JP2016157834A - 基板処理液供給方法および装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】
半導体洗浄プロセスに用いられる処理液供給システムにおいて、処理液中に溶存する気体を簡便で安価に脱気して供給することを可能とした処理液供給装置およびそれを用いた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】
処理液供給配管の一部を形成する振動付与手段に処理液が供給され、処理液に振動が付与されることにより処理液中の溶存気体が発泡される。発泡された処理液は処理液貯留タンクへ貯留され、処理液貯留タンク内を負圧にすることにより処理液中の溶存気体は脱気される。これにより、簡便で安価に脱気された処理液を処理液貯留タンクから供給することが可能となる。基板処理装置内部に本処理液供給装置を備える。
【選択図】 図3

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板などの各種の被処理基板に対して処理液を供給するための処理液供給方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおける洗浄プロセスにおいて、基板を薬液により処理した後、純水リンスにより薬液が洗い流され、最後にイソプロピルアルコール(以後IPAと表記)等の有機溶剤で純水を置換して乾燥が行われる。このような半導体洗浄プロセスは、半導体の高集積化および微細化がますます進む中、枚葉処理にて洗浄することが主流となっている。基板を枚葉洗浄する場合、薬液や有機溶剤に溶存した気体が基板表面上に供給された際に圧力が下がり発泡して泡となって問題を引き起こす場合がある。すなわち薬液処理の場合、薬液中の泡が基板に付着して洗浄不良が生じたり、IPA等の有機溶剤中の泡が基板に付着して乾燥不良が生じたりすることがある。薬液とIPA等の有機溶剤を含めて以後、処理液と表記する。
このような処理液中に溶存した気体を除去する技術として、中空糸膜を用いた脱気モジュールが用いられる。中空糸膜を用いた脱気モジュールは、真空ポンプを必要とし、設備の大型化、高価格化の問題がある。このような大型化、高価格化の問題を解決するため、例えば特許文献1に記載の脱気方法では、容器内の処理液に超音波振動を印加して、そのキャビテーション作用により処理液中の溶存気体を発泡させることが記載されている。また例えば特許文献2に記載の脱気方法は容器内に収容された処理液体に超音波振動を付与し、収容容器の下部から処理液を取り出すことが記載されている。
特開平8−71304号公報 特開2000−140505号公報
しかしながら、特許文献1および特許文献2に示された構成では、処理液中に溶存した気体を脱気することができるものの、容器に貯留した状態で処理液に超音波振動を付与させるために、広い面積を有した圧電素子が必要となる。また、貯留された処理液全体に超音波振動を付与するために圧電素子に投入されるエネルギーも大きくなる。
そこで、本件発明は、簡便で安価に処理液を脱気させる処理液供給装置およびそれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出部と、前記処理液を、前記吐出部へ供給する処理液供給部と、を備えた基板処理装置であって、前記処理液供給部は、前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
請求項2記載の発明は、前記処理液供給部において、前記振動が超音波振動であることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、前記処理液供給部は、前記処理液貯留タンク内を負圧にするための負圧発生手段を有することを特徴とする。
請求項4記載の発明は、前記処理液供給部において、前記処理液貯留タンクに前記処理液の温度を調節する温度制御手段を有することを特徴とする。
請求項5記載の発明は、前記処理液供給部は、第二の処理液貯留タンクをさらに備え、
前記振動付与手段により振動を付与された前記処理液が、前記第二の処理液貯留タンクにも供給されることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、基板を処理する基板処理装置に処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、を備えたことを特徴とする処理液供給装置である。
請求項7記載の発明は、処理液貯留タンクから処理液を基板に供給する処理液供給方法であって、処理液供給配管の一部を形成する振動付与手段に処理液を供給する工程と、前記振動付与手段により前記処理液に振動を付与する工程と、振動が付与された前記処理液を前記処理液貯留タンクへ供給する工程と、前記処理液貯留タンク内を負圧にする工程と、を備えたことを特徴とする処理液供給方法である。
本発明によれば、処理液を供給する配管経路で処理液中に溶存する気体が発泡し、処理液貯留タンクへ供給される。これにより、脱気された処理液を基板上に供給することが可能となる。
実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 洗浄処理部5の概略構成を示す図である。 処理液供給部6の概略構成を示す図である。 処理フローを示す図である。 第二の実施の形態に係る処理液供給部6aの概略構成を示す図である。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
本実施例に係る基板処理装置1は、カセットステージ2と、基板受渡部3と、搬送部4と、洗浄処理部5と、処理液供給部6と、制御部7とを備えている。
カセットCは、複数枚の基板Wを積層して収容可能な収容器である。カセットCは、未処理の基板Wを収容し、その状態で複数枚の基板Wとともに各工程の装置へ搬送移動される。
未処理の基板Wは、カセットCに収容され、カセットCはカセットステージ2に載置される。基板受渡部3に未処理の基板Wを受け渡す。また、処理済の基板Wは基板受渡部3から、カセットステージ2に載置された空のカセットCに収容される。
基板受渡部3は、搬送ロボットIRと、基板を一時的に保管するパス8を備える。搬送ロボットIRは、カセットステージ2に載置されたカセットCから未処理の基板Wを受け取り、パス8に載置する。パス8は上下方向に複数段配置されたバッファとして機能し、複数の未処理の基板Wを支持する。また、処理済の基板Wは、搬送ロボットIRによってカセットステージ2に載置されたカセットC内に収容される。
搬送ロボットIRは、基板Wを保持した状態で図1に破線の矢印で概念的に示すように、旋回および進退自在のアームにより、基板Wを任意の位置に搬送することが可能である。また図示は省略しているが、上下方向にも進退自在となっている。
搬送部4は、基板Wを保持した状態で図1に破線の矢印で概念的に示すように、旋回および進退自在のアームにより、基板Wを任意の位置に搬送することが可能な、搬送ロボットCRを備えている。搬送ロボットCRは、基板受渡部3のパス8に載置された基板Wを保持し、後述する洗浄処理部5に対して基板Wを受け渡す。
洗浄処理部5は、搬送部4から未処理の基板Wを受け取り、その基板Wに対して洗浄処理を行うユニットである。
図2は、洗浄処理部5の概略構成を示す図である。搬送部4の搬送ロボットCRから受け渡された未処理の基板Wは、洗浄処理部5の基板保持部21によって保持される。基板保持部21は基板Wの裏面を吸着する図示しない吸着機能を備えており、基板Wを保持することが可能である。図示していないが、基板Wの外周を機械的にチャッキングするメカニカルチャックで保持してもよい。
基板Wが基板保持部21に保持された後、基板Wの上方には、処理液を供給するノズル(吐出部の一実施形態)25が配置される。ノズル25から基板Wに向けて、処理液が供給されることにより、基板Wの表面を清浄にする。より具体的には、基板Wの表面は、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液であるアルカリ水溶液で洗浄された後、純水リンスによりリンスされ、続いて塩酸と過酸化水素水との混合溶液である酸水溶液で洗浄され、同じく純水リンスによりリンスされる。アルカリ水溶液および酸水溶液の種類はこれらに限るものではない。続いて基板W上の純水は、IPA等の有機溶剤が基板W上に供給されることによりIPA等の有機溶剤で置換され、その後スピンドライにより振り切り乾燥される。なお、乾燥はスピンドライに限るものではない。洗浄処理部5で使用される薬液、純水、IPA等の有機溶剤は、処理液供給部6より供給される。
基板W上に供給された処理液は、基板Wの中心から外周方向に流出し、カップ23により回収される。カップ23に回収された処理液は、図示しない排液手段によって排液される。
制御部7は、CPUやメモリを内蔵し、搬送ロボットIR、CRや処理液の供給、洗浄手順等、上述した各部を統括的に制御する。また、後述する処理液供給部の各種設備の制御も行う。
図3は、本発明の実施の形態に係る図1の基板処理装置1で示した処理液供給部6の概略構成図である。この処理液供給部6には、処理液が貯留される処理液貯留タンク31a、31bと、処理液貯留タンク31a、31bへ処理液を供給する処理液供給配管36と、処理液供給配管36の一部を形成し処理液供給配管36へ接続される振動付与手段33と、処理液をノズル25へ供給するための送液配管39と送液ポンプ40と、処理液貯留タンク31a、31b内を負圧にする吸引配管41と吸引ポンプ42が備えられている。
基板処理装置1へ処理液を供給する手段には、工場設備として処理液が集中配管で供給される場合と、処理液が貯留されたタンクからポンプ等により供給される場合がある。工場設備として処理液が集中配管で供給される場合について説明する。工場設備の集中配管が継手35により振動付与手段33に接続される。図示していないが、振動付与手段33に接続される工場設備の集中配管には処理液を供給、停止させるバルブおよび流量計が備えられており、一定流量(1L/min〜10L/min)の処理液が供給される。振動付与手段33は、内径46mm、外径50mmのPTFE等のフッ素樹脂製の円筒形状の容器からなり、処理液の入り口側と出口側は配管接続するために内径8mm、外径10mmの管形状となっている。振動付与手段33の胴体部分に超音波振動を付与するための圧電素子34が外側から挿入接続されている。振動付与手段33の寸法、形状、材質はこれに限るものではない。圧電素子34は、処理液が容器の外部に漏れ出ないようにパッキンを挟んで容器に接続されている。継手35は、外径10mmのPFA等のフッ素樹脂配管用の継手である。振動付与手段33に供給される配管が金属の場合は、振動付与手段33に用いられる継手35として、金属と樹脂とを変換する継手が用いられる。また、振動付与手段33に供給される配管が樹脂の場合は樹脂と樹脂とをつなぐ継手が用いられる。圧電素子34には図示していない高周波電源が接続されており、高周波電源は制御部7によりコントロールされる。振動付与手段33は、超音波振動に限らず、撹拌機能を有したものでもよい。振動付与手段33内で、処理液中に溶存する気体は、超音波振動により発生するキャビテーションにより発泡する。圧電素子に付与する高周波は、処理液にキャビテーションを発生させる周波数が適用され、20kHz〜100kHzが好適である。また、振動付与手段33には、圧電素子34を複数個設置してより強力に超音波振動を与えることもできる。
振動付与手段33から継手35を介して処理液供給配管36が接続される。処理液供給配管36は、処理液供給バルブ36a、36bを介して処理液貯留タンク31a、31bへ接続される。処理液供給配管36は、内径8mm、外径10mmのPFA等のフッ素樹脂からなる。処理液供給配管36の寸法および材質はこれに限るものではない。
振動が付与されて発泡された処理液は、処理液供給配管36を通過して、処理液貯留タンク31a、31bに供給される。処理液貯留タンク31a、31bは、容量20LのPFA等のフッ素樹脂からなる円筒形状もしくは四角柱形状である。処理液貯留タンク31a、31bの容量および材質はこれに限るものではない。処理液貯留タンク31a、31bには、図示していない液面計が備えられており、処理液の液面位置が検知されるようになっている。液面位置の上限位置と下限位置を設定しておき処理液貯留タンク31a、31bに処理液を貯留する際の管理や処理液をノズル25へ供給する際の管理等、処理液の使用管理に用いられる。振動付与手段33により発泡した処理液は、処理液供給配管36を通過して処理液貯留タンク31a、31b内に貯留される。処理液が処理液貯留タンク31a、31b内に貯留されると、処理液中に溶存していた気体は配管途上で発泡しているため、発砲した泡は貯留された処理液中を液面上方へ浮上し液面上方空間へ開放される。
処理液貯留タンク31a、31bの側壁には、冷温水配管32が備えられており、冷水と温水を切り替えて供給することができる。これにより処理液貯留タンク31a、31bにて処理液の温度調節を行うことが可能となっている。超音波振動が付与された処理液は超音波エネルギーにより温度上昇しているため、室温で処理液を使用したい場合には処理液貯留タンク31a、31bに冷水を供給して室温に調節する。また、処理液によっては、70〜90℃の温度を使用したい場合があり、この場合には処理液貯留タンク31a、31bに温水を供給して所望の温度に調節する。
処理液貯留タンク31a、31bには、吸引配管バルブ37a、37bを介して処理液貯留タンク31a、31b内を負圧にする吸引配管41と吸引ポンプ42が接続されている。処理液貯留タンク31a、31bへ処理液が供給されると同時に吸引ポンプ42が駆動される。処理液貯留タンク31a、31b内で液面上方空間へ開放された泡は、負圧により吸引され、図示していない排気ラインに排気される。このため貯留された処理液の脱気がより効果的に行われる。なお、吸引ポンプ42のかわりにエジェクター等のように減圧を作り出せるものであればよい。
処理液貯留タンク31a、31bには、送液配管バルブ38a、38bを介して処理液をノズル25へ供給するための送液配管39と送液ポンプ40が接続されている。送液配管39により、処理液はノズル25へと供給され、処理液が基板上に吐出される。
圧電素子34に接続される高周波電源のコントロール、処理液供給バルブ36a、36bの開閉制御、吸引配管バルブ37a、37bの開閉制御、送液配管バルブ38a、38bの開閉制御、吸引ポンプ42の動作制御、送液ポンプ40の動作制御、冷温水配管32へ供給する冷水および温水の供給制御は、基板処理装置1の制御部7により実行される。
図4は、本発明の実施例の流れを説明するためのフロー図である。
まず、一方の処理液貯留タンク31aに処理液を供給するフローを説明する。
制御部7からの指示により工場設備の集中配管に接続されるバルブが開かれ、処理液が振動付与手段33に供給される(ステップS1)。このステップS1になる以前は、処理液供給バルブ36a、吸引配管バルブ37a、送液配管バルブ38aは閉じられた状態である
上記のステップS1が開始されると同時に、制御部7は、超音波付与手段33の圧電素子34に高周波電源から所定出力の高周波を印加する。圧電素子34は高周波が印加されることにより超音波振動を発生させる。処理液は超音波振動付与手段33を通過する間に、圧電素子から超音波振動が付与される。処理液は、超音波振動が付与されることによりキャビテーションを発生し、処理液中に溶存する気体が発泡される(ステップS2)。使用する処理液の流量によっては、超音波付与手段33に設置する圧電素子34を複数設けて効率を上げることもできる。
さらに、上記のステップS1が開始されると同時に、制御部7からの指示により、処理液供給バルブ36aが開かれる。超音波付与手段33により発泡した処理液は、処理液供給配管36を通過して処理液貯留タンク31aに貯留される(ステップS3)。
また、上記のステップS1と並行して、制御部7は、処理液貯留タンク31aの側壁に設置された冷温水配管32に冷水を供給して処理液貯留タンク31a内を室温に温度調節する(ステップS4)。超音波振動が付与された処理液は超音波エネルギーにより温度上昇しているため、室温で処理液を使用したい場合には冷却する必要がある。
また処理液貯留タンク31aでは、発泡された処理液の供給と同時に、制御部7からの指示により吸引配管バルブ37aが開かれ、吸引ポンプ42が駆動され、吸引配管41を通して処理液貯留タンク31a内が減圧される(ステップS5)。これにより、発泡された処理液の溶存気体は液面上方空間へ移動しやすくなり、液面上方へ開放された泡は、減圧排気される。
処理液貯留タンク31aへの処理液の貯留量が、図示していない液面計の上限まで到達すると、制御部7からの指示により処理液供給バルブ36aが閉じられ、処理液貯留タンク31aへの供給が停止される(ステップS6)。上記のステップS6と並行して、制御部7からの指示により、工場設備の集中配管に接続されるバルブが閉じられ、また超音波振動の付与も停止される。
制御部7は、吸引配管バルブ37aを閉じて吸引ポンプ42を停止させる。処理液貯留タンク31a内の減圧が停止されると同時に制御部7は、送液配管バルブ38aを開き、送液ポンプ40を駆動させる。これにより処理液貯留タンク31aに貯留された処理液は、送液配管39を通過してノズル25から基板上へ吐出される(ステップS7)。制御部7は、送液配管バルブ38aの開閉を制御して、ノズル25から基板上へ供給する処理液の吐出および停止を制御する。
次に、他方の処理液貯留タンク31bへ切り替える場合を説明する。
上記ステップS6において処理液貯留タンク31aへの供給が停止されると同時に、制御部7からの指示により、処理液供給バルブ36bが開かれ、処理液は、処理液貯留タンク31bに供給される。処理液の供給が開始されると同時に、操作部7からの指示により、吸引配管バルブ37bが開かれ吸引ポンプ42が駆動されて処理液貯留タンク31b内は減圧される。このとき、処理液供給バルブ38bは閉じられた状態である。
処理液貯留タンク31bへ処理液の供給が完了するまでは、上記説明した動作と同様である。
処理液貯留タンク31aの処理液が基板上へ供給され使用される間に、処理液貯留タンク31bへの処理液の供給は完了している。処理液貯留タンク31aの処理液が使用されている状態では、吸引配管バルブ37bは開かれたまま吸引ポンプ42が駆動されて処理液貯留タンク31b内は減圧される。処理液貯留タンク31aの処理液が、図示していない液面計の下限に到達すると、制御部7からの指示により送液配管バルブ38aが閉じられる。同時に、制御部7からの指示により吸引配管バルブ37bが閉じられ吸引ポンプ42が停止されて、処理液供給バルブ38bが開けられ処理液貯留タンク31aから処理液貯留タンク31bに運用が切り替えられる。
処理液貯留タンク31aの処理液が使用される間、処理液貯留タンク31bの処理液はタンク内で負圧が維持されているので十分に脱気される。よって、処理液貯留タンク31b側に使用が切り替わってもすぐに十分脱気された処理液を基板上に供給することが可能となる。また、処理液貯留タンク31bを使用している間に、処理液貯留タンク31aへ供給する。このように処理液貯留タンク31aと処理液貯留タンク31bを交互に使用することにより、十分に脱気された処理液の供給を滞りなく行うことができる。以上のような実施の形態によれば、簡便に安価に十分脱気された処理液を基板上に供給することができる。なお、本件の実施は上記の形態に限るものではない。
第二の実施の形態を以下に説明する。
図5は、第二の実施の形態に係る処理液供給部6aの概略構成図である。第二の実施の形態は、振動付与手段が直接処理液貯留タンクに接続された形態である。
この処理液供給部6aには、工場設備の集中配管に接続される振動付与手段33と、振動付与手段33で振動が付与された処理液が貯留される処理液貯留タンク51と、処理液をノズル25へ供給するための送液配管55と送液ポンプ56と、処理液貯留タンク51内を負圧にする吸引配管58と吸引ポンプ59が備えられている。
振動付与手段33は、工場設備の集中配管に継手35により接続される。図示していないが、振動付与手段33に接続される工場設備の集中配管には処理液を供給、停止させるバルブおよび流量計が備えられており、一定流量(1L/min〜10L/min)の処理液が振動付与手段33に供給される。振動付与手段33の構成要素は実施の形態1と同じである。
処理液貯留タンク51には振動付与手段33の出口側と接続するための接続ポート52が取り付けられており、継手35により振動付与手段33と接続される。
処理液貯留タンク51の側壁には、冷温水配管53が備えられており、冷水と温水を切り替えて供給することができる。これにより処理液貯留タンク51にて処理液の温度調節を行うことが可能となっている。
処理液貯留タンク51には、吸引配管バルブ57を介して処理液貯留タンク51内を負圧にする吸引配管58と吸引ポンプ59が接続されている。処理液貯留タンク51内で液面上方空間へ開放された泡は、負圧により吸引され、図示していない排気ラインに排気される。このため貯留された処理液の脱気がより効果的に行われる。なお、吸引ポンプ59のかわりにエジェクター等のように減圧を作り出せるものであればよい。
処理液貯留タンク51には、送液配管バルブ54を介して処理液をノズル25へ供給するための送液配管55と送液ポンプ56が接続されている。送液配管55により、処理液はノズル25へと供給され、処理液が基板上に吐出される。
圧電素子34に接続される高周波電源のコントロール、吸引配管バルブ57の開閉制御、送液配管バルブ54の開閉制御、吸引ポンプ59の動作制御、送液ポンプ56の動作制御、冷温水配管53へ供給する冷水および温水の供給制御は、基板処理装置1と同様に、制御部7により実行される。
次に、処理の流れについて説明する。
制御部7からの指示により工場設備の集中配管のバルブが開かれ、処理液が振動付与手段33に供給される。初期の状態として送液配管バルブ54および吸引配管バルブ57は閉じられているが、処理液が振動付与手段33に供給されると同時に、制御部7からの指示により吸引配管バルブ57が開けられ、吸引ポンプ59が駆動される。処理液は、振動付与手段33を通過する間に、圧電素子34からの超音波振動が付与される。処理液に超音波振動が付与されることにより、キャビテーションを発生して処理液中に溶存する気体は発泡される。振動付与手段33により振動が付与されて発泡した処理液は直接、処理液貯留タンク51に貯留される。処理液貯留タンク51に処理液の供給が開始されると同時に制御部7は、処理液貯留タンク51の側壁に設置された冷温水配管53に冷水を供給して処理液貯留タンク51内を室温に温度調節する。超音波振動が付与された処理液は超音波エネルギーにより温度上昇しているため、室温で処理液を使用したい場合には冷却する必要がある。
また第二の実施の形態の場合は、図示していない液面計の上限まで処理液が到達した後、振動付与手段33に供給される処理液の供給が工場設備の集中配管のバルブを閉じることにより停止される。振動付与手段33へ供給される処理液の供給が停止された後、制御部7からの指示により吸引配管バルブ57が閉じられ吸引ポンプ59が停止されて、処理液の脱気が完了する。その後、送液配管バルブ54が開かれ、送液ポンプ56が駆動される。これにより処理液貯留タンク51に貯留された処理液は、送液配管55を通過してノズル25から基板上へ吐出される。制御部7は、送液配管バルブ54の開閉を制御して、ノズル25から基板上へ供給する処理液の吐出および停止を制御する。
処理液貯留タンク51の処理液が、図示していない液面計の下限に到達すると制御部7からの指示により工場設備の集中配管のバルブが開かれ再度処理液が振動付与手段33に供給される。処理液が振動付与手段33に供給されてからは上記で説明したとおりであり、処理液貯留タンク51内で処理液は脱気される。尚、処理液貯留タンク51の温度調節は、最初の処理液が供給開始されてから継続して行われる。基板上への処理液の供給を滞りなく実施する場合には、振動付与手段33を備えた処理液貯留タンク51を二組設置し、切り替えて使用することが好ましい。使用する処理液の脱気の程度によっては、図示していない液面計で処理液の貯留量を管理して、処理液貯留タンク51への処理液の貯留とノズル25への供給を連続して運用することも可能である。
第二の実施の形態の場合は、配管経路が必要ないというメリットがある。しかし、基板上への処理液を滞りなく実施する場合には、振動付与手段を備えた処理液貯留タンクが二組以上必要となる。
尚、上記実施の形態では、室温で処理液を使用する場合について説明したが、処理液を加熱して使用したい場合には、ステップS4において温水を供給して処理液の温度を調節すればよい。
また、上記実施の形態では、工場設備として処理液が集中配管で供給される場合について説明したが、処理液が貯留されたタンクからポンプ等により供給される場合等、これに限るものではない。
また、上記実施の形態では、処理液をノズルへ供給する手段としてポンプを用いた場合について説明したが、圧送やその他の手段を用いてもよい。
上記実施の形態で説明した処理液供給部6および6aであるが、処理液供給部6および6aの設置場所は、基板処理装置1の内部にあることが好ましいが、装置外の付帯設備として備えることもできる。基板処理装置1の内部にあると、配管経路を最短で設計できるためコストを安価にすることができる。装置外に備える場合には、複数の基板処理装置へ供給することが可能となる。
1 基板処理装置
2 カセットステージ
3 基板受渡部
4 搬送部
5 洗浄処理部
6 処理液供給部
7 制御部
8 パス
21 基板保持部
23 カップ
25 吐出部
31a 処理液貯留タンク
31b 処理液貯留タンク
32 冷温水配管
33 振動付与手段
34 圧電素子
35 継手
36 処理液供給配管
36a 処理液供給バルブ
36b 処理液供給バルブ
37a 吸引配管バルブ
37b 吸引配管バルブ
38a 送液配管バルブ
38b 送液配管バルブ
39 送液配管
40 送液ポンプ
41 吸引配管
42 吸引ポンプ
51 処理液貯留タンク
52 接続ポート
53 冷温水配管
54 送液配管バルブ
55 送液配管
56 送液ポンプ
57 吸引配管バルブ
58 吸引配管
59 吸引ポンプ

Claims (7)

  1. 基板を保持する保持部と、
    前記保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出部と、
    前記処理液を、前記吐出部へ供給する処理液供給部と、
    を備えた基板処理装置であって、
    前記処理液供給部は、
    前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、
    前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、
    前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記処理液供給部において、前記振動が超音波振動であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理液供給部は、前記処理液貯留タンク内を負圧にするための負圧発生手段を有することを特徴とする請求項1および2に記載の基板処理装置。
  4. 前記処理液供給部において、前記処理液貯留タンクに前記処理液の温度を調節する温度制御手段を有することを特徴とする請求項1〜3に記載の基板処理装置。
  5. 前記処理液供給部は、第二の処理液貯留タンクをさらに備え、
    前記振動付与手段により振動を付与された前記処理液が、前記第二の処理液貯留タンクにも供給されることを特徴とする請求項1〜4に記載の基板処理装置。
  6. 基板を処理する基板処理装置に処理液を供給する処理液供給装置であって、
    前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、
    前記処理液貯留タンクに前記処理液を供給する処理液供給配管と、
    前記処理液供給配管の一部を形成し、前記処理液に振動を付与する振動付与手段と、
    を備えたことを特徴とする処理液供給装置。
  7. 処理液貯留タンクから処理液を基板に供給する処理液供給方法であって、
    処理液供給配管の一部を形成する振動付与手段に処理液を供給する工程と、
    前記振動付与手段により前記処理液に振動を付与する工程と、
    振動が付与された前記処理液を前記処理液貯留タンクへ供給する工程と、
    前記処理液貯留タンク内を負圧にする工程と、
    を備えたことを特徴とする処理液供給方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695201A (zh) * 2017-03-30 2018-10-23 东京毅力科创株式会社 称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质
KR20220033917A (ko) * 2020-09-10 2022-03-17 세메스 주식회사 탈기 장치, 기판 처리 장치 및 처리액 탈기 방법
JP2022536251A (ja) * 2019-06-06 2022-08-15 フラマトム・ゲーエムベーハー 原子力発電所のための脱気システムおよび原子炉冷却材の流れを脱ガスする方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128829U (ja) * 1988-02-25 1989-09-01
JPH057305U (ja) * 1991-07-05 1993-02-02 エヌオーケー株式会社 脱泡装置
JP2000012449A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP2012153934A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd めっき処理装置、めっき処理方法および記録媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128829U (ja) * 1988-02-25 1989-09-01
JPH057305U (ja) * 1991-07-05 1993-02-02 エヌオーケー株式会社 脱泡装置
JP2000012449A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP2012153934A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd めっき処理装置、めっき処理方法および記録媒体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695201A (zh) * 2017-03-30 2018-10-23 东京毅力科创株式会社 称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质
CN108695201B (zh) * 2017-03-30 2023-08-08 东京毅力科创株式会社 称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质
JP2022536251A (ja) * 2019-06-06 2022-08-15 フラマトム・ゲーエムベーハー 原子力発電所のための脱気システムおよび原子炉冷却材の流れを脱ガスする方法
JP7248822B2 (ja) 2019-06-06 2023-03-29 フラマトム・ゲーエムベーハー 原子力発電所のための脱気システムおよび原子炉冷却材の流れを脱ガスする方法
KR20220033917A (ko) * 2020-09-10 2022-03-17 세메스 주식회사 탈기 장치, 기판 처리 장치 및 처리액 탈기 방법
KR102572629B1 (ko) 2020-09-10 2023-08-31 세메스 주식회사 탈기 장치, 기판 처리 장치 및 처리액 탈기 방법

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