JP2019080003A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態に係る基板処理装置1は、基板に対し、感光性被膜の形成を行う装置である。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
キャリアブロック2は、基板処理装置1内へのウェハWの導入及び基板処理装置1内からのウェハWの導出を行う。例えばキャリアブロック2は、ウェハW用の複数のキャリア11を支持可能であり、受け渡しアームA1を内蔵している。キャリア11は、例えば円形の複数枚のウェハWを収容する。受け渡しアームA1は、キャリア11からウェハWを取り出して処理ブロック3に渡し、処理ブロック3からウェハWを受け取ってキャリア11内に戻す。
処理ブロック3は、上下方向に並ぶ複数の処理モジュール10と、ドレイン管路20と、エネルギー付与部30(図4参照)と、搬送アームA2とを備えている。各処理モジュール10は、液処理ユニットU1(液処理部)及び熱処理ユニットU2を有する。液処理ユニットU1は、ウェハWに液処理を行う。液処理は、液体を用いてウェハWに施す処理をいい、感光性被膜の形成用の処理液をウェハWの表面に塗布する処理(以下、「塗布処理」という。)を含む。なお、液処理は、塗布処理に限定されず、例えば洗浄処理であってもよい。熱処理ユニットU2は、上記塗布処理により形成された被膜の加熱等の熱処理を行う。搬送アームA2は、液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2にウェハWを搬送する。処理ブロック3内におけるキャリアブロック2側には、棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。各セルは、受け渡しアームA1と搬送アームA2との間におけるウェハWのバッファリングに用いられる。
図3に示されるように、上述の液処理ユニットU1は、複数の回転保持部12と、液供給部13と、複数のカップ14と、を有する。複数の回転保持部12は、複数のウェハWをそれぞれ保持して回転させる。液供給部13は、回転保持部12に保持されたウェハWに処理液を供給する。処理液は、例えば感光性被膜の形成用の薬液である。例えば液供給部13は、ノズル15a,16aと、液源15b,16bと、バルブ15c,16cと、ノズル移送機構15d,16dと、ノズルバス17と、ダミーディスペンス部18とを有する。
ドレイン管路20は、各処理モジュール10の液処理ユニットU1からの排液を、例えば基板処理装置1の外部の工場ドレイン設備に導出する。図3及び図4に示されるように、ドレイン管路20は、複数の管路21と、複数のマニホールド22(第一マニホールド)と、複数の管路23と、マニホールド24(第二マニホールド)と、管路25とを有している。ドレイン管路20の各部(管路21,23,25、及びマニホールド22,24)は、それぞれテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA:Perfluoro alkoxy alkane)によって形成されていてもよい。
エネルギー付与部30は、排液の流れによる物理エネルギーとは別の物理エネルギーをドレイン管路20に付与する。ここで、物理エネルギーとは、ドレイン管路20の内面20s(図5参照)への付着物G(図5参照)を剥離させるための物理エネルギーである。物理エネルギーは、慣性力又は流体圧等の物理力によるエネルギーを意味する。エネルギー付与部30は、第一ユニットU31と、第二ユニットU32とを含む。
制御部100は、所定のタイミングでドレイン管路20に物理エネルギーを付与するようにエネルギー付与部30を制御することを実行する。例えば制御部100は、所定時間が経過したタイミングで、ドレイン管路20に物理エネルギーを付与するようにエネルギー付与部30を制御してもよく、所定枚数のウェハWに対する液処理(例えば塗布処理)が完了したタイミングで、ドレイン管路20に物理エネルギーを付与するようにエネルギー付与部30を制御してもよい。また、制御部100は、処理対象のウェハWのロットが切り替わるタイミングで、ドレイン管路20に物理エネルギーを付与するようにエネルギー付与部30を制御してもよい。また、制御部100は、ウェハWに対する塗布処理の完了後、次のウェハWに対する液処理が開始される前における経過時間が所定時間に達したタイミングで、ドレイン管路20に物理エネルギーを付与するようにエネルギー付与部30を制御してもよい。
続いて、基板処理方法の一例として、基板処理装置1が実行する液処理手順を説明する。図8は、液処理手順を示すフローチャートである。まず、制御部100は、ステップS01,S02,S03を順に実行する。ステップS01では、搬入・搬出制御部102が、ウェハWを液処理ユニットU1に搬入するように搬送アームA2を制御する。例えば搬入・搬出制御部102は、ウェハWを液処理ユニットU1内に搬入して回転保持部12に保持させるように搬送アームA2を制御する。
以上、説明したように、基板処理装置1は、ウェハWに液処理を行う液処理ユニットU1と、液処理ユニットU1から排液を導出するドレイン管路20と、ドレイン管路20の内面20sへの付着物Gを剥離させるための物理エネルギーをドレイン管路20に付与するエネルギー付与部30と、を備える。
Claims (20)
- 基板に液処理を行う液処理部と、
前記液処理部から排液を導出するドレイン管路と、
前記ドレイン管路の内面への付着物を剥離させるための物理エネルギーを前記ドレイン管路に付与するエネルギー付与部と、を備える基板処理装置。 - 前記ドレイン管路は、前記液処理部において互いに異なる箇所から排液を導出する複数の管路を一つの管路に合流させる第一マニホールドを有し、
前記エネルギー付与部は、前記第一マニホールドよりも上流側の前記管路に前記物理エネルギーを付与するように構成されている、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記エネルギー付与部は、前記第一マニホールドにも前記物理エネルギーを付与するように構成されている、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記ドレイン管路は、複数の前記第一マニホールドからの排液をそれぞれ導く複数の管路を一つの管路に合流させる第二マニホールドを有し、
前記エネルギー付与部は、前記第二マニホールドにも前記物理エネルギーを付与するように構成されている、請求項2又は3に記載の基板処理装置。 - 前記エネルギー付与部は振動子を有し、前記物理エネルギーとして前記振動子の振動のエネルギーを付与する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記エネルギー付与部は、前記ドレイン管路に沿って並ぶ複数の前記振動子を有する、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記エネルギー付与部は、
前記振動子に接触する第一接触部と、前記第一接触部よりも広い面積で前記ドレイン管路に接触する第二接触部と、を含み、前記第一接触部から前記第二接触部に前記振動子の振動を伝える伝導部材を更に有する、請求項5又は6に記載の基板処理装置。 - 前記エネルギー付与部は、前記振動子に接触する第一接触部と、前記ドレイン管路の複数の管路に接触する第二接触部と、を含み、前記第一接触部から前記第二接触部に前記振動子の振動を伝える伝導部材を更に有する、請求項5又は6に記載の基板処理装置。
- 前記第二接触部は、前記ドレイン管路の外周に沿った湾曲形状を呈している、請求項7又は8に記載の基板処理装置。
- 前記エネルギー付与部は、前記物理エネルギーとしてガス圧によるエネルギーを付与する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記エネルギー付与部は、前記ドレイン管路の内面に開口し、前記ドレイン管路の内面に向かってガスを吐出するガス吐出部を有し、前記ガス吐出部が吐出したガスによって前記ガス圧によるエネルギーを付与する、請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記エネルギー付与部は、
前記ドレイン管路の内面に開口し、前記ドレイン管路の内面に向かってガスを吐出する複数のガス吐出部と、
前記ドレイン管路に沿って前記複数のガス吐出部と交互に並ぶ複数の振動子と、を有し、
前記物理エネルギーとして前記振動子の振動のエネルギーと前記ガス吐出部が吐出したガスのガス圧によるエネルギーとを前記ドレイン管路に付与する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 所定のタイミングで前記ドレイン管路に前記物理エネルギーを付与するように前記エネルギー付与部を制御することを実行する制御部を更に備える、請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、所定時間が経過したタイミングで、前記ドレイン管路に前記物理エネルギーを付与するように前記エネルギー付与部を制御する、請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、所定枚数の前記基板に対する液処理が完了したタイミングで、前記ドレイン管路に前記物理エネルギーを付与するように前記エネルギー付与部を制御する、請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記エネルギー付与部が前記ドレイン管路に前記物理エネルギーを付与する際に、前記ドレイン管路に溶剤を供給するように前記液処理部を制御することを更に実行する、請求項14又は15に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記ドレイン管路の上流側から下流側に順次前記物理エネルギーを付与するように前記エネルギー付与部を制御することを更に実行する、請求項14〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ドレイン管路は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体で構成されている、請求項1〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板に液処理を行うことと、
ドレイン管路に液処理の排液を導出することと、
前記ドレイン管路の内面への付着物を剥離させるための物理エネルギーを前記ドレイン管路に付与することと、を含む、基板処理方法。 - 請求項19に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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