JP2003178945A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度分布の均一性に優れる空気が基板を処理
する基板処理部へ供給される基板処理装置を提供する。 【解決手段】 レシ゛スト塗布処理ユニット(COT)は、スヒ゜ンチャック52
に保持されたウエハＷを囲うコータカッフ゜(CP)と、コータカッフ゜(CP)
内に送風を行う空気供給機構を有する。空気供給機構
は、管壁部34に第1窓部34aが設けられた中空状のフレーム31
aと、フレーム31a内に空気を送る送風装置と、フレーム31a内の
空気が取り入れられるフィルタチャンハ゛ユニット(FCU)を有し、フィルタ
チャンハ゛ユニット(FCU)は、ヒータ35が設けられた第1空気導入室91
と、第2空気導入室92と、気流制御機構93と、フィルタユニット9
4を有する。管壁部34と対向する第1壁部36を第1空気導
入室91に設けて第1窓部34aから取り入れられる空気を第
1壁部36に衝突させ、第1壁部36に第2窓部36aを設けてヒー
タ35によって温められた空気を第2空気導入室92に流すこ
とにより、コータカッフ゜(CP)へ送風される空気の温度分布均
一性を高める。
する基板処理部へ供給される基板処理装置を提供する。 【解決手段】 レシ゛スト塗布処理ユニット(COT)は、スヒ゜ンチャック52
に保持されたウエハＷを囲うコータカッフ゜(CP)と、コータカッフ゜(CP)
内に送風を行う空気供給機構を有する。空気供給機構
は、管壁部34に第1窓部34aが設けられた中空状のフレーム31
aと、フレーム31a内に空気を送る送風装置と、フレーム31a内の
空気が取り入れられるフィルタチャンハ゛ユニット(FCU)を有し、フィルタ
チャンハ゛ユニット(FCU)は、ヒータ35が設けられた第1空気導入室91
と、第2空気導入室92と、気流制御機構93と、フィルタユニット9
4を有する。管壁部34と対向する第1壁部36を第1空気導
入室91に設けて第1窓部34aから取り入れられる空気を第
1壁部36に衝突させ、第1壁部36に第2窓部36aを設けてヒー
タ35によって温められた空気を第2空気導入室92に流すこ
とにより、コータカッフ゜(CP)へ送風される空気の温度分布均
一性を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板にレジスト液を塗布する塗布膜形成処理や露光処理
が行われた基板の現像処理等に用いられる基板処理装置
に関する。
基板にレジスト液を塗布する塗布膜形成処理や露光処理
が行われた基板の現像処理等に用いられる基板処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造プロセス
においては、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用い
て、半導体ウエハの表面に所定の回路パターンを形成し
ている。このフォトリソグラフィー工程における一連の
処理は、例えば、レジスト塗布・現像処理システムを用
いて、洗浄処理された半導体ウエハにフォトレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し、所定のパターンでレジ
スト膜を露光し、これを現像処理することによって行わ
れる。
においては、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用い
て、半導体ウエハの表面に所定の回路パターンを形成し
ている。このフォトリソグラフィー工程における一連の
処理は、例えば、レジスト塗布・現像処理システムを用
いて、洗浄処理された半導体ウエハにフォトレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し、所定のパターンでレジ
スト膜を露光し、これを現像処理することによって行わ
れる。
【０００３】このうちレジスト液の塗布処理にはスピン
コーティング法が広く用いられている。スピンコーティ
ング法は、コータカップ内に配置されたスピンチャック
にウエハを保持させて、ウエハの上方からレジスト液を
ウエハの中央部に滴下にし、ウエハをスピンチャックと
ともに回転させることによって滴下されたレジスト液を
遠心力によってウエハの径方向外側に向かって拡げ、こ
れにより所定厚みのレジスト膜を形成するものである。
コーティング法が広く用いられている。スピンコーティ
ング法は、コータカップ内に配置されたスピンチャック
にウエハを保持させて、ウエハの上方からレジスト液を
ウエハの中央部に滴下にし、ウエハをスピンチャックと
ともに回転させることによって滴下されたレジスト液を
遠心力によってウエハの径方向外側に向かって拡げ、こ
れにより所定厚みのレジスト膜を形成するものである。
【０００４】ここで、レジスト液の滴下からレジスト液
を拡げて膜とする処理の間にコータカップ内の温度や湿
度に変動が生じると、形成されるレジスト膜の膜厚が変
動する。そこでレジスト膜の膜厚を一定とするために、
温度および湿度が調整された空気をコータカップの上部
からコータカップ内に向けて送風することによって、コ
ータカップ内の温度および湿度を一定に保持する制御が
行われている。
を拡げて膜とする処理の間にコータカップ内の温度や湿
度に変動が生じると、形成されるレジスト膜の膜厚が変
動する。そこでレジスト膜の膜厚を一定とするために、
温度および湿度が調整された空気をコータカップの上部
からコータカップ内に向けて送風することによって、コ
ータカップ内の温度および湿度を一定に保持する制御が
行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体デバイス
の製造プロセスにおいては、半導体ウエハに形成するレ
ジスト膜の一層の薄膜化が望まれており、薄くかつ厚み
の均一なレジスト膜を形成するために、温度分布の均一
な空気をコータカップ内に送風することが要求されてい
る。しかしながら、従来の装置には、コータカップ内に
向けて送風される空気の温度分布に比較的大きなむらが
あるという問題がある。また送風量を変化させた場合
に、温度分布の均一性が悪化するという問題があった。
の製造プロセスにおいては、半導体ウエハに形成するレ
ジスト膜の一層の薄膜化が望まれており、薄くかつ厚み
の均一なレジスト膜を形成するために、温度分布の均一
な空気をコータカップ内に送風することが要求されてい
る。しかしながら、従来の装置には、コータカップ内に
向けて送風される空気の温度分布に比較的大きなむらが
あるという問題がある。また送風量を変化させた場合
に、温度分布の均一性が悪化するという問題があった。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、温度分布の均一性に優れる空気が基板を処
理する基板処理部へ供給される基板処理装置を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、基板処理部へ送風
する送風量を変化させた場合にも、送風される空気の温
度分布の均一性が一定に保持される基板処理装置を提供
することを目的とする。
ものであり、温度分布の均一性に優れる空気が基板を処
理する基板処理部へ供給される基板処理装置を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、基板処理部へ送風
する送風量を変化させた場合にも、送風される空気の温
度分布の均一性が一定に保持される基板処理装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、基板に所定の処理を施す基板処理
部と、所定温度に調節された空気を前記基板処理部の上
方から前記基板処理部に供給する空気供給機構と、を具
備する基板処理装置であって、前記空気供給機構は、水
平方向に延在し、略鉛直に設けられた管壁部を有し、前
記管壁部に第１の窓部が設けられた筒体と、前記筒体の
内部に空気を送る送風装置と、前記筒体の長手方向と直
交する方向に設けられ、前記第１の窓部を通して前記筒
体の内部を流れる空気が取り入れられる第１空気導入室
と、前記第１空気導入室に設けられ、前記第１空気導入
室に取り入れられた空気を加熱するヒータと、前記第１
空気導入室を形成し、前記管壁部と所定距離対向して設
けられた第１の壁部と、前記第１の壁部の水平方向端か
ら一定の距離範囲にある壁面が前記第１空気導入室の上
下方向を塞ぐように、前記第１の壁部の上方かつ水平方
向中央部の所定範囲に設けられた第２の窓部と、前記第
２の窓部を介して前記第１空気導入室と連通し、前記ヒ
ータによって加熱された空気が前記第２の窓部を通して
取り入れられる第２空気導入室と、前記第２空気導入室
の下方に設けられ、前記第２空気導入室に取り入れられ
た空気を濾過して前記基板処理部に清浄な空気を供給す
るフィルタユニットと、前記第２空気導入室と前記フィ
ルタユニットとの間に設けられ、前記第２空気導入室か
ら前記フィルタユニットへの空気の流れを制御する気流
制御機構と、を有することを特徴とする基板処理装置、
が提供される。
に、本発明によれば、基板に所定の処理を施す基板処理
部と、所定温度に調節された空気を前記基板処理部の上
方から前記基板処理部に供給する空気供給機構と、を具
備する基板処理装置であって、前記空気供給機構は、水
平方向に延在し、略鉛直に設けられた管壁部を有し、前
記管壁部に第１の窓部が設けられた筒体と、前記筒体の
内部に空気を送る送風装置と、前記筒体の長手方向と直
交する方向に設けられ、前記第１の窓部を通して前記筒
体の内部を流れる空気が取り入れられる第１空気導入室
と、前記第１空気導入室に設けられ、前記第１空気導入
室に取り入れられた空気を加熱するヒータと、前記第１
空気導入室を形成し、前記管壁部と所定距離対向して設
けられた第１の壁部と、前記第１の壁部の水平方向端か
ら一定の距離範囲にある壁面が前記第１空気導入室の上
下方向を塞ぐように、前記第１の壁部の上方かつ水平方
向中央部の所定範囲に設けられた第２の窓部と、前記第
２の窓部を介して前記第１空気導入室と連通し、前記ヒ
ータによって加熱された空気が前記第２の窓部を通して
取り入れられる第２空気導入室と、前記第２空気導入室
の下方に設けられ、前記第２空気導入室に取り入れられ
た空気を濾過して前記基板処理部に清浄な空気を供給す
るフィルタユニットと、前記第２空気導入室と前記フィ
ルタユニットとの間に設けられ、前記第２空気導入室か
ら前記フィルタユニットへの空気の流れを制御する気流
制御機構と、を有することを特徴とする基板処理装置、
が提供される。
【０００８】このような基板処理装置によれば、空気供
給機構は第１の壁部等の複数箇所において空気の送風状
態を制御するために、温度分布の均一性に優れた空気を
基板処理部に送風することができる。これにより処理す
る基板の品質を高めることが可能となる。また第１の窓
部から第１空気導入室に取り入れられる送風量を変化さ
せた場合には、第２の窓部の開口面積を変化させ、また
気流制御機構によって送風量を変化させることによっ
て、基板処理部へ送風される空気の温度分布の均一性が
悪化することを抑制することができる。
給機構は第１の壁部等の複数箇所において空気の送風状
態を制御するために、温度分布の均一性に優れた空気を
基板処理部に送風することができる。これにより処理す
る基板の品質を高めることが可能となる。また第１の窓
部から第１空気導入室に取り入れられる送風量を変化さ
せた場合には、第２の窓部の開口面積を変化させ、また
気流制御機構によって送風量を変化させることによっ
て、基板処理部へ送風される空気の温度分布の均一性が
悪化することを抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、本発
明を、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）へのレジ
スト塗布から現像処理までを一貫して行うレジスト塗布
・現像処理システムに装着され、ウエハにレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理ユニットに適用した場合につ
いて説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、本発
明を、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）へのレジ
スト塗布から現像処理までを一貫して行うレジスト塗布
・現像処理システムに装着され、ウエハにレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理ユニットに適用した場合につ
いて説明する。
【００１０】図１は、レジスト塗布・現像処理システム
１を示す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背
面図である。レジスト塗布・現像処理システム１は、搬
送ステーションであるカセットステーション１０と、複
数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処
理ステーション１１に隣接して設けられる図示しない露
光装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェ
イス部１２と、を具備している。
１を示す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背
面図である。レジスト塗布・現像処理システム１は、搬
送ステーションであるカセットステーション１０と、複
数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処
理ステーション１１に隣接して設けられる図示しない露
光装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェ
イス部１２と、を具備している。
【００１１】カセットステーション１０は、被処理体と
してのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカ
セットＣＲに搭載された状態で、他のシステムから本レ
ジスト塗布・現像処理システム１へ搬入し、または本レ
ジスト塗布・現像処理システム１から他のシステムへ搬
出する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１
との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。
してのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカ
セットＣＲに搭載された状態で、他のシステムから本レ
ジスト塗布・現像処理システム１へ搬入し、または本レ
ジスト塗布・現像処理システム１から他のシステムへ搬
出する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１
との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。
【００１２】カセットステーション１０においては、図
１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ方向に
沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成
されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣ
Ｒがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセット
ＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列さ
れている。また、カセットステーション１０は、カセッ
ト載置台２０と処理ステーション１１との間に位置する
ウエハ搬送機構２１を有している。
１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ方向に
沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成
されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣ
Ｒがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセット
ＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列さ
れている。また、カセットステーション１０は、カセッ
ト載置台２０と処理ステーション１１との間に位置する
ウエハ搬送機構２１を有している。
【００１３】ウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向
（Ｘ方向）およびその中のウエハＷの配列方向（Ｚ方
向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２１ａにより、いずれかの
ウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能とな
っている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、図１中
に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述す
る処理ステーション１１側の第３の処理部Ｇ３に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっ
ている。
（Ｘ方向）およびその中のウエハＷの配列方向（Ｚ方
向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２１ａにより、いずれかの
ウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能とな
っている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、図１中
に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述す
る処理ステーション１１側の第３の処理部Ｇ３に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっ
ている。
【００１４】一方、処理ステーション１１は、ウエハＷ
へ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するた
めの複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多
段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ
処理される。この処理ステーション１１は、図１に示す
ように、中心部にウエハ搬送路２２ａを有しており、こ
の中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路
２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成と
なっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理
部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂
直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。
へ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するた
めの複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多
段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ
処理される。この処理ステーション１１は、図１に示す
ように、中心部にウエハ搬送路２２ａを有しており、こ
の中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路
２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成と
なっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理
部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂
直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。
【００１５】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側にウエハ搬送装置４６を上下
方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体
４９は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能
となっており、それに伴ってウエハ搬送装置４６も一体
的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置４６は、搬
送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４
８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニッ
ト間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
に、筒状支持体４９の内側にウエハ搬送装置４６を上下
方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体
４９は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能
となっており、それに伴ってウエハ搬送装置４６も一体
的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置４６は、搬
送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４
８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニッ
ト間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００１６】図１に示すように、レジスト塗布・現像処
理システム１においては、５個の処理部Ｇ１・Ｇ２・Ｇ
３・Ｇ４・Ｇ５がウエハ搬送路２２ａの周囲に実際に配
置されている。これらのうち、第１および第２の処理部
Ｇ１・Ｇ２はレジスト塗布・現像処理システム１の正面
側（図１における手前側）に並列に配置され、第３の処
理部Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、第４の処理部Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接
して配置されている。また、第５の処理部Ｇ５は背面部
に配置されている。
理システム１においては、５個の処理部Ｇ１・Ｇ２・Ｇ
３・Ｇ４・Ｇ５がウエハ搬送路２２ａの周囲に実際に配
置されている。これらのうち、第１および第２の処理部
Ｇ１・Ｇ２はレジスト塗布・現像処理システム１の正面
側（図１における手前側）に並列に配置され、第３の処
理部Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、第４の処理部Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接
して配置されている。また、第５の処理部Ｇ５は背面部
に配置されている。
【００１７】第１の処理部Ｇ１では、コータカップ（Ｃ
Ｐ）内でウエハＷを図示しないスピンチャックに乗せて
所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットであるレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が２段に重ね
られている。第２の処理部Ｇ２も同様に、２台のスピナ
型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が２段に重ねられて
いる。
Ｐ）内でウエハＷを図示しないスピンチャックに乗せて
所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットであるレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が２段に重ね
られている。第２の処理部Ｇ２も同様に、２台のスピナ
型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が２段に重ねられて
いる。
【００１８】第３の処理部Ｇ３においては、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎
水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置
合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエ
ハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
露光処理前や露光処理後さらには現像処理後にウエハＷ
に対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット
（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリング
ユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にアライメント機能を持たせてもよい。
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎
水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置
合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエ
ハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
露光処理前や露光処理後さらには現像処理後にウエハＷ
に対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット
（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリング
ユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にアライメント機能を持たせてもよい。
【００１９】第４の処理部Ｇ４においても、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８
段に重ねられている。
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８
段に重ねられている。
【００２０】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理部Ｇ５を設ける場合に、第５の処理部Ｇ５は、案内レ
ール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ
移動できるようになっている。したがって第５の処理部
Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿って
スライドすることにより空間部が確保されるので、主ウ
エハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。
理部Ｇ５を設ける場合に、第５の処理部Ｇ５は、案内レ
ール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ
移動できるようになっている。したがって第５の処理部
Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿って
スライドすることにより空間部が確保されるので、主ウ
エハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。
【００２１】インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ
方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを
有している。図１、図２に示すように、このインターフ
ェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセ
ットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置
され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部
にはウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ
搬送機構２４はウエハ搬送用アーム２４ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ・ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセス可能となっている。
方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを
有している。図１、図２に示すように、このインターフ
ェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセ
ットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置
され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部
にはウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ
搬送機構２４はウエハ搬送用アーム２４ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ・ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセス可能となっている。
【００２２】なお、ウエハ搬送用アーム２４ａはθ方向
に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理
部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）
や、さらには隣接する露光装置側の図示しないウエハ受
け渡し台にもアクセス可能となっている。
に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理
部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）
や、さらには隣接する露光装置側の図示しないウエハ受
け渡し台にもアクセス可能となっている。
【００２３】上述したレジスト塗布・現像処理システム
１においては、先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
カセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容してい
るウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを
取り出し、第３の処理部Ｇ３のエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）に搬送する。
１においては、先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
カセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容してい
るウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを
取り出し、第３の処理部Ｇ３のエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）に搬送する。
【００２４】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。
【００２５】アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）での
処理が終了してクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却さ
れたウエハＷ、またはアドヒージョン処理ユニット（Ａ
Ｄ）での処理を行わないウエハＷは、引き続きウエハ搬
送装置４６によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が形成
される。塗布処理終了後、ウエハＷは、第３または第４
の処理部Ｇ３・Ｇ４のいずれかのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）内でプリベーク処理され、その後いずれかの
クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却される。
処理が終了してクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却さ
れたウエハＷ、またはアドヒージョン処理ユニット（Ａ
Ｄ）での処理を行わないウエハＷは、引き続きウエハ搬
送装置４６によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が形成
される。塗布処理終了後、ウエハＷは、第３または第４
の処理部Ｇ３・Ｇ４のいずれかのホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）内でプリベーク処理され、その後いずれかの
クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却される。
【００２６】冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ３
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部Ｇ４のエクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス
部１２に搬送される。
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部Ｇ４のエクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス
部１２に搬送される。
【００２７】ウエハＷは、インターフェイス部１２にお
いて周辺露光装置２３により周辺露光されて余分なレジ
ストが除去された後、インターフェイス部１２に隣接し
て設けられた図示しない露光装置に搬送され、そこで所
定のパターンにしたがってウエハＷのレジスト膜に露光
処理が施される。
いて周辺露光装置２３により周辺露光されて余分なレジ
ストが除去された後、インターフェイス部１２に隣接し
て設けられた図示しない露光装置に搬送され、そこで所
定のパターンにしたがってウエハＷのレジスト膜に露光
処理が施される。
【００２８】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の
処理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装
置４６により、いずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）に搬送されて、ポストエクスポージャーベーク処理
が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）によ
り冷却される。
ス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の
処理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装
置４６により、いずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）に搬送されて、ポストエクスポージャーベーク処理
が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）によ
り冷却される。
【００２９】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３の処
理部Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエ
ハカセットＣＲに収容される。
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３の処
理部Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエ
ハカセットＣＲに収容される。
【００３０】次に、上述したレジスト塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）について説明する。図４は第１の処理部Ｇ１
と第２の処理部Ｇ２に設けられた空気供給機構の概略説
明図、図５はレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の全
体構成を示す概略断面図、図６はレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）の概略平面図である。第１の処理部Ｇ １
と第２の処理部Ｇ２に設けられたレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）の内部に
は、温湿度調整されてパーティクル等の除去された清浄
な空気が、空気供給機構によって供給される。
（ＣＯＴ）について説明する。図４は第１の処理部Ｇ１
と第２の処理部Ｇ２に設けられた空気供給機構の概略説
明図、図５はレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の全
体構成を示す概略断面図、図６はレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）の概略平面図である。第１の処理部Ｇ １
と第２の処理部Ｇ２に設けられたレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）の内部に
は、温湿度調整されてパーティクル等の除去された清浄
な空気が、空気供給機構によって供給される。
【００３１】この空気供給機構は、中空フレーム３１
と、中空フレーム３１の内部へ空気を送る送風装置（図
示せず）と、中空フレーム３１の内部を流れる空気を取
り入れるフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）とを有し
ている。中空フレーム３１は、第１の処理部Ｇ１と第２
の処理部Ｇ２を構成するフレームの一部であり、その内
部が送風路３２となっており、送風路３２へ空気を送る
送風装置としては、送風ポンプや空気供給用工場配管等
が用いられる。図４中の送風路３２に示される矢印は送
風経路を示している。このように送風路３２をフレーム
内に設けることによりレジスト塗布・現像処理システム
１を省スペース化することができる。
と、中空フレーム３１の内部へ空気を送る送風装置（図
示せず）と、中空フレーム３１の内部を流れる空気を取
り入れるフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）とを有し
ている。中空フレーム３１は、第１の処理部Ｇ１と第２
の処理部Ｇ２を構成するフレームの一部であり、その内
部が送風路３２となっており、送風路３２へ空気を送る
送風装置としては、送風ポンプや空気供給用工場配管等
が用いられる。図４中の送風路３２に示される矢印は送
風経路を示している。このように送風路３２をフレーム
内に設けることによりレジスト塗布・現像処理システム
１を省スペース化することができる。
【００３２】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）にお
いては、フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）は、中空
フレーム３１のうちレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の上部に水平に設けられているフレーム３１ａに設
けられている。同様に、現像処理処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）においては、フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）
は、現像処理処理ユニット（ＤＥＶ）の上部に水平に設
けられているフレーム３１ｂに設けられている。
いては、フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）は、中空
フレーム３１のうちレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）の上部に水平に設けられているフレーム３１ａに設
けられている。同様に、現像処理処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）においては、フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）
は、現像処理処理ユニット（ＤＥＶ）の上部に水平に設
けられているフレーム３１ｂに設けられている。
【００３３】フレーム３１ａにはダンパ３３ａが取り付
けられており、このダンパ３３ａの開閉量を操作するこ
とによって、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）への
送風量を変化させることができるようになっている。な
お、同様にフレーム３１ｂにはダンパ３３ｂが取り付け
られており、このダンパ３３ｂの開閉量を操作すること
によって、現像処理ユニット（ＤＥＶ）への送風量を変
化させることができるようになっている。
けられており、このダンパ３３ａの開閉量を操作するこ
とによって、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）への
送風量を変化させることができるようになっている。な
お、同様にフレーム３１ｂにはダンパ３３ｂが取り付け
られており、このダンパ３３ｂの開閉量を操作すること
によって、現像処理ユニット（ＤＥＶ）への送風量を変
化させることができるようになっている。
【００３４】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の中
央部には環状のコータカップ（ＣＰ）が配置され、コー
タカップ（ＣＰ）の内側にはスピンチャック５２が配置
されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウ
エハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回
転駆動される。コータカップ（ＣＰ）の底部にはドレイ
ン６９が設けられており、ウエハＷから振り切られる不
要なレジスト液等の処理液がここから排出される。
央部には環状のコータカップ（ＣＰ）が配置され、コー
タカップ（ＣＰ）の内側にはスピンチャック５２が配置
されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウ
エハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回
転駆動される。コータカップ（ＣＰ）の底部にはドレイ
ン６９が設けられており、ウエハＷから振り切られる不
要なレジスト液等の処理液がここから排出される。
【００３５】駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設
けられた開口５０ａに昇降移動可能に配置され、例えば
アルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を
介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０お
よび昇降ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ
５４の側面には、例えばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャ
ケット６４が取り付けられ、フランジ部材５８は冷却ジ
ャケット６４の上半部を覆うように取り付けられてい
る。
けられた開口５０ａに昇降移動可能に配置され、例えば
アルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を
介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０お
よび昇降ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ
５４の側面には、例えばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャ
ケット６４が取り付けられ、フランジ部材５８は冷却ジ
ャケット６４の上半部を覆うように取り付けられてい
る。
【００３６】例えば、ウエハＷにレジスト液を塗布する
ときには、フランジ部材５８の下端５８ａは開口５０ａ
の外周付近でユニット底板５０に密着し、これによって
ユニット内部が密閉される。スピンチャック５２と主ウ
エハ搬送機構２２の保持部材４８との間でウエハＷの受
け渡しが行われるときは、昇降駆動手段６０が駆動モー
タ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち上げるこ
とでフランジ部材５８の下端がユニット底板５０から浮
くようになっている。
ときには、フランジ部材５８の下端５８ａは開口５０ａ
の外周付近でユニット底板５０に密着し、これによって
ユニット内部が密閉される。スピンチャック５２と主ウ
エハ搬送機構２２の保持部材４８との間でウエハＷの受
け渡しが行われるときは、昇降駆動手段６０が駆動モー
タ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち上げるこ
とでフランジ部材５８の下端がユニット底板５０から浮
くようになっている。
【００３７】レジスト液をウエハＷに吐出するレジスト
吐出ノズル７３は、ノズルスキャンアーム７２の先端部
にノズル保持体７０を介して着脱可能に取り付けられ、
レジスト吐出ノズル７３にはレジスト液供給部７５から
レジスト液が供給されるようになっている。ノズルスキ
ャンアーム７２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ
方向）に敷設されたガイドレール７４上で水平移動可能
な垂直支持部材７６に取り付けられており、Ｙ軸駆動機
構７８によって垂直支持部材７６と一体にＹ方向に移動
するようになっている。また、レジスト吐出ノズル７３
は、Ｚ軸駆動機構７９によって上下方向（Ｚ方向）に移
動可能となっている。
吐出ノズル７３は、ノズルスキャンアーム７２の先端部
にノズル保持体７０を介して着脱可能に取り付けられ、
レジスト吐出ノズル７３にはレジスト液供給部７５から
レジスト液が供給されるようになっている。ノズルスキ
ャンアーム７２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ
方向）に敷設されたガイドレール７４上で水平移動可能
な垂直支持部材７６に取り付けられており、Ｙ軸駆動機
構７８によって垂直支持部材７６と一体にＹ方向に移動
するようになっている。また、レジスト吐出ノズル７３
は、Ｚ軸駆動機構７９によって上下方向（Ｚ方向）に移
動可能となっている。
【００３８】なお、ノズルスキャンアーム７２は、レジ
スト吐出ノズル７３を待機させるノズル待機部８９でレ
ジスト吐出ノズル７３を選択的に取り付けるためにＹ方
向と直交するＸ方向にも移動可能であり、図示しないＸ
軸駆動機構によってＸ方向にも移動可能となっている。
スト吐出ノズル７３を待機させるノズル待機部８９でレ
ジスト吐出ノズル７３を選択的に取り付けるためにＹ方
向と直交するＸ方向にも移動可能であり、図示しないＸ
軸駆動機構によってＸ方向にも移動可能となっている。
【００３９】ノズル待機部８９ではレジスト吐出ノズル
７３の吐出口が溶剤雰囲気室の口８９ａに挿入され、そ
の中で溶剤の雰囲気に晒されることで、ノズル先端のレ
ジスト液が固化または劣化しないようになっている。ノ
ズル待機部８９には複数本のレジスト吐出ノズル７３が
設けられ、例えばレジスト液の種類に応じてそれらのノ
ズルが使い分けられるようになっている。これに対応し
てレジスト液供給部７５からは複数のレジスト液をレジ
スト吐出ノズル７３へ供給可能となっている。
７３の吐出口が溶剤雰囲気室の口８９ａに挿入され、そ
の中で溶剤の雰囲気に晒されることで、ノズル先端のレ
ジスト液が固化または劣化しないようになっている。ノ
ズル待機部８９には複数本のレジスト吐出ノズル７３が
設けられ、例えばレジスト液の種類に応じてそれらのノ
ズルが使い分けられるようになっている。これに対応し
てレジスト液供給部７５からは複数のレジスト液をレジ
スト吐出ノズル７３へ供給可能となっている。
【００４０】ノズル保持体７０には、ウエハ表面へのレ
ジスト液の吐出に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡
らすための溶剤、例えばシンナーを吐出するシンナーノ
ズル７１もまた取り付けられている。このシンナーノズ
ル７１は図示しない溶剤供給管を介してシンナー供給部
に接続されている。シンナーノズル７１からシンナーを
ウエハＷに吐出する際の位置は、Ｙ軸駆動機構７８と図
示しないＸ軸駆動機構によって調節される。
ジスト液の吐出に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡
らすための溶剤、例えばシンナーを吐出するシンナーノ
ズル７１もまた取り付けられている。このシンナーノズ
ル７１は図示しない溶剤供給管を介してシンナー供給部
に接続されている。シンナーノズル７１からシンナーを
ウエハＷに吐出する際の位置は、Ｙ軸駆動機構７８と図
示しないＸ軸駆動機構によって調節される。
【００４１】ガイドレール７４上には、別のノズルスキ
ャンアーム８３を支持し、Ｙ方向に移動可能な垂直支持
部材８１が設けられており、このノズルスキャンアーム
８３の先端部にはサイドリンス用のリンスノズル８２が
取り付けられている。ノズルスキャンアーム８３とリン
スノズル８２は、図６に示したコータカップ（ＣＰ）外
側に待機位置が設けられ、リンスノズル８２がウエハＷ
の周辺部に位置するようにＹ方向に移動可能である。リ
ンス液（洗浄液）としては、レジスト液に含まれる溶剤
（揮発性溶剤）が好適に用いられ、ウエハＷの周縁部の
レジスト膜の除去が行われる。
ャンアーム８３を支持し、Ｙ方向に移動可能な垂直支持
部材８１が設けられており、このノズルスキャンアーム
８３の先端部にはサイドリンス用のリンスノズル８２が
取り付けられている。ノズルスキャンアーム８３とリン
スノズル８２は、図６に示したコータカップ（ＣＰ）外
側に待機位置が設けられ、リンスノズル８２がウエハＷ
の周辺部に位置するようにＹ方向に移動可能である。リ
ンス液（洗浄液）としては、レジスト液に含まれる溶剤
（揮発性溶剤）が好適に用いられ、ウエハＷの周縁部の
レジスト膜の除去が行われる。
【００４２】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の内
部上方には、コータカップ（ＣＰ）内に清浄な温湿度調
整された空気を供給するフィルタチャンバユニット（Ｆ
ＣＵ）が設けられている。図７はフィルタチャンバユニ
ット（ＦＣＵ）の内部の概略構造を示す説明図である。
なお、フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）の概略側面
図は図５に示されている。
部上方には、コータカップ（ＣＰ）内に清浄な温湿度調
整された空気を供給するフィルタチャンバユニット（Ｆ
ＣＵ）が設けられている。図７はフィルタチャンバユニ
ット（ＦＣＵ）の内部の概略構造を示す説明図である。
なお、フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）の概略側面
図は図５に示されている。
【００４３】フレーム３１ａにおいて、レジスト塗布処
理ユニット（ＣＯＴ）の内側に面している管壁部３４に
は第１窓部３４ａが設けられている。この第１窓部３４
ａを通じてフレーム３１ａの内部（送風路３２）を流れ
る空気がフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）に取り込
まれる。フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）は、フレ
ーム３１ａの内部を流れる空気が第１窓部３４ａを通し
て最初に取り入れられる第１空気導入室９１と、第１空
気導入室９１と連通して第１空気導入室９１から空気が
取り入れられる第２空気導入室９２と、第２空気導入室
９２の下方に設けられ、第２空気導入室９２に取り入れ
られた空気を濾過してコータカップ（ＣＰ）の内部に向
けて清浄な空気を供給するフィルタユニット９４と、第
２空気導入室９２とフィルタユニット９４との間に設け
られ、第２空気導入室９２からフィルタユニット９４へ
の空気の流れを制御する気流制御機構９３とを有してい
る。
理ユニット（ＣＯＴ）の内側に面している管壁部３４に
は第１窓部３４ａが設けられている。この第１窓部３４
ａを通じてフレーム３１ａの内部（送風路３２）を流れ
る空気がフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）に取り込
まれる。フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）は、フレ
ーム３１ａの内部を流れる空気が第１窓部３４ａを通し
て最初に取り入れられる第１空気導入室９１と、第１空
気導入室９１と連通して第１空気導入室９１から空気が
取り入れられる第２空気導入室９２と、第２空気導入室
９２の下方に設けられ、第２空気導入室９２に取り入れ
られた空気を濾過してコータカップ（ＣＰ）の内部に向
けて清浄な空気を供給するフィルタユニット９４と、第
２空気導入室９２とフィルタユニット９４との間に設け
られ、第２空気導入室９２からフィルタユニット９４へ
の空気の流れを制御する気流制御機構９３とを有してい
る。
【００４４】第１窓部３４ａは、コータカップ（ＣＰ）
へ送風する所望量の空気に相当する量の空気が、過不足
なく送風路３２から第１空気導入室９１へ取り入れられ
る開口面積を有していればよい。第１窓部３４ａをフレ
ーム３１ａの長さ方向を長辺とする略長方形とした場合
には、フレーム３１ａに第１窓部３４ａを形成する加工
も容易に行うことができる。その他、例えば、円形や正
方形の開口部をフレーム３１ａの長手方向に複数並べて
設けることもできる。
へ送風する所望量の空気に相当する量の空気が、過不足
なく送風路３２から第１空気導入室９１へ取り入れられ
る開口面積を有していればよい。第１窓部３４ａをフレ
ーム３１ａの長さ方向を長辺とする略長方形とした場合
には、フレーム３１ａに第１窓部３４ａを形成する加工
も容易に行うことができる。その他、例えば、円形や正
方形の開口部をフレーム３１ａの長手方向に複数並べて
設けることもできる。
【００４５】第１空気導入室９１の内部には第１空気導
入室９１に取り入れられた空気を所望する温度に加熱す
るヒータ３５が設けられている。ヒータ３５としては例
えば棒状形状を有するものが用いられ、ヒータ３５はそ
の長さ方向がフレーム３１ａの長さ方向と略平行となる
ように第１空気導入室９１に保持される。第１空気導入
室９１へ流れ込む空気の流れは、次に説明するように複
雑であるが、第１空気導入室９１に取り入れられた空気
をできるだけ均一に加熱することができるように、ヒー
タ３５の形状を第１窓部３４ａによる空気の取り入れ範
囲に対応させることが好ましい。
入室９１に取り入れられた空気を所望する温度に加熱す
るヒータ３５が設けられている。ヒータ３５としては例
えば棒状形状を有するものが用いられ、ヒータ３５はそ
の長さ方向がフレーム３１ａの長さ方向と略平行となる
ように第１空気導入室９１に保持される。第１空気導入
室９１へ流れ込む空気の流れは、次に説明するように複
雑であるが、第１空気導入室９１に取り入れられた空気
をできるだけ均一に加熱することができるように、ヒー
タ３５の形状を第１窓部３４ａによる空気の取り入れ範
囲に対応させることが好ましい。
【００４６】フレーム３１ａの内部では空気はＹ方向に
流れているが、この空気はＸ方向に進路を変えられて第
１空気導入室９１へ流れ込む。このとき第１空気導入室
９１へ流れ込む空気の殆どは、純粋にＸ方向を向いた気
流を構成することなく、Ｘ方向とＹ方向の双方の成分を
含む斜め方向に流れ込むものと考えられる。また、第１
空気導入室９１へ流れ込む空気には流速分布が生じてい
るものと考えられる。そこで第１空気導入室９１に取り
入れられた空気が、第１空気導入室９１において整流さ
れ、また温度分布が略均一化された後に、第２空気導入
室９２へ流出するようにすることが好ましく、これによ
ってコータカップ（ＣＰ）に送風される空気の温度分布
を均一なものとすることができる。
流れているが、この空気はＸ方向に進路を変えられて第
１空気導入室９１へ流れ込む。このとき第１空気導入室
９１へ流れ込む空気の殆どは、純粋にＸ方向を向いた気
流を構成することなく、Ｘ方向とＹ方向の双方の成分を
含む斜め方向に流れ込むものと考えられる。また、第１
空気導入室９１へ流れ込む空気には流速分布が生じてい
るものと考えられる。そこで第１空気導入室９１に取り
入れられた空気が、第１空気導入室９１において整流さ
れ、また温度分布が略均一化された後に、第２空気導入
室９２へ流出するようにすることが好ましく、これによ
ってコータカップ（ＣＰ）に送風される空気の温度分布
を均一なものとすることができる。
【００４７】このためにフィルタチャンバユニット（Ｆ
ＣＵ）においては、第１空気導入室９１を形成する壁部
であって、管壁部３４（第１窓部３４ａ）と対向し、第
１空気導入室９１と第２空気導入室９２とを仕切る第１
壁部３６が設けられており、この第１壁部３６の第１空
気導入室９１側の壁面は略鉛直となっている。また、第
１壁部３６には第２窓部３６ａが設けられており、この
第２窓部３６ａを介して第１空気導入室９１と第２空気
導入室９２とが連通している。
ＣＵ）においては、第１空気導入室９１を形成する壁部
であって、管壁部３４（第１窓部３４ａ）と対向し、第
１空気導入室９１と第２空気導入室９２とを仕切る第１
壁部３６が設けられており、この第１壁部３６の第１空
気導入室９１側の壁面は略鉛直となっている。また、第
１壁部３６には第２窓部３６ａが設けられており、この
第２窓部３６ａを介して第１空気導入室９１と第２空気
導入室９２とが連通している。
【００４８】第２窓部３６ａは、第１壁部３６の水平方
向端から一定の距離範囲の壁面が第１空気導入室９１の
上下方向（Ｚ方向）を塞ぐようにして、第１壁部３６の
上方、かつ、水平方向（Ｙ方向）中央部に設けられてい
る。このように第１壁部３６の水平方向端の一定範囲に
壁面を残すように第２窓部３６ａを形成することによっ
て、第１空気導入室９１に取り入れられた空気が第１壁
部３６に衝突する面積が広くなる。つまり、第１窓部３
４ａを通過した空気が直接に第２窓部３６ａを通って第
２空気導入室９２へ流出することが抑制され、これによ
り第１空気導入室９１内での空気の温度分布の均一化が
促進され、また、空気の流れが変化することによって第
２窓部３６ａから第２空気導入室９２へ流出する空気の
流速分布が均一化される。
向端から一定の距離範囲の壁面が第１空気導入室９１の
上下方向（Ｚ方向）を塞ぐようにして、第１壁部３６の
上方、かつ、水平方向（Ｙ方向）中央部に設けられてい
る。このように第１壁部３６の水平方向端の一定範囲に
壁面を残すように第２窓部３６ａを形成することによっ
て、第１空気導入室９１に取り入れられた空気が第１壁
部３６に衝突する面積が広くなる。つまり、第１窓部３
４ａを通過した空気が直接に第２窓部３６ａを通って第
２空気導入室９２へ流出することが抑制され、これによ
り第１空気導入室９１内での空気の温度分布の均一化が
促進され、また、空気の流れが変化することによって第
２窓部３６ａから第２空気導入室９２へ流出する空気の
流速分布が均一化される。
【００４９】こうして第１空気導入室９１内において温
度分布と流速分布が均一化された空気は、第１空気導入
室９１から第２窓部３６ａを通って第２空気導入室９２
へ流出する。なお、第２窓部３６ａを第１壁部３６の上
方に設けることによって、第１空気導入室９１に取り入
れられた空気は第１壁部３６の下方にも衝突して流れが
変化し、またヒータ３５により温められた空気が第２空
気導入室９２へ流出しやすくなる。
度分布と流速分布が均一化された空気は、第１空気導入
室９１から第２窓部３６ａを通って第２空気導入室９２
へ流出する。なお、第２窓部３６ａを第１壁部３６の上
方に設けることによって、第１空気導入室９１に取り入
れられた空気は第１壁部３６の下方にも衝突して流れが
変化し、またヒータ３５により温められた空気が第２空
気導入室９２へ流出しやすくなる。
【００５０】ところで、ダンパ３３ａを調整してフレー
ム３１ａ内の送風量を変化させた場合には、第１空気導
入室９１へ流れ込む空気の方向が変化し、これによって
第１空気導入室９１内における空気の流れと、第２窓部
３６ａを通って第２空気導入室９２へ流出する空気の流
れに変化が生じて、温度分布の均一性の悪い空気が第２
空気導入室９２へ流出し、コータカップ（ＣＰ）に温度
分布の大きな空気が供給されるおそれがある。そこで、
ダンパ３３ａの開閉によるフレーム３１ａ内の送風量の
変化に対応させて、第２窓部３６ａの開口面積を変化さ
せることができるようにすることが好ましい。
ム３１ａ内の送風量を変化させた場合には、第１空気導
入室９１へ流れ込む空気の方向が変化し、これによって
第１空気導入室９１内における空気の流れと、第２窓部
３６ａを通って第２空気導入室９２へ流出する空気の流
れに変化が生じて、温度分布の均一性の悪い空気が第２
空気導入室９２へ流出し、コータカップ（ＣＰ）に温度
分布の大きな空気が供給されるおそれがある。そこで、
ダンパ３３ａの開閉によるフレーム３１ａ内の送風量の
変化に対応させて、第２窓部３６ａの開口面積を変化さ
せることができるようにすることが好ましい。
【００５１】図８は、第２窓部３６ａの開口面積を変化
させるシャッタの一実施形態を示す平面図（ａ）、正面
図（ｂ）、正面図（ｂ）中のＡＡ矢視図（ｃ）である。
第１壁部３６に設けられたシャッタ９６ａ・９６ｂはと
もに、図示しないスライド機構によってＹ方向にスライ
ド自在となっている。第２窓部３６ａはシャッタ９６ａ
・９６ｂがともにＹ方向端に位置しているときに全開の
状態にある。シャッタ９６ａ・９６ｂ間の距離が縮まる
ようにシャッタ９６ａ・９６ｂを互いに近付けることに
よって、第２窓部３６ａの開口面積を狭くすることがで
きるようになっている。
させるシャッタの一実施形態を示す平面図（ａ）、正面
図（ｂ）、正面図（ｂ）中のＡＡ矢視図（ｃ）である。
第１壁部３６に設けられたシャッタ９６ａ・９６ｂはと
もに、図示しないスライド機構によってＹ方向にスライ
ド自在となっている。第２窓部３６ａはシャッタ９６ａ
・９６ｂがともにＹ方向端に位置しているときに全開の
状態にある。シャッタ９６ａ・９６ｂ間の距離が縮まる
ようにシャッタ９６ａ・９６ｂを互いに近付けることに
よって、第２窓部３６ａの開口面積を狭くすることがで
きるようになっている。
【００５２】シャッタ９６ａ・９６ｂの制御はダンパ３
３ａの開閉量制御に連動して自動で行われるようにする
ことができる。また、このような自動制御を解除するこ
とができ、この自動制御を解除した場合には、マニュア
ル操作によってシャッタ９６ａ・９６ｂを自由にスライ
ドできるようにすることもできる。シャッタ９６ａ・９
６ｂの一方のみをスライドさせることによっても第２窓
部３６ａの開口面積を狭くすることができるが、第２空
気導入室９２における空気の流れを制御して温度分布の
均一性を高める観点から、所望する面積に調整された第
２窓部３６ａは、第１壁部３６の中央に形成することが
好ましい。
３ａの開閉量制御に連動して自動で行われるようにする
ことができる。また、このような自動制御を解除するこ
とができ、この自動制御を解除した場合には、マニュア
ル操作によってシャッタ９６ａ・９６ｂを自由にスライ
ドできるようにすることもできる。シャッタ９６ａ・９
６ｂの一方のみをスライドさせることによっても第２窓
部３６ａの開口面積を狭くすることができるが、第２空
気導入室９２における空気の流れを制御して温度分布の
均一性を高める観点から、所望する面積に調整された第
２窓部３６ａは、第１壁部３６の中央に形成することが
好ましい。
【００５３】なお、フィルタユニット９４から送出され
るダウンフローを所望の流量にて温度分布均一性を高め
るために、フィルタユニット９４の直下に複数の温度セ
ンサと流量センサを設けてフィルタユニット９４の直下
（ウエハＷの上方）の温度分布および流量分布を測定
し、その測定結果に基づいてダンパ３３ａの開閉量とシ
ャッタ９６ａ・９６ｂのスライド量の制御することによ
り、温度分布の均一性を高めるようにしてもよい。
るダウンフローを所望の流量にて温度分布均一性を高め
るために、フィルタユニット９４の直下に複数の温度セ
ンサと流量センサを設けてフィルタユニット９４の直下
（ウエハＷの上方）の温度分布および流量分布を測定
し、その測定結果に基づいてダンパ３３ａの開閉量とシ
ャッタ９６ａ・９６ｂのスライド量の制御することによ
り、温度分布の均一性を高めるようにしてもよい。
【００５４】第２空気導入室９２において、第１壁部３
６と所定距離対向するＸ方向端には、第２壁部３７が設
けられており、この第２壁部３７は傾斜壁部３７ａを有
しており、この傾斜壁部３７ａは、第２窓部３６ａを通
って第２空気導入室９２に取り入れられた空気の流れが
傾斜壁部３７ａに衝突した際にその空気を下方に導く。
また、第２壁部３７は垂直壁部３７ｂを有しており、こ
の垂直壁部３７ｂは、第２窓部３６ａを通って第２空気
導入室９２に取り入れられた空気の流れが垂直壁部３７
ｂに衝突した際にその空気を第１空気導入室９１側へ戻
すように導く。
６と所定距離対向するＸ方向端には、第２壁部３７が設
けられており、この第２壁部３７は傾斜壁部３７ａを有
しており、この傾斜壁部３７ａは、第２窓部３６ａを通
って第２空気導入室９２に取り入れられた空気の流れが
傾斜壁部３７ａに衝突した際にその空気を下方に導く。
また、第２壁部３７は垂直壁部３７ｂを有しており、こ
の垂直壁部３７ｂは、第２窓部３６ａを通って第２空気
導入室９２に取り入れられた空気の流れが垂直壁部３７
ｂに衝突した際にその空気を第１空気導入室９１側へ戻
すように導く。
【００５５】第１壁部３６の第２空気導入室９２側に
は、第２空気導入室９２に流れ込み、垂直壁部３７ｂに
衝突して第１壁部３６側に戻ってきた空気の流れを下方
に導く別の傾斜壁部３６ｂが形成されている。第２空気
導入室９２においては、傾斜壁部３７ａによって発生す
るダウンフローと、垂直壁部３７ｂによって発生するＸ
方向の戻し流れと、傾斜壁部３６ｂによって発生するダ
ウンフローによって複雑な空気の流れが生じ、これによ
り略均一な温度分布を有するダウンフローが形成され
る。
は、第２空気導入室９２に流れ込み、垂直壁部３７ｂに
衝突して第１壁部３６側に戻ってきた空気の流れを下方
に導く別の傾斜壁部３６ｂが形成されている。第２空気
導入室９２においては、傾斜壁部３７ａによって発生す
るダウンフローと、垂直壁部３７ｂによって発生するＸ
方向の戻し流れと、傾斜壁部３６ｂによって発生するダ
ウンフローによって複雑な空気の流れが生じ、これによ
り略均一な温度分布を有するダウンフローが形成され
る。
【００５６】第２空気導入室９２からフィルタユニット
９４へは、気流制御機構９３を通して空気が送られる。
図９は気流制御機構９３の一実施形態を示す平面図であ
る。気流制御機構９３は、同形状の孔部３８が複数箇所
に同じパターンで形成され、表裏面が対向するように平
行に設けられた２枚のパネル３９ａ・３９ｂと、パネル
３９ａを固定する固定部材４１と、パネル３９ｂをスラ
イドさせるスライド機構４２と、を有している。なお、
固定部材４１を用いて第２空気導入室９２とフィルタユ
ニット９４とを連結することができる。
９４へは、気流制御機構９３を通して空気が送られる。
図９は気流制御機構９３の一実施形態を示す平面図であ
る。気流制御機構９３は、同形状の孔部３８が複数箇所
に同じパターンで形成され、表裏面が対向するように平
行に設けられた２枚のパネル３９ａ・３９ｂと、パネル
３９ａを固定する固定部材４１と、パネル３９ｂをスラ
イドさせるスライド機構４２と、を有している。なお、
固定部材４１を用いて第２空気導入室９２とフィルタユ
ニット９４とを連結することができる。
【００５７】パネル３９ａ・３９ｂとしては、例えば金
属板が用いられ、パンチングやレーザ加工によってパネ
ル３９ａ・３９ｂに孔部３８を形成することができる。
スライド機構４２は、固定部材４１に固定され、かつ、
パネル３９ｂと嵌合しているガイド４２ａと、固定部材
４１に取り付けられ、パネル３９ｂの一側面と連結され
たネジ４２ｂとを有している。ネジ４２ｂの先端にはネ
ジ溝が形成されていない。ネジ４２ｂの先端は、ネジ４
２を回動することができるように、パネル３９ｂに取り
付けられた連結治具４２ｃと嵌合している。ネジ４２ｂ
を回転させてネジ４２ｂが固定部材４１から内側に突出
している部分の長さを変化させることによって連結治具
４２ｃの位置がガイド４２ａの長さ方向に移動する。つ
まり、パネル３９ｂをガイド４２ａの長さ方向にスライ
ドさせることができる。
属板が用いられ、パンチングやレーザ加工によってパネ
ル３９ａ・３９ｂに孔部３８を形成することができる。
スライド機構４２は、固定部材４１に固定され、かつ、
パネル３９ｂと嵌合しているガイド４２ａと、固定部材
４１に取り付けられ、パネル３９ｂの一側面と連結され
たネジ４２ｂとを有している。ネジ４２ｂの先端にはネ
ジ溝が形成されていない。ネジ４２ｂの先端は、ネジ４
２を回動することができるように、パネル３９ｂに取り
付けられた連結治具４２ｃと嵌合している。ネジ４２ｂ
を回転させてネジ４２ｂが固定部材４１から内側に突出
している部分の長さを変化させることによって連結治具
４２ｃの位置がガイド４２ａの長さ方向に移動する。つ
まり、パネル３９ｂをガイド４２ａの長さ方向にスライ
ドさせることができる。
【００５８】パネル３９ｂのスライド量を変化させるこ
とによって孔部３８の重なり面積、つまり開口面積Ｓを
変化させることができ、これにより第２空気導入室９２
からフィルタユニット９４への送風量が制御される。ネ
ジ４２ｂの回転の制御、つまり孔部３８の開口面積の制
御は、ダンパ３３ａの操作に連動して行われるようにす
ることができる。ネジ４２ｂに代えてエアーシリンダを
用いてエアーシリンダの先端をパネル３９ｂに固定し、
エアーシリンダの伸縮量を変化させることで、パネル３
９ｂをスライドさせることもできる。その他、モータを
回転させることによって得られる回転変位を直線変位に
変換する方法を用いてパネル３９ｂをスライドさせるこ
とも可能である。
とによって孔部３８の重なり面積、つまり開口面積Ｓを
変化させることができ、これにより第２空気導入室９２
からフィルタユニット９４への送風量が制御される。ネ
ジ４２ｂの回転の制御、つまり孔部３８の開口面積の制
御は、ダンパ３３ａの操作に連動して行われるようにす
ることができる。ネジ４２ｂに代えてエアーシリンダを
用いてエアーシリンダの先端をパネル３９ｂに固定し、
エアーシリンダの伸縮量を変化させることで、パネル３
９ｂをスライドさせることもできる。その他、モータを
回転させることによって得られる回転変位を直線変位に
変換する方法を用いてパネル３９ｂをスライドさせるこ
とも可能である。
【００５９】気流制御機構９３を通過した空気は、フィ
ルタユニット９４を通過する途中でパーティクル等が除
去され、その後にコータカップ（ＣＰ）内へ送風され
る。フィルタユニット９４には、ＵＬＰＡフィルタが好
適に用いられる。このフィルタユニット９４は、フィル
タユニット９４からの吹き出し口における流速分布を均
一なものとする役割をも果たす。
ルタユニット９４を通過する途中でパーティクル等が除
去され、その後にコータカップ（ＣＰ）内へ送風され
る。フィルタユニット９４には、ＵＬＰＡフィルタが好
適に用いられる。このフィルタユニット９４は、フィル
タユニット９４からの吹き出し口における流速分布を均
一なものとする役割をも果たす。
【００６０】このような構成を有するフィルタチャンバ
ユニット（ＦＣＵ）を用いることによって、温度分布と
流速分布の均一性に優れた空気をコータカップ（ＣＰ）
内に送風することが可能となる。この場合には、コータ
カップ（ＣＰ）内において形成されるレジスト膜の厚み
をウエハＷ毎に一定とすることが可能となり、またレジ
スト膜の厚みの細かな制御も容易となる。これにより製
造される半導体デバイスの信頼性が向上する。
ユニット（ＦＣＵ）を用いることによって、温度分布と
流速分布の均一性に優れた空気をコータカップ（ＣＰ）
内に送風することが可能となる。この場合には、コータ
カップ（ＣＰ）内において形成されるレジスト膜の厚み
をウエハＷ毎に一定とすることが可能となり、またレジ
スト膜の厚みの細かな制御も容易となる。これにより製
造される半導体デバイスの信頼性が向上する。
【００６１】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）にお
ける処理工程は一般的に以下のようにして行われる。最
初に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に設けられ
ているフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）を動作させ
て、コータカップ（ＣＰ）内に温度および湿度が調整さ
れた空気を送風する。これによりコータカップ（ＣＰ）
内のスピンチャック５２に保持されるウエハＷの周囲環
境が一定の状態に保持される。
ける処理工程は一般的に以下のようにして行われる。最
初に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に設けられ
ているフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）を動作させ
て、コータカップ（ＣＰ）内に温度および湿度が調整さ
れた空気を送風する。これによりコータカップ（ＣＰ）
内のスピンチャック５２に保持されるウエハＷの周囲環
境が一定の状態に保持される。
【００６２】次に主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８
によってレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内のコー
タカップ（ＣＰ）の真上までウエハＷを搬送し、例え
ば、エアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降
ガイド手段６２によって上昇させたスピンチャック５２
にウエハＷを保持させる。主ウエハ搬送機構２２はウエ
ハＷがスピンチャック５２に真空吸着等して保持された
後に、保持部材４８をレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）内から引き戻す。こうしてレジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＯＴ）へのウエハＷの搬入が終了する。
によってレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内のコー
タカップ（ＣＰ）の真上までウエハＷを搬送し、例え
ば、エアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降
ガイド手段６２によって上昇させたスピンチャック５２
にウエハＷを保持させる。主ウエハ搬送機構２２はウエ
ハＷがスピンチャック５２に真空吸着等して保持された
後に、保持部材４８をレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）内から引き戻す。こうしてレジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＯＴ）へのウエハＷの搬入が終了する。
【００６３】次いで、スピンチャック５２をウエハＷが
コータカップ（ＣＰ）内の所定高さに位置するまで降下
させる。駆動モータ５４を動作させてスピンチャック５
２を回転させるとともに、ノズル保持体７０がウエハＷ
の略中心の上空に位置するようにノズル待機部８９から
ノズル保持体７０をガイドレール７４に沿ってＹ方向に
移動させる。
コータカップ（ＣＰ）内の所定高さに位置するまで降下
させる。駆動モータ５４を動作させてスピンチャック５
２を回転させるとともに、ノズル保持体７０がウエハＷ
の略中心の上空に位置するようにノズル待機部８９から
ノズル保持体７０をガイドレール７４に沿ってＹ方向に
移動させる。
【００６４】シンナーノズル７１の吐出口をスピンチャ
ック５２の中心（ウエハＷの中心）の真上に位置させ
て、所定量のシンナーを回転するウエハＷの表面に供給
する。ウエハＷの表面に供給されたシンナーは遠心力に
よってウエハＷ中心からその周囲全域にむらなく拡げら
れる。このように、レジスト液の塗布に先立ってシンナ
ー等の溶剤でウエハＷの表面全体を濡らす、いわゆるプ
リウエット処理を行うことにより、レジスト液がより拡
散しやすくなり、結果としてより少量のレジスト液量で
均一なレジスト膜を形成することができるようになる。
ック５２の中心（ウエハＷの中心）の真上に位置させ
て、所定量のシンナーを回転するウエハＷの表面に供給
する。ウエハＷの表面に供給されたシンナーは遠心力に
よってウエハＷ中心からその周囲全域にむらなく拡げら
れる。このように、レジスト液の塗布に先立ってシンナ
ー等の溶剤でウエハＷの表面全体を濡らす、いわゆるプ
リウエット処理を行うことにより、レジスト液がより拡
散しやすくなり、結果としてより少量のレジスト液量で
均一なレジスト膜を形成することができるようになる。
【００６５】次いで、レジスト吐出ノズル７３の吐出口
をウエハＷの中心の真上に位置させて、レジスト吐出ノ
ズル７３の吐出口からレジスト液を回転するウエハＷの
表面の中心に吐出する。レジスト液は遠心力によりウエ
ハＷの中心から周辺に向けて拡散されて、ウエハＷ上に
レジスト膜が形成される。このレジスト液の滴下終了後
には、ウエハＷを所定の回転速度で回転させて膜厚の調
整を行う。ウエハＷの回転速度が加速されて大きくなる
と、残余のレジスト液が振り切られるとともに乾燥が進
行し、所定厚みのレジスト膜が形成される。
をウエハＷの中心の真上に位置させて、レジスト吐出ノ
ズル７３の吐出口からレジスト液を回転するウエハＷの
表面の中心に吐出する。レジスト液は遠心力によりウエ
ハＷの中心から周辺に向けて拡散されて、ウエハＷ上に
レジスト膜が形成される。このレジスト液の滴下終了後
には、ウエハＷを所定の回転速度で回転させて膜厚の調
整を行う。ウエハＷの回転速度が加速されて大きくなる
と、残余のレジスト液が振り切られるとともに乾燥が進
行し、所定厚みのレジスト膜が形成される。
【００６６】その後、レジスト吐出ノズル７３をノズル
待機部８９へ収容する。スピンチャック５２に保持され
たウエハＷに対しては、洗浄手段（図示せず）によりウ
エハＷの背面にバックリンス処理を施し、必要があれば
リンスノズル８２を用いてウエハＷの周縁部にサイドリ
ンス処理を施す。リンス処理を行った後には所定時間の
回転処理を行って洗浄液を振り切り、ウエハＷの回転を
停止させる。こうしてレジスト塗布処理が終了する。
待機部８９へ収容する。スピンチャック５２に保持され
たウエハＷに対しては、洗浄手段（図示せず）によりウ
エハＷの背面にバックリンス処理を施し、必要があれば
リンスノズル８２を用いてウエハＷの周縁部にサイドリ
ンス処理を施す。リンス処理を行った後には所定時間の
回転処理を行って洗浄液を振り切り、ウエハＷの回転を
停止させる。こうしてレジスト塗布処理が終了する。
【００６７】シンナーやレジスト液を用いた一連の処理
において、ウエハＷはフィルタチャンバユニット（ＦＣ
Ｕ）から送風される温度分布と流速分布の均一性に優れ
た雰囲気にあるために、ウエハＷ毎の厚みのばらつきが
少なく、膜厚均一性に優れ、しかも欠陥の少ない良好な
レジスト膜を形成することができる。また、不用なレジ
ストを除去する処理の精度も一定に保持することができ
る。
において、ウエハＷはフィルタチャンバユニット（ＦＣ
Ｕ）から送風される温度分布と流速分布の均一性に優れ
た雰囲気にあるために、ウエハＷ毎の厚みのばらつきが
少なく、膜厚均一性に優れ、しかも欠陥の少ない良好な
レジスト膜を形成することができる。また、不用なレジ
ストを除去する処理の精度も一定に保持することができ
る。
【００６８】こうしてレジスト膜が形成されたウエハＷ
は、先に保持部材４８からスピンチャック５２へウエハ
Ｗを受け渡した順序と逆の順序でスピンチャック５２か
ら保持部材４８へ受け渡され、第３または第４の処理部
Ｇ３・Ｇ４のいずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）へ収容されて、プリベーク処理が施される。
は、先に保持部材４８からスピンチャック５２へウエハ
Ｗを受け渡した順序と逆の順序でスピンチャック５２か
ら保持部材４８へ受け渡され、第３または第４の処理部
Ｇ３・Ｇ４のいずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）へ収容されて、プリベーク処理が施される。
【００６９】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
ない。フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）を用いた現
像処理ユニット（ＤＥＶ）においては、現像雰囲気を一
定に保持することができるために、現像液の温度変化を
抑制して、精度のよい現像処理を行うことが可能とな
る。さらにフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）は、レ
ジスト液や現像液を用いる液処理ユニットに限定して用
いられるものではなく、例えば、熱処理装置に設けるこ
ともできる。上記実施の形態では、基板として半導体ウ
エハを取り上げたが、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）基板
等の他の基板を処理する装置にも本発明を適用すること
ができる。
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
ない。フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）を用いた現
像処理ユニット（ＤＥＶ）においては、現像雰囲気を一
定に保持することができるために、現像液の温度変化を
抑制して、精度のよい現像処理を行うことが可能とな
る。さらにフィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）は、レ
ジスト液や現像液を用いる液処理ユニットに限定して用
いられるものではなく、例えば、熱処理装置に設けるこ
ともできる。上記実施の形態では、基板として半導体ウ
エハを取り上げたが、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）基板
等の他の基板を処理する装置にも本発明を適用すること
ができる。
【００７０】
【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、空気の送
風状態が複数箇所において制御される空気供給機構が用
いられているために、温度分布の均一性に優れた空気
を、基板にレジスト液を塗布する等の所定の処理を行う
基板処理部に送風することができる。これにより基板の
品質が高められ、ひいては製品に対する信頼性が高めら
れるという効果が得られる。また空気供給機構において
フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）への送風量を変化
させた場合であっても、フィルタチャンバユニット（Ｆ
ＣＵ）の内部においてその流路の調整を行うことができ
るために、基板処理部へ送風される空気の温度分布の均
一性が悪化することを抑制することができる。これによ
り基板処理部における多様な処理条件に容易に対処する
ことができることとなり、生産効率を高めることが可能
となる。
風状態が複数箇所において制御される空気供給機構が用
いられているために、温度分布の均一性に優れた空気
を、基板にレジスト液を塗布する等の所定の処理を行う
基板処理部に送風することができる。これにより基板の
品質が高められ、ひいては製品に対する信頼性が高めら
れるという効果が得られる。また空気供給機構において
フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）への送風量を変化
させた場合であっても、フィルタチャンバユニット（Ｆ
ＣＵ）の内部においてその流路の調整を行うことができ
るために、基板処理部へ送風される空気の温度分布の均
一性が悪化することを抑制することができる。これによ
り基板処理部における多様な処理条件に容易に対処する
ことができることとなり、生産効率を高めることが可能
となる。
【図１】レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態
を示す概略平面図。
を示す概略平面図。
【図２】レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態
を示す概略正面図。
を示す概略正面図。
【図３】レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態
を示す概略背面図。
を示す概略背面図。
【図４】第１の処理部と第２の処理部に設けられた空気
供給機構の概略説明図。
供給機構の概略説明図。
【図５】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の一実施
形態を示す概略断面図。
形態を示す概略断面図。
【図６】レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の一実施
形態を示す概略平面図。
形態を示す概略平面図。
【図７】フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）の概略構
造を示す説明図。
造を示す説明図。
【図８】フィルタチャンバユニット（ＦＣＵ）内の第２
窓部に設けられるシャッタの一実施形態を示す平面図、
正面図、矢視図。
窓部に設けられるシャッタの一実施形態を示す平面図、
正面図、矢視図。
【図９】気流制御機構の一実施形態を示す平面図。
１；レジスト塗布・現像処理システム
３１；中空フレーム
３１ａ・３１ｂ；フレーム
３２；送風路
３３ａ・３３ｂ；ダンパ
３４；管壁部
３４ａ；第１窓部
３５；ヒータ
３６；第１壁部
３６ａ；第２窓部
３６ｂ；傾斜壁部
３７；第２壁部
３７ａ；傾斜壁部
３８；孔部
３９ａ・３９ｂ；パネル
４１；固定部材
４２；スライド機構
９１；第１空気導入室
９２；第２空気導入室
９３；気流制御機構
９４；フィルタユニット
９６ａ・９６ｂ；シャッタ
ＣＯＴ；レジスト塗布処理ユニット
ＦＣＵ；フィルタチャンバユニット
Claims (8)
- 【請求項１】 基板に所定の処理を施す基板処理部と、 所定温度に調節された空気を前記基板処理部の上方から
前記基板処理部に供給する空気供給機構と、 を具備する基板処理装置であって、 前記空気供給機構は、 水平方向に延在し、略鉛直に設けられた管壁部を有し、
前記管壁部に第１の窓部が設けられた筒体と、 前記筒体の内部に空気を送る送風装置と、 前記筒体の長手方向と直交する方向に設けられ、前記第
１の窓部を通して前記筒体の内部を流れる空気が取り入
れられる第１空気導入室と、 前記第１空気導入室に設けられ、前記第１空気導入室に
取り入れられた空気を加熱するヒータと、 前記第１空気導入室を形成し、前記管壁部と所定距離対
向して設けられた第１の壁部と、 前記第１の壁部の水平方向端から一定の距離範囲にある
壁面が前記第１空気導入室の上下方向を塞ぐように、前
記第１の壁部の上方かつ水平方向中央部の所定範囲に設
けられた第２の窓部と、 前記第２の窓部を介して前記第１空気導入室と連通し、
前記ヒータによって加熱された空気が前記第２の窓部を
通して取り入れられる第２空気導入室と、 前記第２空気導入室の下方に設けられ、前記第２空気導
入室に取り入れられた空気を濾過して前記基板処理部に
清浄な空気を供給するフィルタユニットと、 前記第２空気導入室と前記フィルタユニットとの間に設
けられ、前記第２空気導入室から前記フィルタユニット
への空気の流れを制御する気流制御機構と、 を有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記第１の窓部は、前記筒体の長さ方向
を長辺とする略長方形の開口形状を有することを特徴と
する請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記ヒータは、棒状形状を有し、その長
さ方向が前記筒体の長さ方向と略平行となるように前記
第１空気導入室に設けられていることを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記第１の壁部は、前記第２の窓部の開
口面積を変えることができるシャッタを有することを特
徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の
基板処理装置。 - 【請求項５】 前記空気供給機構は、前記第２空気導入
室を形成し、前記第１の壁部と所定距離対向して設けら
れた第２の壁部を有し、 前記第２の壁部は、前記第２の窓部を通って取り入れら
れた空気の流れが前記第２の壁部に衝突した際にその空
気を下方に導く傾斜部を有することを特徴とする請求項
１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記第１の壁部は、前記第２空気導入室
に取り入れられた空気の流れが前記第１の壁部に衝突し
た際にその空気を下方に導く傾斜部を、前記第２空気導
入室側に有することを特徴とする請求項５に記載の基板
処理装置。 - 【請求項７】 前記気流制御機構は、 同形状の孔部が複数箇所に同じパターンで形成され、表
裏面が対向するように平行に設けられた２枚のパネル
と、 前記パネルの一方を固定する固定部材と、 前記パネルの他方をスライドさせて、前記孔部の重なり
面積を変化させるスライド機構と、 を有することを特徴とする請求項１から請求項６のいず
れか１項に記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 前記基板処理部を収容し、複数のフレー
ム部材を有するハウジングをさらに具備し、 前記筒体は、前記複数のフレーム部材の中の１つである
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項
に記載の基板処理装置。
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