TWI766903B - 超臨界流體製造裝置及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種超臨界流體製造裝置，其係可吸收流經超臨界流體製造裝置內之處理流體的壓力變動或脈動，並且防止微粒滯留於緩衝槽的缺點。 　　[解決手段]超臨界流體製造裝置(70)，係具備有氣體供給管線(71a)、冷卻器(72)、泵(74)、緩衝槽(80)、加熱裝置(75)及超臨界流體供給管線(71c)。在緩衝槽(80)之預定位置設置來自泵(74)之處理液體流入的流入口(83)，在與流入口(83)不同的位置設置處理流體流出的流出口(84)。緩衝槽(80)，係具有：緩衝槽本體(85)，儲存來自泵(74)之處理流體；及加熱器(86)，加熱被送入至緩衝槽本體(85)之處理流體。

Description

超臨界流體製造裝置及基板處理裝置
本發明，係關於超臨界流體製造裝置及基板處理裝置。
在基板即半導體晶圓(以下，稱為晶圓)等的表面上形成積體電路之層積構造之半導體裝置的製造工程中，係進行藉由藥液等的洗淨液去除晶圓表面之微小灰塵或自然氧化膜等，利用液體來處理晶圓表面的液處理工程。
已知如下述之方法：在像這樣的液處理工程中，在去除殘留於晶圓之表面的液體之際，使用超臨界狀態的處理流體。
例如專利文獻1，係揭示如下述之基板處理裝置：使超臨界狀態之流體與基板接觸，去除殘留於基板的液體。又，專利文獻2，係揭示如下述之基板處理裝置：利用超臨界流體，從基板上溶解有機溶劑且使基板乾燥。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-12538號公報 　　[專利文獻2]日本特開2013-16798號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，以往，高壓流體從高壓流體製造裝置被供給至使用了超臨界流體等的高壓流體之基板處理裝置。在像這樣的高壓流體製造裝置中，係設置有儲液器，該儲液器，係用以吸收在對處理容器供給高壓流體之際的壓力變動或吸收泵所致之高壓流體的脈動。在該儲液器中，係封入橡膠膜等的蓄壓氣體被填充於緩衝容器內，在從供給配管側供給了高壓流體之際，使所封入之蓄壓氣體吸收高壓流體的壓力變動。
然而，在以往的儲液器中，係兼用使高壓流體流入緩衝容器的流入口與使高壓流體從緩衝容器流出的流出口。因此，被填充於儲液器之緩衝容器內的高壓流體會滯留，藉此，導致存在於高壓流體內之微粒亦滯留於儲液器的緩衝容器內。如此一來，當滯留於緩衝容器內之微粒間歇地流出至供給配管時，則有對基板之處理製程產生不良影響之虞。
本發明，係有鑑於像這樣的背景下而進行研究者，以提供一種可吸收流經超臨界流體製造裝置內之處理流體的壓力變動或脈動，並且防止微粒滯留於緩衝槽的缺點之超臨界流體製造裝置及基板處理裝置為目的。 [用以解決課題之手段]
本發明之一態樣，係關於一種超臨界流體製造裝置，其特徵係，具備有：氣體供給管線，供給氣體狀之處理流體；冷卻器，被連接於前述氣體供給管線，藉由冷卻來自前述氣體供給管線之氣體狀之處理流體的方式，生成液體狀之處理流體；泵，被連接於前述冷卻器，使來自前述冷卻器之液體狀之處理流體的壓力提高而送出；緩衝槽，被連接於前述泵，吸收來自前述泵之處理流體的壓力變動或脈動；加熱裝置，被連接於前述緩衝槽，加熱來自前述緩衝槽之處理流體；及超臨界流體供給管線，被連接於前述加熱裝置，送出來自前述加熱裝置之超臨界狀態的處理流體，在前述緩衝槽之預定位置設置來自前述泵之處理流體流入的流入口，在前述緩衝槽中之與前述流入口不同的位置設置處理流體流出的流出口，前述緩衝槽，係具有：緩衝槽本體，儲存來自前述泵之處理流體；及加熱器，加熱被送入至前述緩衝槽本體之處理流體。 [發明之效果]
根據本發明，可吸收流經超臨界流體製造裝置內之處理流體的壓力變動或脈動，並且防止微粒滯留於緩衝槽的缺點。
以下，參閱圖面，說明關於本發明之一實施形態。另外，在附加於本件說明書之圖面的構成中，係可包含為了方便易於進行圖示與理解，而將尺寸及縮尺等從實物進行變更的部分。
[洗淨處理系統之構成] 　　圖1，係表示洗淨處理系統1之整體構成的橫剖平面圖。
洗淨處理系統1，係具備有：複數個洗淨裝置2(在圖1所示的例子中，係2台洗淨裝置2)，將洗淨液供給至晶圓W且進行洗淨處理；及複數個超臨界處理裝置3(在圖1所示的例子中，係2台超臨界處理裝置3)，使殘留於洗淨處理後之晶圓W的防止乾燥用之液體(在本實施形態中，係IPA：異丙醇)與超臨界狀態之處理流體(在本實施形態中，係CO2 ：二氧化碳)接觸而去除。
在該洗淨處理系統1中，係FOUP100被載置於載置部11，儲存於該FOUP100的晶圓W則經由搬入搬出部12及收授部13被收授至洗淨處理部14及超臨界處理部15。在洗淨處理部14及超臨界處理部15中，晶圓W，係首先被搬入設置在洗淨處理部14的洗淨裝置2而接受洗淨處理，其後，被搬入設置在超臨界處理部15的超臨界處理裝置3而接受從晶圓W上去除IPA的乾燥處理。圖1中，符號「121」，係表示在FOUP100與收授部13之間搬送晶圓W的第1搬送機構，符號「131」，係表示扮演作為暫時載置在搬入搬出部12與洗淨處理部14及超臨界處理部15之間所搬送的晶圓W之緩衝之角色的收授棚架。
在收授部13之開口部，係連接有晶圓搬送路徑162，且沿著晶圓搬送路徑162設置有洗淨處理部14及超臨界處理部15。在洗淨處理部14，係隔著該晶圓搬送路徑162，各配置有1台洗淨裝置2，合計設置有2台洗淨裝置2。另一方面，在超臨界處理部15，係隔著晶圓搬送路徑162，各配置有1台作為進行從晶圓W去除IPA的乾燥處理之基板處理裝置而發揮功能的超臨界處理裝置3，合計設置有2台超臨界處理裝置3。在晶圓搬送路徑162，係配置有第2搬送機構161，第2搬送機構161，係被設置為可在晶圓搬送路徑162內移動。載置於收授棚架131之晶圓W，係藉由第2搬送機構161來接收，第2搬送機構161，係將晶圓W搬入洗淨裝置2及超臨界處理裝置3。另外，洗淨裝置2及超臨界處理裝置3之個數及配置態樣並不特別限定，可因應每單位時間之晶圓W的處理片數及各洗淨裝置2及各超臨界處理裝置3的處理時間等，以適當之態樣配置適當之個數的洗淨裝置2及超臨界處理裝置3。
洗淨裝置2，係例如被構成為藉由旋轉洗淨逐片洗淨晶圓W的枚葉式裝置。在該情況下，一面在水平地保持晶圓W的狀態下使其繞垂直軸旋轉，一面以適當之時序對晶圓W的處理面供給洗淨用之藥液或用以沖洗藥液的沖洗液，藉此，可進行晶圓W之洗淨處理。洗淨裝置2所使用的藥液及沖洗液並不特別限定。例如，可將鹼性之藥液即SC1液(亦即氨與過氧化氫水之混合液)供給至晶圓W，並從晶圓W去除微粒或有機性的污染物質。其後，可將沖洗液即去離子水(DIW：DeIonized Water)供給至晶圓W，並從晶圓W沖洗SC1液。而且，亦可將酸性之藥液即稀釋氫氟酸水溶液(DHF：Diluted HydroFluoric acid)供給至晶圓W而去除自然氧化膜，其後，將DIW供給至晶圓W而從晶圓W沖洗稀釋氫氟酸水溶液。
而且，洗淨裝置2，係在完成DIW所致之沖洗處理後，一面使晶圓W旋轉，一面將作為防止乾燥用之液體的IPA供給至晶圓W，並將殘存於晶圓W之處理面的DIW置換成IPA。其後，緩和地停止晶圓W之旋轉。此時，在晶圓W，係供給有充分量的IPA，形成有半導體之圖案之晶圓W的表面，係成為裝滿IPA的狀態，在晶圓W之表面，係形成有IPA的液膜。晶圓W，係一面維持裝滿IPA的狀態，一面藉由第2搬送機構161從洗淨裝置2被搬出。
如此一來，賦予至晶圓W之表面的IPA，係扮演防止晶圓W之乾燥的角色。特別是，為了防止因晶圓W從洗淨裝置2朝超臨界處理裝置3的搬送期間之IPA的蒸發而導致在晶圓W發生所謂圖案倒毀之情形，洗淨裝置2，係以使具有比較大之厚度的IPA膜被形成於晶圓W之表面的方式，將充分量之IPA賦予至晶圓W。
從洗淨裝置2所搬出的晶圓W，係藉由第2搬送機構161，在裝滿IPA的狀態下，被搬入超臨界處理裝置3之處理容器內，並在超臨界處理裝置3進行IPA的乾燥處理。
[超臨界處理裝置] 　　以下，說明關於使用了在超臨界處理裝置3所進行之超臨界流體之乾燥處理的細節。首先，說明在超臨界處理裝置3中搬入有晶圓W之處理容器的構成例，其後，說明超臨界處理裝置3之系統整體的構成例。
圖2，係表示超臨界處理裝置3之處理容器301之一例的外觀立體圖。
處理容器301，係具備有：殼體狀之容器本體311，形成有晶圓W之搬入搬出用之開口部312；保持板316，橫向地保持處理對象之晶圓W；及蓋構件315，在支撐該保持板316，並且將晶圓W搬入容器本體311內時，密封開口部312。
容器本體311，係在內部形成有可收容例如直徑300mm之晶圓W之處理空間的容器，在其壁部，係設置有供給埠313及排出埠314。供給埠313及排出埠314，係分別被連接於供給管線，該供給管線，係用以使被設置於處理容器301之上游側及下游側的處理流體流通。另外，在圖2中，雖係圖示了1個供給埠313及2個排出埠314，但供給埠313及排出埠314的個數並不特別限定。
在容器本體311內之一方的壁部，係設置有與供給埠313連通的流體供給集管317，在容器本體311內之另一方的壁部，係設置有與排出埠314連通的流體排出集管318。在流體供給集管317，係設置有多數個開孔，在流體排出集管318亦設置有多數個開孔，流體供給集管317及流體排出集管318，係被設置為相互對向。作為流體供給部而發揮功能之流體供給集管317，係在實質上朝向水平方向，將處理流體供給至容器本體311內。在此所謂水平方向，係指與重力作用之垂直方向垂直的方向，一般，係指與被保持於保持板316之晶圓W的平坦表面延伸之方向平行的方向。作為排出處理容器301內之流體之流體排出部而發揮功能的流體排出集管318，係將容器本體311內之流體引導至容器本體311外而排出。在經由流體排出集管318被排出至容器本體311外的流體，係除了經由流體供給集管317被供給至容器本體311內的處理流體外，另包含從晶圓W之表面溶入處理流體的IPA。如此一來，從流體供給集管317之開孔，將處理流體供給至容器本體311內，又，經由流體排出集管318之開孔，從容器本體311內排出流體，藉此，在容器本體311內，係形成有與晶圓W的表面大致平行地流動之處理流體的層流。
從減輕朝容器本體311內之處理流體的供給時及來自容器本體311之流體的排出時可施加至晶圓W之負荷的觀點來看，流體供給集管317及流體排出集管318，係設置有複數個為較佳。在後述之圖3所示的超臨界處理裝置3中，用以供給處理流體的2個供給管線雖係被連接於處理容器301，但在圖2中，為了容易理解，僅表示連接於1個供給管線的1個供給埠313及1個流體供給集管317。
處理容器301，係更具備有未圖示的推壓機構。該推壓機構，係扮演抵抗因被供給至處理空間內之超臨界狀態的處理流體所導致之內壓，且將蓋構件315朝向容器本體311推壓而密閉處理空間的角色。又，亦可在容器本體311之表面設置隔熱材料或帶狀加熱器等，使得被供給至處理空間內之處理流體可保持超臨界狀態的溫度。
[超臨界處理裝置之系統整體的構成] 　　圖3，係表示超臨界處理裝置3之系統整體之構成例的圖。
如圖3所示，超臨界處理裝置3，係具備有：本實施形態之超臨界流體製造裝置70；及處理容器301，使用來自超臨界流體製造裝置70之超臨界流體，對晶圓W進行超臨界流體處理。其中，關於處理容器301，係如前所說明(參閱圖2)。
超臨界流體製造裝置70，係被設置於比處理容器301更上游側。在超臨界處理裝置3中，處理流體從超臨界流體製造裝置70被供給至用以使處理流體(超臨界流體)流通的供給管線。在超臨界流體製造裝置70與處理容器301之間，係從上游側朝向下游側，依序設置有流通開閉閥52a、孔口55a、過濾器57及流通開閉閥52b。另外，在本說明書中，上游側及下游側的用語，係以供給管線中之處理流體的流動方向為基準。
流通開閉閥52a，係調整來自超臨界流體製造裝置70之處理流體的供給之開啟及關閉的閥，於開啟狀態下，係使處理流體在下游側之供給管線流動，於關閉狀態下，係使處理流體不在下游側之供給管線流動。在流通開閉閥52a處於開啟狀態的情況下，例如16～20MPa(兆帕)左右之高壓的處理流體從超臨界流體製造裝置70經由流通開閉閥52a被供給至供給管線。孔口55a，係扮演調整從超臨界流體製造裝置70所供給之處理流體之壓力的角色，可使壓力被調整成例如16MPa左右之處理流體流通於比孔口55a更下游側的供給管線。過濾器57，係去除從孔口55a輸送來的處理流體所含之異物，並使潔淨之處理流體在下游側流動。
流通開閉閥52b，係調整朝處理容器301之處理流體的供給之開啟及關閉的閥。從流通開閉閥52b延伸於處理容器301之第1供給管線63，係與上述之圖2及圖3所示的供給埠313連接，來自流通開閉閥52b之處理流體，係經由圖2及圖3所示之供給埠313被供給至處理容器301的容器本體311內。
另外，在圖3所示的超臨界處理裝置3中，係在過濾器57與流通開閉閥52b之間分歧出供給管線。亦即，從過濾器57與流通開閉閥52b之間的供給管線，係分歧延伸出經由流通開閉閥52c及孔口55b而連接於處理容器301的供給管線(第2供給管線64)、經由流通開閉閥52d及止回閥58a而連接於沖洗裝置62的供給管線及經由流通開閉閥52e及孔口55c而連接於外部的供給管線。
經由流通開閉閥52c及孔口55b而連接於處理容器301的第2供給管線64，係例如從處理容器301之底面，將處理流體供給至容器本體311內。第2供給管線64，係亦可使用作為用以朝處理容器301供給處理流體的輔助流路。例如像開始朝處理容器301供給處理流體的最初等般，在將比較多量的處理流體供給至處理容器301之際，流通開閉閥52c會被調整成開啟狀態，並可將藉由孔口55b調整了壓力的處理流體供給至處理容器301。
經由流通開閉閥52d及止回閥58a而連接於沖洗裝置62的供給管線，係用以將氮等的惰性氣體供給至處理容器301之流路，且被應用於停止從超臨界流體製造裝置70對處理容器301供給處理流體的期間。例如在以惰性氣體來充滿處理容器301且保持潔淨之狀態的情況下，係流通開閉閥52d及流通開閉閥52b被調整成開啟狀態，從沖洗裝置62被輸送至供給管線的惰性氣體，係經由止回閥58a、流通開閉閥52d及流通開閉閥52b被供給至處理容器301。
經由流通開閉閥52e及孔口55c而連接於外部的供給管線，係用以從供給管線排出處理流體的流路。例如在超臨界處理裝置3之電源關閉時，在將殘存於流通開閉閥52a與流通開閉閥52b之間之供給管線內的處理流體排出至外部之際，係流通開閉閥52e被調整成開啟狀態，且流通開閉閥52a與流通開閉閥52b之間的供給管線被連通於外部。
在比處理容器301更下游側，係從上游側朝向下游側，依序設置有流通開閉閥52f、排氣調整閥59、濃度計測感測器60及流通開閉閥52g。
流通開閉閥52f，係調整來自處理容器301之處理流體的排出之開啟及關閉的閥。在從處理容器301排出處理流體的情況下，流通開閉閥52f，係被調整成開啟狀態，在沒有從處理容器301排出處理流體的情況下，流通開閉閥52f，係被調整成關閉狀態。另外，延伸於處理容器301與流通開閉閥52f之間的供給管線(排出側供給管線65)，係與圖2所示的排出埠314連接。處理容器301之容器本體311內的流體，係經由圖2所示之流體排出集管318及排出埠314朝向流通開閉閥52f輸送。
排氣調整閥59，係調整來自處理容器301的流體之排出量的閥，例如可藉由背壓閥來構成。排氣調整閥59之開合度，係因應來自處理容器301之流體之所期望的排出量，在控制部4的控制下被適應性地調整。在本實施形態中，係例如進行流體從處理容器301被排出的處理，直至處理容器301內之流體的壓力成為預先設定的壓力。因此，排氣調整閥59，係可在處理容器301內之流體的壓力達到預先設定的壓力之際，以從開啟狀態轉變成關閉狀態的方式，調整開合度而停止來自處理容器301之流體的排出。
濃度計測感測器60，係計測從排氣調整閥59輸送來的流體所含之IPA濃度的感測器。
流通開閉閥52g，係調整來自處理容器301之流體朝外部排出之開啟及關閉的閥。在將流體排出至外部的情況下，流通開閉閥52g，係被調整成開啟狀態，在沒有排出流體的情況下，流通開閉閥52g，係被調整成關閉狀態。另外，在流通開閉閥52g之下游側，係設置有排氣調整針閥61a及止回閥58b。排氣調整針閥61a，係調整經由流通開閉閥52g輸送來的流體朝外部排出之排出量的閥，排氣調整針閥61a之開合度，係因應流體之所期望的排出量來調整。止回閥58b，係防止所排出的流體之逆流的閥，扮演將流體確實地排出至外部的角色。
另外，在圖3所示的超臨界處理裝置3中，係在濃度計測感測器60與流通開閉閥52g之間分歧出供給管線。亦即，從濃度計測感測器60與流通開閉閥52g之間的供給管線，係分歧延伸出經由流通開閉閥52h而連接於外部的供給管線、經由流通開閉閥52i而連接於外部的供給管線及經由流通開閉閥52j而連接於外部的供給管線。
流通開閉閥52h及流通開閉閥52i，係與流通開閉閥52g相同地，調整流體朝外部排出之開啟及關閉的閥。在流通開閉閥52h之下游側，係設置有排氣調整針閥61b及止回閥58c，進行流體之排出量的調整及流體的逆流防止。在流通開閉閥52i之下游側，係設置有止回閥58d，防止流體的逆流。流通開閉閥52j亦為調整流體朝外部排出之開啟及關閉的閥，在流通開閉閥52j之下游側，係設置有孔口55d，可將流體從流通開閉閥52j經由孔口55d排出至外部。但是，在圖3所示的例子中，係經由流通開閉閥52g、流通開閉閥52h及流通開閉閥52i被輸送至外部之流體的目的地與經由流通開閉閥52j被輸送至外部之流體的目地不同。因此，亦可將流體經由例如流通開閉閥52g、流通開閉閥52h及流通開閉閥52i輸送至未圖示的回收裝置，另一方面，經由流通開閉閥52j放出至大氣。
在從處理容器301排出流體的情況下，流通開閉閥52g、流通開閉閥52h、流通開閉閥52i及流通開閉閥52j中之1個以上的閥會被調整成開啟狀態。特別是，在超臨界處理裝置3之電源關閉時，係亦可將流通開閉閥52j調整成開啟狀態，且將殘存於濃度計測感測器60與流通開閉閥52g之間之供給管線的流體排出至外部。
另外，在上述之供給管線的各種部位設置有檢測流體之壓力的壓力感測器及檢測流體之溫度的溫度感測器。在圖3所示的例子中，係在流通開閉閥52a與孔口55a之間設置有壓力感測器53a及溫度感測器54a，在孔口55a與過濾器57之間設置有壓力感測器53b及溫度感測器54b，在過濾器57與流通開閉閥52b之間設置有壓力感測器53c，在流通開閉閥52b與處理容器301之間設置有溫度感測器54c，在孔口55b與處理容器301之間設置有溫度感測器54d。又，在處理容器301與流通開閉閥52f之間設置有壓力感測器53d及溫度感測器54f，在濃度計測感測器60與流通開閉閥52g之間設置有壓力感測器53e及溫度感測器54g。而且，設置有用以檢測處理容器301之內部即容器本體311內之流體的溫度之溫度感測器54e。
又，在超臨界處理裝置3中，加熱器H被設置於流動有處理流體的任意部位。在圖3中，雖係在比處理容器301更上游側之供給管線(亦即流通開閉閥52a與孔口55a之間、孔口55a與過濾器57之間､過濾器57與流通開閉閥52b之間及流通開閉閥52b與處理容器301之間)中圖示有加熱器H，但亦可在處理容器301及包含比處理容器301更下游側之供給管線的其他部位設置加熱器H。因此，亦可在直至從超臨界流體製造裝置70所供給之處理流體被排出至外部為止的全流路中，設置加熱器H。又，特別是，從調整供給至處理容器301之處理流體的溫度之觀點來看，係在可調整流經比處理容器301更上游側之處理流體的溫度之位置設置加熱器H為較佳。
而且，在孔口55a與過濾器57之間，係設置有安全閥56a，在處理容器301與流通開閉閥52f之間，係設置有安全閥56b，在濃度計測感測器60與流通開閉閥52g之間，係設置有安全閥56c。該些安全閥56a～56c，係扮演在供給管線內之壓力變得過大的情況等異常時，將供給管線連通於外部並將供給管線內之流體緊急地排出至外部的角色。
[超臨界流體製造裝置之構成] 　　其次，說明關於超臨界流體製造裝置70之構成。圖4，係表示超臨界流體製造裝置70之構成的概略流程圖。
超臨界流體製造裝置70，係具備有氣體供給管線71a、冷卻器72、儲存槽73、泵74、緩衝槽80、加熱裝置75及超臨界流體供給管線71c。該些氣體供給管線71a、冷卻器72、儲存槽73、泵74、緩衝槽80、加熱裝置75及超臨界流體供給管線71c，係被配置於殼體79之內部。
其中，氣體供給管線71a，係朝冷卻器72側供給從超臨界流體製造裝置70之外部所輸送之氣體狀的處理流體(在本實施形態中，係CO2 ：二氧化碳，亦稱為處理氣體)者。又，在超臨界流體製造裝置70之外部，係設置有氣體供給槽90，氣體供給管線71a，係被連接於該氣體供給槽90。氣體供給槽90，係儲存及供給處理氣體者。而且，處理氣體從氣體供給槽90被供給至氣體供給管線71a。另外，在氣體供給管線71a中，處理氣體之壓力，係被設成為例如4MPa以上6MPa以下，處理氣體之溫度，係被設成為例如-10℃以上75℃以下。
在氣體供給槽90與冷卻器72之間的氣體供給管線71a，係從上游側朝向下游側，依序設置有流通開閉閥82a、過濾器87a～87d、流通開閉閥82b及止回閥88。
流通開閉閥82a，係控制來自氣體供給槽90之處理氣體的供給之開啟及關閉的閥，於開啟狀態下，係使處理氣體在下游側之氣體供給管線71a流動，於關閉狀態下，係使處理氣體不在下游側之氣體供給管線71a流動。在流通開閉閥82a處於開啟狀態的情況下，處理氣體從氣體供給槽90經由流通開閉閥82a被供給至氣體供給管線71a。
過濾器87a～87d，係分別將流經氣體供給管線71a內之處理氣體所含的水分等吸附而去除，並使去除了水分等之處理氣體流向下游側者。在該情況下，在氣體供給管線71a，係並列地配置有複數個(4個)過濾器87a～87d。藉此，可抑制氣體供給管線71a中之處理氣體的壓力損失，並且容易進行過濾器87a～87d之維護。
流通開閉閥82b，係控制流經氣體供給管線71a內之處理流體的供給之開啟及關閉的閥。又，止回閥88，係扮演作為逆止閥的角色，該逆止閥，係使處理流體(處理氣體或處理液體)不會從冷卻器72朝上游側(過濾器87a～87d側)逆流。
另外，在圖4中，在過濾器87a～87d與流通開閉閥82a之間分歧出氣體供給管線71a。亦即，從過濾器87a～87d與流通開閉閥82a之間的氣體供給管線71a，係分歧延伸出：分流處理氣體管線71d，不經由過濾器87a～87d，將來自流通開閉閥82a之處理氣體朝止回閥88送入；及排氣管線71e，經由流通開閉閥82d而連接於外部。
在分流處理氣體管線71d，係設置有流通開閉閥82c。該流通開閉閥82c，係控制流經分流處理氣體管線71d內之處理氣體的供給之開啟及關閉的閥。排氣管線71e，係用以將來自氣體供給管線71a之氣體排出至外部的管線。在排氣管線71e，係設置有流通開閉閥82d。該流通開閉閥82d，係控制是否將流經排氣管線71e內之處理氣體排出外部的閥。例如在超臨界流體製造裝置70之電源關閉時，在將殘存於流通開閉閥82a與止回閥88之間之氣體供給管線71a內的處理氣體排出至外部之際，係流通開閉閥82d被調整成開啟狀態，且流通開閉閥82a與止回閥88之間的氣體供給管線被連通於外部。
氣體供給管線71a，係被連接於冷卻器72的入口側。該冷卻器72，係藉由冷卻來自氣體供給管線71a之處理氣體的方式，使處理氣體液化而生成液體狀之處理流體(亦稱為處理液體)者。冷卻水從未圖示之外部的冷凝器被供給至冷卻器72，藉由該冷卻水，使處理氣體冷卻。藉由冷卻器72使處理氣體冷卻而生成處理液體，藉此，可使用泵74，將處理流體(處理液體)送入至緩衝槽80側。另外，在冷卻器72之出口側，處理液體之壓力，係被設成為例如4MPa以上6MPa以下，處理液體之溫度，係被設成為例如0℃以上5℃以下。
在冷卻器72之出口側，係連接有液體供給管線71b。該液體供給管線71b，係將來自冷卻器72之處理液體供給至緩衝槽80側者。液體供給管線71b，係從冷卻器72依序經由儲存槽73及泵74延伸至緩衝槽80。
在冷卻器72與泵74之間的液體供給管線71b，係分別設置有儲存槽73與流通開閉閥82e。其中，儲存槽73，係暫時儲存被冷卻器72冷卻而液化的處理液體者。冷卻水從例如上述的冷凝器被供給至儲存槽73，且儲存槽73內之處理液體被冷卻。在該情況下，儲存槽73內之處理液體，係被維持為例如0℃以上5℃以下。如此一來，藉由在冷卻器72與泵74之間設置儲存槽73的方式，可將被冷卻器72液化而生成的處理液體穩定地送入至泵74。
流通開閉閥82e，係控制從儲存槽73所輸送之處理液體的供給之開啟及關閉的閥，於開啟狀態下，係使處理液體在下游側之液體供給管線71b流動，於關閉狀態下，係使處理液體不在下游側之液體供給管線71b流動。在流通開閉閥82e處於開啟狀態的情況下，來自儲存槽73之處理液體，係經由液體供給管線71b被供給至泵74。
泵74之入口側，係經由儲存槽73被連接於冷卻器72。該泵74，係由例如高壓用定量泵所構成，扮演使來自冷卻器72之處理液體的壓力提高而送出至出口側的角色。在泵74之出口側，處理液體之壓力，係超過使處理液體變化成超臨界流體所需的臨界壓力，例如被提高至7.4MPa以上23MPa以下。又，在泵74之出口側，處理液體之溫度，係例如成為15℃以上30℃以下。
在泵74之出口側，係連接有緩衝槽80。該緩衝槽80，係吸收從泵74所送出而流經泵74與加熱裝置75之間的供給管線(液體供給管線71b、超臨界流體供給管線71c)之處理流體(處理液體或超臨界流體)的壓力變動或脈動者。來自液體供給管線71b之處理液體流入該緩衝槽80。流入緩衝槽80之處理液體，係在緩衝槽80的內部被加熱。藉此，處理液體之溫度超過變化成超臨界流體所需的臨界溫度，成為超臨界狀態之處理流體(亦稱為超臨界流體)而從緩衝槽80流出。
在本實施形態中，在緩衝槽80之預定位置設置來自泵74之處理液體流入的流入口83，在緩衝槽80中之與流入口83不同的位置設置超臨界流體流出的流出口84。因此，在緩衝槽80之內部，由於從流入口83朝向流出口84產生處理流體(處理液體或超臨界流體)的流動，因此，微粒不會滯留於緩衝槽80之內部。該結果，防止滯留於緩衝槽80之內部的微粒間歇地從緩衝槽80被排出而輸送至處理容器301側的缺點。在緩衝槽80之出口側，超臨界流體之壓力，係例如成為7.4MPa以上23MPa以下。又，在緩衝槽80之出口側，超臨界流體之溫度，係例如被提高至20℃以上40℃以下。另外，關於緩衝槽80之詳細的構成，係如後述。
在緩衝槽80之出口側，係連接有超臨界流體供給管線71c。該超臨界流體供給管線71c，係將來自緩衝槽80之超臨界流體經由加熱裝置75送出至超臨界流體製造裝置70的外部(處理容器301側)者。超臨界流體供給管線71c，係從緩衝槽80經由加熱裝置75延伸至超臨界流體製造裝置70的外部。
在緩衝槽80之出口側，係連接有加熱裝置75。該加熱裝置75，係加熱來自緩衝槽80之超臨界流體者。在加熱裝置75中，藉由超臨界流體被加熱的方式，超臨界流體，係被加熱至適於處理容器301中之超臨界乾燥處理的溫度。具體而言，在加熱裝置75之出口側，超臨界流體之溫度，係例如被提高至40℃以上100℃以下。又，在加熱裝置75之出口側，超臨界流體之壓力，係例如成為7.4MPa以上23MPa以下。
在加熱裝置75之下游側的超臨界流體供給管線71c，係從上游側朝向下游側，依序設置有過濾器89a、89b及流通開閉閥82f。
過濾器89a、89b，係分別將流經超臨界流體供給管線71c內之超臨界流體所含的微粒等去除，並使去除了微粒等之超臨界流體流向下游側者。在該情況下，在超臨界流體供給管線71c，係並列地配置有複數個(2個)過濾器89a、89b。藉此，可抑制超臨界流體供給管線71c中之超臨界流體的壓力損失，並且容易進行過濾器89a、89b之維護。
流通開閉閥82f，係控制流經超臨界流體供給管線71c內之超臨界流體的供給之開啟及關閉的閥。在該情況下，流通開閉閥82f，係進行是否從超臨界流體製造裝置70朝處理容器301送出超臨界流體的控制。亦即，在流通開閉閥82f成為了開啟的狀態下，係超臨界流體從超臨界流體製造裝置70被供給至處理容器301。另一方面，在流通開閉閥82f成為了關閉的狀態下，係超臨界流體從超臨界流體製造裝置70被供給至處理容器301。
又，加熱裝置75之下游側與冷卻器72之上游側，係藉由循環管線71f來連接。更具體而言，循環管線71f，係連接下游側分歧部91b與上游側分歧部91a，該下游側分歧部91b，係位於過濾器89a、89b與流通開閉閥82f之間，該上游側分歧部91a，係位於止回閥88與冷卻器72之間。
又，在循環管線71f，係設置有流通開閉閥82g與調壓閥76。其中，流通開閉閥82g，係控制從下游側分歧部91b朝向上游側分歧部91a流經循環管線71f內之處理流體(超臨界流體)的通過之開啟及關閉的閥。亦即，在流通開閉閥82g成為了開啟的狀態下，超臨界流體從下游側分歧部91b流向調壓閥76。另一方面，在流通開閉閥82f成為了關閉的狀態下，超臨界流體不會從下游側分歧部91b流向調壓閥76。另外，一般，在藉由超臨界流體製造裝置70來製造超臨界流體的期間，流通開閉閥82g，係被維持為開啟(開)狀態。因此，一般，超臨界流體供給管線71c與調壓閥76，係被保持為彼此連通的狀態。
調壓閥76，係扮演使流經內部之處理流體(超臨界流體)之壓力維持為一定的角色。調壓閥76，係在流經其內部之處理流體的壓力超過了預先設定之壓力閾值的情況下，使處理流體從其入口側(下游側分歧部91b側)流向其出口側(上游側分歧部91a側)。另一方面，調壓閥76，係在流經其內部之處理流體的壓力未超過上述壓力閾值的情況下，不使處理流體流動。
另外，在流經調壓閥76內之處理流體的壓力超過了上述壓力閾值的情況下，處理流體從調壓閥76之入口側(下游側分歧部91b側)流向出口側(上游側分歧部91a側)。通過了調壓閥76之處理流體，係藉由壓力下降而氣化的方式，恢復成處理氣體。該處理氣體，係通過上游側分歧部91a再度流入冷卻器72。在處理流體從調壓閥76之入口側朝向出口側流動了一定程度後，連接於調壓閥76之入口側之循環管線71f內的壓力下降。其後，當調壓閥76之內部的壓力低於壓力閾值時，調壓閥76之內部之處理流體的流動便停止。如此一來，藉由適當地設定調壓閥76之壓力閾值的方式，可設定從超臨界流體製造裝置70朝處理容器301送入之超臨界流體之壓力的上限。具體而言，在從超臨界流體製造裝置70朝處理容器301送入之超臨界流體的壓力超過了壓力閾值時，超臨界流體之一部分經由調壓閥76朝向上游側分歧部91a流出。藉此，流經循環管線71f之超臨界流體的壓力下降至壓力閾值。如此一來，從超臨界流體製造裝置70朝處理容器301送入之超臨界流體的壓力被保持為一定。
[緩衝槽之構成] 　　其次，說明關於上述之緩衝槽80的構成。圖5，係表示緩衝槽80之構成的概略剖面圖。
如圖5所示，緩衝槽80，係具有：緩衝槽本體85，送入有處理液體L；及加熱器86，加熱被送入至緩衝槽本體85之處理液體L。
其中，緩衝槽本體85，係儲存從泵74所供給之處理流體(處理液體L及超臨界流體R)者，具有以大致圓筒狀的形狀作為全體。在圖5中，緩衝槽本體85，係具有：筒狀部92，位於下方；及蓋部93，位於上方並且可裝卸地連結於筒狀部92。藉由將該些筒狀部92與蓋部93彼此連結的方式，構成內部被密閉的收容空間85a。處理流體(處理液體L及超臨界流體R)被儲存於該收容空間85a。緩衝槽本體85之容量，係例如500ml以上1000ml以下。如此一來，藉由將緩衝槽本體85之容量構成為較大的方式，可更確實地吸收處理流體(處理液體或超臨界流體)的壓力變動或脈動。
加熱器86，係被捲裝於緩衝槽本體85之周圍。該加熱器86，係藉由加熱被送入至緩衝槽本體85之高壓的處理液體L之方式，使處理液體L之溫度上升而變化成超臨界流體R者。例如，藉由加熱器86，處理液體L之溫度，係被提高至超過成為超臨界流體R所需之臨界溫度的溫度，例如31℃以上。在該情況下，加熱器86，係涵蓋整周地覆蓋緩衝槽本體85之側面部。然而，不限於此，加熱器86，係亦可覆蓋緩衝槽本體85的側面部中之周方向的一部分。抑或，加熱器86，係亦可將緩衝槽本體85之側面部與底部一起覆蓋。
如圖5所示，在使用緩衝槽80之期間，在緩衝槽本體85的內部，成為如下述之狀態：在收容空間85a之上部，係存在有處理液體L，在收容空間85a之下部，係存在有超臨界流體R。如此一來，在藉由處理液體L與超臨界流體R共存於緩衝槽本體85之內部的方式，將超臨界流體R供給至處理容器301之際，超臨界流體R之壓力發生變化或脈動發生於從泵74所輸送之處理液體L的情況下，非壓縮性之處理液體L與壓縮性之超臨界流體R的界面B上下移動。如此一來，藉由界面B上下移動的方式，可吸收將超臨界流體R供給至處理容器301時之壓力的變化或從泵74所輸送之處理液體L的脈動。
又，緩衝槽80，係具有來自泵74之處理液體L流入的流入口83與在緩衝槽80所生成之超臨界流體R朝向加熱裝置75流出的流出口84。在本實施形態中，流入口83，係位於緩衝槽80的垂直方向上部，具體而言為蓋部93的上端。又，流出口84，係位於緩衝槽80的垂直方向下部，具體而言為筒狀部92的下端。藉此，在緩衝槽本體85之內部，產生所謂從流入口83流入之處理液體L變化成超臨界流體R而從流出口84流出的穩定流動。因此，即便微粒混入於流入緩衝槽本體85之內部的處理液體L，該微粒亦不會滯留於緩衝槽本體85之內部，可從流出口84確實地排出微粒。該結果，防止滯留於緩衝槽80之內部的微粒間歇地從緩衝槽80被排出而輸送至處理容器301側的缺點。
[超臨界流體之製造方法] 　　其次，參閱圖4，說明關於使用超臨界流體製造裝置70，從處理氣體製造超臨界流體的方法。
首先，將超臨界流體製造裝置70之流通開閉閥82a、82b、82e、82f、82g設成為開啟狀態(開)，並且將流通開閉閥82c、82d設成為關閉狀態(關)。
其次，將氣體狀之處理流體(處理氣體)從氣體供給槽90供給至超臨界流體製造裝置70。該處理氣體，係流經超臨界流體製造裝置70之氣體供給管線71a而被輸送至冷卻器72。另外，在該期間，處理氣體，係依序通過被設置於氣體供給管線71a的流通開閉閥82a、過濾器87a～87d、流通開閉閥82b及止回閥88。而且，處理氣體，係藉由通過過濾器87a～87d的方式，去除所含有的水分。
其次，在冷卻器72中，冷卻來自氣體供給管線71a之處理氣體，藉此，生成液體狀的處理流體(處理液體)。該處理液體，係通過液體供給管線71b從冷卻器72被輸送至儲存槽73，並暫時被儲存於儲存槽73。其次，來自儲存槽73之處理液體，係使用泵74供給至緩衝槽80。在該期間，處理液體，係通過被設置於液體供給管線71b的流通開閉閥82e，藉由泵74被加壓至例如7.4MPa以上23MPa以下左右的壓力。
接著，高壓之處理液體，係流入緩衝槽80。流入該緩衝槽80之處理液體，係藉由在緩衝槽80之內部被加熱的方式，成為超臨界狀態之處理流體(超臨界流體)，從緩衝槽80流出。另外，在緩衝槽80之出口側，超臨界流體之壓力，係成為例如7.4MPa以上23MPa以下，超臨界流體之溫度，係成為例如40℃以上100℃以下。
如上述，藉由處理液體與超臨界流體共存在緩衝槽80內的方式，非壓縮性之處理液體與壓縮性之超臨界流體的界面上下變動。因此，即便為例如藉由切換流通開閉閥82f之開閉的方式，使超臨界流體供給管線71c中之超臨界流體的壓力發生變化的情況下，亦可藉由在緩衝槽80內，處理液體與超臨界流體之界面上下移動的方式，吸收該壓力變動。又，在緩衝槽80內，藉由處理液體與超臨界流體之界面上下移動的方式，可吸收從泵74所輸送之處理液體的脈動。
接著，從緩衝槽80流出之超臨界流體，係經由超臨界流體供給管線71c到達加熱裝置75。在該加熱裝置75中，超臨界流體，係被加熱至適於處理容器301中之超臨界乾燥處理的溫度，例如40℃以上100℃以下左右的溫度。
其次，由於被加熱裝置75加熱，因此，超臨界流體，係依序通過被設置於超臨界流體供給管線71c的過濾器89a、89b及流通開閉閥82f，並從超臨界流體製造裝置70流出至處理容器301。在該期間，超臨界流體，係在過濾器89a、89b去除微粒等。
另一方面，超臨界流體之一部分，係從超臨界流體供給管線71c，在下游側分歧部91b分歧，流入循環管線71f。在該循環管線71f中，超臨界流體，係經由流通開閉閥82g到達調壓閥76。而且，調壓閥76，係在流經內部之超臨界流體的壓力超過了預先設定之壓力閾值的情況下，使超臨界流體流向其上游側分歧部91a側。此時，通過了調壓閥76之超臨界流體，係藉由壓力下降而氣化的方式，恢復成處理氣體。該處理氣體，係通過上游側分歧部91a再度流入冷卻器72。另一方面，調壓閥76，係在超臨界流體之壓力未超過上述壓力閾值的情況下，不使超臨界流體流動。如此一來，從超臨界流體製造裝置70朝處理容器301送入之超臨界流體的壓力被保持為一定。
[超臨界乾燥處理] 　　其次，說明關於使用本實施形態之超臨界處理裝置3進行IPA之乾燥處理的方法。
首先，將在洗淨裝置2中實施了洗淨處理的晶圓W搬送至超臨界處理裝置3。在該洗淨裝置2中，係例如依該順序進行鹼性藥液即SC1液所致之微粒或有機性之污染物質的去除、沖洗液即去離子水(DIW)所致之沖洗洗淨、酸性藥液即稀釋氫氟酸水溶液(DHF)所致之自然氧化膜的去除、DIW所致之沖洗洗淨，最後，IPA被裝滿於晶圓表面。而且，晶圓W，係維持該狀態被洗淨裝置2搬出，並搬送至超臨界處理裝置3之處理容器301。
朝該處理容器301之搬送，係例如使用第2搬送機構161來進行(參閱圖1)。將晶圓搬送至處理容器301時，係在第2搬送機構161將晶圓W收授至於收授位置待機的保持板316後，從保持板316之上方位置退避。
其次，使保持板316沿水平方向滑動，且使保持板316移動至容器本體311內的處理位置。接著，在裝滿於晶圓W表面的IPA乾燥之前，開放流通開閉閥52b、52c，藉此，經由第1供給管線63、第2供給管線64，將來自超臨界流體製造裝置70之高壓的超臨界流體供給至容器本體311之內部(參閱圖3)。藉此，將容器本體311之內部的壓力升壓至例如14～16MPa左右。
另一方面，在容器本體311內，係當被供給至該容器本體311內的超臨界流體與裝滿於晶圓W的IPA接觸時，所裝滿之IPA，係逐漸溶解於超臨界流體而逐漸置換為超臨界流體。而且，在晶圓W之圖案間，隨著從IPA置換為超臨界流體的進行，IPA從圖案間被去除，最後，圖案P間僅被超臨界流體填滿。該結果，晶圓W之表面，雖係形成從液體之IPA被置換為超臨界流體，但由於在平衡狀態中，液體IPA與超臨界流體之間未形成界面，因此，可不引起圖案倒毀而將晶圓W表面的流體置換為超臨界流體。
其後，對容器本體311內供給超臨界流體後，經過一預先設定的時間，在晶圓W之表面成為被超臨界流體置換的狀態後，則開放流通開閉閥52f，將容器本體311內之氛圍從流體排出集管318朝向容器本體311外方排出。藉此，容器本體311內之壓力，係逐漸降低，容器本體311內之處理流體，係從超臨界的狀態變化成氣體的狀態。此時，由於超臨界狀態與氣體之間未形成界面，因此，可使表面張力不對被形成於晶圓W之表面的圖案產生作用而進行晶圓W之乾燥。
藉由以上之製程，在結束晶圓W的超臨界處理後，為了將殘存於容器本體311內之氣體的處理流體排出，從未圖示之沖洗氣體供給管線供給N2 氣體，朝向流體排出集管318進行沖洗。而且，在僅以預先決定之時間進行N2 氣體的供給而完成沖洗，且容器本體311內恢復成大氣壓後，使保持板316水平方向地移動至收授位置，並使用第2搬送機構161搬出結束了超臨界處理的晶圓W。
如以上說明，根據本實施形態，在緩衝槽80之預定位置設置來自泵74之處理流體(處理液體)流入的流入口83，在緩衝槽80中之與流入口83不同的位置設置處理流體(超臨界流體)流出的流出口84。在該情況下，由於不是兼用為流入口與流出口，因此，在緩衝槽80之內部，從流入口83朝向流出口84產生處理流體(處理液體或超臨界流體)的穩定流動。因此，即便處理流體中含有微粒，該微粒亦不會滯留於緩衝槽80之內部。該結果，防止滯留於緩衝槽80之內部的微粒間歇地從緩衝槽80被排出而輸送至處理容器301側的缺點。
又，根據本實施形態，緩衝槽80，係具有：緩衝槽本體85，儲存來自泵74之處理流體(處理液體或超臨界流體)；及加熱器86，加熱被送入至緩衝槽本體85之處理流體(處理液體或超臨界流體)。藉此，藉由加熱被送入至緩衝槽本體85之高壓之處理液體的方式，可生成超臨界流體。
又，根據本實施形態，由於緩衝槽本體85之容量，係500ml以上1000ml以下，因此，緩衝槽本體85之容量構成為較大。藉此，可使用緩衝槽80，確實地吸收處理流體(處理液體或超臨界流體)的壓力變動或脈動。
而且，根據本實施形態，緩衝槽80之流入口83，係位於緩衝槽80的垂直方向上部，緩衝槽80之流出口84，係位於緩衝槽80的垂直方向下部。藉此，在緩衝槽本體85的內部，從上方朝向下方，產生處理流體之穩定流動。該結果，即便微粒混入於處理液體，該微粒亦不會滯留於緩衝槽本體85之內部，可從流出口84確實地排出微粒。
而且，根據本實施形態，設置有將加熱裝置75之下游側與冷卻器72之上游側連接的循環管線71f，在循環管線71f，係設置有調壓閥76。藉此，可將流經調壓閥76之內部之處理流體(超臨界流體)的壓力維持為一定，並使從超臨界流體製造裝置70朝處理容器301送入之超臨界流體的壓力穩定化。
而且，根據本實施形態，在冷卻器72與泵74之間設置有儲存槽73，該儲存槽73，係儲存被冷卻器72冷卻而液化的處理液體。藉此，暫時儲存被冷卻器72液化而生成的處理液體，並且可將該處理液體穩定地送入至泵74。
本發明，係不限定於上述之實施形態及變形例者，亦可包含該領域具有通常知識者能想到之施加了各種變形的各種態樣者，藉由本發明所達到的效果亦不限定於上述事項。因此，在不脫離本發明之技術思想及主旨的範圍下，可對申請專利範圍及說明書所記載的各要素進行各種追加、變更及部分刪除。
例如，用於乾燥處理的處理流體，係亦可為CO2 以外的流體，且可使用能夠以超臨界狀態來去除被裝滿於基板之凹部的防止乾燥用之液體的任意流體來作為處理流體。又，防止乾燥用之液體亦不限定於IPA，亦可使用能夠使用的任意液體來作為防止乾燥用液體。
3‧‧‧超臨界處理裝置70‧‧‧超臨界流體製造裝置71a‧‧‧氣體供給管線71b‧‧‧液體供給管線71c‧‧‧超臨界流體供給管線71f‧‧‧循環管線72‧‧‧冷卻器73‧‧‧儲存槽74‧‧‧泵75‧‧‧加熱裝置79‧‧‧殼體80‧‧‧緩衝槽83‧‧‧流入口84‧‧‧流出口85‧‧‧緩衝槽本體86‧‧‧加熱器90‧‧‧氣體供給槽301‧‧‧處理容器311‧‧‧容器本體W‧‧‧晶圓
[圖1]圖1，係表示洗淨處理系統之整體構成的橫剖平面圖。 　　[圖2]圖2，係表示超臨界處理裝置之處理容器之一例的外觀立體圖。 　　[圖3]圖3，係表示超臨界處理裝置之系統整體之構成例的圖。 　　[圖4]圖4，係表示超臨界處理裝置之超臨界流體製造裝置之構成例的圖。 　　[圖5]圖5，係表示緩衝槽的概略垂直剖面圖。
3‧‧‧超臨界處理裝置
70‧‧‧超臨界流體製造裝置
71a‧‧‧氣體供給管線
71b‧‧‧液體供給管線
71c‧‧‧超臨界流體供給管線
71d‧‧‧分流處理氣體管線
71e‧‧‧排氣管線
71f‧‧‧循環管線
72‧‧‧冷卻器
73‧‧‧儲存槽
74‧‧‧泵
75‧‧‧加熱裝置
76‧‧‧調壓閥
79‧‧‧殼體
80‧‧‧緩衝槽
82a‧‧‧流通開閉閥
82b‧‧‧流通開閉閥
82c‧‧‧流通開閉閥
82d‧‧‧流通開閉閥
82e‧‧‧流通開閉閥
82f‧‧‧流通開閉閥
82g‧‧‧流通開閉閥
83‧‧‧流入口
84‧‧‧流出口
87a‧‧‧過濾器
87b‧‧‧過濾器
87c‧‧‧過濾器
87d‧‧‧過濾器
88‧‧‧止回閥
89a‧‧‧過濾器
89b‧‧‧過濾器
90‧‧‧氣體供給槽
91a‧‧‧上游側分歧部
91b‧‧‧下游側分歧部
301‧‧‧處理容器

Claims (6)

  1. 一種超臨界流體製造裝置，其特徵係，具備有：氣體供給管線，供給氣體狀之處理流體；冷卻器，被連接於前述氣體供給管線，藉由冷卻來自前述氣體供給管線之氣體狀之處理流體的方式，生成液體狀之處理流體；泵，被連接於前述冷卻器，使來自前述冷卻器之液體狀之處理流體的壓力提高而送出；緩衝槽，被連接於前述泵，吸收來自前述泵之處理流體的壓力變動或脈動；加熱裝置，被連接於前述緩衝槽，加熱來自前述緩衝槽之處理流體；及超臨界流體供給管線，被連接於前述加熱裝置，送出來自前述加熱裝置之超臨界狀態的處理流體，在前述緩衝槽之預定位置設置來自前述泵之處理流體流入的流入口，在前述緩衝槽中之與前述流入口不同的位置設置處理流體流出的流出口，前述緩衝槽，係具有：緩衝槽本體，儲存來自前述泵之處理流體；及加熱器，加熱被送入至前述緩衝槽本體之處理流體，當在前述處理流體產生壓力變動或脈動時，存在於前述緩衝槽的內部之前述液體狀的處理流體與前述超臨界狀態的處理流體之界面上下移動，吸收前述處理流體的壓力 變動或脈動。
  2. 如申請專利範圍第1項之超臨界流體製造裝置，其中，前述緩衝槽本體之容量，係500ml以上1000ml以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之超臨界流體製造裝置，其中，前述緩衝槽之前述流入口，係位於前述緩衝槽的垂直方向上部，前述緩衝槽之前述流出口，係位於前述緩衝槽的垂直方向下部。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之超臨界流體製造裝置，其中，設置有將前述加熱裝置之下游側與前述冷卻器之上游側連接的循環管線，在前述循環管線，係設置有調壓閥。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之超臨界流體製造裝置，其中，在前述冷卻器與前述泵之間設置有儲存槽，該儲存槽，係儲存被前述冷卻器冷卻而液化之液體狀的處理流體。
  6. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： 如申請專利範圍第1~5項中任一項之超臨界流體製造裝置；及處理容器，使用來自前述超臨界流體製造裝置之超臨界狀態的處理流體，對基板進行超臨界流體處理。
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