JP4071047B2 - 加熱冷却装置、真空処理装置 - Google Patents
加熱冷却装置、真空処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4071047B2 JP4071047B2 JP2002166861A JP2002166861A JP4071047B2 JP 4071047 B2 JP4071047 B2 JP 4071047B2 JP 2002166861 A JP2002166861 A JP 2002166861A JP 2002166861 A JP2002166861 A JP 2002166861A JP 4071047 B2 JP4071047 B2 JP 4071047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cooling plate
- heating
- cooling
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板保持装置の技術分野にかかり、特に、真空処理の前処理を行う加熱冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７の符号１０１は従来の真空処理装置の全体像を示している。この真空処理装置１０１は、大気側搬送室１１１と、加熱冷却装置１１０と、真空側搬送室１１２と、処理室１１４とを有している。
【０００３】
大気側搬送室１１１と加熱冷却装置１１０との間は基板搬送装置１２３によって接続されている。大気側搬送室１１１内には、不図示の搬送ロボットが配置されており、その搬送ロボットによって処理対象の基板が基板搬送装置１２３上に載置されると、基板搬送装置１２３が動作し、その基板は加熱冷却装置１１０内に搬入される。
【０００４】
加熱冷却装置１１０の内部構造を図８に示す。
【０００５】
加熱冷却装置１１０は二室構造になっており、加熱室１３１と冷却室１３２が上下二段に配置されている。
【０００６】
蓋１６０は、加熱室１３１の上部に取り付けられている。図８は蓋１６０を本体１６１から跳ね上げた状態である。未処理の基板は、加熱室１３１に設けられたバルブ１３５を開けて加熱室１３１内に搬入され、ピン１４６上に乗せられる。符号１０５はその状態の基板を示している。
【０００７】
蓋１６０の本体内部に面する面、及び、加熱室１３１の底壁上の両方の位置に赤外線ランプヒータ１４１、１４２がそれぞれ配置されている。
【０００８】
バルブ１３５を閉じ、加熱室１３１内を真空排気した後、赤外線ランプヒータ１４１、１４２に通電すると基板１０５は加熱される。
【０００９】
符号１７２は、真空側搬送室１１２内に配置された基板搬送ロボットのアームであり、符号１７３はそのアーム１７２先端に取り付けられたハンドを示している。
【００１０】
基板１０５が所定温度まで昇温すると、加熱室１３１内での処理は終了し、ハンド１７３上に乗せて加熱冷却室１１０から取り出される。符号１０６は取り出された基板を示しており、この基板１０６は、次に処理室１１４内に搬入され、真空処理が行われる。
【００１１】
ここでは処理室１１４はスパッタリング装置であり、その真空槽１３１に接続された複数のカソード室１３２1〜１３２3によって、基板１０６表面に複数層の薄膜が順次積層される。
【００１２】
処理室１１４内での処理が終了した基板は、ハンド１７３上に乗せて取り出される。この基板搬送ロボットのアーム１７２は上下移動可能に構成されており、アーム１７２の上下移動により、ハンド１７２が、下段位置の冷却室１３２と同じ高さまで上下移動し、基板を乗せた状態で、ハンド１７２が冷却室１３２内に挿入され、載置される。
【００１３】
冷却室１３２内に載置された基板は所定温度まで冷却された後、冷却室１３２と大気との間に設けられたバルブ１３６を開け、基板搬送装置１２３によって取り出し、ストッカに戻す。
【００１４】
上記のような従来技術の加熱冷却装置１１０は、加熱室１３１と冷却室１３２とを別々に持ち、搬出入口も別個なため、搬出入を行う際には、基板搬送装置１２３や基板搬送ロボットのハンド１７２の高さを上下移動させる等、周囲の装置の構造が複雑且つ高価になるという欠点がある。
【００１５】
また、加熱室１３１内に配置された基板が破損した場合、その破片の落下により本体１６１の赤外線ランプヒータ１４２が破壊するという問題があり、しかも、破片を取り出しにくいため、対策が求められている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、周辺の装置の構成を簡単にでき、また、破片の取り出しを簡単に行える加熱冷却装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、容器状の本体と、前記本体上部の容器開口を閉塞する蓋と、前記蓋の前記容器状の本体の内部に面する位置に設けられた赤外線ランプヒータと、本体内部に配置され、密着された基板を冷却可能に構成された下側冷却板と、前記下側冷却板と前記蓋の間に配置された上側冷却板と、前記上側冷却板上に配置され、前記赤外線ランプヒータから射出された赤外線を反射し、前記赤外線の前記下側冷却板への照射を遮蔽する反射板と、前記反射板と前記蓋の間に搬入された基板を前記反射板上で支持し、昇降移動可能な上側ピンと、前記反射板と前記下側冷却板の間に搬入された基板を前記下側冷却板上で支持し、前記上側ピンとは独立に昇降移動可能な下側ピンと、前記本体側面に設けられ、前記基板が通過する通過口とを有し、前記反射板と前記上側冷却板と前記下側冷却板が一緒に昇降移動することにより、前記下側冷却板を前記通過口よりも下方に位置させながら、前記反射板と前記上側冷却板が前記通過口よりも上方に位置する下側搬出入状態と、前記反射板と前記上側冷却板と前記下側冷却板が前記通過口よりも下側に位置する上側搬出入状態を採れるように構成された加熱冷却装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の加熱冷却装置であって、前記上側ピンは前記上側冷却板に設けられ、前記反射板を挿通された加熱冷却装置である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の加熱冷却装置であって、前記反射板と前記上側冷却板は四辺形であり、その一辺を軸にして所定角度回転可能に構成され、前記蓋と前記上側冷却板及び前記反射板を跳ね上げると、前記下側冷却板上で破損した基板を前記本体の上部から取り出せるように構成された加熱冷却装置である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の加熱冷却装置と、基板搬送ロボットが配置された真空側搬送室と、基板を処理する真空処理室とを有する真空処理装置であって、前記真空側搬送室と前記加熱冷却装置とは前記通過口によって接続され、前記下側搬出入状態と前記上側搬出入状態では、前記基板搬送ロボットのハンドを前記通過口から前記加熱冷却装置内に挿入し、前記下側搬出入状態では前記下側ピンと前記ハンドの間、前記上側搬出入状態では前記上側ピンと前記ハンドの間で前記基板の受渡を行なえるように構成された真空処理装置である。
請求項５記載の発明は、内部にストッカが設けられた大気側搬送室を有する請求項４記載の真空処理装置であって、前記本体には、バルブによって開閉可能な搬出入口が設けられ、前記大気側搬送装置と前記加熱冷却装置とは前記搬出入口によって接続された真空処理装置である。
【００１８】
本発明は上記のように構成されており、本体に設けられた通路をバルブで塞ぎ、蓋を閉じると、加熱冷却装置の内部を真空排気できるようになっている。
【００１９】
上側及び下側の冷却板とピン、及び反射板は、加熱冷却装置の真空雰囲気を維持した状態で上昇と下降、即ち昇降移動ができるように構成されている。
【００２０】
下側ピンは、下側冷却板に対して独立に昇降移動可能に構成されているから、下側ピン上に基板を乗せた状態で下側ピンを下側冷却板に対して降下させると基板は下側冷却板上に移載される。
【００２１】
また、本発明では、下側ピンは上側ピンに対して独立に昇降移動可能に構成されているから、上側ピン上に基板を配置した状態で下側ピンを昇降移動させ、基板の搬出入や、下側冷却板上への基板の着脱を行えるようになっている。
【００２２】
また、本発明では下側及び上側冷却板内には冷却水等の冷媒が循環されており、熱伝導によって基板を冷却するように構成されている。
【００２３】
蓋に設けられた赤外線ランプヒータから赤外線を照射し、上側ピン上に載置した基板に照射すると、その基板は加熱される。基板を透過した赤外線は反射板によって基板側に戻され、再照射されるので、基板が効率よく加熱される。
【００２４】
反射板によって赤外線が遮られ、下側冷却板や、その上に配置された基板には照射されず、基板の冷却が妨害されないようになっている。
【００２５】
反射板の下方に上側冷却板を配置し、反射板と上側冷却板は間隔を開けておくと、反射板が昇温する場合でも、上側冷却板によって反射板の熱が、下側冷却板の方には伝わらないようにすることができ、反射板による基板昇温の障害もなくなる。
【００２６】
また、本発明では反射板と上側冷却板は四辺形であり、その一辺を軸にして所定角度回転可能に構成されている。従って、蓋を開け、且つ、上側冷却板と反射板を下側冷却板上から跳ね上げておくと、下側冷却板上に落下した基板の破片を簡単に除去することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１の符号１は、本発明の加熱冷却装置１０を有する真空処理装置の全体像を示している。
【００２８】
この真空処理装置１は、大気側搬送室１１と、加熱冷却装置１０と、真空側搬送室１３と、真空処理室１４とを有している。
【００２９】
大気側搬送室１１内には、基板ストッカ２１と、基板搬送装置２３とが配置されており、基板ストッカ２１内には、複数枚の基板２２が配置されている。これらの基板２２のうち未処理の基板は、後述するように、基板搬送装置２３によって１枚ずつ取り出され、加熱冷却装置１０内に搬入され、所定温度に加熱される。
【００３０】
真空側搬送室１３内には、図２や図３の符号７０で示すような基板搬送ロボットが配置されており、加熱冷却装置１０内で所定温度に加熱された基板は、基板搬送ロボット７０によって取り出され、真空処理室１４内に搬入される。
【００３１】
真空処理室１４は、この実施例ではスパッタリング装置であり、真空槽３１の側面に、複数のカソード室３１1〜３１3が取り付けられて構成されている。加熱冷却装置１０内から取り出された基板は真空槽３１内に搬入され、各カソード室３１1〜３１3内に設けられたターゲットにより、複数層の薄膜が積層される。ここでは各カソード室３１1〜３１3内のターゲットは鉛直に配置されており、真空槽３１内に水平に搬入された基板は鉛直に起立させられた後、各ターゲットと対面して順次スパッタリングが行われる。
【００３２】
上記のような成膜処理が終了した基板は、基板搬送ロボット７０によって真空槽３１から取り出され、加熱冷却装置１０に戻される。
【００３３】
そして、加熱冷却室１０内で冷却された後、基板搬送装置２３によって取り出され、基板ストッカ２１に戻される。
【００３４】
加熱冷却装置１０の内部構造を図２に示す。
【００３５】
加熱冷却装置１０は、長方形の蓋６０と、外形が直方体形状であって容器状の本体６１とを有しており、蓋６０を本体６１の上部の開口に密着させると、本体６１の開口は閉塞され、本体６１内部は蓋６０によって密閉されるようになっている。
【００３６】
本体６１は、一側面が大気側搬送室１１内の基板搬送装置２３に接続され、その側面と対向する側面が真空側搬送室１３に接続されている。その両方の側面(基板搬送装置２３に接続された側面と、真空側搬送室１３に接続された側面)には、それぞれ通路が形成されている。
【００３７】
各通路はバルブによって閉塞される構造になっており、蓋６０と各バルブを閉じると、本体６１の内部雰囲気は周囲の雰囲気から遮断される。図２や図３では、基板搬送装置２３に接続された側面の通路は、バルブ３１によって塞がれた状態になっており、真空側搬送室１３側の通路だけが符号３２によって示されている。
【００３８】
バルブ３１で塞がれる通路及び、真空側搬送室１３に接続される通路３２は水平方向に伸びる横長状に形成されており、ガラス基板やシリコンウェハー等の基板が水平な状態で各通路を通過できるようになっている。
【００３９】
本体６０の内部には、二枚の冷却板４５ａ、４５ｂが、上下方向に間隔を開けて互いに平行に配置されている。符号４５ａは上側の冷却板を示しており、符号４５ｂは下側の冷却板を示している。
【００４０】
上側冷却板４５ａと下側冷却板４５ｂには孔が穿設されており、上側冷却板４５ａの孔と、下側冷却板４５ｂの孔には、上側ピン４６ａと下側ピン４６ｂとが鉛直に挿通されている。上側ピン４６ａと下側ピン４６ｂとは、それぞれ複数本設けられ、その上部に基板を乗せられるように構成されている。
【００４１】
符号７２、７３は、真空側搬送室１２内に配置された基板搬送ロボットのアームとハンドを示している。アーム７２の伸縮と回転により、ハンド７３は水平面内を移動可能に構成されている。ハンド７３は、通路３２と同じ高さに配置されており、通路３２を通って加熱冷却装置１０内に挿入できるように構成されている。符号６は、ハンド７３上に乗せられた基板を示している。
【００４２】
図３に示すように、下側冷却板４５ｂの四隅位置には、支柱４９が立設されており、上側冷却板４５ａは、その一辺が二本の支柱４９に回動可能に取り付けられている。従って、上側冷却板４５ａは二本の支柱４９で支持されており、且つ、その二本の支柱４９によって下側冷却板４５ｂに取り付けられていることになる。
【００４３】
また、他の二本の支柱４９の上部は、上側冷却板４５ａの一辺を係止可能に形成されており、上側冷却板４５ａが水平な状態になったときに、上側冷却板４５ａは、四本の支柱４９によって支持されるように構成されている。
【００４４】
下側冷却板４５ｂは、不図示の昇降機構に接続されており、その昇降機構を動作させると、上側冷却板４５ａも、支柱４９と共に、下側冷却板４５ｂと一緒に加熱冷却装置１０内を上下方向に昇降移動する。
【００４５】
図３は、下側冷却板４５ｂ上で基板８が破損したときの様子を示している。破損した基板８は、蓋６０と上側冷却板４５ａを跳ね上げると、本体６１の上部から取り出すことができる。
【００４６】
同図の符号２０は、上側冷却板４５ａの上部表面に取り付けられた反射板を示している。蓋６０には、赤外線ランプヒータ４１が設けられており、上側冷却板４５ａを水平にし、蓋６０を閉じた状態にして赤外線ランプヒータ４１に通電した場合、赤外線ランプヒータ４１から放射される赤外線は、反射板２０によって反射され、上側冷却板４５ａには照射されないようになっている。
【００４７】
また、反射板２０は、上側冷却板４５ａに固定されており、上下の冷却板４５ａ、４５ｂの昇降移動と一緒に昇降移動するように構成されている。
【００４８】
上側のピン４６ａと下側のピン４６ｂとは、上側と下側冷却板４５ａ、４５ｂ及び反射板２０に対して相対的に上下方向に昇降移動可能に構成されている。
【００４９】
また、上側のピン４６ａと下側のピン４６ｂとは、別個に昇降移動可能に構成されている。
【００５０】
図２は上側ピン４６ａが上方位置に移動し、静止した状態で上端部分に基板５が配置され、且つ、下側のピン４６ｂが下方位置に移動し、基板７が下側冷却板４５ｂ上に配置された状態を示している。
【００５１】
上記のような加熱冷却装置１０内への基板の搬出入手順を説明すると、先ず、図４(ａ)に示したように、上側のピン４６ａを上昇させ、その上端部分を上側冷却板４５ａよりも上方に突き出させ、未処理基板３４を乗せておき、加熱冷却装置１０内を真空排気しながら赤外線ランプヒータ４１に通電し、赤外線ランプヒータ４１から赤外線を放出させる。赤外線は上側のピン４６ａ上の未処理基板３４に照射され、未処理基板３４が加熱される。
【００５２】
図４〜図６では、反射板２０は省略してあるが、上側のピン４６ａは反射板２０上に突き出されている。赤外線ランプヒータ４１から放出された赤外線の一部は未処理基板３４に吸収される。他の一部は未処理基板３４を透過し反射板２０によって反射され、未処理基板３４に再照射され、再吸収される。このように、未処理基板３４を透過した赤外線は反射板２０によって反射されるため、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂには到達せず、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂは輻射熱では加熱されないようになっている。
【００５３】
図４(ａ)の符号３５は、真空処理室１４内で薄膜が形成され、基板搬送ロボット７０のハンド７３上に乗せられた状態の処理済み基板を示している。
【００５４】
未処理基板３４が所定温度まで昇温されると、通路３２を塞いでいたバルブが移動し、通路３２によって加熱冷却装置１０内と真空側搬送室１３内とが接続される。
【００５５】
また、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂは、反射板２０と共に一緒に上方に移動し、上側冷却板４５ａ及び反射板２０を通路３２よりも上方、且つ、下側冷却板４５ｂを通路３２よりも下方に位置させる。
【００５６】
このとき、下側のピン４６ｂは予め降下させておき、ハンド７３を通路３２を通し、加熱冷却装置１０内に挿入すると、処理済み基板３５は加熱冷却装置１０内に搬入され、図４(ｂ)に示すように上側冷却板４５ａと下側冷却板４５ｂの間で静止する。
【００５７】
次いで、図４(ｃ)に示すように、下側のピン４６ｂを上方に移動させると、処理済み基板３５は、ハンド７３上から持ち上げられ、下側のピン４６ｂの上部に移載される。
【００５８】
そして、図５(ｄ)に示すように、ハンド７３を加熱処理室１０内から抜去した後、同図(ｅ)に示すように、下側ピン４６ｂを降下させ、処理済み基板３５を下側冷却板４５ｂ上に移載すると、処理済み基板３５は下側冷却板４５ｂ表面に密着される。
【００５９】
処理済み基板３５は、成膜処理によって温度が１００℃以上に上昇しているが、下側冷却板４５ｂの内部には水等の冷媒が循環されており、処理済み基板３５は下側冷却板４５ｂの表面に密着されると熱伝導によって冷却される。
【００６０】
また、上側冷却板４５ａ内部にも冷媒が循環されており、赤外線ランプヒータ４１によって未処理基板３４を加熱するときに反射板２０が昇温してしまっても、反射板２０の裏面から放射される熱は、上側冷却板４５ａによって遮蔽され、下側冷却板４５ｂ上の処理済み基板３５には熱は伝わらないようになっている。
【００６１】
次に、未処理基板３４は上側ピン４６ａによって持ち上げた状態で、図５(ｆ)に示すように、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂを上側及び下側ピン４６ａ、４６ｂと共に降下させ、上側冷却板４５ａがハンド７３よりも下方で、且つ、未処理基板３４がハンド７３よりも上方に位置したところで静止させる。
【００６２】
次いで、図６(ｇ)に示すように、ハンド７３を加熱冷却装置１０内に挿入すると、ハンド７３は、上側冷却板４５ａと未処理基板３４の間の挿入される。
【００６３】
この加熱冷却装置１０では、上側ピン４６ａは、上側冷却板４５ａに固定されており、次いで、上側ピン４６ａを、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂと共に更に降下させると、同図(ｈ)に示すように、未処理基板３４はハンド７３上に移載される。
【００６４】
そして、同図(ｉ)に示すように、ハンド７３を加熱冷却室１０内部から抜去すると、未処理基板３４は真空側搬送室１３内に搬入される。
【００６５】
そして、真空側搬送室１３との間の通路３２をバルブで塞ぎ、下側ピン４６ｂを、下側冷却板４５ｂに対して相対的に上昇させ、処理済み基板３５を下側ピン４６ｂによって持ち上げる。次いで、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂを昇降移動させ、大気側搬送室１１内の基板搬送装置２３に対する高さを適合させた後、基板搬送装置２３に接続された通路のバルブを開け、処理済み基板３５を搬出し、ストッカ２１に納める。
【００６６】
上記のように、加熱冷却室１０内への未処理基板の搬入と、処理済み基板の搬出とを繰り返し行い、基板ストッカ２１に装着された未処理基板を順次処理する。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の加熱冷却装置１０では、上下の冷却板４５ａ、４５ｂが、上下のピン４６ａ、４６ｂや基板３４、３５と共に昇降移動するので、基板搬送ロボットのハンド７３や基板搬送装置２３が昇降移動しなくても、加熱冷却装置１０内への基板の搬出入が行える。従って、真空処理装置１全体のコストが低下する。
【００６８】
赤外線ランプヒータが射出する赤外線は反射板によって遮蔽され、下側冷却板４５ｂ上で冷却される基板には照射されないので、冷却効率が低下することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理装置の一例
【図２】その加熱冷却室の内部を説明するための図(１)
【図３】その加熱冷却室の内部を説明するための図(２)
【図４】(ａ)〜(ｃ)：加熱冷却室への基板の搬出入方法を説明するための図(１)
【図５】(ｄ)〜(ｆ)：加熱冷却室への基板の搬出入方法を説明するための図(２)
【図６】(ｇ)〜(ｉ)：加熱冷却室への基板の搬出入方法を説明するための図(３)
【図７】従来技術の加熱冷却装置を有する真空処理装置
【図８】従来技術の加熱冷却装置
【符号の説明】
６、８、３４、３５……基板
２０……反射板
４１……赤外線ランプヒータ
４５ａ……上側冷却板
４５ｂ……下側冷却板
４６ａ……上側ピン
４６ｂ……下側ピン
６０……蓋
６１……本体
７０……基板搬送ロボット
７３……ハンド
【発明の属する技術分野】
本発明は基板保持装置の技術分野にかかり、特に、真空処理の前処理を行う加熱冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７の符号１０１は従来の真空処理装置の全体像を示している。この真空処理装置１０１は、大気側搬送室１１１と、加熱冷却装置１１０と、真空側搬送室１１２と、処理室１１４とを有している。
【０００３】
大気側搬送室１１１と加熱冷却装置１１０との間は基板搬送装置１２３によって接続されている。大気側搬送室１１１内には、不図示の搬送ロボットが配置されており、その搬送ロボットによって処理対象の基板が基板搬送装置１２３上に載置されると、基板搬送装置１２３が動作し、その基板は加熱冷却装置１１０内に搬入される。
【０００４】
加熱冷却装置１１０の内部構造を図８に示す。
【０００５】
加熱冷却装置１１０は二室構造になっており、加熱室１３１と冷却室１３２が上下二段に配置されている。
【０００６】
蓋１６０は、加熱室１３１の上部に取り付けられている。図８は蓋１６０を本体１６１から跳ね上げた状態である。未処理の基板は、加熱室１３１に設けられたバルブ１３５を開けて加熱室１３１内に搬入され、ピン１４６上に乗せられる。符号１０５はその状態の基板を示している。
【０００７】
蓋１６０の本体内部に面する面、及び、加熱室１３１の底壁上の両方の位置に赤外線ランプヒータ１４１、１４２がそれぞれ配置されている。
【０００８】
バルブ１３５を閉じ、加熱室１３１内を真空排気した後、赤外線ランプヒータ１４１、１４２に通電すると基板１０５は加熱される。
【０００９】
符号１７２は、真空側搬送室１１２内に配置された基板搬送ロボットのアームであり、符号１７３はそのアーム１７２先端に取り付けられたハンドを示している。
【００１０】
基板１０５が所定温度まで昇温すると、加熱室１３１内での処理は終了し、ハンド１７３上に乗せて加熱冷却室１１０から取り出される。符号１０６は取り出された基板を示しており、この基板１０６は、次に処理室１１４内に搬入され、真空処理が行われる。
【００１１】
ここでは処理室１１４はスパッタリング装置であり、その真空槽１３１に接続された複数のカソード室１３２1〜１３２3によって、基板１０６表面に複数層の薄膜が順次積層される。
【００１２】
処理室１１４内での処理が終了した基板は、ハンド１７３上に乗せて取り出される。この基板搬送ロボットのアーム１７２は上下移動可能に構成されており、アーム１７２の上下移動により、ハンド１７２が、下段位置の冷却室１３２と同じ高さまで上下移動し、基板を乗せた状態で、ハンド１７２が冷却室１３２内に挿入され、載置される。
【００１３】
冷却室１３２内に載置された基板は所定温度まで冷却された後、冷却室１３２と大気との間に設けられたバルブ１３６を開け、基板搬送装置１２３によって取り出し、ストッカに戻す。
【００１４】
上記のような従来技術の加熱冷却装置１１０は、加熱室１３１と冷却室１３２とを別々に持ち、搬出入口も別個なため、搬出入を行う際には、基板搬送装置１２３や基板搬送ロボットのハンド１７２の高さを上下移動させる等、周囲の装置の構造が複雑且つ高価になるという欠点がある。
【００１５】
また、加熱室１３１内に配置された基板が破損した場合、その破片の落下により本体１６１の赤外線ランプヒータ１４２が破壊するという問題があり、しかも、破片を取り出しにくいため、対策が求められている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、周辺の装置の構成を簡単にでき、また、破片の取り出しを簡単に行える加熱冷却装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、容器状の本体と、前記本体上部の容器開口を閉塞する蓋と、前記蓋の前記容器状の本体の内部に面する位置に設けられた赤外線ランプヒータと、本体内部に配置され、密着された基板を冷却可能に構成された下側冷却板と、前記下側冷却板と前記蓋の間に配置された上側冷却板と、前記上側冷却板上に配置され、前記赤外線ランプヒータから射出された赤外線を反射し、前記赤外線の前記下側冷却板への照射を遮蔽する反射板と、前記反射板と前記蓋の間に搬入された基板を前記反射板上で支持し、昇降移動可能な上側ピンと、前記反射板と前記下側冷却板の間に搬入された基板を前記下側冷却板上で支持し、前記上側ピンとは独立に昇降移動可能な下側ピンと、前記本体側面に設けられ、前記基板が通過する通過口とを有し、前記反射板と前記上側冷却板と前記下側冷却板が一緒に昇降移動することにより、前記下側冷却板を前記通過口よりも下方に位置させながら、前記反射板と前記上側冷却板が前記通過口よりも上方に位置する下側搬出入状態と、前記反射板と前記上側冷却板と前記下側冷却板が前記通過口よりも下側に位置する上側搬出入状態を採れるように構成された加熱冷却装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の加熱冷却装置であって、前記上側ピンは前記上側冷却板に設けられ、前記反射板を挿通された加熱冷却装置である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の加熱冷却装置であって、前記反射板と前記上側冷却板は四辺形であり、その一辺を軸にして所定角度回転可能に構成され、前記蓋と前記上側冷却板及び前記反射板を跳ね上げると、前記下側冷却板上で破損した基板を前記本体の上部から取り出せるように構成された加熱冷却装置である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の加熱冷却装置と、基板搬送ロボットが配置された真空側搬送室と、基板を処理する真空処理室とを有する真空処理装置であって、前記真空側搬送室と前記加熱冷却装置とは前記通過口によって接続され、前記下側搬出入状態と前記上側搬出入状態では、前記基板搬送ロボットのハンドを前記通過口から前記加熱冷却装置内に挿入し、前記下側搬出入状態では前記下側ピンと前記ハンドの間、前記上側搬出入状態では前記上側ピンと前記ハンドの間で前記基板の受渡を行なえるように構成された真空処理装置である。
請求項５記載の発明は、内部にストッカが設けられた大気側搬送室を有する請求項４記載の真空処理装置であって、前記本体には、バルブによって開閉可能な搬出入口が設けられ、前記大気側搬送装置と前記加熱冷却装置とは前記搬出入口によって接続された真空処理装置である。
【００１８】
本発明は上記のように構成されており、本体に設けられた通路をバルブで塞ぎ、蓋を閉じると、加熱冷却装置の内部を真空排気できるようになっている。
【００１９】
上側及び下側の冷却板とピン、及び反射板は、加熱冷却装置の真空雰囲気を維持した状態で上昇と下降、即ち昇降移動ができるように構成されている。
【００２０】
下側ピンは、下側冷却板に対して独立に昇降移動可能に構成されているから、下側ピン上に基板を乗せた状態で下側ピンを下側冷却板に対して降下させると基板は下側冷却板上に移載される。
【００２１】
また、本発明では、下側ピンは上側ピンに対して独立に昇降移動可能に構成されているから、上側ピン上に基板を配置した状態で下側ピンを昇降移動させ、基板の搬出入や、下側冷却板上への基板の着脱を行えるようになっている。
【００２２】
また、本発明では下側及び上側冷却板内には冷却水等の冷媒が循環されており、熱伝導によって基板を冷却するように構成されている。
【００２３】
蓋に設けられた赤外線ランプヒータから赤外線を照射し、上側ピン上に載置した基板に照射すると、その基板は加熱される。基板を透過した赤外線は反射板によって基板側に戻され、再照射されるので、基板が効率よく加熱される。
【００２４】
反射板によって赤外線が遮られ、下側冷却板や、その上に配置された基板には照射されず、基板の冷却が妨害されないようになっている。
【００２５】
反射板の下方に上側冷却板を配置し、反射板と上側冷却板は間隔を開けておくと、反射板が昇温する場合でも、上側冷却板によって反射板の熱が、下側冷却板の方には伝わらないようにすることができ、反射板による基板昇温の障害もなくなる。
【００２６】
また、本発明では反射板と上側冷却板は四辺形であり、その一辺を軸にして所定角度回転可能に構成されている。従って、蓋を開け、且つ、上側冷却板と反射板を下側冷却板上から跳ね上げておくと、下側冷却板上に落下した基板の破片を簡単に除去することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１の符号１は、本発明の加熱冷却装置１０を有する真空処理装置の全体像を示している。
【００２８】
この真空処理装置１は、大気側搬送室１１と、加熱冷却装置１０と、真空側搬送室１３と、真空処理室１４とを有している。
【００２９】
大気側搬送室１１内には、基板ストッカ２１と、基板搬送装置２３とが配置されており、基板ストッカ２１内には、複数枚の基板２２が配置されている。これらの基板２２のうち未処理の基板は、後述するように、基板搬送装置２３によって１枚ずつ取り出され、加熱冷却装置１０内に搬入され、所定温度に加熱される。
【００３０】
真空側搬送室１３内には、図２や図３の符号７０で示すような基板搬送ロボットが配置されており、加熱冷却装置１０内で所定温度に加熱された基板は、基板搬送ロボット７０によって取り出され、真空処理室１４内に搬入される。
【００３１】
真空処理室１４は、この実施例ではスパッタリング装置であり、真空槽３１の側面に、複数のカソード室３１1〜３１3が取り付けられて構成されている。加熱冷却装置１０内から取り出された基板は真空槽３１内に搬入され、各カソード室３１1〜３１3内に設けられたターゲットにより、複数層の薄膜が積層される。ここでは各カソード室３１1〜３１3内のターゲットは鉛直に配置されており、真空槽３１内に水平に搬入された基板は鉛直に起立させられた後、各ターゲットと対面して順次スパッタリングが行われる。
【００３２】
上記のような成膜処理が終了した基板は、基板搬送ロボット７０によって真空槽３１から取り出され、加熱冷却装置１０に戻される。
【００３３】
そして、加熱冷却室１０内で冷却された後、基板搬送装置２３によって取り出され、基板ストッカ２１に戻される。
【００３４】
加熱冷却装置１０の内部構造を図２に示す。
【００３５】
加熱冷却装置１０は、長方形の蓋６０と、外形が直方体形状であって容器状の本体６１とを有しており、蓋６０を本体６１の上部の開口に密着させると、本体６１の開口は閉塞され、本体６１内部は蓋６０によって密閉されるようになっている。
【００３６】
本体６１は、一側面が大気側搬送室１１内の基板搬送装置２３に接続され、その側面と対向する側面が真空側搬送室１３に接続されている。その両方の側面(基板搬送装置２３に接続された側面と、真空側搬送室１３に接続された側面)には、それぞれ通路が形成されている。
【００３７】
各通路はバルブによって閉塞される構造になっており、蓋６０と各バルブを閉じると、本体６１の内部雰囲気は周囲の雰囲気から遮断される。図２や図３では、基板搬送装置２３に接続された側面の通路は、バルブ３１によって塞がれた状態になっており、真空側搬送室１３側の通路だけが符号３２によって示されている。
【００３８】
バルブ３１で塞がれる通路及び、真空側搬送室１３に接続される通路３２は水平方向に伸びる横長状に形成されており、ガラス基板やシリコンウェハー等の基板が水平な状態で各通路を通過できるようになっている。
【００３９】
本体６０の内部には、二枚の冷却板４５ａ、４５ｂが、上下方向に間隔を開けて互いに平行に配置されている。符号４５ａは上側の冷却板を示しており、符号４５ｂは下側の冷却板を示している。
【００４０】
上側冷却板４５ａと下側冷却板４５ｂには孔が穿設されており、上側冷却板４５ａの孔と、下側冷却板４５ｂの孔には、上側ピン４６ａと下側ピン４６ｂとが鉛直に挿通されている。上側ピン４６ａと下側ピン４６ｂとは、それぞれ複数本設けられ、その上部に基板を乗せられるように構成されている。
【００４１】
符号７２、７３は、真空側搬送室１２内に配置された基板搬送ロボットのアームとハンドを示している。アーム７２の伸縮と回転により、ハンド７３は水平面内を移動可能に構成されている。ハンド７３は、通路３２と同じ高さに配置されており、通路３２を通って加熱冷却装置１０内に挿入できるように構成されている。符号６は、ハンド７３上に乗せられた基板を示している。
【００４２】
図３に示すように、下側冷却板４５ｂの四隅位置には、支柱４９が立設されており、上側冷却板４５ａは、その一辺が二本の支柱４９に回動可能に取り付けられている。従って、上側冷却板４５ａは二本の支柱４９で支持されており、且つ、その二本の支柱４９によって下側冷却板４５ｂに取り付けられていることになる。
【００４３】
また、他の二本の支柱４９の上部は、上側冷却板４５ａの一辺を係止可能に形成されており、上側冷却板４５ａが水平な状態になったときに、上側冷却板４５ａは、四本の支柱４９によって支持されるように構成されている。
【００４４】
下側冷却板４５ｂは、不図示の昇降機構に接続されており、その昇降機構を動作させると、上側冷却板４５ａも、支柱４９と共に、下側冷却板４５ｂと一緒に加熱冷却装置１０内を上下方向に昇降移動する。
【００４５】
図３は、下側冷却板４５ｂ上で基板８が破損したときの様子を示している。破損した基板８は、蓋６０と上側冷却板４５ａを跳ね上げると、本体６１の上部から取り出すことができる。
【００４６】
同図の符号２０は、上側冷却板４５ａの上部表面に取り付けられた反射板を示している。蓋６０には、赤外線ランプヒータ４１が設けられており、上側冷却板４５ａを水平にし、蓋６０を閉じた状態にして赤外線ランプヒータ４１に通電した場合、赤外線ランプヒータ４１から放射される赤外線は、反射板２０によって反射され、上側冷却板４５ａには照射されないようになっている。
【００４７】
また、反射板２０は、上側冷却板４５ａに固定されており、上下の冷却板４５ａ、４５ｂの昇降移動と一緒に昇降移動するように構成されている。
【００４８】
上側のピン４６ａと下側のピン４６ｂとは、上側と下側冷却板４５ａ、４５ｂ及び反射板２０に対して相対的に上下方向に昇降移動可能に構成されている。
【００４９】
また、上側のピン４６ａと下側のピン４６ｂとは、別個に昇降移動可能に構成されている。
【００５０】
図２は上側ピン４６ａが上方位置に移動し、静止した状態で上端部分に基板５が配置され、且つ、下側のピン４６ｂが下方位置に移動し、基板７が下側冷却板４５ｂ上に配置された状態を示している。
【００５１】
上記のような加熱冷却装置１０内への基板の搬出入手順を説明すると、先ず、図４(ａ)に示したように、上側のピン４６ａを上昇させ、その上端部分を上側冷却板４５ａよりも上方に突き出させ、未処理基板３４を乗せておき、加熱冷却装置１０内を真空排気しながら赤外線ランプヒータ４１に通電し、赤外線ランプヒータ４１から赤外線を放出させる。赤外線は上側のピン４６ａ上の未処理基板３４に照射され、未処理基板３４が加熱される。
【００５２】
図４〜図６では、反射板２０は省略してあるが、上側のピン４６ａは反射板２０上に突き出されている。赤外線ランプヒータ４１から放出された赤外線の一部は未処理基板３４に吸収される。他の一部は未処理基板３４を透過し反射板２０によって反射され、未処理基板３４に再照射され、再吸収される。このように、未処理基板３４を透過した赤外線は反射板２０によって反射されるため、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂには到達せず、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂは輻射熱では加熱されないようになっている。
【００５３】
図４(ａ)の符号３５は、真空処理室１４内で薄膜が形成され、基板搬送ロボット７０のハンド７３上に乗せられた状態の処理済み基板を示している。
【００５４】
未処理基板３４が所定温度まで昇温されると、通路３２を塞いでいたバルブが移動し、通路３２によって加熱冷却装置１０内と真空側搬送室１３内とが接続される。
【００５５】
また、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂは、反射板２０と共に一緒に上方に移動し、上側冷却板４５ａ及び反射板２０を通路３２よりも上方、且つ、下側冷却板４５ｂを通路３２よりも下方に位置させる。
【００５６】
このとき、下側のピン４６ｂは予め降下させておき、ハンド７３を通路３２を通し、加熱冷却装置１０内に挿入すると、処理済み基板３５は加熱冷却装置１０内に搬入され、図４(ｂ)に示すように上側冷却板４５ａと下側冷却板４５ｂの間で静止する。
【００５７】
次いで、図４(ｃ)に示すように、下側のピン４６ｂを上方に移動させると、処理済み基板３５は、ハンド７３上から持ち上げられ、下側のピン４６ｂの上部に移載される。
【００５８】
そして、図５(ｄ)に示すように、ハンド７３を加熱処理室１０内から抜去した後、同図(ｅ)に示すように、下側ピン４６ｂを降下させ、処理済み基板３５を下側冷却板４５ｂ上に移載すると、処理済み基板３５は下側冷却板４５ｂ表面に密着される。
【００５９】
処理済み基板３５は、成膜処理によって温度が１００℃以上に上昇しているが、下側冷却板４５ｂの内部には水等の冷媒が循環されており、処理済み基板３５は下側冷却板４５ｂの表面に密着されると熱伝導によって冷却される。
【００６０】
また、上側冷却板４５ａ内部にも冷媒が循環されており、赤外線ランプヒータ４１によって未処理基板３４を加熱するときに反射板２０が昇温してしまっても、反射板２０の裏面から放射される熱は、上側冷却板４５ａによって遮蔽され、下側冷却板４５ｂ上の処理済み基板３５には熱は伝わらないようになっている。
【００６１】
次に、未処理基板３４は上側ピン４６ａによって持ち上げた状態で、図５(ｆ)に示すように、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂを上側及び下側ピン４６ａ、４６ｂと共に降下させ、上側冷却板４５ａがハンド７３よりも下方で、且つ、未処理基板３４がハンド７３よりも上方に位置したところで静止させる。
【００６２】
次いで、図６(ｇ)に示すように、ハンド７３を加熱冷却装置１０内に挿入すると、ハンド７３は、上側冷却板４５ａと未処理基板３４の間の挿入される。
【００６３】
この加熱冷却装置１０では、上側ピン４６ａは、上側冷却板４５ａに固定されており、次いで、上側ピン４６ａを、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂと共に更に降下させると、同図(ｈ)に示すように、未処理基板３４はハンド７３上に移載される。
【００６４】
そして、同図(ｉ)に示すように、ハンド７３を加熱冷却室１０内部から抜去すると、未処理基板３４は真空側搬送室１３内に搬入される。
【００６５】
そして、真空側搬送室１３との間の通路３２をバルブで塞ぎ、下側ピン４６ｂを、下側冷却板４５ｂに対して相対的に上昇させ、処理済み基板３５を下側ピン４６ｂによって持ち上げる。次いで、上側及び下側冷却板４５ａ、４５ｂを昇降移動させ、大気側搬送室１１内の基板搬送装置２３に対する高さを適合させた後、基板搬送装置２３に接続された通路のバルブを開け、処理済み基板３５を搬出し、ストッカ２１に納める。
【００６６】
上記のように、加熱冷却室１０内への未処理基板の搬入と、処理済み基板の搬出とを繰り返し行い、基板ストッカ２１に装着された未処理基板を順次処理する。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の加熱冷却装置１０では、上下の冷却板４５ａ、４５ｂが、上下のピン４６ａ、４６ｂや基板３４、３５と共に昇降移動するので、基板搬送ロボットのハンド７３や基板搬送装置２３が昇降移動しなくても、加熱冷却装置１０内への基板の搬出入が行える。従って、真空処理装置１全体のコストが低下する。
【００６８】
赤外線ランプヒータが射出する赤外線は反射板によって遮蔽され、下側冷却板４５ｂ上で冷却される基板には照射されないので、冷却効率が低下することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理装置の一例
【図２】その加熱冷却室の内部を説明するための図(１)
【図３】その加熱冷却室の内部を説明するための図(２)
【図４】(ａ)〜(ｃ)：加熱冷却室への基板の搬出入方法を説明するための図(１)
【図５】(ｄ)〜(ｆ)：加熱冷却室への基板の搬出入方法を説明するための図(２)
【図６】(ｇ)〜(ｉ)：加熱冷却室への基板の搬出入方法を説明するための図(３)
【図７】従来技術の加熱冷却装置を有する真空処理装置
【図８】従来技術の加熱冷却装置
【符号の説明】
６、８、３４、３５……基板
２０……反射板
４１……赤外線ランプヒータ
４５ａ……上側冷却板
４５ｂ……下側冷却板
４６ａ……上側ピン
４６ｂ……下側ピン
６０……蓋
６１……本体
７０……基板搬送ロボット
７３……ハンド
Claims (5)
- 容器状の本体と、前記本体上部の容器開口を閉塞する蓋と、
前記蓋の前記容器状の本体の内部に面する位置に設けられた赤外線ランプヒータと、
本体内部に配置され、密着された基板を冷却可能に構成された下側冷却板と、
前記下側冷却板と前記蓋の間に配置された上側冷却板と、
前記上側冷却板上に配置され、前記赤外線ランプヒータから射出された赤外線を反射し、前記赤外線の前記下側冷却板への照射を遮蔽する反射板と、
前記反射板と前記蓋の間に搬入された基板を前記反射板上で支持し、昇降移動可能な上側ピンと、前記反射板と前記下側冷却板の間に搬入された基板を前記下側冷却板上で支持し、前記上側ピンとは独立に昇降移動可能な下側ピンと、
前記本体側面に設けられ、前記基板が通過する通過口とを有し、
前記反射板と前記上側冷却板と前記下側冷却板が一緒に昇降移動することにより、前記下側冷却板を前記通過口よりも下方に位置させながら、前記反射板と前記上側冷却板が前記通過口よりも上方に位置する下側搬出入状態と、前記反射板と前記上側冷却板と前記下側冷却板が前記通過口よりも下側に位置する上側搬出入状態を採れるように構成された加熱冷却装置。 - 前記上側ピンは前記上側冷却板に設けられ、前記反射板を挿通された請求項１記載の加熱冷却装置。
- 前記反射板と前記上側冷却板は四辺形であり、その一辺を軸にして所定角度回転可能に構成され、
前記蓋と前記上側冷却板及び前記反射板を跳ね上げると、前記下側冷却板上で破損した基板を前記本体の上部から取り出せるように構成された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の加熱冷却装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の加熱冷却装置と、
基板搬送ロボットが配置された真空側搬送室と、基板を処理する真空処理室とを有する真空処理装置であって、
前記真空側搬送室と前記加熱冷却装置とは前記通過口によって接続され、
前記下側搬出入状態と前記上側搬出入状態では、前記基板搬送ロボットのハンドを前記通過口から前記加熱冷却装置内に挿入し、前記下側搬出入状態では前記下側ピンと前記ハンドの間、前記上側搬出入状態では前記上側ピンと前記ハンドの間で前記基板の受渡を行なえるように構成された真空処理装置。 - 内部にストッカが設けられた大気側搬送室を有する請求項４記載の真空処理装置であって、
前記本体には、バルブによって開閉可能な搬出入口が設けられ、前記大気側搬送室と前記加熱冷却装置とは前記搬出入口によって接続された真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002166861A JP4071047B2 (ja) | 2002-06-07 | 2002-06-07 | 加熱冷却装置、真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002166861A JP4071047B2 (ja) | 2002-06-07 | 2002-06-07 | 加熱冷却装置、真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004014838A JP2004014838A (ja) | 2004-01-15 |
| JP4071047B2 true JP4071047B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=30434283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002166861A Expired - Fee Related JP4071047B2 (ja) | 2002-06-07 | 2002-06-07 | 加熱冷却装置、真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4071047B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102942061A (zh) * | 2012-10-29 | 2013-02-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种自动搬运设备的校正系统及一种校正方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101157192B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2012-06-20 | 주식회사 테라세미콘 | 배치식 기판 처리 장치 |
| KR101398970B1 (ko) | 2012-11-15 | 2014-05-27 | (주)와이에스썸텍 | 대면적 글라스 히팅 및 냉각 장치 |
| KR101484543B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2015-01-20 | 주식회사 테라세미콘 | 기판처리장치 |
| KR101484549B1 (ko) * | 2013-04-29 | 2015-01-20 | 주식회사 테라세미콘 | 기판처리장치 |
| KR101529304B1 (ko) * | 2014-07-23 | 2015-06-15 | 주식회사 테라세미콘 | 기판처리장치 |
| JP6625230B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-12-25 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、基板冷却ユニットおよび半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-06-07 JP JP2002166861A patent/JP4071047B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102942061A (zh) * | 2012-10-29 | 2013-02-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种自动搬运设备的校正系统及一种校正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004014838A (ja) | 2004-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3453223B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP4237939B2 (ja) | 基板加熱冷却を改良した真空処理装置 | |
| US7371998B2 (en) | Thermal wafer processor | |
| WO2011043490A1 (ja) | 真空加熱冷却装置 | |
| TW201903861A (zh) | 基板加熱裝置 | |
| JP3965343B2 (ja) | 処理装置 | |
| CN108022868A (zh) | 基板支撑装置、包括其的基板处理系统及基板处理方法 | |
| JP6005966B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP5003663B2 (ja) | 真空加熱装置 | |
| JP4071047B2 (ja) | 加熱冷却装置、真空処理装置 | |
| US11856655B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2012174819A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP2002075901A (ja) | アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0633944B2 (ja) | ロ−ラハ−ス式真空炉 | |
| JP2007005399A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2012174820A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JPH1050716A (ja) | 基板の枚葉式熱処理装置 | |
| JP2002164399A (ja) | 温度制御室、及びその温度制御室を用いた真空処理装置 | |
| JP2008235800A (ja) | ロードロック装置および基板の処理システム | |
| JP2000323551A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4776061B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR20110013307A (ko) | 반송 장치 및 처리 시스템 | |
| JP2009188161A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2973141B2 (ja) | 真空装置及びその制御方法 | |
| CN117238815B (zh) | 一种晶圆预热冷却装置及传片方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050203 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071009 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071210 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071210 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080115 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4071047 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |