JP6804278B2 - 超臨界流体製造装置および基板処理装置 - Google Patents

超臨界流体製造装置および基板処理装置 Download PDF

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Description

本発明は、超臨界流体製造装置および基板処理装置に関する。
基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという)などの表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液などの洗浄液によりウエハ表面の微小なごみや自然酸化膜を除去するなど、液体を利用してウエハ表面を処理する液処理工程が行われている。
こうした液処理工程にてウエハの表面に残留した液体を除去する際に、超臨界状態の処理流体を用いる方法が知られている。
例えば特許文献1は、超臨界状態の流体を基板と接触させて、基板に残留した液体を除去する基板処理装置を開示する。また特許文献2は、超臨界流体を利用して基板の上から有機溶剤を溶解して基板を乾燥させる基板処理装置を開示する。
特開2013−12538号公報 特開2013−16798号公報
ところで、従来、超臨界流体等の高圧流体を用いた基板処理装置には、高圧流体製造装置から高圧流体が供給される。このような高圧流体製造装置においては、処理容器に対して高圧流体を供給する際の圧力変動を吸収したり、ポンプによる高圧流体の脈動を吸収したりするためのアキュムレータが設けられている。このアキュムレータにおいては、バッファ容器内にゴム膜等に封入した蓄圧気体が充填され、供給配管側から高圧流体を供給した際に、封入された蓄圧気体が高圧流体の圧力変動を吸収するようになっている。
しかしながら、従来のアキュムレータにおいては、高圧流体をバッファ容器に流入する流入口と、高圧流体をバッファ容器から流出させる流出口とが兼用されている。このため、アキュムレータのバッファ容器内に充填された高圧流体が滞留し、これにより、高圧流体内に存在するパーティクルもアキュムレータのバッファ容器内に滞留してしまう。このようにバッファ容器内に滞留したパーティクルが、間欠的に供給配管に流れ出してしまうと、基板の処理プロセスに悪影響を及ぼすおそれがある。
本発明はこのような背景の下なされたものであり、超臨界流体製造装置内を流れる処理流体の圧力変動又は脈動を吸収するとともに、バッファタンクにパーティクルが滞留する不具合を防止することが可能な、超臨界流体製造装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、超臨界流体製造装置において、ガス状の処理流体を供給するガス供給ラインと、前記ガス供給ラインに接続され、前記ガス供給ラインからのガス状の処理流体を冷却することにより液体状の処理流体を生成する冷却器と、前記冷却器に接続され、前記冷却器からの液体状の処理流体の圧力を高めて送り出すポンプと、前記ポンプに接続され、前記ポンプからの処理流体の圧力変動又は脈動を吸収するバッファタンクと、前記バッファタンクに接続され、前記バッファタンクからの処理流体を加熱する加熱装置と、前記加熱装置に接続され、前記加熱装置からの超臨界状態の処理流体を送り出す超臨界流体供給ラインと、を備え、前記バッファタンクの所定位置に、前記ポンプからの処理流体が流入する流入口が設けられ、前記バッファタンクのうち前記流入口と異なる位置に、処理流体が流出する流出口が設けられ、前記バッファタンクは、前記ポンプからの処理流体を貯留するバッファタンク本体と、前記バッファタンク本体に送り込まれた処理流体を加熱するヒーターとを有する超臨界流体製造装置に関する。
本発明によれば、超臨界流体製造装置内を流れる処理流体の圧力変動又は脈動を吸収するとともに、バッファタンクにパーティクルが滞留する不具合を防止することができる。
図1は、洗浄処理システムの全体構成を示す横断平面図である。 図2は、超臨界処理装置の処理容器の一例を示す外観斜視図である。 図3は、超臨界処理装置のシステム全体の構成例を示す図である。 図4は、超臨界処理装置の超臨界流体製造装置の構成例を示す図である。 図5は、バッファタンクを示す概略垂直断面図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。
[洗浄処理システムの構成]
図1は、洗浄処理システム1の全体構成を示す横断平面図である。
洗浄処理システム1は、ウエハWに洗浄液を供給して洗浄処理を行う複数の洗浄装置2(図1に示す例では2台の洗浄装置2)と、洗浄処理後のウエハWに残留している乾燥防止用の液体(本実施形態ではIPA:イソプロピルアルコール)を、超臨界状態の処理流体(本実施形態ではCO:二酸化炭素)と接触させて除去する複数の超臨界処理装置3(図1に示す例では2台の超臨界処理装置3)と、を備える。
この洗浄処理システム1では、載置部11にFOUP100が載置され、このFOUP100に格納されたウエハWが、搬入出部12及び受け渡し部13を介して洗浄処理部14及び超臨界処理部15に受け渡される。洗浄処理部14及び超臨界処理部15において、ウエハWは、まず洗浄処理部14に設けられた洗浄装置2に搬入されて洗浄処理を受け、その後、超臨界処理部15に設けられた超臨界処理装置3に搬入されてウエハW上からIPAを除去する乾燥処理を受ける。図1中、符合「121」はFOUP100と受け渡し部13との間でウエハWを搬送する第1の搬送機構を示し、符合「131」は搬入出部12と洗浄処理部14及び超臨界処理部15との間で搬送されるウエハWが一時的に載置されるバッファとしての役割を果たす受け渡し棚を示す。
受け渡し部13の開口部にはウエハ搬送路162が接続されており、ウエハ搬送路162に沿って洗浄処理部14及び超臨界処理部15が設けられている。洗浄処理部14には、当該ウエハ搬送路162を挟んで洗浄装置2が1台ずつ配置されており、合計2台の洗浄装置2が設置されている。一方、超臨界処理部15には、ウエハWからIPAを除去する乾燥処理を行う基板処理装置として機能する超臨界処理装置3が、ウエハ搬送路162を挟んで1台ずつ配置されており、合計2台の超臨界処理装置3が設置されている。ウエハ搬送路162には第2の搬送機構161が配置されており、第2の搬送機構161は、ウエハ搬送路162内を移動可能に設けられている。受け渡し棚131に載置されたウエハWは第2の搬送機構161によって受け取られ、第2の搬送機構161は、ウエハWを洗浄装置2及び超臨界処理装置3に搬入する。なお、洗浄装置2及び超臨界処理装置3の数及び配置態様は特に限定されず、単位時間当たりのウエハWの処理枚数及び各洗浄装置2及び各超臨界処理装置3の処理時間等に応じて、適切な数の洗浄装置2及び超臨界処理装置3が適切な態様で配置される。
洗浄装置2は、例えばスピン洗浄によってウエハWを1枚ずつ洗浄する枚葉式の装置として構成される。この場合、ウエハWを水平に保持した状態で鉛直軸線周りに回転させながら、洗浄用の薬液や薬液を洗い流すためのリンス液をウエハWの処理面に対して適切なタイミングで供給することで、ウエハWの洗浄処理を行うことができる。洗浄装置2で用いられる薬液及びリンス液は特に限定されない。例えば、アルカリ性の薬液であるSC1液(すなわちアンモニアと過酸化水素水の混合液)をウエハWに供給し、ウエハWからパーティクルや有機性の汚染物質を除去することができる。その後、リンス液である脱イオン水(DIW:DeIonized Water)をウエハWに供給し、SC1液をウエハWから洗い流すことができる。さらに、酸性の薬液である希フッ酸水溶液(DHF:Diluted HydroFluoric acid)をウエハWに供給して自然酸化膜を除去し、その後、DIWをウエハWに供給して希フッ酸水溶液をウエハWから洗い流すこともできる。
そして洗浄装置2は、DIWによるリンス処理を終えたら、ウエハWを回転させながら、乾燥防止用の液体としてIPAをウエハWに供給し、ウエハWの処理面に残存するDIWをIPAと置換する。その後、ウエハWの回転を緩やかに停止する。このとき、ウエハWには十分量のIPAが供給され、半導体のパターンが形成されたウエハWの表面はIPAが液盛りされた状態となり、ウエハWの表面にはIPAの液膜が形成される。ウエハWは、IPAが液盛りされた状態を維持しつつ、第2の搬送機構161によって洗浄装置2から搬出される。
このようにしてウエハWの表面に付与されたIPAは、ウエハWの乾燥を防ぐ役割を果たす。特に、洗浄装置2から超臨界処理装置3へのウエハWの搬送中におけるIPAの蒸発によってウエハWに所謂パターン倒れが生じてしまうことを防ぐため、洗浄装置2は、比較的大きな厚みを有するIPA膜がウエハWの表面に形成されるように、十分な量のIPAをウエハWに付与する。
洗浄装置2から搬出されたウエハWは、第2の搬送機構161によって、IPAが液盛りされた状態で超臨界処理装置3の処理容器内に搬入され、超臨界処理装置3においてIPAの乾燥処理が行われる。
[超臨界処理装置]
以下、超臨界処理装置3で行われる超臨界流体を用いた乾燥処理の詳細について説明する。まず、超臨界処理装置3においてウエハWが搬入される処理容器の構成例を説明し、その後、超臨界処理装置3のシステム全体の構成例を説明する。
図2は、超臨界処理装置3の処理容器301の一例を示す外観斜視図である。
処理容器301は、ウエハWの搬入出用の開口部312が形成された筐体状の容器本体311と、処理対象のウエハWを横向きに保持する保持板316と、この保持板316を支持するとともに、ウエハWを容器本体311内に搬入したとき開口部312を密閉する蓋部材315とを備える。
容器本体311は、例えば直径300mmのウエハWを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート313及び排出ポート314が設けられている。供給ポート313及び排出ポート314は、それぞれ、処理容器301の上流側及び下流側に設けられる処理流体を流通させるための供給ラインに接続されている。なお、図2には1つの供給ポート313及び2つの排出ポート314が図示されているが、供給ポート313及び排出ポート314の数は特に限定されない。
容器本体311内の一方の壁部には供給ポート313に連通する流体供給ヘッダー317が設けられ、容器本体311内の他方の壁部には排出ポート314に連通する流体排出ヘッダー318が設けられている。流体供給ヘッダー317には多数の開孔が設けられ、流体排出ヘッダー318にも多数の開孔が設けられており、流体供給ヘッダー317及び流体排出ヘッダー318は相互に対向するように設置されている。流体供給部として機能する流体供給ヘッダー317は、実質的に水平方向へ向けて処理流体を容器本体311内に供給する。ここでいう水平方向とは、重力が作用する鉛直方向と垂直な方向であって、通常は、保持板316に保持されたウエハWの平坦な表面が延在する方向と平行な方向である。処理容器301内の流体を排出する流体排出部として機能する流体排出ヘッダー318は、容器本体311内の流体を、容器本体311外に導いて排出する。流体排出ヘッダー318を介して容器本体311外に排出される流体には、流体供給ヘッダー317を介して容器本体311内に供給された処理流体の他に、ウエハWの表面から処理流体に溶け込んだIPAが含まれる。このように流体供給ヘッダー317の開孔から容器本体311内に処理流体が供給されることによって、また流体排出ヘッダー318の開孔を介して流体が容器本体311内から排出されることによって、容器本体311内には、ウエハWの表面と略平行に流動する処理流体の層流が形成される。
容器本体311内への処理流体の供給時及び容器本体311からの流体の排出時にウエハWに加えられうる負荷を軽減する観点からは、流体供給ヘッダー317及び流体排出ヘッダー318は複数設けられることが好ましい。後述の図3に示す超臨界処理装置3では、処理流体を供給するための2つの供給ラインが処理容器301に接続されているが、図2では、理解を容易にするため1つの供給ラインに接続される1つの供給ポート313及び1つの流体供給ヘッダー317のみが示されている。
処理容器301は、さらに、不図示の押圧機構を備える。この押圧機構は、処理空間内に供給された超臨界状態の処理流体によってもたらされる内圧に抗して、容器本体311に向けて蓋部材315を押し付け、処理空間を密閉する役割を果たす。また、処理空間内に供給された処理流体が超臨界状態の温度を保てるように、容器本体311の表面に断熱材やテープヒータなどが設けられてもよい。
[超臨界処理装置のシステム全体の構成]
図3は、超臨界処理装置3のシステム全体の構成例を示す図である。
図3に示すように、超臨界処理装置3は、本実施形態による超臨界流体製造装置70と、超臨界流体製造装置70からの超臨界流体を用いて、ウエハWに対して超臨界流体処理を行う処理容器301とを備えている。このうち処理容器301については、既に説明したとおりである(図2参照)。
超臨界流体製造装置70は、処理容器301よりも上流側に設けられている。超臨界処理装置3において処理流体(超臨界流体)を流通させるための供給ラインには、超臨界流体製造装置70から処理流体が供給される。超臨界流体製造装置70と処理容器301との間には、上流側から下流側に向かって、流通オンオフバルブ52a、オリフィス55a、フィルタ57及び流通オンオフバルブ52bが順次設けられる。なお、本明細書中、上流側及び下流側の用語は、供給ラインにおける処理流体の流れ方向を基準とする。
流通オンオフバルブ52aは、超臨界流体製造装置70からの処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の供給ラインに処理流体を流し、閉状態では下流側の供給ラインに処理流体を流さない。流通オンオフバルブ52aが開状態にある場合、例えば16〜20MPa(メガパスカル)程度の高圧の処理流体が、超臨界流体製造装置70から流通オンオフバルブ52aを介して供給ラインに供給される。オリフィス55aは、超臨界流体製造装置70から供給される処理流体の圧力を調整する役割を果たし、オリフィス55aよりも下流側の供給ラインには、例えば16MPa程度に圧力が調整された処理流体を流通させることができる。フィルタ57は、オリフィス55aから送られてくる処理流体に含まれる異物を取り除き、クリーンな処理流体を下流側に流す。
流通オンオフバルブ52bは、処理容器301への処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ52bから処理容器301に延在する第1供給ライン63は、上述の図2及び図3に示す供給ポート313に接続し、流通オンオフバルブ52bからの処理流体は、図2及び図3に示す供給ポート313を介して処理容器301の容器本体311内に供給される。
なお図3に示す超臨界処理装置3では、フィルタ57と流通オンオフバルブ52bとの間において、供給ラインが分岐している。すなわちフィルタ57と流通オンオフバルブ52bとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ52c及びオリフィス55bを介して処理容器301に接続する供給ライン(第2供給ライン64)、流通オンオフバルブ52d及びチェックバルブ58aを介してパージ装置62に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ52e及びオリフィス55cを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。
流通オンオフバルブ52c及びオリフィス55bを介して処理容器301に接続する第2供給ライン64は、例えば処理容器301の底面から容器本体311内に処理流体を供給する。第2供給ライン64は、処理容器301への処理流体の供給のための補助的な流路として用いても良い。例えば処理容器301への処理流体の供給開始当初等のように、比較的多量の処理流体を処理容器301に供給する際に流通オンオフバルブ52cが開状態に調整され、オリフィス55bによって圧力が調整された処理流体を処理容器301に供給することができる。
流通オンオフバルブ52d及びチェックバルブ58aを介してパージ装置62に接続する供給ラインは、窒素等の不活性ガスを処理容器301に供給するための流路であり、超臨界流体製造装置70から処理容器301に対する処理流体の供給が停止している間に活用される。例えば処理容器301を不活性ガスで満たして清浄な状態を保つ場合には、流通オンオフバルブ52d及び流通オンオフバルブ52bが開状態に調整され、パージ装置62から供給ラインに送られた不活性ガスはチェックバルブ58a、流通オンオフバルブ52d及び流通オンオフバルブ52bを介して処理容器301に供給される。
流通オンオフバルブ52e及びオリフィス55cを介して外部に接続する供給ラインは、供給ラインから処理流体を排出するための流路である。例えば超臨界処理装置3の電源オフ時において、流通オンオフバルブ52aと流通オンオフバルブ52bとの間の供給ライン内に残存する処理流体を外部に排出する際には、流通オンオフバルブ52eが開状態に調整され、流通オンオフバルブ52aと流通オンオフバルブ52bとの間の供給ラインが外部に連通される。
処理容器301よりも下流側には、流通オンオフバルブ52f、排気調整バルブ59、濃度計測センサ60及び流通オンオフバルブ52gが、上流側から下流側に向かって順次設けられている。
流通オンオフバルブ52fは、処理容器301からの処理流体の排出のオン及びオフを調整するバルブである。処理容器301から処理流体を排出する場合には流通オンオフバルブ52fは開状態に調整され、処理容器301から処理流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ52fは閉状態に調整される。なお処理容器301と流通オンオフバルブ52fとの間に延在する供給ライン(排出側供給ライン65)は、図2に示す排出ポート314に接続されている。処理容器301の容器本体311内の流体は、図2に示す流体排出ヘッダー318及び排出ポート314を介して、流通オンオフバルブ52fに向かって送られる。
排気調整バルブ59は、処理容器301からの流体の排出量を調整するバルブであり、例えば背圧弁によって構成することが可能である。排気調整バルブ59の開度は、処理容器301からの流体の所望の排出量に応じて、制御部4の制御下で適応的に調整される。本実施形態では、例えば処理容器301内の流体の圧力が予め定められた圧力になるまで、処理容器301から流体が排出される処理が行われる。そのため排気調整バルブ59は、処理容器301内の流体の圧力が予め定められた圧力に達した際に、開状態から閉状態に移行するように開度を調整して処理容器301からの流体の排出を止めることができる。
濃度計測センサ60は、排気調整バルブ59から送られてくる流体に含まれるIPA濃度を計測するセンサである。
流通オンオフバルブ52gは、処理容器301からの流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流体を外部に排出する場合には流通オンオフバルブ52gは開状態に調整され、流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ52gは閉状態に調整される。なお流通オンオフバルブ52gの下流側には、排気調整ニードルバルブ61a及びチェックバルブ58bが設けられている。排気調整ニードルバルブ61aは、流通オンオフバルブ52gを介して送られてくる流体の外部への排出量を調整するバルブであり、排気調整ニードルバルブ61aの開度は流体の所望の排出量に応じて調整される。チェックバルブ58bは、排出される流体の逆流を防ぐ弁であり、流体を確実に外部に排出する役割を果たす。
なお図3に示す超臨界処理装置3では、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間において、供給ラインが分岐している。すなわち濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ52hを介して外部に接続する供給ライン、流通オンオフバルブ52iを介して外部に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ52jを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。
流通オンオフバルブ52h及び流通オンオフバルブ52iは、流通オンオフバルブ52gと同様に、流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ52hの下流側には、排気調整ニードルバルブ61b及びチェックバルブ58cが設けられ、流体の排出量の調整及び流体の逆流防止が行われる。流通オンオフバルブ52iの下流側にはチェックバルブ58dが設けられ、流体の逆流が防止されている。流通オンオフバルブ52jも流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブであり、流通オンオフバルブ52jの下流側にはオリフィス55dが設けられ、流通オンオフバルブ52jからオリフィス55dを介して外部に流体を排出することができる。ただし、図3に示す例では、流通オンオフバルブ52g、流通オンオフバルブ52h及び流通オンオフバルブ52iを介して外部に送られる流体の行き先と、流通オンオフバルブ52jを介して外部に送られる流体の行き先とは異なっている。したがって流体を、例えば流通オンオフバルブ52g、流通オンオフバルブ52h及び流通オンオフバルブ52iを介して図示しない回収装置に送る一方で、流通オンオフバルブ52jを介して大気に放出することも可能である。
処理容器301から流体を排出する場合、流通オンオフバルブ52g、流通オンオフバルブ52h、流通オンオフバルブ52i及び流通オンオフバルブ52jのうちの1以上のバルブが開状態に調整される。特に超臨界処理装置3の電源オフ時には、流通オンオフバルブ52jを開状態に調整して、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間の供給ラインに残存する流体を外部に排出するようにしてもよい。
なお、上述の供給ラインの様々な箇所に流体の圧力を検出する圧力センサ及び流体の温度を検出する温度センサが設置される。図3に示す例では、流通オンオフバルブ52aとオリフィス55aとの間に圧力センサ53a及び温度センサ54aが設けられ、オリフィス55aとフィルタ57との間に圧力センサ53b及び温度センサ54bが設けられ、フィルタ57と流通オンオフバルブ52bとの間に圧力センサ53cが設けられ、流通オンオフバルブ52bと処理容器301との間に温度センサ54cが設けられ、オリフィス55bと処理容器301との間に温度センサ54dが設けられている。また処理容器301と流通オンオフバルブ52fとの間に圧力センサ53d及び温度センサ54fが設けられ、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間に圧力センサ53e及び温度センサ54gが設けられている。さらに、処理容器301の内部である容器本体311内の流体の温度を検出するための温度センサ54eが設けられている。
また、超臨界処理装置3において処理流体が流れる任意の箇所にヒータHが設けられる。図3には、処理容器301よりも上流側の供給ライン(すなわち流通オンオフバルブ52aとオリフィス55aの間、オリフィス55aとフィルタ57の間、フィルタ57と流通オンオフバルブ52bの間、及び流通オンオフバルブ52bと処理容器301の間)においてヒータHが図示されているが、処理容器301及び処理容器301よりも下流側の供給ラインを含む他の箇所にヒータHが設けられていてもよい。したがって、超臨界流体製造装置70から供給される処理流体が外部に排出されるまでの全流路においてヒータHが設けられてもよい。また特に、処理容器301に供給する処理流体の温度を調整する観点からは、処理容器301よりも上流側を流れる処理流体の温度を調整することができる位置にヒータHが設けられていることが好ましい。
さらに、オリフィス55aとフィルタ57の間には安全バルブ56aが設けられ、処理容器301と流通オンオフバルブ52fとの間には安全バルブ56bが設けられ、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gの間には安全バルブ56cが設けられている。これらの安全バルブ56a〜56cは、供給ライン内の圧力が過大になった場合等の異常時において供給ラインを外部に連通し、供給ライン内の流体を緊急的に外部に排出する役割を果たす。
[超臨界流体製造装置の構成]
次に、超臨界流体製造装置70の構成について説明する。図4は、超臨界流体製造装置70の構成を示す概略フロー図である。
超臨界流体製造装置70は、ガス供給ライン71aと、冷却器72と、貯留タンク73と、ポンプ74と、バッファタンク80と、加熱装置75と、超臨界流体供給ライン71cと、を備えている。これらガス供給ライン71a、冷却器72、貯留タンク73、ポンプ74、バッファタンク80、加熱装置75、及び超臨界流体供給ライン71cは、筐体79の内部に配置されている。
このうちガス供給ライン71aは、超臨界流体製造装置70の外部から送られたガス状の処理流体(本実施形態ではCO:二酸化炭素、処理ガスともいう)を冷却器72側へ供給するものである。また超臨界流体製造装置70の外部にはガス供給タンク90が設けられており、ガス供給ライン71aは、このガス供給タンク90に接続されている。ガス供給タンク90は、処理ガスを貯留および供給するものである。そしてガス供給ライン71aには、ガス供給タンク90から処理ガスが供給される。なお、ガス供給ライン71aにおいて、処理ガスの圧力は、例えば4MPa以上6MPa以下、処理ガスの温度は、例えば−10℃以上75℃以下とされている。
ガス供給タンク90と冷却器72との間のガス供給ライン71aには、上流側から下流側に向かって、流通オンオフバルブ82a、フィルタ87a〜87d、流通オンオフバルブ82b及びチェックバルブ88が順次設けられている。
流通オンオフバルブ82aは、ガス供給タンク90からの処理ガスの供給のオン及びオフを制御するバルブであり、開状態では下流側のガス供給ライン71aに処理ガスを流し、閉状態では下流側のガス供給ライン71aに処理ガスを流さない。流通オンオフバルブ82aが開状態にある場合、処理ガスがガス供給タンク90から流通オンオフバルブ82aを介してガス供給ライン71aに供給される。
フィルタ87a〜87dは、それぞれガス供給ライン71a内を流れる処理ガスに含まれる水分等を吸着して取り除き、水分等が除去された処理ガスを下流側に流すものである。この場合、ガス供給ライン71aには、複数(4つ)のフィルタ87a〜87dが並列に配置されている。これにより、ガス供給ライン71aにおける処理ガスの圧力損失を抑制するとともに、フィルタ87a〜87dのメンテナンスが行いやすいようになっている。
流通オンオフバルブ82bは、ガス供給ライン71a内を流れる処理ガスの供給のオン及びオフを制御するバルブである。またチェックバルブ88は、冷却器72から上流側(フィルタ87a〜87d側)へ処理流体(処理ガス又は処理液体)が逆流しないようにする逆止弁としての役割を果たす。
なお図4においては、フィルタ87a〜87dと流通オンオフバルブ82aとの間において、ガス供給ライン71aが分岐している。すなわちフィルタ87a〜87dと流通オンオフバルブ82aとの間のガス供給ライン71aからは、フィルタ87a〜87dを介在させることなく、流通オンオフバルブ82aからの処理ガスをチェックバルブ88へ送り込むバイパス処理ガスライン71dと、流通オンオフバルブ82dを介して外部に接続するベントライン71eとが分岐して延在する。
バイパス処理ガスライン71dには、流通オンオフバルブ82cが設けられている。この流通オンオフバルブ82cは、バイパス処理ガスライン71d内を流れる処理ガスの供給のオン及びオフを制御するバルブである。ベントライン71eは、ガス供給ライン71aからのガスを外部に排出するためのラインである。ベントライン71eには、流通オンオフバルブ82dが設けられている。この流通オンオフバルブ82dは、ベントライン71e内を流れる処理ガスを外部へ排出するか否かを制御するバルブである。例えば超臨界流体製造装置70の電源オフ時において、流通オンオフバルブ82aとチェックバルブ88との間のガス供給ライン71a内に残存する処理ガスを外部に排出する際には、流通オンオフバルブ82dが開状態に調整され、流通オンオフバルブ82aとチェックバルブ88との間のガス供給ラインが外部に連通される。
ガス供給ライン71aは、冷却器72の入口側に接続されている。この冷却器72は、ガス供給ライン71aからの処理ガスを冷却することにより、処理ガスを液化して液体状の処理流体(処理液体ともいう)を生成するものである。冷却器72には、図示しない外部のチラーから冷却水が供給され、この冷却水によって処理ガスが冷却されるようになっている。冷却器72によって処理ガスが冷却されて、処理液体を生成することにより、ポンプ74を用いて処理流体(処理液体)をバッファタンク80側に送り込むことが可能となる。なお、冷却器72の出口側において、処理液体の圧力は、例えば4MPa以上6MPa以下とされ、処理液体の温度は、例えば0℃以上5℃以下とされる。
冷却器72の出口側には、液体供給ライン71bが接続されている。この液体供給ライン71bは、冷却器72からの処理液体をバッファタンク80側へ供給するものである。液体供給ライン71bは、冷却器72から、貯留タンク73及びポンプ74を順次介してバッファタンク80まで延びている。
冷却器72とポンプ74との間の液体供給ライン71bには、貯留タンク73と、流通オンオフバルブ82eとがそれぞれ設けられている。このうち貯留タンク73は、冷却器72で冷却されて液化した処理液体を一時的に貯留するものである。貯留タンク73には、例えば上述したチラーから冷却水が供給され、貯留タンク73内の処理液体が冷却される。この場合、貯留タンク73内の処理液体は、例えば0℃以上5℃以下に維持されている。このように、冷却器72とポンプ74との間に貯留タンク73を設けたことにより、冷却器72で液化されて生成した処理液体を、安定的にポンプ74に送り込むことができる。
流通オンオフバルブ82eは、貯留タンク73から送られた処理液体の供給のオン及びオフを制御するバルブであり、開状態では下流側の液体供給ライン71bに処理液体を流し、閉状態では下流側の液体供給ライン71bに処理液体を流さないようになっている。流通オンオフバルブ82eが開状態にある場合、貯留タンク73からの処理液体は、液体供給ライン71bを介してポンプ74に供給される。
ポンプ74の入口側は、貯留タンク73を介して冷却器72に接続されている。このポンプ74は、例えば高圧用定量ポンプからなり、冷却器72からの処理液体の圧力を高めて出口側に送り出す役割を果たす。ポンプ74の出口側において、処理液体の圧力は、処理液体を超臨界流体に変化させるのに必要な臨界圧力を上回っており、例えば7.4MPa以上23MPa以下まで高められる。また、ポンプ74の出口側において、処理液体の温度は、例えば15℃以上30℃以下となる。
ポンプ74の出口側には、バッファタンク80が接続されている。このバッファタンク80は、ポンプ74から送り出され、ポンプ74と加熱装置75との間の供給ライン(液体供給ライン71b、超臨界流体供給ライン71c)を流れる処理流体(処理液体又は超臨界流体)の圧力変動又は脈動を吸収するものである。このバッファタンク80には、液体供給ライン71bからの処理液体が流入する。バッファタンク80に流入した処理液体は、バッファタンク80の内部で加熱される。これにより、処理液体の温度が超臨界流体に変化するのに必要な臨界温度を上回り、超臨界状態の処理流体(超臨界流体ともいう)となってバッファタンク80から流出する。
本実施形態において、バッファタンク80の所定位置に、ポンプ74からの処理液体が流入する流入口83が設けられ、バッファタンク80のうち流入口83と異なる位置に、超臨界流体が流出する流出口84が設けられている。したがって、バッファタンク80の内部において、流入口83から流出口84へ向けて処理流体(処理液体又は超臨界流体)の流れが生じるので、バッファタンク80の内部にパーティクルが滞留することがない。この結果、バッファタンク80の内部に滞留したパーティクルが間欠的にバッファタンク80から排出されて処理容器301側に送られる不具合が防止される。バッファタンク80の出口側において、超臨界流体の圧力は、例えば7.4MPa以上23MPa以下となっている。また、バッファタンク80の出口側において、超臨界流体の温度は、例えば20℃以上40℃以下まで高められる。なお、バッファタンク80の詳細な構成については後述する。
バッファタンク80の出口側には、超臨界流体供給ライン71cが接続されている。この超臨界流体供給ライン71cは、バッファタンク80からの超臨界流体を、加熱装置75を介して超臨界流体製造装置70の外部(処理容器301側)へ送り出すものである。超臨界流体供給ライン71cは、バッファタンク80から、加熱装置75を介して超臨界流体製造装置70の外部まで延びている。
バッファタンク80の出口側には、加熱装置75が接続されている。この加熱装置75は、バッファタンク80からの超臨界流体を加熱するものである。加熱装置75において超臨界流体が加熱されることにより、超臨界流体は、処理容器301における超臨界乾燥処理に適した温度まで加熱される。具体的には、加熱装置75の出口側において、超臨界流体の温度は、例えば40℃以上100℃以下まで高められる。また、加熱装置75の出口側において、超臨界流体の圧力は、例えば7.4MPa以上23MPa以下となっている。
加熱装置75の下流側の超臨界流体供給ライン71cには、上流側から下流側に向かって、フィルタ89a、89b及び流通オンオフバルブ82fが順次設けられている。
フィルタ89a、89bは、それぞれ超臨界流体供給ライン71c内を流れる超臨界流体に含まれるパーティクル等を取り除き、パーティクル等が除去された超臨界流体を下流側に流すものである。この場合、超臨界流体供給ライン71cには、複数(2つ)のフィルタ89a、89bが並列に配置されている。これにより、超臨界流体供給ライン71cにおける超臨界流体の圧力損失を抑制するとともに、フィルタ89a、89bのメンテナンスを行いやすいようになっている。
流通オンオフバルブ82fは、超臨界流体供給ライン71c内を流れる超臨界流体の供給のオン及びオフを制御するバルブである。この場合、流通オンオフバルブ82fは、超臨界流体製造装置70から処理容器301へ超臨界流体を送り出すか否かの制御を行う。すなわち、流通オンオフバルブ82fが開となった状態では、超臨界流体製造装置70から処理容器301に超臨界流体が供給される。一方、流通オンオフバルブ82fが閉となった状態では、超臨界流体製造装置70から処理容器301に超臨界流体が供給されない。
また、加熱装置75の下流側と冷却器72の上流側とは、循環ライン71fによって接続されている。より具体的には、循環ライン71fは、フィルタ89a、89bと流通オンオフバルブ82fとの間に位置する下流側分岐部91bと、チェックバルブ88と冷却器72との間に位置する上流側分岐部91aとを接続している。
また、循環ライン71fには、流通オンオフバルブ82gと調圧弁76とが設けられている。このうち流通オンオフバルブ82gは、循環ライン71f内を、下流側分岐部91bから上流側分岐部91aへ向けて流れる処理流体(超臨界流体)の通過のオン及びオフを制御するバルブである。すなわち、流通オンオフバルブ82gが開となった状態では、下流側分岐部91bから調圧弁76に向けて超臨界流体が流れる。一方、流通オンオフバルブ82fが閉となった状態では、下流側分岐部91bから調圧弁76に超臨界流体が流れない。なお、通常、超臨界流体製造装置70によって超臨界流体を製造している間、流通オンオフバルブ82gは開(オン)状態に維持されている。したがって、通常、超臨界流体供給ライン71cと調圧弁76とは、互いに連通した状態に保たれる。
調圧弁76は、内部を流れる処理流体(超臨界流体)の圧力を一定に維持する役割を果たす。調圧弁76は、その内部を流れる処理流体の圧力が予め設定された圧力閾値を超えた場合に、その入口側(下流側分岐部91b側)からその出口側(上流側分岐部91a側)へ向けて処理流体を流す。一方、調圧弁76は、その内部を流れる処理流体の圧力が上記圧力閾値を超えない場合に、処理流体を流さないようになっている。
なお、調圧弁76内を流れる処理流体の圧力が上記圧力閾値を超えた場合、調圧弁76の入口側(下流側分岐部91b側)から出口側(上流側分岐部91a側)へ向けて処理流体が流れる。調圧弁76を通過した処理流体は、圧力が低下し、気化することにより処理ガスに戻される。この処理ガスは、上流側分岐部91aを通過して再度冷却器72に流入する。調圧弁76の入口側から出口側へ向けて処理流体が一定程度流れた後、調圧弁76の入口側に接続された循環ライン71f内の圧力が低下する。その後、調圧弁76の内部の圧力が圧力閾値を下回ると、調圧弁76の内部における処理流体の流れが停止する。このように、調圧弁76の圧力閾値を適宜設定することにより、超臨界流体製造装置70から処理容器301へ送り込まれる超臨界流体の圧力の上限を設定することができる。具体的には、超臨界流体製造装置70から処理容器301へ送り込まれる超臨界流体の圧力が圧力閾値を超えた場合、超臨界流体の一部が、調圧弁76を介して上流側分岐部91aに向けて流出する。このことにより、循環ライン71fを流れる超臨界流体の圧力が圧力閾値まで低下する。このようにして、超臨界流体製造装置70から処理容器301へ送り込まれる超臨界流体の圧力が一定に保持される。
[バッファタンクの構成]
次に、上述したバッファタンク80の構成について説明する。図5は、バッファタンク80の構成を示す概略断面図である。
図5に示すように、バッファタンク80は、処理液体Lが送り込まれるバッファタンク本体85と、バッファタンク本体85に送り込まれた処理液体Lを加熱するヒーター86とを有している。
このうちバッファタンク本体85は、ポンプ74から供給された処理流体(処理液体L及び超臨界流体R)を貯留するものであり、全体として略円筒状の形状を有している。図5において、バッファタンク本体85は、下方に位置する筒状部92と、上方に位置するとともに、筒状部92に着脱可能に連結された蓋部93とを有している。これら筒状部92と蓋部93とを互いに連結することにより、内部が密閉された収容空間85aが構成される。この収容空間85aには、処理流体(処理液体L及び超臨界流体R)が貯留される。バッファタンク本体85の容量は、例えば500ml以上1000ml以下である。このように、バッファタンク本体85の容量を大きく構成することにより、処理流体(処理液体又は超臨界流体)の圧力変動又は脈動をより確実に吸収することができる。
ヒーター86は、バッファタンク本体85の周囲に巻装されている。このヒーター86は、バッファタンク本体85に送り込まれた高圧の処理液体Lを加熱することにより、処理液体Lの温度を上昇させ、超臨界流体Rに変化させるものである。例えば、ヒーター86により、処理液体Lの温度は、超臨界流体Rとなるのに必要な臨界温度を上回る温度、例えば31℃以上まで高められる。この場合、ヒーター86は、バッファタンク本体85の側面部を全周にわたって覆っている。しかしながら、これに限らず、ヒーター86は、バッファタンク本体85の側面部のうち周方向の一部分を覆っていても良い。あるいは、ヒーター86は、バッファタンク本体85の側面部とともに底部を覆っていても良い。
図5に示すように、バッファタンク80を使用している間、バッファタンク本体85の内部において、収容空間85aの上部には処理液体Lが存在し、収容空間85aの下部には超臨界流体Rが存在する状態となる。このように、バッファタンク本体85の内部に処理液体Lと超臨界流体Rとが共存することにより、超臨界流体Rを処理容器301へ供給する際に超臨界流体Rの圧力が変化したり、ポンプ74から送られた処理液体Lに脈動が生じたりした場合に、非圧縮性の処理液体Lと圧縮性の超臨界流体Rとの界面Bが上下に移動する。このように界面Bが上下に移動することにより、超臨界流体Rを処理容器301へ供給する時の圧力の変化や、ポンプ74から送られた処理液体Lの脈動を吸収することができる。
また、バッファタンク80は、ポンプ74からの処理液体Lが流入する流入口83と、バッファタンク80で生成した超臨界流体Rが加熱装置75に向けて流出する流出口84とを有している。本実施形態において、流入口83は、バッファタンク80の鉛直方向上部、具体的には蓋部93の上端に位置している。また、流出口84は、バッファタンク80の鉛直方向下部、具体的には筒状部92の下端に位置している。これにより、バッファタンク本体85の内部において、流入口83から流入した処理液体Lが超臨界流体Rに変化して流出口84から流出するという定常的な流れが発生する。このため、バッファタンク本体85の内部に流入した処理液体Lにパーティクルが混入していたとしても、このパーティクルがバッファタンク本体85の内部に滞留することなく、パーティクルを流出口84から確実に排出することができる。この結果、バッファタンク80の内部に滞留したパーティクルが間欠的にバッファタンク80から排出されて処理容器301側に送られる不具合が防止される。
[超臨界流体の製造方法]
次に、超臨界流体製造装置70を用いて処理ガスから超臨界流体を製造する方法について、図4を参照して説明する。
はじめに、超臨界流体製造装置70の流通オンオフバルブ82a、82b、82e、82f、82gを開状態(オン)とするとともに、流通オンオフバルブ82c、82dを閉状態(オフ)とする。
次に、ガス状の処理流体(処理ガス)をガス供給タンク90から超臨界流体製造装置70に供給する。この処理ガスは、超臨界流体製造装置70のガス供給ライン71aを流れ、冷却器72に送られる。なお、この間、処理ガスはガス供給ライン71aに設けられた流通オンオフバルブ82a、フィルタ87a〜87d、流通オンオフバルブ82b及びチェックバルブ88を順次通過する。そして処理ガスは、フィルタ87a〜87dを通過することにより、含有する水分が除去される。
次に、冷却器72において、ガス供給ライン71aからの処理ガスを冷却し、これにより液体状の処理流体(処理液体)を生成する。この処理液体は、液体供給ライン71bを通過して冷却器72から貯留タンク73に送られ、貯留タンク73に一時的に貯蔵される。次いで、貯留タンク73からの処理液体は、ポンプ74を用いてバッファタンク80へ供給される。この間、処理液体は、液体供給ライン71bに設けられた流通オンオフバルブ82eを通過し、ポンプ74により例えば7.4MPa以上23MPa以下程度の圧力に加圧される。
続いて、高圧の処理液体は、バッファタンク80に流入する。このバッファタンク80に流入した処理液体は、バッファタンク80の内部で加熱されることにより、超臨界状態の処理流体(超臨界流体)となってバッファタンク80から流出する。なお、バッファタンク80の出口側において、超臨界流体の圧力は、例えば7.4MPa以上23MPa以下となり、超臨界流体の温度は、例えば40℃以上100℃以下となる。
上述したように、バッファタンク80内で処理液体と超臨界流体とが共存することにより、非圧縮性の処理液体と圧縮性の超臨界流体との界面が上下に変動する。このため、例えば流通オンオフバルブ82fのオンオフを切り換えることにより、超臨界流体供給ライン71c中の超臨界流体の圧力が変化した場合であっても、バッファタンク80内で処理液体と超臨界流体との界面が上下に移動することにより、この圧力変動を吸収することができる。また、バッファタンク80内で処理液体と超臨界流体との界面が上下に移動することにより、ポンプ74から送られた処理液体の脈動を吸収することができる。
続いて、バッファタンク80から流出した超臨界流体は、超臨界流体供給ライン71cを介して加熱装置75に達する。この加熱装置75において、超臨界流体は、処理容器301における超臨界乾燥処理に適した温度まで加熱され、例えば40℃以上100℃以下程度の温度となる。
次に、加熱装置75で加熱されたから超臨界流体は、超臨界流体供給ライン71cに設けられたフィルタ89a、89b及び流通オンオフバルブ82fを順次通過し、超臨界流体製造装置70から処理容器301に流出する。この間、超臨界流体は、フィルタ89a、89bにおいてパーティクル等が取り除かれる。
一方、超臨界流体の一部は、超臨界流体供給ライン71cから下流側分岐部91bで分岐して、循環ライン71fに流入する。この循環ライン71fにおいて、超臨界流体は、流通オンオフバルブ82gを介して調圧弁76に達する。そして調圧弁76は、内部を流れる超臨界流体の圧力が予め設定された圧力閾値を超えた場合に、その上流側分岐部91a側へ向けて超臨界流体を流す。このとき、調圧弁76を通過した超臨界流体は、圧力が低下し、気化することにより処理ガスに戻される。この処理ガスは、上流側分岐部91aを通過して再度冷却器72に流入する。一方、調圧弁76は、超臨界流体の圧力が上記圧力閾値を超えない場合には、超臨界流体を流さない。このようにして、超臨界流体製造装置70から処理容器301へ送り込まれる超臨界流体の圧力が一定に保たれる。
[超臨界乾燥処理]
次に、本実施形態の超臨界処理装置3を用いてIPAの乾燥処理を行う方法について説明する。
まず超臨界処理装置3には、洗浄装置2において洗浄処理が実施されたウエハWが搬送される。この洗浄装置2では、例えばアルカリ性薬液であるSC1液によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去、リンス液である脱イオン水(DIW)によるリンス洗浄、酸性薬液である希フッ酸水溶液(DHF)による自然酸化膜の除去、DIWによるリンス洗浄がこの順に行われ、最後にウエハ表面にIPAが液盛りされる。そしてウエハWは、この状態のまま洗浄装置2より搬出され、超臨界処理装置3の処理容器301へ搬送される。
この処理容器301への搬送は、例えば第2の搬送機構161を用いて行われる(図1参照)。処理容器301へウエハを搬送するときには、第2の搬送機構161が受け渡し位置において待機している保持板316にウエハWを受け渡した後、保持板316の上方位置から退避する。
次いで、保持板316を水平方向にスライドさせて、保持板316を容器本体311内の処理位置まで移動させる。続いて、ウエハW表面に液盛りされたIPAが乾燥してしまう前に、流通オンオフバルブ52b、52cを開放することにより、第1供給ライン63、第2供給ライン64を介して容器本体311の内部に超臨界流体製造装置70からの高圧の超臨界流体を供給する(図3参照)。これにより、容器本体311の内部の圧力を例えば14〜16MPa程度まで昇圧する。
一方、容器本体311内では、当該容器本体311内に供給された超臨界流体がウエハWに液盛りされたIPAと接触すると、液盛りされたIPAは徐々に超臨界流体に溶解し、徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、ウエハWのパターン間でIPAから超臨界流体への置換が進行するに従って、パターン間からはIPAが除去され、最終的には超臨界流体のみによってパターンP間が満たされる。この結果、ウエハWの表面は液体のIPAから超臨界流体に置換されていくことになるが、平衡状態において液体IPAと超臨界流体との間には界面が形成されないので、パターン倒れを引き起こすことなくウエハW表面の流体を超臨界流体に置換することができる。
その後、容器本体311内に超臨界流体を供給してから予め設定した時間が経過し、ウエハWの表面が超臨界流体にて置換された状態となったら、流通オンオフバルブ52fを開放して容器本体311内の雰囲気を流体排出ヘッダー318から容器本体311外方に向けて排出する。これにより、容器本体311内の圧力は次第に低下していき、容器本体311内の処理流体は超臨界の状態から気体の状態に変化する。このとき超臨界状態と気体との間には界面が形成されないので、ウエハWの表面に形成されたパターンに表面張力を作用させることなく、ウエハWを乾燥することができる。
以上のプロセスにより、ウエハWの超臨界処理を終えた後、容器本体311内に残存している気体の処理流体を排出するため、不図示のパージガス供給ラインからNガスを供給して流体排出ヘッダー318へ向けてパージを行う。そして予め定めた時間だけNガスの供給を行いパージが完了し、容器本体311内が大気圧に復帰したら、保持板316を受け渡し位置まで水平方向に移動させ、超臨界処理を終えたウエハWを第2の搬送機構161を用いて搬出する。
以上に説明したように、本実施形態によれば、バッファタンク80の所定位置に、ポンプ74からの処理流体(処理液体)が流入する流入口83が設けられ、バッファタンク80のうち流入口83と異なる位置に、処理流体(超臨界流体)が流出する流出口84が設けられている。この場合、流入口と流出口とが兼用されないので、バッファタンク80の内部において、流入口83から流出口84へ向けて処理流体(処理液体又は超臨界流体)の安定した流れが生じる。このため、処理流体にパーティクルが含まれていたとしても、このパーティクルがバッファタンク80の内部に滞留することがない。この結果、バッファタンク80の内部に滞留したパーティクルが間欠的にバッファタンク80から排出されて処理容器301側に送られる不具合が防止される。
また、本実施形態によれば、バッファタンク80は、ポンプ74からの処理流体(処理液体又は超臨界流体)を貯留するバッファタンク本体85と、バッファタンク本体85に送り込まれた処理流体(処理液体又は超臨界流体)を加熱するヒーター86とを有する。これにより、バッファタンク本体85に送り込まれた高圧の処理液体を加熱することにより、超臨界流体を生成することが可能となる。
また、本実施形態によれば、バッファタンク本体85の容量は、500ml以上1000ml以下なので、バッファタンク本体85の容量が大きく構成されている。これにより、バッファタンク80を用いて、処理流体(処理液体又は超臨界流体)の圧力変動又は脈動を確実に吸収することができる。
さらに、本実施形態によれば、バッファタンク80の流入口83は、バッファタンク80の鉛直方向上部に位置し、バッファタンク80の流出口84は、バッファタンク80の鉛直方向下部に位置する。これにより、バッファタンク本体85の内部において、上方から下方に向けて、処理流体の定常的な流れが発生する。この結果、処理液体にパーティクルが混入していたとしても、このパーティクルがバッファタンク本体85の内部に滞留することなく、流出口84から確実に排出することができる。
さらに、本実施形態によれば、加熱装置75の下流側と冷却器72の上流側とを接続する循環ライン71fが設けられ、循環ライン71fには調圧弁76が設けられている。これにより、調圧弁76の内部を流れる処理流体(超臨界流体)の圧力を一定に維持し、超臨界流体製造装置70から処理容器301へ送り込まれる超臨界流体の圧力を安定化させることができる。
さらに、本実施形態によれば、冷却器72とポンプ74との間に、冷却器72で冷却されることにより液化した処理液体を貯留する貯留タンク73が設けられている。これにより、冷却器72で液化されて生成した処理液体を一時的に貯留するとともに、この処理液体を安定的にポンプ74に送り込むことができる。
本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本発明によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本発明の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
例えば、乾燥処理に用いられる処理流体はCO以外の流体であってもよく、基板の凹部に液盛りされた乾燥防止用の液体を超臨界状態で除去可能な任意の流体を処理流体として用いることができる。また乾燥防止用の液体もIPAには限定されず、乾燥防止用液体として使用可能な任意の液体を使用することができる。
3 超臨界処理装置
70 超臨界流体製造装置
71a ガス供給ライン
71b 液体供給ライン
71c 超臨界流体供給ライン
71f 循環ライン
72 冷却器
73 貯留タンク
74 ポンプ
75 加熱装置
79 筐体
80 バッファタンク
83 流入口
84 流出口
85 バッファタンク本体
86 ヒーター
90 ガス供給タンク
301 処理容器
311 容器本体
W ウエハ

Claims (6)

  1. 超臨界流体製造装置において、
    ガス状の処理流体を供給するガス供給ラインと、
    前記ガス供給ラインに接続され、前記ガス供給ラインからのガス状の処理流体を冷却することにより液体状の処理流体を生成する冷却器と、
    前記冷却器に接続され、前記冷却器からの液体状の処理流体の圧力を高めて送り出すポンプと、
    前記ポンプに接続され、前記ポンプからの処理流体の圧力変動又は脈動を吸収するバッファタンクと、
    前記バッファタンクに接続され、前記バッファタンクからの処理流体を加熱する加熱装置と、
    前記加熱装置に接続され、前記加熱装置からの超臨界状態の処理流体を送り出す超臨界流体供給ラインと、を備え、
    前記バッファタンクの所定位置に、前記ポンプからの処理流体が流入する流入口が設けられ、前記バッファタンクのうち前記流入口と異なる位置に、処理流体が流出する流出口が設けられ、
    前記バッファタンクは、前記ポンプからの処理流体を貯留するバッファタンク本体と、前記バッファタンク本体に送り込まれた処理流体を加熱するヒーターとを有し、
    前記処理流体に圧力変動又は脈動が発生したとき、前記バッファタンクの内部に存在する前記液体状の処理流体と前記超臨界状態の処理流体との界面が上下に移動し、前記処理流体の圧力変動又は脈動を吸収する、超臨界流体製造装置。
  2. 前記バッファタンク本体の容量は、500ml以上1000ml以下である請求項1に記載の超臨界流体製造装置。
  3. 前記バッファタンクの前記流入口は、前記バッファタンクの鉛直方向上部に位置し、前記バッファタンクの前記流出口は、前記バッファタンクの鉛直方向下部に位置する請求項1または2に記載の超臨界流体製造装置。
  4. 前記加熱装置の下流側と前記冷却器の上流側とを接続する循環ラインが設けられ、前記循環ラインには調圧弁が設けられている請求項1乃至3のいずれか一項に記載の超臨界流体製造装置。
  5. 前記冷却器と前記ポンプとの間に、前記冷却器で冷却されることにより液化した液体状の処理流体を貯留する貯留タンクが設けられている請求項1乃至4のいずれか一項に記載の超臨界流体製造装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の超臨界流体製造装置と、
    前記超臨界流体製造装置からの超臨界状態の処理流体を用いて、基板に対して超臨界流体処理を行う処理容器と、を備えた基板処理装置。
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