JP7441666B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
また、処理室は複数設けられ、複数の処理室は、上下に積層して配置される。各処理室において、処理液の圧力を増加させることなく処理部に処理液を送液することが可能である。そのため、複数の処理室を上下に積層することにより、フットプリントを増加させることなく、複数の処理部により並列的に基板を処理することが可能となる。これにより、基板の処理効率が向上する。また、各処理部に均一な圧力で処理液を送液することが可能であるので、基板の処理精度が向上する。
(14)第2の発明に係る基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する処理部と、処理液を第1の流路を通して処理部に送液する送液部と、処理部および送液部を収容する処理室と、処理液を貯留する処理液ボトルを含み、処理液ボトルに貯留された処理液を第2の流路を通して送液部に供給可能に構成された処理液供給部とを備え、処理室には、当該処理室内の空間を下部空間と下部空間の上方に位置する上部空間とに区画する隔壁が設けられ、処理部は、処理室の上部空間に配置され、送液部は、処理室の下部空間に配置され、第2の流路は、処理液供給部と送液部とを接続しかつ上下方向に延びる第1の流路部と、第1の流路部以外の第2の流路部とを含み、第1の流路部の断面積は、第2の流路部の断面積よりも大きい。
(15)第2の流路は、第1の流路部以外の第3の流路部をさらに含み、第2の流路において、第2の流路部は第1の流路部の上流に位置し、第3の流路部は第1の流路部の下流に位置し、第1の流路部の断面積は、第3の流路部の断面積よりも大きくてもよい。
(1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成の概略を説明するための模式的ブロック図である。図1に示すように、基板処理装置100は、例えば露光装置200に隣接するように設けられ、制御部10、搬送部20、配管システム30、塗布部40、現像部50および熱処理部60を備える。制御部10は、例えばCPU(中央演算処理装置)およびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、搬送部20、配管システム30、塗布部40、現像部50および熱処理部60の動作を制御する。
図3は、配管システム30および塗布部40の構成を示すブロック図である。図3では、一方の配管システム30および一方の塗布部40の構成が示されている。しかしながら、他方の配管システム30の構成は、図3の配管システム30と同様である。また、他方の塗布部40の構成は、図3の塗布部40の構成と同様である。
初期状態では、バルブv1~v8は閉止されている。また、基板保持部41は停止状態にあり、ノズル43は待機位置にある。まず、塗布処理の前に、リザーバタンク4に処理液が充填される。具体的には、バルブv1が開放される。この場合、気体供給部300から配管p1を通して処理液ボトル1内に気体が供給される。これにより、処理液ボトル1内の処理液が加圧され、配管p2を通してトラップタンク2に充填される。
図4は、制御部10の構成を示す図である。図5は、制御部10により実行される配管システム30および塗布部40の制御処理のアルゴリズムの一例を示すフローチャートである。図4に示すように、制御部10は、機能部として、充填部11、気泡排出部12、塗布制御部13および警告部14を含む。制御部10のCPUがメモリに記憶された制御プログラムを実行することにより、制御部10の機能部が実現される。制御部10の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、塗布部40および送液部32が下部処理室121および上部処理室122の各々に収容される。下部処理室121内の空間は、隔壁123により下部空間R1と上部空間R2とに区画される。上部処理室122内の空間は、隔壁124により下部空間R3と上部空間R4とに区画される。送液部32は下部空間R1,R3の各々に配置され、塗布部40は上部空間R2,R4の各々に配置される。処理液が送液部32により配管p11を通して塗布部40に送液される。送液部32により処理液を用いて塗布部40により基板Wが処理される。
第2の実施の形態に係る基板処理装置100について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。図6は、本発明の第2の実施の形態における配管システム30の構成を示すブロック図である。図6に示すように、本実施の形態においては、配管システム30の送液部32は、ポンプ5およびバルブv7を含まない。したがって、本実施の形態では、基板処理装置100に配管p10は設けられず、リザーバタンク4と塗布部40のノズル43とが配管p11により接続される。
第3の実施の形態に係る基板処理装置100について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100と異なる点を説明する。図7は、本発明の第3の実施の形態における配管システム30の構成を示すブロック図である。図7に示すように、本実施の形態においては、配管システム30の送液部32は、リザーバタンク4およびバルブv3,v5,v6を含まない。したがって、本実施の形態では、基板処理装置100に配管p10は設けられず、配管p5の下流端部とポンプ5とが配管p6により接続される。
(1)上記実施の形態において、処理液供給部31はインデクサブロック110に設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。処理液供給部31は、他のブロックに設けられてもよいし、下部空間R1,R3が十分に広い場合には下部空間R1,R3に設けられてもよい。あるいは、処理液供給部31が設けられたブロックが基板処理装置100に増設されてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明する。上記実施の形態においては、基板Wの例であり、塗布部40が処理部の例であり、送液部32が送液部の例である。下部処理室121または上部処理室122が処理室の例であり、下部空間R1,R3が下部空間の例であり、上部空間R2,R4が上部空間の例であり、隔壁123,124が隔壁の例である。基板処理装置が基板処理装置100の例であり、リザーバタンク4がリザーバタンクの例であり、ポンプ5がポンプの例であり、フィルタ3がフィルタの例であり、遮光部材34が第1または第2の遮光部材の例である。
[6]参考形態
(1)参考形態に係る基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する処理部と、処理液を第1の流路を通して処理部に送液する送液部と、処理部および送液部を収容する処理室とを備え、処理室には、当該処理室内の空間を下部空間と下部空間の上方に位置する上部空間とに区画する隔壁が設けられ、処理部は、処理室の上部空間に配置され、送液部は、処理室の下部空間に配置される。
この基板処理装置においては、処理部および送液部が処理室に収容される。処理室内の空間は、隔壁により上部空間と下部空間とに区画される。処理部は処理室の上部空間に配置され、送液部は処理室の下部空間に配置される。処理液が送液部により第1の流路を通して処理部に送液される。送液部により処理液を用いて処理部により基板が処理される。
この構成によれば、送液部と処理部との間の第1の流路を短くすることができる。したがって、第1の流路における圧損が低減される。この場合、送液効率がほとんど低下しないので、処理液を低い圧力で送液することが可能になる。また、処理液が低い圧力で送液されることにより、処理液中に気泡が発生する可能性が低減される。これらの結果、処理液の粘度が高い場合でも適切に基板処理を行うことができる。
(2)第1の流路は、隔壁を貫通するように設けられてもよい。この場合、第1の流路をより短くすることができる。これにより、処理液をより高い効率で送液することが可能になる。また、処理液中に気泡が発生する可能性がより低減される。そのため、処理液の粘度が高い場合でもより適切に基板処理を行うことができる。
(3)送液部は、処理部に送液される処理液を一時的に貯留するリザーバタンクを含んでもよい。この構成によれば、処理液が高い圧力で送液部に供給される場合でも、当該処理液の圧力がリザーバタンクにおいて低減される。また、送液部に供給される処理液中に気泡が存在する場合でも、リザーバタンクにおいて気泡を処理液から除去することが可能となる。そのため、処理液をより適切に処理部に送液することができる。
(4)送液部は、リザーバタンクの内部に気体が供給されることにより貯留された処理液を送液可能に構成されてもよい。この場合、リザーバタンクに貯留された処理液を処理部に容易に送液することができる。
(5)送液部は、リザーバタンクに貯留された処理液を処理部に送液するポンプをさらに含んでもよい。この場合、リザーバタンクに貯留された処理液を処理部に容易に送液することができる。
(6)送液部は、処理液が通過するフィルタを備え、リザーバタンクは、フィルタを通過した処理液を一時的に貯留してもよい。この構成によれば、送液部に供給される処理液中に気泡または不純物が存在する場合でも、フィルタにより気泡または不純物を処理液から除去することが可能となる。また、処理液が高い圧力でフィルタを通過する場合でも、当該処理液の圧力がリザーバタンクにおいて低減される。そのため、処理液をより適切に処理部に送液することができる。
(7)処理室は複数設けられ、複数の処理室は、上下に積層して配置されてもよい。各処理室において、処理液の圧力を増加させることなく処理部に処理液を送液することが可能である。そのため、複数の処理室を上下に積層することにより、フットプリントを増加させることなく、複数の処理部により並列的に基板を処理することが可能となる。これにより、基板の処理効率が向上する。また、各処理部に均一な圧力で処理液を送液することが可能であるので、基板の処理精度が向上する。
(8)基板処理装置は、第1の流路を遮光する第1の遮光部材をさらに備えてもよい。この構成によれば、処理液がネガ型の感光性を有する場合でも、処理液が固化することを容易に防止することができる。
(9)処理部は、送液部により送液された処理液を基板に吐出する吐出部と、送液部と吐出部との間の第1の流路を開閉するバルブと、バルブの下流に設けられかつ第1の流路を流れる処理液中の気泡の有無を検知する第1の気泡センサとを含んでもよい。この構成によれば、第1の流路を流れる処理液中に気泡が発生した場合、使用者は容易にその旨を認識することができる。そのため、気泡を含む処理液が基板に吐出され続けることを防止することができる。
(10)基板処理装置は、処理液を貯留する処理液ボトルを含む処理液供給部をさらに備え、処理液供給部は、処理液ボトルの内部に気体が供給されることにより貯留された処理液を第2の流路を通して送液部に供給可能に構成されてもよい。この場合、処理液を容易に送液部に供給することができる。
(11)処理液供給部は、処理液ボトルの下流に設けられかつ第2の流路を流れる処理液中の気泡の有無を検知する第2の気泡センサをさらに含んでもよい。この構成によれば、第2の流路を流れる処理液中に気泡が発生した場合、使用者は容易にその旨を認識することができる。そのため、気泡を含む処理液が基板に吐出され続けることを防止することができる。
(12)第2の流路は、処理液供給部と送液部とを接続しかつ上下方向に延びる第1の流路部と、第1の流路部以外の第2の流路部とを含み、第1の流路部の断面積は、第2の流路部の断面積よりも大きくてもよい。この場合、第2の流路の圧力損失を低減しつつ、第2の流路を流れる処理液中に気泡が発生しにくくすることができる。
(13)処理液供給部は、非透光性材料により形成されかつ処理液ボトルを収容する筐体部をさらに含んでもよい。この構成によれば、処理液がネガ型の感光性を有する場合でも、処理液が固化することを容易に防止することができる。
(14)基板処理装置は、第2の流路を遮光する第2の遮光部材をさらに備えてもよい。この構成によれば、処理液がネガ型の感光性を有する場合でも、処理液が固化することを容易に防止することができる。
Claims (15)
- 上下に積層して配置される複数の処理室と、
前記複数の処理室にそれぞれ対応して設けられ、処理液を用いて基板を処理する複数の処理部と、
前記複数の処理室にそれぞれ対応して設けられる複数の送液部とを備え、
各処理室には、当該処理室内の空間を下部空間と前記下部空間の上方に位置する上部空間とに区画する隔壁が設けられ、
各処理部は、対応する処理室の前記上部空間に配置され、
各送液部は、対応する処理室の前記下部空間に配置され、当該処理室の前記上部空間に配置された処理部に処理液を第1の流路を通して送液する、基板処理装置。 - 前記第1の流路は、前記隔壁を貫通するように設けられた、請求項1記載の基板処理装置。
- 各送液部は、対応する処理部に送液される処理液を一時的に貯留するリザーバタンクを含む、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 各送液部は、前記リザーバタンクの内部に気体が供給されることにより貯留された処理液を送液可能に構成された、請求項3記載の基板処理装置。
- 各送液部は、前記リザーバタンクに貯留された処理液を対応する処理部に送液するポンプをさらに含む、請求項3または4記載の基板処理装置。
- 各送液部は、処理液が通過するフィルタを備え、
前記リザーバタンクは、前記フィルタを通過した処理液を一時的に貯留する、請求項3~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の流路を遮光する第1の遮光部材をさらに備える、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 各処理部は、
対応する送液部により送液された処理液を基板に吐出する吐出部と、
対応する送液部と前記吐出部との間の前記第1の流路を開閉するバルブと、
前記バルブの下流に設けられかつ前記第1の流路を流れる処理液中の気泡の有無を検知する第1の気泡センサとを含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 複数の送液部にそれぞれ対応し、処理液を貯留する処理液ボトルを含む複数の処理液供給部をさらに備え、
各処理液供給部は、前記処理液ボトルの内部に気体が供給されることにより貯留された処理液を第2の流路を通して対応する送液部に供給可能に構成された、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 各処理液供給部は、前記処理液ボトルの下流に設けられかつ前記第2の流路を流れる処理液中の気泡の有無を検知する第2の気泡センサをさらに含む、請求項9記載の基板処理装置。
- 前記第2の流路は、各処理液供給部と対応する送液部とを接続しかつ上下方向に延びる第1の流路部と、前記第1の流路部以外の第2の流路部とを含み、
前記第1の流路部の断面積は、前記第2の流路部の断面積よりも大きい、請求項9または10記載の基板処理装置。 - 各処理液供給部は、非透光性材料により形成されかつ前記処理液ボトルを収容する筐体部をさらに含む、請求項9~11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第2の流路を遮光する第2の遮光部材をさらに備える、請求項9~12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 処理液を用いて基板を処理する処理部と、
処理液を第1の流路を通して前記処理部に送液する送液部と、
前記処理部および前記送液部を収容する処理室と、
処理液を貯留する処理液ボトルを含み、前記処理液ボトルに貯留された処理液を第2の流路を通して前記送液部に供給可能に構成された処理液供給部とを備え、
前記処理室には、当該処理室内の空間を下部空間と前記下部空間の上方に位置する上部空間とに区画する隔壁が設けられ、
前記処理部は、前記処理室の前記上部空間に配置され、
前記送液部は、前記処理室の前記下部空間に配置され、
前記第2の流路は、前記処理液供給部と前記送液部とを接続しかつ上下方向に延びる第1の流路部と、前記第1の流路部以外の第2の流路部とを含み、
前記第1の流路部の断面積は、前記第2の流路部の断面積よりも大きい、基板処理装置。 - 前記第2の流路は、前記第1の流路部以外の第3の流路部をさらに含み、
前記第2の流路において、前記第2の流路部は前記第1の流路部の上流に位置し、前記第3の流路部は前記第1の流路部の下流に位置し、
前記第1の流路部の断面積は、前記第3の流路部の断面積よりも大きい、請求項14記載の基板処理装置。
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