気切替部５０および気体収集配管３３を通してダクトＤＵ１に導かれる。

さらに、排気切替部５０は、第１の排気状態と第２の排気状態とに切替可能に構成されている。排気切替部５０が第１の排気状態にある場合、複数の気体収集配管３１を通してダクトＤＵ１に導かれる気体の流量が気体収集配管４１を通してダクトＤＵ１に導かれる気体の流量に比べて大きくなる。一方、排気切替部５０が第２の排気状態にある場合、複数の気体収集配管３１を通してダクトＤＵ１に導かれる気体の流量が気体収集配管４１を通してダクトＤＵ１に導かれる気体の流量に比べて小さくなる。排気切替部５０の具体的な構成例については後述する。

塗布装置２００において、塗布処理が行われない場合、ノズル１２は待機位置ｐ１で保持される。この状態で、ノズル１２の先端部は、ノズル容器１３内に収容される。また、排気切替部５０は第２の排気状態で維持される。それにより、第１室Ｒ１内の気体に関しては、主として第２の空間部分Ｓ２の気体が基板処理装置１００の外部に排気される。

塗布装置２００において、塗布処理が行われる場合、最初に、塗布装置２００内に搬入された基板Ｗが基板保持部１０により保持され、例えば第１の回転速度で回転される。また、ノズル１２について、ノズル１２内の処理液を排液するためのプリディスペンスが行われる。そのプリディスペンスでは、待機位置ｐ１においてノズル１２から処理液が吐出される。ノズル１２から吐出された処理液は、ノズル容器１３により受け止められ、液収集配管２２を通して液収集部２０に導かれる。

次に、ノズル１２による処理液の吐出が停止され、プリディスペンス後のノズル１２が待機位置ｐ１から処理位置ｐ０へ移動する。塗布装置２００内に基板Ｗが搬入されてプリディスペンス後のノズル１２が処理位置ｐ０に移動するまでの間、排気切替部５０は、第２の排気状態で維持される。

ノズル１２が処理位置ｐ０に到達すると、排気切替部５０は、第２の排気状態から第１の排気状態に切り替えられる。それにより、第１室Ｒ１内の気体に関しては、主として第１の空間部分Ｓ１の気体が基板処理装置１００の外部に排気される。

処理位置ｐ０において、ノズル１２から回転する基板Ｗの中心に向けて一定量の処理液が吐出される。それにより、基板Ｗの主面全体に処理液が供給される。このとき、基板Ｗ上に吐出されて基板Ｗの外方に飛散する処理液は、カップ１１により受け止められ、液収集配管２１を通して液収集部２０に導かれる。また、処理液の成分を含む気体が第１の空間部分Ｓ１から排気される。

処理液の吐出が完了すると、基板Ｗの回転速度が第１の回転速度よりも高い第２の回転速度に調整され、ノズル１２が処理位置ｐ０から待機位置ｐ１へ移動する。また、排気切替部５０が第１の排気状態から第２の排気状態に切り替えられる。このとき、排気切替部５０が第２の排気状態で維持されることにより、第１の空間部分Ｓ１では、排気に起因する気流が生じにくい。したがって、基板Ｗ上の処理液が基板Ｗの主面全体に略均一な厚みで広がり、乾燥される。それにより、基板Ｗ上に略均一な厚みを有する感光性膜が形成される。

その後、基板Ｗの回転が停止され、感光性膜が形成された基板Ｗが塗布装置２００から搬出される。上記の一連の動作中、液収集配管２１，２２を通して液収集部２０により収集された処理液は、さらに液収集配管２３を通して他の液収集部または排液設備に導かれる。

上記の塗布装置２００においては、塗布処理が行われるごとに、カップ１１内の第１の空間部分Ｓ１の気体が複数の気体収集配管３１を通して気体収集部３０に導かれ、排気される。

ここで、複数の気体収集配管３１の各々は、隔壁ＷＬ１を迂回することなく、隔壁ＷＬ１を貫通することにより第１室Ｒ１内のカップ１１と第２室Ｒ２内の気体収集部３０とを接続している。このような構成によれば、隔壁ＷＬ１を迂回してカップ１１と気体収集部３０とを接続するように気体収集配管３１を構成する場合に比べて、気体収集配管３１の長さを短くすることができる。したがって、気体収集配管３１内を処理液の成分を含む気体が流通する場合でも、気体収集配管３１内では処理液に起因する固着物が多量に発生することが防止される。したがって、気体収集配管３１における詰まりの発生が防止される。

また、上記の塗布装置２００においては、塗布処理が行われるごとに、カップ１１およびノズル容器１３から液収集配管２１，２２を通して液収集部２０に処理液が導かれる。液収集配管２１，２２の各々は、隔壁ＷＬ１を迂回することなく、隔壁ＷＬ１を貫通することにより第１室Ｒ１内のカップ１１およびノズル容器１３と第２室Ｒ２内の液収集部２０とを接続している。このような構成によれば、隔壁ＷＬ１を迂回してカップ１１およびノズル容器１３と液収集部２０とを接続するように液収集配管２１，２２を設ける場合に比べて、液収集配管２１，２２の長さを短くすることができる。また、液収集配管２１，２２を水平方向に大きく延ばす必要がないので、塗布処理に用いられる処理液の粘度が高い場合でも、処理液の受け止め部により受け止められた処理液は、その自重により比較的円滑に液収集配管２１，２２内を流れる。したがって、各液収集配管２１，２２における処理液の詰まりの発生が低減される。

さらに、上記の構成によれば、第１室Ｒ１の底部が隔壁ＷＬ１で区画されている。そのため、第２室Ｒ２内の各部のメンテナンス時に第２室Ｒ２が開放される場合でも、隔壁ＷＬ１により第１室Ｒ１の外部から第２室Ｒ２を通して第１室Ｒ１内に汚染物質が進入することが防止される。

［３］塗布装置２００の具体的な構成例
図２は図１の塗布装置２００における排気系の具体的な構成例を示す外観斜視図であり、図３および図４は図２の排気切替部５０の切替動作を説明するための外観斜視図である。図２～図４では、塗布装置２００を構成する複数の構成要素の形状および位置関係の理解を容易にするために、隔壁ＷＬ１が一点鎖線で示される。また、排気切替部５０の内部構造が、吹き出し内に縦断面図で示される。

図２の塗布装置２００においては、カップ１１の下方に隔壁ＷＬ１および気体収集部３０がこの順で並んでいる。気体収集部３０は、平面視で略Ｕ字型に形成された箱部材で構成される。カップ１１の底部における３つの部分に、３つの気体収集配管３１の上流端がそれぞれ着脱可能に接続されている。３つの気体収集配管３１の各々は、カップ１１から隔壁ＷＬ１を貫通して下方に延びている。各気体収集配管３１の下流端は、気体収集部３０の上面における３つの部分に着脱可能に接続されている。このような構成により、３つの気体収集配管３１の各々は、カップ１１内の第１の空間部分Ｓ１と気体収集部３０の内部空間とを連通させる。

気体収集部３０の底部には、気体収集配管３２の上流端が着脱可能に接続されている。気体収集配管３２は、気体収集部３０から下方に延びている。気体収集配管３２の下流端近傍は水平方向に向かって湾曲している。気体収集配管３２の下流端は、排気切替部５０に着脱可能に接続されている。

隔壁ＷＬ１上のカップ１１の側方の位置（図１の第１室Ｒ１内の位置）から隔壁ＷＬ１を貫通して下方に延びるように気体収集配管４１が設けられている。気体収集配管４１の上流端は、第２の空間部分Ｓ２に開放されている。気体収集配管４１は、隔壁ＷＬ１の下方の位置で、水平方向に湾曲している。気体収集配管４１の下流端は、排気切替部５０に着脱可能に接続されている。

隔壁ＷＬ１の下方の位置（図１の第２室Ｒ２内の位置）からさらに下方に延びるようにダクトＤＵ１が設けられている。ダクトＤＵ１の上流端には、水平方向に延びる気体収集配管３３の下流端が着脱可能に接続されている。気体収集配管３３の上流端は、排気切替部５０に着脱可能に接続されている。

排気切替部５０は、本体部５２、ダンパ５３、回転軸５３ａおよびアクチュエータ５４を含む。本体部５２は、略直方体の箱部材で構成され、内部空間５２Ｓを有する。また、本体部５２には、気体収集配管３２の下流端、気体収集配管４１の下流端および気体収集配管３３の上流端がそれぞれ接続される３つの接続部５９ａ，５９ｂ，５９ｃが形成されている。各接続部５９ａ，５９ｂ，５９ｃには、当該接続部に接続される配管の内部空間と本体部５２の内部空間５２Ｓとを連通する開口が形成されている。

排気切替部５０に上記の３つの配管（３２，３３，４１）が接続された状態で、本体部５２の内部空間５２Ｓは、気体収集配管３２から気体収集配管３３に至る気体流路（以下、第１の気体流路と呼ぶ。）として機能する。また、内部空間５２Ｓは、気体収集配管４１から気体収集配管３３に至る気体流路（以下、第２の気体流路と呼ぶ。）として機能する。

本体部５２の内部空間５２Ｓには、ダンパ５３および回転軸５３ａが設けられている。回転軸５３ａは、本体部５２の内部で一方向に延びる。ダンパ５３は、図２の吹き出し内に一点鎖線の矢印で示すように、回転軸５３ａの軸心の周りで回転可能となっている。本体部５２には、さらにダンパ５３を回転させるアクチュエータ５４が取り付けられている。アクチュエータ５４は、例えばステッピングモータまたはエアシリンダ等を含む。

本実施の形態においては、アクチュエータ５４は、回転軸５３ａを基準とする２つの回転位置の間でダンパ５３を回転させる。ダンパ５３が２つの回転位置のうち一方の回転位置にある状態で、ダンパ５３は、第１の気体流路を開放し、第２の気体流路を閉塞するかまたはほぼ閉塞する。このときの排気切替部５０の状態が上記の第１の排気状態に対応する。また、ダンパ５３が２つの回転位置のうち他方の回転位置にある状態で、ダンパ５３は、第１の気体流路を閉塞するかまたはほぼ閉塞し、第２の気体流路を開放する。このときの排気切替部５０の状態が上記の第２の排気状態に対応する。

図３および図４では、第１の空間部分Ｓ１からダクトＤＵ１に流れる気体の流れが実線の矢印で示され、第２の空間部分Ｓ２からダクトＤＵ１に流れる気体の流れが一点鎖線の矢印で示される。また、図３および図４の各々において、実線および一点鎖線の矢印の太さは、気体の流量（単位時間当たりに各部を流れる気体の量）を表す。矢印の太さが大きいことは流量が大きいことを意味し、矢印の太さが小さいことは流量が小さいことを意味するものとする。

図３の吹き出し内に示すように、排気切替部５０が第１の排気状態にある場合には、第１の空間部分Ｓ１からダクトＤＵ１に導かれる気体の流量が大きくなり、第２の空間部分Ｓ２からダクトＤＵ１に導かれる気体の流量が小さくなる。一方、図４の吹き出し内に示すように、排気切替部５０が第２の排気状態にある場合には、第１の空間部分Ｓ１からダクトＤＵ１に導かれる気体の流量が小さくなり、第２の空間部分Ｓ２からダクトＤＵ１に導かれる気体の流量が大きくなる。

なお、排気切替部５０が第１の排気状態にある場合、第２の空間部分Ｓ２からダクトＤＵ１には気体が流れなくてもよい。また、排気切替部５０が第２の排気状態にある場合、第１の空間部分Ｓ１からダクトＤＵ１には気体が流れなくてもよい。

［４］塗布装置２００を備える基板処理装置１００の具体例
図５は、塗布装置２００を備える基板処理装置１００の具体例を説明するための模式的平面図である。図５に示すように、本例の基板処理装置１００は、４つのブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４を備える。４つのブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は、この順で一方向に並ぶように設けられている。ブロックＢ４に隣り合うように露光装置５００が設けられている。ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４の各々は、図示しないフレームを有する。そのフレームは、対応するブロック内に設けられる各種構成要素を支持するとともに、他のブロックのフレームに接続可能かつ取り外し可能に構成されている。

ブロックＢ１は搬送部１５０を含む。ブロックＢ１において、搬送部１５０は基板Ｗの搬入搬出部として機能する。ブロックＢ２は、塗布処理部１２０、熱処理部１４０および搬送部１５０を含む。塗布処理部１２０と熱処理部１４０とは搬送部１５０を挟んで対向するように設けられる。塗布処理部１２０に複数の塗布装置２００が設けられる。ブロックＢ３は、現像処理部１３０、熱処理部１４０および搬送部１５０を含む。現像処理部１３０および熱処理部１４０とは搬送部１５０を挟んで対向するように設けられる。ブロックＢ４は搬送部１５０を含む。ブロックＢ４において、搬送部１５０はブロックＢ２，Ｂ３と露光装置５００との間で基板の受け渡しを行う受渡部として機能する。

図６は、図５の塗布処理部１２０内の構成を白抜きの矢印Ａの方向に見た模式的側面図である。図６に示すように、本例の塗布処理部１２０には、４つの塗布装置２００が設けられている。以下の説明では、４つの塗布装置２００を互いに区別する場合、それぞれの塗布装置２００を塗布装置２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄと呼ぶ。

塗布装置２００Ａ，２００Ｂは、基本的に同じ構成を有し、水平方向において互いに隣り合うように設けられている。塗布装置２００Ｃ，２００Ｄは、基本的に同じ構成を有し、水平方向において互いに隣り合うように設けられている。塗布装置２００Ａ，２００Ｂは、それぞれ塗布装置２００Ｃ，２００Ｄの上方に位置する。

また、塗布処理部１２０には、第１室Ｒ１、第２室Ｒ２、第３室Ｒ３および第４室Ｒ４が、この順で上から下に並ぶように積層配置されている。図１の例と同様に、第１室Ｒ１と第２室Ｒ２とを区画するように隔壁ＷＬ１が設けられ、第２室Ｒ２と第３室Ｒ３とを区画するように隔壁ＷＬ２が設けられている。また、第３室Ｒ３と第４室Ｒ４とを区画するように隔壁ＷＬ３が設けられ、第４室Ｒ４と第４室Ｒ４の下方の空間とを区画するように隔壁ＷＬ４が設けられている。

第１室Ｒ１および第２室Ｒ２は塗布装置２００Ａ，２００Ｂに共通に用いられ、第３室Ｒ３および第４室Ｒ４は塗布装置２００Ｃ，２００Ｄに共通に用いられている。それにより、第１室Ｒ１には、塗布装置２００Ａ，２００Ｂの基板保持部１０、カップ１１、ノズル１２およびノズル容器１３が収容される。また、第２室Ｒ２には、塗布装置２００Ａ，２００Ｂの液収集部２０、気体収集部３０および排気切替部５０が収容される。第３室Ｒ３には、塗布装置２００Ｃ，２００Ｄの基板保持部１０、カップ１１、ノズル１２およびノズル容器１３が収容される。また、第４室Ｒ４には、塗布装置２００Ｃ，２００Ｄの液収集部２０、気体収集部３０および排気切替部５０が収容される。

さらに、図６の塗布処理部１２０においては、第１室Ｒ１および第３室Ｒ３の各々の上端部近傍に、当該室内に清浄な下降気流を発生させるためのフィルタユニット３１０が設けられている。また、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４の各々に、当該室内に清浄な気体を供給するためのフィルタユニット３２０が設けられている。フィルタユニット３１０，３２０の各々が備えるフィルタとしては、例えばＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタが用いられる。

塗布処理部１２０の外部には、気体供給部３００が設けられている。気体供給部３００には、ダクトＤＵ９が接続されている。ダクトＤＵ９は、塗布処理部１２０の下方の位置から隔壁ＷＬ４，ＷＬ３，ＷＬ２，ＷＬ１を貫通して第１室Ｒ１の内部まで上方に向かって延びるように設けられている。上記のフィルタユニット３１０，３２０は、ダクトＤＵ９の複数の部分にそれぞれ接続されている。

気体供給部３００は、例えばエアーコントロールユニットであり、電源がオンされている間、予め定められた条件を満たすように温度および湿度等の空気の状態を調整する。また、気体供給部３００は、調整後の空気をダクトＤＵ９に供給する。この場合、気体供給部３００からダクトＤＵ９に供給された空気は、フィルタユニット３１０，３２０を通して第１室Ｒ１、第２室Ｒ２、第３室Ｒ３および第４室Ｒ４内にそれぞれ導かれる。

第２室Ｒ２から隔壁ＷＬ２，ＷＬ３，ＷＬ４を貫通して下方に延びるようにダクトＤＵ１，ＤＵ３が設けられている。第２室Ｒ２においては、ダクトＤＵ１の上流端に塗布装置２００Ａ，２００Ｂの２つの気体収集配管３３が着脱可能に接続されている。ダクトＤＵ１の下流端は、図示しない排気設備に着脱可能に接続されている。このような構成により、第１室Ｒ１内の気体は、塗布装置２００Ａ，２００Ｂの気体収集部３０、気体収集配管３１，３２，３３，４１および排気切替部５０を通してダクトＤＵ１に導かれる。

第２室Ｒ２の底部には、塗布装置２００Ａ，２００Ｂが並ぶ方向に延びるように気体収集配管４１０が設けられている。気体収集配管４１０の一端は閉塞されている。また、気体収集配管４１０には、複数の排気開口４１１が所定間隔をおいて並ぶように形成されている。第２室Ｒ２に設けられる気体収集配管４１０の他端は、ダクトＤＵ３の上流端に着脱可能に接続されている。ダクトＤＵ３の下流端は、ダクトＤＵ１と同様に、図示しない排気設備に接続されている。このような構成により、図示しない排気設備がダクトＤＵ３内の気体を吸引すると、第２室Ｒ２内の気体は、気体収集配管４１０の複数の排気開口４１１に流れ込み、気体収集配管４１０を通してダクトＤＵ３に導かれる。

第４室Ｒ４から隔壁ＷＬ４を貫通して下方に延びるようにダクトＤＵ２，ＤＵ４が設けられている。第４室Ｒ４においては、ダクトＤＵ２の上流端に塗布装置２００Ｃ，２００Ｄの２つの気体収集配管３３が着脱可能に接続されている。ダクトＤＵ２の下流端は、図示しない排気設備に接続されている。このような構成により、第３室Ｒ３内の気体は、塗布装置２００Ｃ，２００Ｄの気体収集部３０、気体収集配管３１，３２，３３，４１および排気切替部５０を通してダクトＤＵ２に導かれる。

第４室Ｒ４の底部には、第２室Ｒ２の底部と同様に、気体収集配管４１０が設けられている。第４室Ｒ４に設けられる気体収集配管４１０の他端は、ダクトＤＵ４の上流端に着脱可能に接続されている。ダクトＤＵ４の下流端は、ダクトＤＵ３と同様に、図示しない排気設備に接続されている。このような構成により、図示しない排気設備がダクトＤＵ４内の気体を吸引すると、第４室Ｒ４内の気体は気体収集配管４１０の複数の排気開口４１１に流れ込み、気体収集配管４１０を通してダクトＤＵ４に導かれる。

図７は、図６の第１室Ｒ１および第３室Ｒ３内の気体の流れを説明するための斜視図である。図７および後述する図８では、第３室Ｒ３に設けられるフィルタユニット３１０が太い二点鎖線で示される。なお、第１室Ｒ１に設けられるフィルタユニット３１０の図示は省略されている。

図７に示すように、第３室Ｒ３内に位置するダクトＤＵ９の部分には、フィルタユニット３１０を接続するための接続部ＤＣが形成されている。また、第１室Ｒ１内に位置するダクトＤＵ９の部分にも接続部ＤＣ（図示せず）が形成されている。第１室Ｒ１および第３室Ｒ３において、ダクトＤＵ９に形成された接続部ＤＣにフィルタユニット３１０が接続されている。

図７に太い実線の矢印で示すように、基板処理装置１００の稼働時には、気体供給部３００からダクトＤＵ９に温度および湿度等が調整された空気が供給される。このとき、ダクトＤＵ９内に供給された空気の一部は、第１室Ｒ１および第３室Ｒ３の接続部ＤＣからフィルタユニット３１０に導かれ、図示しないフィルタを通して第１室Ｒ１および第３室Ｒ３内全体に供給される。それにより、第１室Ｒ１および第３室Ｒ３内に清浄な下降気流が形成される。また、第１室Ｒ１および第３室Ｒ３内の気体は、各塗布装置２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄの複数の気体収集配管３１，４１を通して第２室Ｒ２および第４室Ｒ４に送られ、さらにダクトＤＵ１，ＤＵ２を通して排気される。

図８は、図６の第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の気体の流れを説明するための斜視図である。図８に示すように、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内に位置するダクトＤＵ９の部分には、フィルタユニット３２０が接続されている。

図８に太い実線の矢印で示すように、気体供給部３００からダクトＤＵ９に供給される空気の残りの少なくとも一部は、２つのフィルタユニット３２０のフィルタＦを通して第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内に供給される。また、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の気体は、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４にそれぞれ設けられた気体収集配管４１０からダクトＤＵ３，ＤＵ４を通して排気される。

図９は図５の塗布処理部１２０の外観斜視図であり、図１０は図６の第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の気体を排気する気体収集配管４１０の塗布処理部１２０における位置を示す平面図である。

図９に示すように、塗布処理部１２０は、４つの塗布装置２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄを収容する筐体１２０Ｃを有する。筐体１２０Ｃは、図６の第１室Ｒ１、第２室Ｒ２、第３室Ｒ３および第４室Ｒ４の外壁の一部を構成し、図５の搬送部１５０を向く一側壁部ｓｆ１と、搬送部１５０と反対の基板処理装置１００の外方を向く他側壁部ｓｆ２とを有する。

筐体１２０Ｃの他側壁部ｓｆ２には、メンテナンス用開口部ｒｏ１，ｒｏ２，ｒｏ３，ｒｏ４が形成されている。メンテナンス用開口部ｒｏ１は第１室Ｒ１の内部空間と基板処理装置１００の外部とを連通させ、メンテナンス用開口部ｒｏ２は第２室Ｒ２の内部空間と基板処理装置１００の外部とを連通させる。また、メンテナンス用開口部ｒｏ３は第３室Ｒ３の内部空間と基板処理装置１００の外部とを連通させ、メンテナンス用開口部ｒｏ４は第４室Ｒ４の内部空間と基板処理装置１００の外部とを連通させる。

さらに、筐体１２０Ｃの他側壁部ｓｆ２には、メンテナンス用開口部ｒｏ１，ｒｏ２，ｒｏ３，ｒｏ４をそれぞれ開閉するための開閉扉ｒｄ１，ｒｄ２，ｒｄ３，ｒｄ４が取り付けられている。塗布装置２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄの液収集部２０、気体収集部３０、気体収集配管３１，３２，３３，４１および排気切替部５０のメンテナンス時には、図９に太い一点鎖線で示すように、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４に対応する開閉扉ｒｄ２，ｒｄ４が操作され、メンテナンス用開口部ｒｏ２，ｒｏ４が開かれる。

このとき、第１室Ｒ１および第３室Ｒ３に対応するメンテナンス用開口部ｒｏ１，ｒｏ２については、開閉扉ｒｄ１，ｒｄ３により閉じられた状態で維持しておくことができる。したがって、液収集部２０、気体収集部３０、気体収集配管３１，３２，３３，４１および排気切替部５０のメンテナンス中に、基板処理装置１００の外部から第１室Ｒ１および第３室Ｒ３内に汚染物質が進入することが防止される。

また、図１０に示すように、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の気体を排気する気体収集配管４１０は、メンテナンス用開口部ｒｏ２，ｒｏ４が形成された他側壁部ｓｆ２とは反対側の一側壁部ｓｆ１に近い位置に設けられている。この気体収集配管４１０の配置によれば、メンテナンス用開口部ｒｏ２，ｒｏ４が開かれる場合でも、基本的にメンテナンス用開口部ｒｏ２，ｒｏ４から第２室Ｒ２および第４室Ｒ４の内方に向かうように気体の流れが形成される。それにより、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内のメンテナンス時に、メンテナンス用開口部ｒｏ２，ｒｏ４から基板処理装置１００の外部に第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の気体が漏れ出ることが防止される。

なお、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内のメンテナンス時には、各種配管が分解等されることにより第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内に処理液の成分を含む気体が拡散する可能性がある。そのため、処理液が強い臭気を有すると、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の作業環境の快適性が低下する。このような場合でも、上記の構成によれば第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の気体が気体収集配管４１０から排気されることにより、処理液の成分を含む気体の拡散が防止される。したがって、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の作業環境の快適性の低下が防止される。

［５］効果
（１）図６の各塗布装置２００Ａ～２００Ｄにおいては、基板Ｗに対する処理液の吐出時に、第１室Ｒ１または第３室Ｒ３における第１の空間部分Ｓ１の気体がカップ１１から複数の気体収集配管３１を通して気体収集部３０に収集される。それにより、処理液の成分を含む気体が第１室Ｒ１または第３室Ｒ３内で拡散することが防止され、第１室Ｒ１または第３室Ｒ３内の汚染が防止される。

カップ１１に接続された複数の気体収集配管３１の各々は、隔壁ＷＬ１，ＷＬ３のいずれかを貫通してカップ１１と気体収集部３０とを接続する。この構成によれば、隔壁ＷＬ１，ＷＬ３を迂回してカップ１１と気体収集部３０とを接続するように気体収集配管３１を構成する場合に比べて、気体収集配管３１を隔壁ＷＬ１，ＷＬ３の方向に大きく延ばす必要がない。そのため、気体収集配管３１の長さを短くすることができる。したがって、気体収集配管３１内を処理液の成分を含む気体が流通する場合でも、気体収集配管３１内では処理液に起因する固着物が多量に発生することが防止される。それにより、気体収集配管３１における詰まりの発生が防止される。

また、塗布装置２００Ａ～２００Ｄにおいては、基板Ｗに処理が行われる空間（第１室Ｒ１および第３室Ｒ３）と、気体および処理液が収集される空間（第２室Ｒ２および第４室Ｒ４）とが隔壁ＷＬ１，ＷＬ３のいずれかにより区画されている。そのため、気体および処理液の流路を構成する複数の部材のメンテナンス時に第２室Ｒ２および第４室Ｒ４が開放される場合でも、隔壁ＷＬ１，ＷＬ３により基板処理装置１００の外部から第２室Ｒ２および第４室Ｒ４を通して第１室Ｒ１および第３室Ｒ３内に汚染物質が進入することが防止される。

これらの結果、基板処理装置１００のダウンタイムが長くなることを防止するとともに基板Ｗの処理室内の汚染を防止することが可能になる。

（２）上記の各塗布装置２００Ａ～２００Ｄにおいては、排気切替部５０が第１の排気状態にある場合、第１の空間部分Ｓ１の気体が第２の空間部分Ｓ２の気体よりも大きい流量で基板処理装置１００の外部に排気される。一方、排気切替部５０が第２の排気状態にある場合、第２の空間部分Ｓ２の気体が第１の空間部分Ｓ１の気体よりも大きい流量で基板処理装置１００の外部に排気される。これにより、基板Ｗの処理状態に応じて、第１の空間部分Ｓ１の気体の排気量を切り替えることができる。したがって、例えば塗布処理時の基板Ｗの回転速度に応じて排気切替部５０の状態を切り換えることにより、基板Ｗ上に形成される感光性膜の厚みの均一化を図ることが可能になる。

（３）上記の各塗布装置２００Ａ～２００Ｄにおいては、ダクトＤＵ９からフィルタユニット３２０を通して第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内に清浄な空気が供給される。それにより、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内部のメンテナンス時に、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内に発生する処理液の成分を含む気体が清浄な気体により置換される。したがって、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内で処理液を含む気体が拡散して各種部材に処理液が付着することが防止される。それにより、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内部の汚染が防止される。

（４）上記の第２室Ｒ２および第４室Ｒ４に設けられる気体収集配管３１，３２，３３，４１の各々は、他の部材に対して着脱可能に接続される。したがって、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内部のメンテナンス時には、排気系を構成する各部材を容易に分解することができる。

（５）各塗布装置２００Ａ～２００Ｄにおいては、カップ１１により受け止められる処理液およびノズル容器１３により受け止められる処理液が液収集部２０により収集される。ここで、液収集部２０は、第２室Ｒ２または第４室Ｒ４に設けられている。カップ１１およびノズル容器１３と液収集部２０との間には、隔壁ＷＬ１，ＷＬ３のいずれかを貫通する液収集配管２１，２２が接続されている。この構成によれば、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４を開放することにより、液収集部２０および液収集配管２１，２２のメンテナンスを行うことができる。

上記の液収集配管２１，２２は、基本的に上下方向に延びるように設けられている。それにより、カップ１１およびノズル容器１３により受け止められた処理液は、その自重により液収集配管２１，２２の内部を円滑に流れ、液収集部２０に収集される。

［６］排気系のメンテナンスの作業回数を低減するための工夫
上記の各塗布装置２００Ａ～２００Ｄにおいては、複数の気体収集配管３１の内面、気体収集部３０の内面、気体収集配管４１の内面およびダクトＤＵ１，ＤＵ２の内面のうち少なくとも一部にフッ素樹脂の被膜が形成されてもよい。

この場合、フッ素樹脂の被膜が形成された内面部分には、処理液の成分が付着しにくい。したがって、開放作業が困難な部分が予め特定できる場合には、当該開放作業が困難な部分にフッ素樹脂の被膜を形成しておくことが好ましい。それにより、作業性の悪いメンテナンスを頻繁に行う必要がなくなる。

［７］他の実施の形態
（１）上記実施の形態に係る塗布処理部１２０においては、第１室Ｒ１および第２室Ｒ２が上下方向に並ぶように設けられるが、本発明はこれに限定されない。第１室Ｒ１および第２室Ｒ２は、水平方向に並ぶように設けられてもよい。この場合、第１室Ｒ１および第２室Ｒ２を区画する隔壁ＷＬ１は、上下方向に平行に延びることになる。このような場合でも、複数の気体収集配管３１が隔壁ＷＬ１を貫通してカップ１１と気体収集部３０とを接続することにより、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

（２）上記実施の形態に係る塗布装置２００においては、第１の空間部分Ｓ１の気体の排気量と第２の空間部分Ｓ２の気体の排気量との割合を変化させるために排気切替部５０が用いられるが、排気切替部５０は設けられなくてもよい。

（３）上記実施の形態に係る塗布装置２００においては、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内の気体を排気するために気体収集配管４１０が設けられるが、気体収集配管４１０は設けられなくてもよい。また、上記実施の形態に係る塗布装置２００においては、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４にそれぞれフィルタユニット３２０が設けられ、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内に清浄な気体が供給されるが、本発明はこれに限定されない。第２室Ｒ２および第４室Ｒ４内には、気体供給部３００により調整された空気が供給されなくてもよい。この場合、フィルタユニット３２０は不要となる。

（４）上記実施の形態に係る塗布装置２００においては、液収集部２０は第２室Ｒ２または第４室Ｒ４に設けられるが、本発明はこれに限定されない。液収集部２０は、第１室Ｒ１または第３室Ｒ３内に設けられてもよい。

（５）上記実施の形態に係る塗布装置２００においては、カップ１１と気体収集部３０とが３つの気体収集配管３１により接続されるが、本発明はこれに限定されない。カップ１１と気体収集部３０とを繋ぐ気体収集配管３１の数は、１つであってもよいし、２つであってもよいし、４つであってもよい。

（６）上記実施の形態に係る塗布装置２００においては、ノズル容器１３と気体収集部３０とを繋ぐように新たな気体収集配管が設けられてもよい。この場合、ノズル１２についてプリディスペンスが行われる際に、ノズル容器１３内の気体をダクトＤＵ１を通して円滑に排気することができる。

（７）上記実施の形態においては、処理液として、ネガ型またはポジ型の感光性ポリイミドおよび溶剤を含む処理液が用いられるが、本発明はこれに限定されない。処理液としては、１０００ｃｐ～１８０００ｃｐ程度の高い粘度を有するレジスト液等を用いることもできる。

［８］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、ノズル１２が液吐出部の例であり、第１の空間部分Ｓ１が第１の空間部分の例であり、カップ１１が受け止め部およびカップの例であり、第１室Ｒ１および第３室Ｒ３が処理室の例であり、気体収集部３０が第１の気体収集部の例である。

また、第２室Ｒ２および第４室Ｒ４が収集室の例であり、隔壁ＷＬ１，ＷＬ３が隔壁の例であり、気体収集配管３１が第１の気体収集配管の例であり、気体収集配管４１が第２の気体収集配管の例であり、ダクトＤＵ１，ＤＵ２および気体収集配管３３が第１の排気管の例である。

また、本体部５２の内部空間５２Ｓが第１および第２の気体流路の例であり、本体部５２が流路形成部の例であり、ダンパ５３が第１の開閉部材の例であり、アクチュエータ５４が開閉駆動部の例であり、メンテナンス用開口部ｒｏ２，ｒｏ４がメンテナンス用開口部の例であり、開閉扉ｒｄ２，ｒｄ４が第２の開閉部材の例である。

また、気体収集配管４１０が第２の気体収集部の例であり、ダクトＤＵ３，ＤＵ４が第２の排気管の例であり、一側壁部ｓｆ１が側壁部の例であり、ダクトＤＵ９が気体供給ダクトの例であり、フィルタユニット３２０がフィルタの例であり、気体供給部３００が気体供給部の例であり、液収集部２０が液収集部の例であり、液収集配管２１が液収集配管の例であり、基板保持部１０が基板保持部の例であり、カップ１１がカップの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
［９］参考形態
参考形態に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う基板処理装置であって、処理液を吐出する液吐出部と、液吐出部から処理液が吐出される第１の空間部分を有し、液吐出部から第１の空間部分に吐出された処理液を受け止める受け止め部と、液吐出部および受け止め部を収容する処理室と、第１の空間部分の気体を収集する第１の気体収集部と、処理室の下部に設けられ、第１の気体収集部を収容する収集室と、処理室と収集室とを区画する隔壁と、隔壁を貫通して受け止め部と第１の気体収集部との間に接続される第１の気体収集配管とを備える。

１０…基板保持部，１１…カップ，１２…ノズル，１３…ノズル容器，２０…液収集部，２１，２２，２３…液収集配管，３０…気体収集部，３１，３２，３３，４１，４１０…気体収集配管，５０…排気切替部，５２…本体部，５２Ｓ…内部空間，５３…ダンパ，５３ａ…回転軸，５４…アクチュエータ，５９ａ，５９ｂ，５９ｃ…接続部，１００…基板処理装置，１１０…制御装置，１２０…塗布処理部，１２０Ｃ…筐体，１３０…現像処理部，１４０…熱処理部，１５０…搬送部，２００，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ…塗布装置，３００…気体供給部，３１０，３２０…フィルタユニット，４１１…排気開口，５００…露光装置，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４…ブロック，ＤＣ…接続部，ＤＵ１，ＤＵ２，ＤＵ３，ＤＵ４，ＤＵ９…ダクト，Ｒ１…第１室，Ｒ２…第２室，Ｒ３…第３室，Ｒ４…第４室，Ｓ１…第１の空間部分，Ｓ２…第２の空間部分，Ｗ…基板，ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３，ＷＬ４…隔壁，ｐ０…処理位置，ｐ１…待機位置，ｒｄ１，ｒｄ２，ｒｄ３，ｒｄ４…開閉扉，ｒｏ１，ｒｏ２，ｒｏ３，ｒｏ４…メンテナンス用開口部，ｓｆ１…一側壁部，ｓｆ２…他側壁部

Claims (10)

1. 基板に処理液を用いた処理を行う基板処理装置であって、
   前記処理液を吐出する液吐出部と、
   前記液吐出部から前記処理液が吐出される第１の空間部分を有し、前記液吐出部から前記第１の空間部分に吐出された前記処理液を受け止める受け止め部と、
   前記液吐出部および前記受け止め部を収容する処理室と、
   前記第１の空間部分の気体を収集する第１の気体収集部と、
   前記処理室の下部に設けられ、前記第１の気体収集部を収容する収集室と、
   前記処理室と前記収集室とを区画する隔壁と、
   前記隔壁を貫通して前記受け止め部と前記第１の気体収集部との間に接続される第１の気体収集配管と、
   前記収集室の内部空間の気体を収集する第２の気体収集部と、
   前記第２の気体収集部により収集された気体を前記基板処理装置の外部に排気する第２の排気管とを備える、基板処理装置。
2. 前記処理室内の前記第１の空間部分を除く第２の空間部分に上流端が位置するように前記隔壁を貫通しかつ前記第２の空間部分の気体を収集する第２の気体収集配管と、
   前記第１の気体収集配管を通して前記第１の気体収集部に収集される気体および前記第２の気体収集配管を通して収集される気体を前記基板処理装置の外部に排気する第１の排気管と、
   前記第１の気体収集部、前記第２の気体収集配管の下流端および前記第１の排気管の上流端に接続され、前記第１の気体収集部から前記第１の排気管に導かれる気体の流量が前記第２の気体収集配管から前記第１の排気管に導かれる気体の流量よりも大きい第１の状態と、前記第１の気体収集部から前記第１の排気管に導かれる気体の流量が前記第２の気体収集配管から前記第１の排気管に導かれる気体の流量よりも小さい第２の状態とに切替可能に構成された排気切替部とをさらに備える、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１の気体収集配管の内面、前記第１の気体収集部の内面、前記第２の気体収集配管の内面および前記第１の排気管の内面のうち少なくとも一部に、フッ素樹脂の被膜が形成された、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記排気切替部は、
   前記第１の気体収集部から前記第１の排気管の上流端に至る第１の気体流路と、前記第２の気体収集配管の下流端から前記第１の排気管の上流端に至る第２の気体流路とを形成する流路形成部と、
   前記流路形成部における前記第１および第２の気体流路のうち少なくとも一方の経路を開閉可能な第１の開閉部材と、
   前記第１の開閉部材を動作させる開閉駆動部とを含む、請求項２または３記載の基板処理装置。
5. 前記収集室には、前記収集室の内部空間と前記収集室の外部とを連通させるメンテナンス用開口部が形成されるとともに、前記メンテナンス用開口部を開閉可能な第２の開閉部材が取り付けられた、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記収集室は、前記メンテナンス用開口部と反対側に側壁部を有し、
   前記第２の気体収集部は、前記メンテナンス用開口部よりも前記側壁部に近い位置に設けられる、請求項５記載の基板処理装置。
7. 基板に処理液を用いた処理を行う基板処理装置であって、
   前記処理液を吐出する液吐出部と、
   前記液吐出部から前記処理液が吐出される第１の空間部分を有し、前記液吐出部から前記第１の空間部分に吐出された前記処理液を受け止める受け止め部と、
   前記液吐出部および前記受け止め部を収容する処理室と、
   前記第１の空間部分の気体を収集する第１の気体収集部と、
   前記処理室の下部に設けられ、前記第１の気体収集部を収容する収集室と、
   前記処理室と前記収集室とを区画する隔壁と、
   前記隔壁を貫通して前記受け止め部と前記第１の気体収集部との間に接続される第１の気体収集配管と、
   前記収集室の内部空間を通るように設けられ、前記収集室の内部空間に開放された開口部を有する気体供給ダクトと、
   前記開口部に取り付けられたフィルタと、
   前記気体供給ダクトに気体を供給する気体供給部とを備える、基板処理装置。
8. 前記収集室内に収容され、前記処理液を収集する液収集部と、
   前記隔壁を貫通して前記受け止め部と前記液収集部との間に接続される液収集配管とをさらに備える、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記処理室に収容され、基板を前記第１の空間部分内で水平姿勢で保持する基板保持部をさらに備え、
   前記収集室は、前記処理室の下部に設けられ、
   前記受け止め部は、
   前記基板保持部により保持される基板を取り囲むように設けられ、基板に供給された前記処理液を受け止めるカップを含み、
   前記液収集配管は、前記カップと前記液収集部との間に接続される、請求項８記載の基板処理装置。
10. 基板に処理液を用いた処理を行う基板処理装置であって、
    前記処理液を吐出する液吐出部と、
    前記液吐出部から前記処理液が吐出される第１の空間部分を有し、前記液吐出部から前記第１の空間部分に吐出された前記処理液を受け止める受け止め部と、
    前記液吐出部および前記受け止め部を収容する処理室と、
    前記第１の空間部分の気体を収集する第１の気体収集部と、
    前記処理室の下部に設けられ、前記第１の気体収集部を収容する収集室と、
    前記処理室と前記収集室とを区画する隔壁と、
    前記隔壁を貫通して前記受け止め部と前記第１の気体収集部との間に接続されるとともに分散配置された複数の第１の気体収集配管とを備え、
    前記複数の第１の気体収集配管の各々は、上下方向に直線状に延びる配管であり、
    前記第１の気体収集部は、平面視で前記複数の第１の気体収集配管に重なる内部空間を有するように構成された、基板処理装置。

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