JP4656843B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。尚、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
本実施の形態では、本発明を用いて非晶質半導体(アモルファスシリコン)により構成されるトランジスタを用いて形成する液晶表示パネルについて図面を用いて説明する。本実施の形態では、本発明のレジストパターンの作製方法をゲート電極の形成に適用する。
Claims (8)
- 導電層を形成し、
前記導電層上に、減圧下で、第1の感光剤を含む第1の組成物をインクヘッドのノズルから吐出して選択的に第1のレジストパターンを形成し、
選択的に形成された前記第1のレジストパターンに、目的のパターンが書き込まれた第1のフォトマスクを介して前記第1の感光剤の感光波長域の光を照射し、
光が照射された前記第1のレジストパターンを現像して前記第1のレジストパターンの一部を除去することにより第2のレジストパターンを形成し、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、前記導電層を前記目的のパターンにエッチングし、
前記第2のレジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 導電層を形成し、
前記導電層上に、減圧下で、第1の感光剤を含む第1の組成物をインクヘッドのノズルから吐出して選択的に第1のレジストパターンを形成し、
選択的に形成された前記第1のレジストパターンに、第1の目的のパターンが書き込まれた第1のフォトマスクを介して前記第1の感光剤の感光波長域の光を照射し、
光が照射された前記第1のレジストパターンを現像して前記第1のレジストパターンの一部を除去することにより第2のレジストパターンを形成し、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、前記導電層を前記第1の目的のパターンにエッチングし、
前記第2のレジストパターンを除去し、
前記導電層上にゲート絶縁膜、第1の半導体膜及びチャネル保護膜を順に形成し、
前記チャネル保護膜上に、減圧下で、第2の感光剤を含む第2の組成物をインクヘッドのノズルから吐出して選択的に第3のレジストパターンを形成し、
選択的に形成された前記第3のレジストパターンに、前記導電層を介して前記第2の感光剤の感光波長域の光を照射し、
光が照射された前記第3のレジストパターンを現像して前記第3のレジストパターンの一部を除去することにより第4のレジストパターンを形成し、
前記第4のレジストパターンをマスクとして、前記チャネル保護膜を前記導電層と同じパターンにエッチングし、
前記第4のレジストパターンを除去し、
エッチングした前記チャネル保護膜上に、第2の半導体膜を形成し、
前記第2の半導体膜上に、減圧下で、第3の感光剤を含む第3の組成物をインクヘッドのノズルから吐出して選択的に第5のレジストパターンを形成し、
選択的に形成された前記第5のレジストパターンに、第2の目的のパターンが書き込まれた第2のフォトマスクを介して前記第3の感光剤の感光波長域の光を照射し、
光が照射された前記第5のレジストパターンを現像して前記第5のレジストパターンの一部を除去することにより第6のレジストパターンを形成し、
前記第6のレジストパターンをマスクとして、前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜を前記第2の目的のパターンにエッチングし、
前記第6のレジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1の組成物は、前記第1の感光剤を溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記第1の組成物は、前記第1の感光剤を第1の溶媒に分解又は分散させたものであり、
前記第2の組成物は、前記第2の感光剤を第2の溶媒に分解又は分散させたものであり、
前記第3の組成物は、前記第3の感光剤を第3の溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記導電層は、減圧下で、第1の導電性材料を含む第4の組成物を吐出して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2または請求項5において、
前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜をエッチングした後、
減圧下で、第2の導電性材料を含む第5の組成物を吐出して、画素電極を形成し、
減圧下で、第3の導電性材料を含む第6の組成物を吐出して、ソース及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、
前記第1の導電性材料は、金、銀または銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項6において、
前記第2の導電性材料は、銀または銅を含み、
前記第3の導電性材料は、金、銀または銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004008872A JP4656843B2 (ja) | 2003-01-17 | 2004-01-16 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003009111 | 2003-01-17 | ||
JP2004008872A JP4656843B2 (ja) | 2003-01-17 | 2004-01-16 | 半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010117926A Division JP4667529B2 (ja) | 2003-01-17 | 2010-05-24 | 半導体装置の作製方法 |
JP2010158978A Division JP4667532B2 (ja) | 2003-01-17 | 2010-07-13 | 半導体装置の作製方法 |
JP2010258031A Division JP5288639B2 (ja) | 2003-01-17 | 2010-11-18 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241769A JP2004241769A (ja) | 2004-08-26 |
JP2004241769A5 JP2004241769A5 (ja) | 2008-11-06 |
JP4656843B2 true JP4656843B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=32964808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004008872A Expired - Fee Related JP4656843B2 (ja) | 2003-01-17 | 2004-01-16 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4656843B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8053171B2 (en) | 2004-01-16 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
KR100998123B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2010-12-02 | 파나소닉 주식회사 | 도전성 패턴 및 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자디바이스 |
US7498119B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-03-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Process for forming a feature by undercutting a printed mask |
JP2008177253A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sharp Corp | 電子デバイスの製造方法、レジストパターン形成システム、電子デバイス、及び薄膜トランジスタ |
JP2009224653A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Sat:Kk | フォトレジスト塗布装置 |
JP2014106302A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Rainbow Technology Systems Ltd | 改良されたフォトイメージング |
JP5611399B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-22 | キヤノン株式会社 | 加工装置 |
JP2015216233A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | エッチング方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02139972A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH04282839A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
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-
2004
- 2004-01-16 JP JP2004008872A patent/JP4656843B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH02139972A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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JP2002318394A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004241769A (ja) | 2004-08-26 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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