KR20120074416A - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents

기판처리장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120074416A
KR20120074416A KR1020100136239A KR20100136239A KR20120074416A KR 20120074416 A KR20120074416 A KR 20120074416A KR 1020100136239 A KR1020100136239 A KR 1020100136239A KR 20100136239 A KR20100136239 A KR 20100136239A KR 20120074416 A KR20120074416 A KR 20120074416A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
mask
moving
process chamber
Prior art date
Application number
KR1020100136239A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101175988B1 (ko
Inventor
이상용
Original Assignee
주식회사 프로트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 프로트 filed Critical 주식회사 프로트
Priority to KR1020100136239A priority Critical patent/KR101175988B1/ko
Publication of KR20120074416A publication Critical patent/KR20120074416A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101175988B1 publication Critical patent/KR101175988B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K51/00Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
    • F16K51/02Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이동챔버의 회전으로 복수의 공정챔버에 기판을 순차적으로 공급함으로써 기판처리를 위한 일련의 공정을 순차적으로 수행할 수 있는 기판처리장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 기판처리장치는 측벽에 복수의 개구부가 형성된 메인챔버; 상기 메인챔버의 내부에 구비되며, 회전에 의해 기판을 이동시키는 적어도 1 이상의 이동챔버; 상기 메인챔버의 개구부 외측에 구비되며, 상기 이동챔버를 통해 공급된 기판에 대하여 소정의 공정을 수행하는 적어도 1 이상의 공정챔버; 및 상기 공정챔버의 외측에 구비되는 마스크 스토커;를 포함한다.

Description

기판처리장치 및 방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF THE SAME}
본 발명은 기판처리장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이동챔버의 회전으로 복수의 공정챔버에 기판을 기립상태로 연속적으로 공급하고, 각 공정챔버에 마스크 스토커를 구비하여 공정시 요구되는 마스크를 효율적으로 공급 및 교환할 수 있는 기판처리장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체나 평판표시소자를 제조하기 위하여는 기판에 소정의 처리를 연속적으로 해야 한다.
예를 들어, OLED소자를 제조하기 위하여는 기판을 표면처리(전처리)한 다음, 기판상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer, 이하, 'HIL'이라고 한다), 정공 운송층(hole transfer layer, 이하, 'HTL'이라고 한다), 발광층(emitting layer, 이하, 'EL'이라고 한다), 전자 운송층(eletron transfer layer, 이하, 'ETL'이라고 한다), 전자 주입층(eletron injection layer, 이하, 'EIL'이라고 한다), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 여기에서 양극으로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)이 주로 사용되고, 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이다. 또한, 음극으로는 LiF-Al 금속막이 사용된다.
이와 같이 OLED를 제조하기 위하여 종래에 기판을 수평상태로 이송하면서 처리하는 클러스터타입의 제조시스템이 개시되었다.
도 1을 참조하면, 종래의 클러스터 제조시스템(100)은 중심에는 반송로봇(111)이 구비된 반송챔버(110)가 구비되고, 상기 반송챔버(110)의 외부에는 기판 스토커(120)와, 마스크 스토커(130)와, 제1공정챔버(140)와, 제2공정챔버(150)와, 제3공정챔버(160)와, 언로딩챔버(170)를 포함한다.
상기 기판 스토커(120)는 기판이 수평상태로 다수개 적층되어 있고, 상기 마스크 스토커(130)는 마스크가 수평상태로 다수개 적층되어 있다.
또한 상기 제1공정챔버(140) 내지 제3공정챔버(160)는 서로 다른 물질을 증착한다.
도 1에 도시된 시스템(100)으로 OLED소자의 R,G,B를 형성하는 방법을 설명한다.
먼저, 반송로봇(111)으로 기판 스토커(120)에 있는 기판을 제1공정챔버(140)로 반송한다. 참고로, 상기 기판은 전공정에서 양극과, HIL과 HTL이 이미 형성된 기판이다. 왜냐하면, 반송챔버의 외측에 배치되는 공정챔버는 반송챔버의 면적에 제한을 받는다. 공정챔버는 통상 2~5개 구비되며, 5개 이상 배치되는 것은 구조상 현실적으로 불가능하다.
다음으로, 반송로봇(111)으로 마스크 스토커(130)에 있는 제1마스크를 제1공정챔버(140)로 반입한 다음, 기판과 제1마스크를 정렬한다.
다음으로, 상기 제1공정챔버(140)에서 도가니에 수용된 물질을 증발시켜 R을 제1마스크에 형성된 패턴에 따라 증착한다.
다음으로, 반송로봇(111)으로 제1공정챔버(140)에 있는 기판을 제2반송챔버(150)로 반송한다.
다음으로, 반송로봇(111)으로 마스크 스토커(130)에 있는 제2마스크를 제2공정챔버(150)로 반입한 다음, 기판과 제2마스크를 정렬한다.
다음으로, 상기 제2공정챔버(150)에서 도가니에 수용된 물질을 증발시켜 G를 제2마스크에 형성된 패턴에 따라 증착한다.
다음으로, 반송로봇(111)으로 제2공정챔버(150)에 있는 기판을 제3공정챔버(160)로 반송한다.
다음으로, 반송로봇(111)으로 마스크 스토커(130)에 있는 제3마스크를 제3공정챔버(160)로 반입한 다음, 기판과 제3마스크를 정렬한다.
다음으로, 상기 제3공정챔버(160)에서 도가니에 수용된 물질을 증발시켜 B를 제3마스크에 형성된 패턴에 따라 증착한다.
이와 같이 R,G,B가 형성된 기판을 언로딩챔버(170)로 반송한다.
한편, 근래에는 공정이 표준화되면서 기판이 대면적화되고 있는데, 클러스터타입의 기판처리시스템의 경우, 기판의 면적이 커짐에 따라 반송챔버가 너무 커져서 기판의 대면적화에 대응할 수 없는 문제점이 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 반송챔버의 외측에 구비되는 공정챔버의 수가 제한된다.
또한 반송로봇이 고가이고, 그의 제어가 어려울 뿐 아니라 기판과 마스크의 반송과정이 매우 복잡하고 공정 택타입이 길다는 문제점이 있다.
따라서 대면적 기판을 처리할 수 있으면서 공정챔버의 수를 효과적으로 늘릴 수 있도록 기판을 수직상태로 이송하면서 기판을 처리하는 인라인(In-line)방식의 제조시스템이 개시되었다. 인라인방식의 OLED제조시스템은 기판을 로딩하여 상기 각 층에 해당하는 박막을 형성하는 공정챔버를 공정순서에 따라 인라인으로 배치하여 구성된다. 따라서 인라인방식의 시스템은 장비가 차지하는 공간이 길고, 그에 따라 기판을 이송하는 영역이 커져 공정 택타임이 길다는 문제점이 있다.
특히, 각 공정에 사용되는 마스크의 이송에서 문제점이 발생되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 이동챔버의 회전으로 복수의 공정챔버에 기판을 연속적으로 공급하고, 각 공정챔버에 마스크 스토커를 구비하여 공정시 요구되는 마스크를 효율적으로 공급 및 교환할 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 기판처리장치는 측벽에 복수의 개구부가 형성된 메인챔버; 상기 메인챔버의 내부에 구비되며, 회전에 의해 기판을 이동시키는 적어도 1 이상의 이동챔버; 상기 메인챔버의 개구부 외측에 구비되며, 상기 이동챔버를 통해 공급된 기판에 대하여 소정의 공정을 수행하는 적어도 1 이상의 공정챔버; 및 상기 공정챔버의 외측에 구비되는 마스크 스토커;를 포함한다.
또한 상기 공정챔버에는 마스크와 상기 기판을 정렬하는 정렬수단이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 공정챔버와 마스크 스토커 사이에는 게이트밸브가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 마스크 스토커와 공정챔버 사이에서 마스크를 이송하는 마스크 이송수단이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 공정챔버와 메인챔버 사이에는 게이트밸브가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 이동챔버와 공정챔버 사이에서 상기 기판을 이송하는 기판 이송수단이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 공정챔버 중 어느 하나는 상기 기판을 표면처리하는 표면처리수단이 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 공정챔버는 소정의 박막을 형성하는 박막형성수단이 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 메인챔버 내에서 상기 이동챔버를 회전시키는 회전수단이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 회전수단은 상면에 상기 이동챔버가 장착된 회전테이블인 것이 바람직하다.
또한 상기 메인챔버와 이동챔버의 개구부를 기류적으로 연통시키는 실링수단이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 실링수단은 밸로우즈인 것이 바람직하다.
또한 상기 이동챔버 및 공정챔버에는 상기 기판이 수직 또는 수직으로부터 소정각도 경사진 상태로 위치되는 것이 바람직하다.
또한 상기 메인챔버는 평면형상이 원형 또는 다각형인 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 기판처리방법은 1)회전가능한 이동챔버에 기판을 로딩하는 단계; 2)상기 이동챔버를 제1공정챔버와 일직선상이 되도록 회전하는 단계; 3)상기 기판을 상기 제1공정챔버로 이송하는 단계; 4)상기 제1공정챔버에서 상기 기판에 대하여 소정의 공정을 수행하는 단계; 5)상기 기판을 상기 제1공정챔버로부터 상기 이동챔버로 이송하는 단계; 및 6)상기 이동챔버를 제2공정챔버와 일직선상이 되도록 회전하는 단계;를 포함한다.
또한 상기 2)단계 후에, 상기 이동챔버와 공정챔버가 기류적으로 연통시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 4)단계는 상기 기판을 표면처리하거나 상기 기판에 박막을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 공정챔버에 마스크 스토커를 구비함으로써 공정시 요구되는 마스크를 효과적으로 공급 및 교환할 수 있다. 따라서 마스크의 반송 또는 교체 경로가 짧고 신속하며, 공정의 진행을 중단시킬 필요가 없다.
또한 이동챔버의 회전으로 복수의 공정챔버에 기판을 기립상태로 순차적으로 공급함으로써 기판처리를 위한 일련의 공정을 순차적으로 수행할 수 있는 효과가 있다. 또한 기판의 이동경로가 단축되고, 복수의 공정챔버가 서로 다른 기판을 동시에 처리할 수 있기 때문에 공정 택타임을 단축시킬 수 있는 효과도 있다.
도 1은 종래 클러스터타입의 기판처리시스템을 나타낸 것이다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 의한 실시예의 구성을 나타낸 것이다.
도 4 내지 도 9는 도 2에 도시된 실시예의 작동상태를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예의 구성 및 작동상태를 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 실시예(1)는 중심에 메인챔버(10)가 구비되고, 상기 메인챔버의 외측에 복수의 공정챔버(51~59)가 구비되며, 상기 공정챔버의 외측에는 마스크 스토커(MS)가 구비되며, 상기 메인챔버(10)의 내부에는 이동챔버(20)가 구비된다.
상기 메인챔버(10)는 평면형상이 원형 또는 다각형으로 이루어진 챔버로서, 진공도 조성을 위한 진공펌프가 연결되어 있다. 또한 상기 메인챔버(10)는 측벽에 기판의 출입을 위한 복수의 개구부(11)가 형성되어 있다.
상기 공정챔버(51~59)는 메인챔버(10)의 각 개구부(11) 외측에 고정설치된다.
또한 상기 마스크 스토커(MS)는 상기 공정챔버(51~59)로 공급할 마스크 또는 교환한 마스크를 수납한다.
또한 메인챔버(10)의 내부에는 일측벽에 개구부가 형성된 복수의 이동챔버(20)가 구비되는데, 본 실시예는 공정챔버(51~59)의 수만큼 구비된다. 그러나 이와 달리 적절한 수로 구성할 수 있다. 또한 상기 복수의 이동챔버(20)는 회전테이블(30)상에 구비되기 때문에 회전운동이 가능하다. 구체적으로는 각 이동챔버(20)는 각 공정챔버(51~59)와 일직선상에 위치하도록 스텝운동한다.
또한 상기 이동챔버(20)와 공정챔버(51~59)를 기류적으로 연통시키는 실링수단이 구비된다. 본 실시예에서 상기 실링수단은 메인챔버(10)의 개구부(11)를 둘러싸는 신축가능한 밸로우즈(B)로 구성된다. 즉, 이동챔버(20)의 회전에 의한 이동시에는 간섭되지 않도록 상기 밸로우즈(B)는 수축되고, 이동챔버(20)의 스탭운동을 끝내고 공정시에는 상기 밸로우즈(B)를 이동챔버방향으로 신장시켜 메인챔버(10)의 개구부(11)와 이동챔버(20)의 개구부를 기류적으로 연통시키는 것이다.
또한 본 실시예에서는 기판을 로딩하는 로딩챔버(40)와, 처리가 끝난 기판을 언로딩하는 언로딩챔버(60)가 메인챔버(10)의 외측에 게이트밸브(G1)를 사이에 두고 구비된다. 상기 로딩챔버(40)와 언로딩챔버(60)의 외측에는 각각 기판을 적재하는 기판 스토커(SS)가 구비된다. 상기 기판스토커(SS)와 로딩챔버(40)/언로딩챔버(60) 사이에도 각각 게이트밸브(G2)가 구비된다. 그러나 이와 달리 로딩챔버(40)/언로딩챔버(60)를 별도로 구비하지 않고 로딩/언로딩챔버를 하나로 구성할 수도 있고, 제1공정챔버(51)로 기판을 바로 로딩하거나 또는 제9공정챔버(59)에서 기판을 언로딩하는 것도 가능하다.
본 실시예에서 기판은 수직 또는 수직으로부터 소정각도 경사진 상태로 기립되어 고정, 반송되고 공정이 수행된다.
도 3을 참조하면, 공정챔버(50)의 외측에는 마스크 스토커(MS)가 고정설치되고, 내측에는 메인챔버(10) 및 이동챔버(20)가 위치된다. 또한 공정챔버(50)와 마스크 스토커(MS) 사이, 공정챔버(50)와 메인챔버(10) 사이에는 각각 게이트밸브(G2,G1)가 구비된다.
상기 마스크 스토커(MS)의 내부에는 마스크(M)가 고정된 마스크프레임(MF)이 복수개 수납되어 있다. 상기 마스크(M)는 이웃하는 공정챔버(50)의 공정에 적합한 마스크이다. 따라서 마스크 스토커에는 공정챔버에 공급할 마스크와, 반복적인 공정으로 클리닝이 필요한 마스크가 마스크프레임(MF)과 함께 수납된다. 그 사이에 구비된 게이트밸브(G2)는 이와 같이 마스크(M)를 반송할 때만 개방하고, 공정수행 중에는 폐쇄한다.
그러나 상기 공정챔버(50)와 메인챔버(10) 사이에 구비된 게이트밸브(G1)는 유지보수시 메인챔버(10)는 진공을 유지시키면서 공정챔버(50)만을 별도로 개방하기 위한 것이다. 따라서 유지보수가 아닌 공정 중에는 게이트밸브(G1)는 개방되어 있다.
또한 기판(S)과 마스크(M)의 반송을 위해 상기 공정챔버(50)의 양측벽에는 각각 개구부(50a,50b)가 형성된다.
공정챔버(50)에서의 공정을 설명하면, 기판(S)이 이동챔버(20)를 통해 공급되면, 벨로우즈(B)를 신장시켜 이동챔버(20)와 공정챔버(50)를 기류적으로 연통시키고, 이 상태에서 기판(S)을 공정챔버(50)로 반입한다. 다른 한편으로는 마스크 스토커(MS)에 적재된 마스크(M)를 공정챔버(50)로 반입한다.
다음으로, 기판(S)과 마스크(M)를 정렬한 다음, 기판(S)을 표면처리하거나 박막을 형성하는 등 소정의 처리를 하는 것이다.
따라서 공정챔버(50)에는 기판(S)과 마스크(M)를 정렬하는 정렬수단(미도시)과, 기판의 소정의 처리를 위한 처리수단(50c)이 구비되어야 한다. 도 3에서 처리수단(50c)는 기판에 박막을 형성하는 박막형성수단으로서 유기물을 기화시키는 도가니(D)와 연결되어 있다.
또한 상기 정렬수단은 공지의 수단으로서, 예를 들어 정렬수단은 비전카메라 또는 기구적 정렬수단 등이다.
또한 공정챔버(50)와 마스크 스토커(MS) 사이에서 마스크(M)를 교환하는 마스크 반송수단(미도시)이 구비된다. 마스크 반송수단(미도시)은 공지의 수단을 이용할 수 있으며, 예를 들어 마스크(M)를 기립상태로 고정하는 마스크 프레임을 상기 공정챔버(50)와 마스크 스토커(MS) 사이에서 수평왕복 이동시키는 LM가이드나 진동방지를 위한 자기부상 타입 등의 이동수단 등을 들 수 있다.
마찬가지로 상기 이동챔버(20)와 공정챔버(50) 사이에서 기판(S)을 반송하는 기판 반송수단이 구비된다. 상기 기판 반송수단은 마스크 반송수단과 같이 기판홀더를 수평왕복 이동시키는 LM가이드 등 공지의 수단이다.
소정의 기판처리시, 기판(S)과 마스크(M)를 고정한 상태에서 처리할 수도 있고, 이와 달리 공정챔버(50) 내 또는 공정챔버(50)와 이동챔버(20) 사이를 오가며 스캐닝하면서 처리할 수 있다.
도 4 내지 도 8을 참조하여 본 실시예를 이용하여 OLED소자를 제조하는 방법을 설명한다.
먼저, 각 공정챔버에는 각 공정에 요구되는 마스크가 마스크 프레임에 고정된 상태로 공정챔버에 로딩된다. 이 상태에서, 로딩챔버(40)와 기판 스토커(SS) 사이에 있는 게이트밸브(G2)를 개방한 후, 기판 스토커(SS)에 적재된 제1기판(S1)을 로딩챔버(40)를 통해 제1이동챔버(21)로 반입시킨다(도 4 참조).
다음으로, 상기 회전테이블(30)을 이용하여 제1이동챔버(21)를 회전시켜 제1공정챔버(51)와 일직선이 되도록 위치시킨다(도 5 참조).
다음으로, 상기 제1기판(S1)을 제1공정챔버(51)로 이송한 후, 마스크(M)와 제1기판(S1)을 정렬한 다음, 제1기판(S1)을 표면처리를 한다. 또한 다른 한편으로는 기판 스토커(SS)로부터 제2기판(S2)을 제2이동챔버(22)로 반입시킨다(도 6 참조).
다음으로, 제1공정챔버(51)에서 표면처리가 끝난 제1기판(S1)을 다시 제1이동챔버(21)로 이송한다(도 7 참조).
다음으로, 다시 회전테이블(30)을 이용하여 이동챔버들을 회전시킨다. 그 결과, 제1이동챔버(21)는 제2공정챔버(52)와 일직선상에 위치하고, 제2이동챔버(22)는 제1공정챔버(51)와 일직선상에 위치하며, 제3이동챔버(23)는 로딩챔버(40)와 일직선상에 위치하게 된다(도 8 참조).
이 상태에서 제1기판(S1)은 제2공정챔버(52)로 이송하고, 제2기판(S2)은 제1공정챔버(51)로 이송한다. 이 상태에서 마스크(M)와 제1기판(S1)을 정렬하고 HIL을 형성하고, 마스크(M)와 제2기판(S2)을 정렬하고 표면처리를 한다. 또한 다른 한편으로는 기판 스토커(SS)로부터 제3기판(S3)을 제3이동챔버(23)로 이송한다.
이와 같은 방법을 반복하여 제1기판(S1)이 제3공정챔버(53) 내지 제9공정챔버(59)를 거쳐 HTL, R, G, B, ETL, EIL 및 음극을 형성한 다음, 언로딩챔버(60)를 통해 기판 스토커(SS)로 반출한다. 제1기판(S1)이 이와 같은 공정을 수행하는 동안, 제2기판(S2) 내지 제9기판도 순차적으로 동일한 공정을 수행하게 된다.
이와 같은 실시예를 통해 기판을 회전시키면서 순차적으로 스텝운동하여 모든 박막을 형성할 수 있다.
또는 경우에 따라서는 복수의 메인챔버를 구비한 일련의 시스템으로 구성할 수 있다. 예를 들어 도 9를 참조하면, 제1메인챔버(10A)의 외측에는 제1로딩챔버(40)와 제1언로딩챔버(60), 제1공정챔버(51) 내지 제5공정챔버(55)를 구비한다. 또한 제2메인챔버(10B)의 외측에는 상기 제1언로딩챔버(61)와 연결된 제2로딩챔버(70)와 제2언로딩챔버(80), 제6공정챔버(56) 내지 제9공정챔버(59)를 구비한다.
물론, 각 로딩챔버와 언로딩챔버에는 기판스토커(SS)가 구비되고, 각 공정챔버에는 마스크스토커(MS)가 구비된다.
이와 같이 구성하여, 제1메인챔버(10A)의 이동챔버(20A)를 회전시키면서 제1공정챔버(51) 내지 제5공정챔버(55)에서 각각 표면처리, HIL, HTL, R 및 G을 형성하고, 제2메인챔버(10B)의 이동챔버(20B)를 회전시키면서 제6공정챔버(56) 내지 제9공정챔버(59)에서 각각 B, ETL, EIL 및 음극을 형성하는 것이다.
이와 같은 방식으로 메인챔버를 3개 이상 구비할 수 있고, 경우에 따라서는 2개 이상의 연속하는 공정챔버에서 동일한 공정을 수행할 수도 있다.
본 실시예에서는 OLED소자를 제조하는 장치 및 방법에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 하나의 기판에 연속적으로 복수의 공정을 수행하는 모든 제조공정에 이용된다. 예를 들어 반도체소자나 LCD 등 평판표시소자, 태양전지 또는 터치패널 등 기판에 이종처리 및 박막을 형성하는 경우가 해당된다.
본 발명에 의하면, 기판을 기립상태로 이송, 처리하기 때문에 메인챔버의 외측에 상대적으로 많은 수의 공정챔버를 배치하는 것이 가능하고, 각 공정챔버의 외측에 마스크 스토커를 구비하기 때문에 마스크의 이송이나 교체가 매우 간편하고 짧은 시간 내에 이루어질 수 있다.
1: 기판처리장치 10: 메인챔버
11: 개구부 20~23: 이동챔버
30: 회전테이블 40: 로딩챔버
50~59: 공정챔버 60: 언로딩챔버
B: 밸로우즈 SS: 기판 스토커
MS: 마스크 스토커 G1,G2: 게이트밸브
S1~S3: 기판 M: 마스크

Claims (17)

  1. 측벽에 복수의 개구부가 형성된 메인챔버;
    상기 메인챔버의 내부에 구비되며, 회전에 의해 기판을 이동시키는 적어도 1 이상의 이동챔버;
    상기 메인챔버의 개구부 외측에 구비되며, 상기 이동챔버를 통해 공급된 기판에 대하여 소정의 공정을 수행하는 적어도 1 이상의 공정챔버; 및
    상기 공정챔버의 외측에 구비되는 마스크 스토커;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공정챔버에는 마스크와 상기 기판을 정렬하는 정렬수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공정챔버와 마스크 스토커 사이에는 게이트밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 스토커와 공정챔버 사이에서 마스크를 이송하는 마스크 이송수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공정챔버와 메인챔버 사이에는 게이트밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이동챔버와 공정챔버 사이에서 상기 기판을 이송하는 기판 이송수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 공정챔버 중 어느 하나는 상기 기판을 표면처리하는 표면처리수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 공정챔버는 소정의 박막을 형성하는 박막형성수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 메인챔버 내에서 상기 이동챔버를 회전시키는 회전수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 회전수단은 상면에 상기 이동챔버가 장착된 회전테이블인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 메인챔버와 이동챔버의 개구부를 기류적으로 연통시키는 실링수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 실링수단은 밸로우즈인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 이동챔버 및 공정챔버에는 상기 기판이 수직 또는 수직으로부터 소정각도 경사진 상태로 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 메인챔버는 평면형상이 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 1)회전가능한 이동챔버에 기판을 로딩하는 단계;
    2)상기 이동챔버를 제1공정챔버와 일직선상이 되도록 회전하는 단계;
    3)상기 기판을 상기 제1공정챔버로 이송하는 단계;
    4)상기 제1공정챔버에서 상기 기판에 대하여 소정의 공정을 수행하는 단계;
    5)상기 기판을 상기 제1공정챔버로부터 상기 이동챔버로 이송하는 단계; 및
    6)상기 이동챔버를 제2공정챔버와 일직선상이 되도록 회전하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 2)단계 후에, 상기 이동챔버와 공정챔버가 기류적으로 연통시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 4)단계는 상기 기판을 표면처리하거나 상기 기판에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.

KR1020100136239A 2010-12-28 2010-12-28 기판처리장치 및 방법 KR101175988B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100136239A KR101175988B1 (ko) 2010-12-28 2010-12-28 기판처리장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100136239A KR101175988B1 (ko) 2010-12-28 2010-12-28 기판처리장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120074416A true KR20120074416A (ko) 2012-07-06
KR101175988B1 KR101175988B1 (ko) 2012-08-22

Family

ID=46708533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100136239A KR101175988B1 (ko) 2010-12-28 2010-12-28 기판처리장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101175988B1 (ko)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4761056B2 (ja) * 2006-04-19 2011-08-31 株式会社島津製作所 クラスター型真空成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101175988B1 (ko) 2012-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI659785B (zh) 蒸發源、具有蒸發源的沉積設備、具有存在有蒸發源之沉積設備的系統、以及用於處理蒸發源的方法
JP5171964B2 (ja) 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法
JP5173699B2 (ja) 有機elデバイス製造装置
JP5686185B2 (ja) 薄膜蒸着装置
KR102039090B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법
TW201720946A (zh) 大面積雙基板之處理腔室及使用其之處理系統及方法
KR101110076B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP7148587B2 (ja) 成膜装置、および電子デバイスの製造方法
KR101409808B1 (ko) 기판처리시스템
KR102501609B1 (ko) 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
KR101225212B1 (ko) Oled제조장치 및 방법
TWI712700B (zh) 濺鍍裝置
KR101175988B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP2014133923A (ja) 保持装置、成膜装置及び搬送方法
TW201939789A (zh) 真空處理系統及操作一真空處理系統之方法
KR102134438B1 (ko) 기판처리장치, 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법
KR101225213B1 (ko) Oled봉지장치 및 방법
JP6833610B2 (ja) 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する装置、有機材料用の蒸発源を含む蒸発堆積装置を有するシステム、及び有機材料用の蒸発源を操作するための方法
TWI518828B (zh) 基板處理系統
KR101700608B1 (ko) 기판처리장치
KR101218972B1 (ko) 기판처리시스템
JP2013110114A (ja) 有機elデバイス製造装置及び角度補正機構
JP4401865B2 (ja) 基板搬送装置
JP2023038028A (ja) 成膜装置、基板搬送装置、基板搬送方法及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150818

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180517

Year of fee payment: 6

R401 Registration of restoration
LAPS Lapse due to unpaid annual fee