JPH11207240A

JPH11207240A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH11207240A
Application number: JP1531898A
Authority: JP
Inventors: Takuya Sanari; 卓也左成; Hiroyuki Ogura; 浩之小椋
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-01-28
Filing date: 1998-01-28
Publication date: 1999-08-03
Anticipated expiration: 2018-01-28
Also published as: JP3703281B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の処理工程に応じて回転処理部からの排
気量を調整することが可能な回転式基板処理装置を提供
する。【解決手段】回転式塗布装置において、基板保持部１
の周囲を取り囲むカップ３の下面に排気管路４が接続さ
れている。排気管路の下流端は用力接続口に接続され、
管路の途中にオートダンパ５が設けられている。制御部
７は処理シーケンスに応じてオートダンパ５の開度を調
節する。レジスト液の吐出工程およびリンス液の吐出工
程では、オートダンパ５の開度を大きくし、カップ３か
らの排気量を高めミストを外部へ排出する。基板Ｗの成
膜時には、オートダンパ５の開度を低くし、カップ３か
らの排気量を低減して、塗布膜の膜厚不均一を防止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転処理部内の雰
囲気ガスを外部へ排気しながら基板に対して所定の処理
を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に処理液を供給して所定の処理を行うため
に、基板処理装置が用いられている。

【０００３】図４は、基板処理装置の一例である従来の
回転式塗布装置装置の概略構成図である。回転式塗布装
置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して回転させるための基
板保持部１および回転モータ２を備えている。基板Ｗお
よび基板保持部１の周囲には、基板Ｗに供給される処理
液が周囲に飛散することを防止するための中空のカップ
３が設けられている。

【０００４】中空のカップ３の上部には開口部３ａが設
けられ、下部には基板Ｗから飛散した処理液を排出する
ための排液口３ｂおよびカップ３内の雰囲気ガスを排出
するための排気口３ｃが設けられている。さらに、カッ
プ３の排気口３ｃには、排気管路４が接続されている。
排気管路４の下流端は、当該回転式塗布装置が設置され
る工場の用力接続口に連結されている。

【０００５】工場の排気用力設備は、ポンプ等の吸気源
を備え、工場内に設置される種々の基板処理装置に配管
を介して接続されている。排気用力設備の排気能力は吸
気源の能力により一律に定められる。このため、当該回
転式塗布装置に分配される排気量は一定となる。

【０００６】図４の回転式塗布装置における回転塗布時
には、カップ３の開口部３ａを通して清浄な空気流１０
が基板Ｗの表面に送り込まれる。この状態で、基板Ｗに
はレジスト液が吐出され、基板Ｗの回転によって塗り広
げられる。

【０００７】基板Ｗの表面から飛散するレジスト等の処
理液のミスト（飛沫）は清浄な空気流１０によって基板
Ｗの外周側に向かって運び去られる。そして、ミストを
含む空気流１０は排気流１０ａとなってカップ３内を下
降し、排気管路４を通り用力接続口から排気用力設備に
排出される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、当該回
転式塗布装置に分配された一定の排気量が大き過ぎる
と、レジスト液の供給後の成膜工程において、基板Ｗの
全面に塗り広げられるレジスト膜の外周部の乾燥が内周
部に比べて促進され、外周部側にレジストが堆積しやす
くなる。これによって、基板Ｗの外周部と内周部とでレ
ジスト膜の膜厚が不均一となる不都合が生じる。

【０００９】また、当該回転式塗布装置に分配された一
定の排気量が小さ過ぎると、基板Ｗにレジスト液を吐出
する工程およびリンス液を吐出する工程において、レジ
スト液やリンス液のミストを十分に排出することができ
なくなる。これにより、ミストが基板表面あるいは裏面
に付着して基板Ｗを汚染するという不都合が生じる。

【００１０】本発明の目的は、基板の処理工程に応じて
回転処理部からの排気量を調整することが可能な基板処
理装置を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、排気のために吸気源に接続
され、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持しつつ回転させる回転保持手段および回転保
持手段に保持された基板上に処理液を吐出する処理液吐
出手段を含む回転処理部と、回転処理部内の雰囲気ガス
を吸気源に導く排気管路と、排気管路内の雰囲気ガスの
流量を調整する流量調整手段と、処理液吐出手段による
処理液の吐出時に、雰囲気ガスの流量が吐出前に比べて
高くなるように流量調整手段を制御する制御手段とを備
えたものである。

【００１２】第１の発明に係る基板処理装置において
は、外部の吸気源によって回転処理部内の雰囲気ガスを
排気して回転処理部の雰囲気を清浄な状態に保持しつ
つ、基板に所定の処理が行われる。処理液を吐出する際
には、吐出した処理液が基板から飛散してミストが多量
に発生する。そこで、制御手段の制御により、流量調整
手段が雰囲気ガスの流量を高めることによって、多量に
発生するミストを排出し、回転処理部内を清浄な雰囲気
に保持する。これによって、処理液の吐出時において
も、ミストの付着による基板の汚染を防止することがで
きる。

【００１３】第２の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、処理液吐出手
段が、処理液として塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル
を含み、制御手段が、塗布液吐出ノズルによる塗布液の
吐出完了から所定時間経過まで雰囲気ガスの流量が保た
れた後、雰囲気ガスの流量が低下するように流量調整手
段を制御するものである。

【００１４】この場合、塗布液吐出ノズルから吐出され
る塗布液は、吐出時のみならず、吐出完了後の所定時
間、基板から外方へ飛散され、それによるミストの発生
が継続する。そこで、流量調整手段が塗布液の吐出完了
後、所定時間経過するまで雰囲気ガスの流量を高く保持
することによって、ミストを十分に排出して回転処理部
を清浄な雰囲気に保持することができる。

【００１５】第３の発明に係る基板処理装置は、第２の
発明に係る基板処理装置の構成において、制御手段は、
塗布液吐出ノズルによる塗布液の吐出完了から所定時間
経過後の雰囲気ガスの流量が、塗布液吐出ノズルによる
塗布液の吐出前の雰囲気ガスの流量よりも低くなるよう
に流量調整手段を制御するものである。

【００１６】この場合、基板に塗布液が吐出された後、
基板の回転によって塗布液が基板の表面に塗り広げられ
る。この際の基板からのミストの発生は少なく、雰囲気
ガスの流量を低下しても回転処理部内の雰囲気を清浄に
保つことができる。さらに、雰囲気ガスの流量を低くす
ることによって、基板の外周部と内周部との間で塗布膜
の膜厚の不均一が生じることが防止され、塗布膜の膜厚
を均一に形成することができる。

【００１７】第４の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、処理液吐出手
段は、処理液としてリンス液を吐出するリンス液吐出ノ
ズルを含み、制御手段は、リンス液吐出ノズルによるリ
ンス液の吐出時の雰囲気ガスの流量がリンス液の吐出前
に比べて高くなるように流量調整手段を制御するもので
ある。

【００１８】この場合、リンス液吐出ノズルからリンス
液を吐出する際に、吐出したリンス液が基板から飛散さ
れてミストの発生量が増加する。そこで、制御手段の制
御により流量調整手段が雰囲気ガスの流量を高めること
によって増加したミストを排出し、回転処理部内を清浄
な雰囲気に保持する。これによって、リンス液の吐出時
に、リンス液のミストが基板表面に形成された塗布膜に
付着して塗布膜を汚染を防止することができる。

【００１９】第５の発明に係る基板処理装置は、第４の
発明に係る基板処理装置の構成において、制御手段は、
リンス液吐出ノズルによるリンス液の吐出完了後に雰囲
気ガスの流量が低下するように流量調整手段を制御する
ものである。

【００２０】この場合、リンス液の吐出後はリンス液の
基板からの飛散が少なくなり、雰囲気ガスの流量を低下
させてもミストを十分に排出することができる。また、
雰囲気ガスの流量を低下させることにより、当該基板処
理装置と共通の吸気源に接続される他の基板処理装置の
排気系統の排気量に負担を及ぼす時間を短縮することが
できる。

【００２１】第６の発明に係る基板処理装置は、第５の
発明に係る基板処理装置の構成において、制御手段は、
リンス液吐出ノズルによるリンス液の吐出完了後の雰囲
気ガスの流量がリンス液吐出ノズルによるリンス液の吐
出前の雰囲気ガスの流量よりも高くなるように流量調整
手段を制御するものである。

【００２２】この場合、リンス液の吐出前、吐出時およ
び吐出後にそれぞれ雰囲気ガスの流量を適宜調整するこ
とによって回転処理部内の雰囲気を清浄な状態に保持し
つつ基板にリンス処理を施すことができる。

【００２３】第７の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、処理液吐出手
段は、処理液として塗布液を吐出する塗布液吐出ノズル
と、処理液としてリンス液を吐出するリンス液吐出ノズ
ルとを含み、塗布液吐出ノズルにより塗布液を吐出した
後、リンス液吐出ノズルによりリンス液を吐出し、制御
手段は、塗布液吐出ノズルによる塗布液の吐出時に雰囲
気ガスの流量が塗布液の吐出前に比べて高くなり、リン
ス液吐出ノズルによるリンス液の吐出時の雰囲気ガスの
流量がリンス液の吐出前に比べて高くなるように流量調
整手段を制御するものである。

【００２４】この場合には、塗布液吐出ノズルから塗布
液を吐出する際、およびリンス液からリンス液を吐出す
る際に、吐出された塗布液およびリンス液が基板から飛
散されることによって多量のミストが発生する。そこ
で、制御手段の制御により、流量調整手段が雰囲気ガス
の流量を高めることによって、多量に発生するミストを
排出し、回転処理部内を清浄な雰囲気に保持する。これ
によって、塗布液の吐出時およびリンス液の吐出時にお
いて、ミストの付着による基板の汚染を防止することが
できる。

【００２５】第８の発明に係る基板処理装置は、第７の
発明に係る基板処理装置の構成において、制御手段は、
塗布液吐出ノズルによる塗布液の吐出完了から所定時間
経過まで雰囲気ガスの流量が保たれた後、雰囲気ガスの
流量が低下し、リンス液吐出ノズルによるリンス液の吐
出完了後に雰囲気ガスの流量が低下するように流量調整
手段を制御するものである。

【００２６】この場合、塗布液吐出ノズルから吐出され
る塗布液は、吐出時のみならず吐出完了後の所定時間に
おいて基板の外方に飛散され、それによるミストの発生
が継続する。そこで、流量調整手段が塗布液の吐出完了
後、所定時間経過するまで雰囲気ガスの流量を高く保持
することによって、ミストを十分に排出して回転処理部
を清浄な雰囲気に保持することができる。

【００２７】また、塗布液の吐出後およびリンス液の吐
出後は塗布液およびリンス液の基板からの飛散が少なく
なり、雰囲気ガスの流量を低下させてもミストを十分に
排出することができる。また、雰囲気ガスの流量を低下
させることにより、当該基板処理装置と共通の吸気源に
接続される他の基板処理装置の排気系統の排気量に負担
を及ぼす時間を短縮することができる。これにより、他
の基板処理装置との間で雰囲気ガスの流量の増加時間の
重複を回避することができる。

【００２８】第９の発明に係る基板処理装置は、第８の
発明に係る基板処理装置の構成において、制御手段は、
塗布液吐出ノズルによる塗布液の吐出完了から所定時間
経過後の雰囲気ガスの流量が、塗布液吐出ノズルによる
塗布液の吐出前の雰囲気ガスの流量よりも低く、リンス
液吐出ノズルによるリンス液の吐出完了後の雰囲気ガス
の流量がリンス液吐出ノズルによるリンス液の吐出前の
雰囲気ガスの流量よりも高くなるように流量調整手段を
制御するものである。

【００２９】この場合、塗布液およびリンス液の吐出
前、吐出時および吐出後にそれぞれ雰囲気ガスの流量を
適宜調整することによって回転処理部内の雰囲気を清浄
な状態に保持しつつ基板に塗布膜形成処理およびリンス
処理を施すことができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下では、基板処理装置の一つと
して回転式塗布装置を例に説明する。図１は、本発明の
実施例による回転式塗布装置の概略構成図である。図１
において、回転式塗布装置は基板Ｗを水平姿勢で保持す
る真空チャックあるいはメカチャックからなる基板保持
部１および基板保持部１を鉛直軸の回りに回転させる回
転モータ２を備える。

【００３１】基板保持部１および基板Ｗの周囲には中空
のカップ３が配置されている。カップ３は、基板Ｗの表
面に供給される処理液が外方に飛散されるのを防止する
ために設けられており、その上部には開口部３ａが形成
され、下部には基板Ｗから周囲に飛散した処理液を外方
へ排出するための排液口３ｂと、カップ３内の雰囲気ガ
スを排出するための排気口３ｃとが形成されている。

【００３２】カップ３の排気口３ｃには排気管路４が接
続されている。排気管路４の下流端は工場の排気用力設
備の用力接続口に接続されている。排気管路４には、制
御部７によりその開度が調節されるオートダンパ５が配
置されている。

【００３３】制御部７は、回転モータ２の回転数を検知
し、回転塗布の処理シーケンスに従ってオートダンパ５
の開度を調節して排気管路４内の排気圧を制御する。

【００３４】基板Ｗの上方には、レジスト液を基板Ｗに
吐出するレジストノズル８が設けられている。レジスト
ノズル８は、基板Ｗの上方位置と、カップ３の外方の待
機位置との間を水平移動可能に、かつ昇降自在に形成さ
れている。さらに、基板Ｗの上方には基板Ｗの外周にリ
ンス液を吐出するエッジリンスノズル９が設けられてい
る。エッジリンスノズル９は、基板Ｗの外周の上方位置
と、カップ３の外方の待機位置との間を水平移動可能
に、かつ昇降自在に設けられている。また、基板保持部
１の下方には基板Ｗの裏面にリンス液を吐出する裏面リ
ンスノズル（図示せず）が設けられている。

【００３５】本実施例において、基板保持部１が本発明
の回転保持手段に相当し、排気管路４が排気管路に相当
し、オートダンパ５が流量調整手段に相当し、制御部７
が制御手段に相当し、レジストノズル８が塗布液吐出ノ
ズルに相当し、エッジリンスノズル９または裏面リンス
ノズルがリンス液吐出ノズルに相当する。また、基板保
持部１、回転モータ２、カップ３、レジストノズル８お
よびエッジリンスノズル９が本発明の回転処理部に相当
し、さらにレジストノズル８、エッジリンスノズル９ま
たは裏面リンスノズルが処理液吐出手段に相当する。

【００３６】次に、上記構成を有する回転式塗布装置の
動作について説明する。図２はオートダンパ５の開度状
態を示す模式図であり、図３は回転式塗布装置における
排気圧（ａ）、ダンパ開度（ｂ）および回転数（ｃ）の
変化を示す説明図である。図３に示すように、回転式塗
布装置における回転塗布処理は、基板搬入工程Ｔ１，吐
出工程Ｔ２，成膜工程Ｔ３，リンス工程Ｔ４および乾燥
工程Ｔ５を含む。

【００３７】オートダンパ５は制御部７の制御に基づい
て、図２（ａ）および図３（ｂ）に示す最大開度Ｖ３
と、図２（ｂ）および図３（ｂ）に示す中間開度Ｖ２
と、図２（ｃ）および図３（ｂ）に示す最小開度Ｖ１の
３段階の開度に調節可能に形成されている。なお、以下
の説明において、排気圧が大きい状態とは負圧度が大き
い状態を意図する。

【００３８】まず、基板搬入工程Ｔ１において、オート
ダンパ５の開度は図２（ｂ）に示す中間開度Ｖ２に調節
され、排気管路４内の排気圧が中間圧Ｐ２に設定され
る。これにより、カップ３内の雰囲気ガスが中間程度の
排気量で排出される。回転モータ２は静止状態にある。
この状態で、基板Ｗが基板保持部１上に載置される。

【００３９】次に、吐出工程Ｔ２において、レジストノ
ズル８からレジスト液が基板Ｗの表面に吐出され、回転
モータ２の駆動により、基板Ｗが低回転数Ｒ１で回転さ
れる。このレジスト液の吐出工程Ｔ２では、オートダン
パ５の開度が図２（ａ）に示最大開度Ｖ３に調節され、
排気管路４内の排気圧力が最大圧Ｐ３に設定される。こ
れにより、カップ３内の雰囲気ガスが最大の流量で排出
される。

【００４０】レジスト液の吐出時には、基板Ｗ上に吐出
されたレジスト液が基板Ｗの回転によって外方へ振り切
られ、これによってレジスト液のミストが多量に発生す
る。このため、カップ３からの排気量を増加させ、カッ
プ３内で多量に発生するミストを排気管路４を通して外
部へ排出させている。

【００４１】さらに、成膜工程Ｔ３においては、吐出工
程Ｔ２の終了後、すなわち、レジストノズル８からレジ
スト液が吐出された後の一定時間Δｔ、オートダンパ５
の開度が最大開度Ｖ３に維持され、排気管路４の排気圧
が最大圧Ｐ３に維持される。この所定時間Δｔは例えば
２秒間である。レジスト液が吐出された後、しばらくは
基板Ｗからレジスト液が外方へ飛散され、ミストの発生
が継続される。このため、吐出工程Ｔ２から成膜工程Ｔ
３に移行した後も、一定時間Δｔだけカップ３から高い
排気量で雰囲気ガスを排出し、ミストを外方へ排出す
る。

【００４２】一定時間Δｔ経過後、オートダンパ５の開
度が図２（ｃ）に示す最低開度Ｖ１にまで低下され、排
気管路４の排気圧が最低圧Ｐ１にまで低下される。一
方、回転モータ２の回転数が最大回転数Ｒ３にまで高め
られ、基板Ｗ上に吐出されたレジスト液が基板Ｗの全面
に塗り広げられる。この成膜工程では、基板Ｗが高速回
転されるが、基板Ｗの表面からのレジスト液の飛散量は
少なく、排気量を低下させてもミストを十分に排出させ
ることができる。また、カップ３からの排気量を低下さ
せることにより、基板Ｗ上のレジスト膜の外周部の乾燥
が内周部に比べて促進されることが抑制され、それによ
ってレジスト膜の膜厚の不均一が生じることが防止され
る。この低排気量での成膜工程Ｔ３はおよそ１５〜２５
秒間行われる。

【００４３】さらに、リンス工程Ｔ４では、再びオート
ダンパ５の開度が図２（ａ）に示す最大開度Ｖ３に高め
られ、排気管路４の排気圧が最大圧Ｐ３に調節される。
これにより、カップ３内の排気量が増加される。また、
回転モータ２の回転数は中間回転数Ｒ２に減少され、こ
の状態で基板Ｗの外周面および裏面にエッジリンスノズ
ル９および裏面リンスノズルからリンス液が吐出され
る。

【００４４】このリンス工程Ｔ４では、基板Ｗに吐出さ
れたリンス液により多量のミストが発生する。このた
め、カップ３の排気量を増加させてカップ３内で発生し
た多量のリンス液のミストを排気管路４を通して外部へ
排出させている。

【００４５】さらに、乾燥工程Ｔ５では、オートダンパ
５の開度が図２（ｂ）に示す中間開度Ｖ２に調節され、
排気管路４の排気圧が中間圧Ｐ２に調節される。また、
回転モータ２の回転数は最大回転数Ｒ３に高められる。
これにより、基板Ｗ上に吐出されたリンス液が振り切ら
れ、基板Ｗの表面乾燥が行われる。

【００４６】このように、レジスト液およびリンス液の
吐出工程Ｔ２，Ｔ４において、オートダンパ５の開度が
高められ、それによってカップ３からの排気量が高めら
れる。このため、基板Ｗから多量に生じるレジスト液や
リンス液のミストは外部に排出され、カップ３内で基板
Ｗに付着して基板Ｗを汚染することが防止される。な
お、レジスト液の吐出工程Ｔ２およびリンス液の吐出工
程Ｔ４は数秒間と短時間である。このために、当該回転
式塗布装置における吐出工程Ｔ２およびリンス工程Ｔ４
の期間が共通の排気用力設備に接続される他の基板処理
装置における高い排気量の期間と重複する場合は極めて
少ない。このため、当該回転式塗布装置の排気量を吐出
工程Ｔ２およびリンス工程Ｔ４において所望の高排気量
に調節することができる。

【００４７】なお、上記実施例においては、基板処理装
置として回転式塗布装置を例に説明したが、回転式現像
装置や回転式洗浄装置等他の基板処理装置に対しても本
発明を適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による回転式塗布装置の概略構
成図である。

【図２】オートダンパの開度状態を示す模式図である。

【図３】図１の回転式塗布装置における排気圧、ダンパ
開度および回転数の変化を示す図である。

【図４】従来の回転式塗布装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１基板保持部２回転モータ３カップ４排気管路５オートダンパ６手動ダンパ７制御部１０空気流１０ａ排気流

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】排気のために吸気源に接続され、基板に
所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる回転保持手段および前記回
転保持手段に保持された基板上に処理液を吐出する処理
液吐出手段を含む回転処理部と、前記回転処理部内の雰囲気ガスを前記吸気源に導く排気
管路と、前記排気管路内の雰囲気ガスの流量を調整する流量調整
手段と、前記処理液吐出手段による処理液の吐出時に、前記雰囲
気ガスの流量が吐出前に比べて高くなるように前記流量
調整手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とす
る基板処理装置。
【請求項２】前記処理液吐出手段は、前記処理液とし
て塗布液を吐出する塗布液吐出ノズルを含み、前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルによる塗布液の
吐出完了から所定時間経過まで前記雰囲気ガスの流量が
保たれた後、前記雰囲気ガスの流量が低下するように前
記流量調整手段を制御することを特徴とする請求項１記
載の基板処理装置。
【請求項３】前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズル
による塗布液の吐出完了から所定時間経過後の雰囲気ガ
スの流量が、前記塗布液吐出ノズルによる塗布液の吐出
前の雰囲気ガスの流量よりも低くなるように前記流量調
整手段を制御することを特徴とする請求項２記載の基板
処理装置。
【請求項４】前記処理液吐出手段は、前記処理液とし
てリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルを含み、前記制御手段は、前記リンス液吐出ノズルによるリンス
液の吐出時の前記雰囲気ガスの流量がリンス液の吐出前
に比べて高くなるように前記流量調整手段を制御するこ
とを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】前記制御手段は、前記リンス液吐出ノズ
ルによるリンス液の吐出完了後に前記雰囲気ガスの流量
が低下するように前記流量調整手段を制御することを特
徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】前記制御手段は、前記リンス液吐出ノズ
ルによるリンス液の吐出完了後の雰囲気ガスの流量が前
記リンス液吐出ノズルによるリンス液の吐出前の雰囲気
ガスの流量よりも高くなるように前記流量調整手段を制
御することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】前記処理液吐出手段は、前記処理液とし
て塗布液を吐出する塗布液吐出ノズルと、前記処理液と
してリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルとを含み、
前記塗布液吐出ノズルにより塗布液を吐出した後、前記
リンス液吐出ノズルによりリンス液を吐出し、前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズルによる塗布液の
吐出時に前記雰囲気ガスの流量が前記塗布液の吐出前に
比べて高くなり、前記リンス液吐出ノズルによるリンス
液の吐出時の前記雰囲気ガスの流量が前記リンス液の吐
出前に比べて高くなるように前記流量調整手段を制御す
ることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズル
による塗布液の吐出完了から所定時間経過まで前記雰囲
気ガスの流量が保たれた後、前記雰囲気ガスの流量が低
下し、前記リンス液吐出ノズルによるリンス液の吐出完
了後に前記雰囲気ガスの流量が低下するように前記流量
調整手段を制御することを特徴とする請求項７記載の基
板処理装置。
【請求項９】前記制御手段は、前記塗布液吐出ノズル
による塗布液の吐出完了から所定時間経過後の雰囲気ガ
スの流量が、前記塗布液吐出ノズルによる塗布液の吐出
前の雰囲気ガスの流量よりも低く、前記リンス液吐出ノ
ズルによるリンス液の吐出完了後の雰囲気ガスの流量が
前記リンス液吐出ノズルによるリンス液の吐出前の雰囲
気ガスの流量よりも高くなるように前記流量調整手段を
制御することを特徴とする請求項８記載の基板処理装
置。