JP7148587B2 - 成膜装置、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、有機EL表示装置の成膜装置100の全体構成を示す概念図である。概略、成膜装置100は、成膜処理工程搬送路110aと、リターン搬送路110bとを含み、成膜処理工程搬送路110aとリターン搬送路110bとの間で搬送キャリアCを回収及び供給するための、キャリア回収搬送路110c、およびキャリア供給搬送路110dを備えることで、循環型搬送路を構成する。成膜装置100は、循環型搬送路を構成する各構成要素、例えば基板搬入/反転室101、成膜室103、基板反転/排出室105を含む。また、本発明の実施形態に係る成膜装置100は、成膜室103とマスクMを受け渡すためのマスクストック室107をさらに含む。
れる。これによれば、マスクストック室107がマスクストッカ移動路110eに一つだけ配置されるので、成膜装置100の構成が簡単になる。マスクストック室107は、図示しない搬送ローラなどにより、マスクストッカ移動路110eに沿って搬送される。
、本発明の実施形態に係る成膜装置について、より具体的に説明する。
搬送路110aには、1つの成膜室103eだけ配置される場合もある点が、図2の成膜装置100aと異なる。また、図3に示されている成膜室103eでは、蒸発源Sは固定されており、搬送キャリアCとマスクMがアライメントされた後、ともに搬送されながら成膜動作が行われる。
マスクMには、所定の蒸着パターンが形成されており、蒸発源Sから蒸発された蒸着材料は、このマスクMの蒸着パターンを介して被蒸着体である基板G上に蒸着される。蒸着(成膜)動作が繰り返し行われると、マスクM上には蒸着材料の残留物が徐々に付着されるが、この蒸着残留物によりマスクMの開口が詰まることで、基板Gに形成される蒸着パターンの精度が落ちる原因となる。このため、マスクMは所定枚数の基板Gに対する蒸着が行われたら、新しいマスクに交換する必要がある。マスク搬送機構は、マスクストック装置107と成膜室103a~103fとの間でマスクを搬送するための手段である。
しいマスクと使用済みのマスクを収納する収納装置としての役割をする。つまり、使用済みのマスクは、成膜室100a~100fからマスクストック装置107内に搬送されて収納され、新しいマスクがマスクストック装置107から成膜室100a~100f内に搬送される。
トに設置された成膜室側搬送機構244とを含む。マスク搬送機構はまた、成膜室103a~103fのマスクストッカ搬送路100e側壁面に設置され、開閉可能なマスク搬出入用のバルブ246をさらに含む。マスク搬出入用のバルブ246は、成膜室103a~103fとマスクストック装置107との間でマスクMの交換をする場合にのみ開放され、成膜室103a~103f内の真空破壊を最小化する。
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
1において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
搬送路、110c:キャリア回収搬送路、110d:キャリア供給搬送路、110e:マスクストッカ移動路、103a~103f:成膜室、105:基板排出/反転室、107:マスクストック装置、C: 搬送キャリア、G:基板、M:マスク、S:蒸発源
Claims (15)
- 搬送経路に沿って基板を搬送させる搬送機構と、
前記搬送経路に沿って搬送される基板に対して、マスクを介して蒸着材料を成膜する複数の成膜室と、
前記搬送経路と並んで配置された移動路に沿って移動可能に設けられ、前記複数の成膜室のそれぞれとマスクを受け渡すためのマスクストック装置と、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記マスクストック装置は、マスクを搬送可能に支持する複数の支持部を有するカセットを一つ以上含み、
前記複数の成膜室のそれぞれは、マスクを搬送可能に支持するマスク支持ユニットを含むことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記カセットの支持部は、前記カセットの両側壁に上下に設けられているカセット側マスク磁気浮上用レールを含み、
前記マスク支持ユニットは、成膜室側マスク磁気浮上用レールを含むことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記カセットの支持部は、前記カセットの両側壁に上下に設置されているカセット側搬送ローラを含み、
前記マスク支持ユニットは、成膜室側搬送ローラを含むことを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記成膜室の前記マスクストック装置側の側壁には、開閉可能なマスク搬出入用のバルブが設けられており、
前記カセットは、前記マストストック装置内に昇降可能に設置されていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の成膜装置。 - 前記複数の成膜室は、複数の第1成膜室と複数の第2成膜室とを含み、
前記マスクストック装置は、第1マスクストック装置と第2マスクストック装置とを含
み、
前記複数の第1成膜室は、前記搬送経路に沿って接続されており、
前記複数の第2成膜室は、前記複数の第1成膜室に対して前記第1マスクストック装置の反対側に配され、前記複数の第1成膜室と並んで前記搬送経路に沿って接続されており、
前記第1マスクストック装置は、前記搬送経路と並んで配置された第1移動路に沿って移動可能に設けられ、前記複数の第1成膜室のそれぞれとマスクを受け渡し、
前記第2マスクストック装置は、前記複数の第2成膜室に対し前記複数の第1成膜室の反対側に配され、前記搬送経路と並んで配置された第2移動路に沿って移動可能に設けられ、前記複数の第2成膜室のそれぞれとマスクを受け渡す、ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記第1マスクストック装置は、マスクを搬送可能に支持する複数の支持部を有する第1カセットを一つ以上含み、
前記複数の第1成膜室のそれぞれは、マスクを搬送可能に支持する第1マスク支持ユニットを含み、
前記第2マスクストック装置は、マスクを搬送可能に支持する複数の支持部を有する第2カセットを一つ以上含み、
前記複数の第2成膜室のそれぞれは、マスクを搬送可能に支持する第2マスク支持ユニットを含むことを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。 - 前記第1カセットの支持部は、前記第1カセットの両側壁に上下に設けられているカセット側マスク磁気浮上用レールを含み、
前記第1マスク支持ユニットは、成膜室側マスク磁気浮上用レールを含み、
前記第2カセットの支持部は、前記第2カセットの両側壁に上下に設けられているカセット側マスク磁気浮上用レールを含み、
前記第2マスク支持ユニットは、成膜室側マスク磁気浮上用レールを含むことを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。 - 前記第1カセットの支持部は、前記第1カセットの両側壁に上下に設置されているカセット側搬送ローラを含み、
前記第1マスク支持ユニットは、成膜室側搬送ローラを含み、
前記第2カセットの支持部は、前記第2カセットの両側壁に上下に設けられているカセット側搬送ローラを含み、
前記第2マスク支持ユニットは、成膜室側搬送ローラを含むことを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。 - 前記第1成膜室の前記第1マスクストック装置側の側壁には、開閉可能なマスク搬出入用のバルブが設けられており、
前記第1カセットは、前記第1マストストック装置内に昇降可能に設置されており、
前記第2成膜室の前記第2マスクストック装置側の側壁には、開閉可能なマスク搬出入用のバルブが設けられており、
前記第2カセットは、前記第2マストストック装置内に昇降可能に設置されていることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の成膜装置。 - 搬送経路に沿って基板を搬送させる搬送機構と、
前記搬送経路に沿って搬送される基板に対して、マスクを介して蒸着材料を成膜する成膜室と、
前記搬送経路と並んで配置された移動路に沿って移動可能に設けられ、前記成膜室とマスクを受け渡すためのマスクストック装置と、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記マスクストック装置は、マスクを搬送可能に支持する複数の支持部を有するカセットを一つ以上含み、
前記成膜室は、マスクを搬送可能に支持するマスク支持ユニットを含むことを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。 - 前記成膜室は、第1成膜室と第2成膜室とを含み、
前記マスクストック装置は、第1マスクストック装置と第2マスクストック装置とを含み、
前記第1成膜室は、前記搬送経路に沿って搬送される基板に対して、マスクを介して蒸着材料を成膜し、
前記第2成膜室は、前記第1成膜室に対して前記第1マスクストック装置の反対側に前記第1成膜室と並んで配置され、前記搬送経路と並んで配置された第1移動路に沿って搬送される基板に対して、マスクを介して蒸着材料を成膜し、
前記第1マスクストック装置は、前記搬送経路に沿って移動可能に設けられ、前記第1成膜室とマスクを受け渡し、
前記第2マスクストック装置は、前記第2成膜室に対して前記第1成膜室の反対側に前記搬送経路と並んで配置された第2移動路に沿って移動可能に設けられ、前記第2成膜室とマスクを受け渡す、ことを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。 - 前記第1マスクストック装置は、マスクを搬送可能に支持する複数の支持部を有する第1カセットを一つ以上含み、
前記第1成膜室は、マスクを搬送可能に支持する第1マスク支持ユニットを含み、
前記第2マスクストック装置は、マスクを搬送可能に支持する複数の支持部を有する第2カセットを一つ以上含み、
前記第2成膜室は、マスクを搬送可能に支持する第2マスク支持ユニットを含むことを特徴とする請求項13に記載の成膜装置。 - 請求項1~14のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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US20240153800A1 (en) * | 2022-11-07 | 2024-05-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process equipment |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012039383A1 (ja) | 2010-09-22 | 2012-03-29 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び有機薄膜形成方法 |
JP2014109054A (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Panasonic Corp | 真空成膜装置 |
JP2019189939A (ja) | 2018-04-18 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 処理体収納装置と、処理体収納方法、及びこれを用いた蒸着方法 |
JP2019531399A (ja) | 2017-09-05 | 2019-10-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マスクデバイスを取り扱う方法、マスクデバイスを交換するための装置、マスク交換チャンバ、及び真空システム |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124865A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Nikon Corp | 露光システム |
CN1592948A (zh) * | 2000-09-06 | 2005-03-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及器件制造方法 |
EP1715078A1 (de) * | 2005-04-20 | 2006-10-25 | Applied Films GmbH & Co. KG | Kontinuierliche OLED-Beschichtungsanlage |
JP2008115441A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Canon Inc | 成膜マスク交換方法および成膜マスク交換システム |
KR101699983B1 (ko) * | 2007-11-15 | 2017-01-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 마스크 케이스, 반송 장치, 노광 장치, 마스크 반송 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101119853B1 (ko) * | 2009-05-07 | 2012-02-28 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템 |
DE102010000447A1 (de) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Aixtron Ag, 52134 | Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte |
JP2013112854A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
KR101293025B1 (ko) * | 2011-12-22 | 2013-08-05 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 마스크 적재 및 기판 반송 챔버와, 마스크 적재 및 기판 반송 챔버의 운용방법 |
KR102106414B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2020-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 챔버, 이를 포함하는 증착 시스템 및 유기 발광 표시장치 제조방법 |
CN104846337A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-08-19 | 北京欣奕华科技有限公司 | 一种蒸镀设备及蒸镀生产线 |
CN109154063A (zh) * | 2017-04-28 | 2019-01-04 | 应用材料公司 | 真空系统和用于在基板上沉积多个材料的方法 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012039383A1 (ja) | 2010-09-22 | 2012-03-29 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び有機薄膜形成方法 |
JP2014109054A (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Panasonic Corp | 真空成膜装置 |
JP2019531399A (ja) | 2017-09-05 | 2019-10-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マスクデバイスを取り扱う方法、マスクデバイスを交換するための装置、マスク交換チャンバ、及び真空システム |
JP2019189939A (ja) | 2018-04-18 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 処理体収納装置と、処理体収納方法、及びこれを用いた蒸着方法 |
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