JP2002107744A - 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 - Google Patents
電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置Info
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- G02F1/133357—Planarisation layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】製造コストの削減が図られた電極形成方法、画
素電極形成方法、及び画素電極を有する基板を提供す
る。 【解決手段】平坦化膜９をフォトマスク２０を用いて露
光し、その後現像することにより凹部９ｂを形成し、こ
の凹部９ｂが形成された平坦化膜９に画素電極１０を形
成する。
素電極形成方法、及び画素電極を有する基板を提供す
る。 【解決手段】平坦化膜９をフォトマスク２０を用いて露
光し、その後現像することにより凹部９ｂを形成し、こ
の凹部９ｂが形成された平坦化膜９に画素電極１０を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性を有する膜
の上に形成される電極の電極形成方法、画素電極形成方
法、及び液晶表示装置に関する。
の上に形成される電極の電極形成方法、画素電極形成方
法、及び液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置には、バックライトを備え
た透過型液晶表示装置の他に、外部光を利用した反射型
液晶表示装置が知られている。この反射型液晶表示装置
は、外部光を反射させるために、Ａｌ、Ａｇなど反射率
の高い金属を用いた画素電極が備えられているが、表示
される画像の品質を向上させるためには、画素電極に到
達した外部光を様々な方向に散乱させる必要がある。そ
こで、画素電極には通常、凹凸部が設けられている。こ
のような凹凸部を有する画素電極を備えることにより、
外部光を様々な方向に散乱させることができる。以下
に、凹凸部を有する画素電極を形成する方法の一例につ
いて簡単に説明する。
た透過型液晶表示装置の他に、外部光を利用した反射型
液晶表示装置が知られている。この反射型液晶表示装置
は、外部光を反射させるために、Ａｌ、Ａｇなど反射率
の高い金属を用いた画素電極が備えられているが、表示
される画像の品質を向上させるためには、画素電極に到
達した外部光を様々な方向に散乱させる必要がある。そ
こで、画素電極には通常、凹凸部が設けられている。こ
のような凹凸部を有する画素電極を備えることにより、
外部光を様々な方向に散乱させることができる。以下
に、凹凸部を有する画素電極を形成する方法の一例につ
いて簡単に説明する。
【０００３】先ず、基板（例えばガラス基板）の各画素
に対応する位置にＴＦＴ等の半導体素子を形成する。そ
の後、画素電極に凹凸部を持たせるための多数の突起を
形成し、さらに、この多数の突起を覆うように平坦化膜
を形成する。この平坦化膜の下には多数の突起が形成さ
れているため、この平坦化膜の表面には、この突起の影
響を受けて凹凸部が形成される。次に、この平坦化膜に
画素電極を形成すると、平坦化膜の凹凸部の影響を受け
て、凹凸部を有する画素電極が形成される。
に対応する位置にＴＦＴ等の半導体素子を形成する。そ
の後、画素電極に凹凸部を持たせるための多数の突起を
形成し、さらに、この多数の突起を覆うように平坦化膜
を形成する。この平坦化膜の下には多数の突起が形成さ
れているため、この平坦化膜の表面には、この突起の影
響を受けて凹凸部が形成される。次に、この平坦化膜に
画素電極を形成すると、平坦化膜の凹凸部の影響を受け
て、凹凸部を有する画素電極が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法では、画素
電極に凹凸部を持たせるために、平坦化膜の他に予め多
数の突起を形成する必要があり、製造コストがかかると
いう問題がある。
電極に凹凸部を持たせるために、平坦化膜の他に予め多
数の突起を形成する必要があり、製造コストがかかると
いう問題がある。
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑み、製造コスト
の削減が図られた電極形成方法、画素電極形成方法、及
び液晶表示装置を提供することを目的とする。
の削減が図られた電極形成方法、画素電極形成方法、及
び液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電極形成方法
は、感光性を有する感光性膜を形成する第１の工程と、
前記感光性膜を、該感光性膜の或る領域及び他の領域に
おいて互いに異なる露光エネルギーが与えられるように
露光する第２の工程と、前記露光された膜を現像する第
３の工程と、前記現像された膜の上に電極を形成する第
４の工程とを備えたことを特徴とする。
は、感光性を有する感光性膜を形成する第１の工程と、
前記感光性膜を、該感光性膜の或る領域及び他の領域に
おいて互いに異なる露光エネルギーが与えられるように
露光する第２の工程と、前記露光された膜を現像する第
３の工程と、前記現像された膜の上に電極を形成する第
４の工程とを備えたことを特徴とする。
【０００７】本発明の電極形成方法は、第２の工程で、
感光性膜の部位に応じて互いに異なる露光エネルギーが
与えられるようにこの感光性膜を露光している。従っ
て、第３の工程でこの感光性膜を現像することにより、
この感光性膜の表面に、深さの異なる凹部を形成するこ
とができる。この凹部の深さは、感光性膜に与えられる
露光エネルギーを調整することにより、変更させること
ができるため、感光性膜の表面に、所望の深さの凹部を
形成することが可能となる。表面に凹部を有する感光性
膜の上に電極を形成すると、電極は感光性膜の表面の形
状に倣い、凹凸部を有する電極が形成される。このよう
に、本発明の電極形成方法では、感光性膜自体に凹部を
形成することで、電極に凹凸部を持たせている。従っ
て、電極に凹凸部を持たせるために、感光性膜とは別
に、この感光性膜に凹凸部を持たせるための突起を形成
することは不要であり、コストの削減が図られる。
感光性膜の部位に応じて互いに異なる露光エネルギーが
与えられるようにこの感光性膜を露光している。従っ
て、第３の工程でこの感光性膜を現像することにより、
この感光性膜の表面に、深さの異なる凹部を形成するこ
とができる。この凹部の深さは、感光性膜に与えられる
露光エネルギーを調整することにより、変更させること
ができるため、感光性膜の表面に、所望の深さの凹部を
形成することが可能となる。表面に凹部を有する感光性
膜の上に電極を形成すると、電極は感光性膜の表面の形
状に倣い、凹凸部を有する電極が形成される。このよう
に、本発明の電極形成方法では、感光性膜自体に凹部を
形成することで、電極に凹凸部を持たせている。従っ
て、電極に凹凸部を持たせるために、感光性膜とは別
に、この感光性膜に凹凸部を持たせるための突起を形成
することは不要であり、コストの削減が図られる。
【０００８】また、本発明の画素電極形成方法は、基板
の各画素に対応する位置に画素電極を形成する画素電極
形成方法であって、前記基板上の各画素に対応する位置
に半導体素子を形成する第１の工程と、前記半導体素子
が形成された前記基板上に、感光性を有する感光性膜を
形成する第２の工程と、前記感光性膜を、該感光性膜の
或る領域及び他の領域において互いに異なる露光エネル
ギーが与えられるように露光する第３の工程と、前記露
光された感光性膜を現像する第４の工程と、前記現像さ
れた感光性膜に前記画素電極を形成する第５の工程とを
備えたことを特徴とする。
の各画素に対応する位置に画素電極を形成する画素電極
形成方法であって、前記基板上の各画素に対応する位置
に半導体素子を形成する第１の工程と、前記半導体素子
が形成された前記基板上に、感光性を有する感光性膜を
形成する第２の工程と、前記感光性膜を、該感光性膜の
或る領域及び他の領域において互いに異なる露光エネル
ギーが与えられるように露光する第３の工程と、前記露
光された感光性膜を現像する第４の工程と、前記現像さ
れた感光性膜に前記画素電極を形成する第５の工程とを
備えたことを特徴とする。
【０００９】本発明の画素電極形成方法では、第３工程
で、感光性膜の部位によって異なる露光エネルギーが与
えられるように、この感光性膜を露光している。従っ
て、感光性膜の部位に与えられる露光エネルギーを調整
することにより、第４の工程で感光性膜の表面に、所望
の深さの凹部を形成することが可能となる。このように
凹部が形成された感光性膜に画素電極を形成することに
より、感光性膜の下層に突起を形成しなくても、画素電
極に凹凸部を持たせることができる。従って、本発明の
画素電極形成方法を用いて、例えば反射型の液晶表示装
置を製造する場合、この液晶表示装置を低コストで製造
することができる。
で、感光性膜の部位によって異なる露光エネルギーが与
えられるように、この感光性膜を露光している。従っ
て、感光性膜の部位に与えられる露光エネルギーを調整
することにより、第４の工程で感光性膜の表面に、所望
の深さの凹部を形成することが可能となる。このように
凹部が形成された感光性膜に画素電極を形成することに
より、感光性膜の下層に突起を形成しなくても、画素電
極に凹凸部を持たせることができる。従って、本発明の
画素電極形成方法を用いて、例えば反射型の液晶表示装
置を製造する場合、この液晶表示装置を低コストで製造
することができる。
【００１０】ここで、本発明の画素電極形成方法は、前
記第１の工程実行後、前記第２の工程実行前に、前記第
１の基板上に、前記半導体素子を覆うように単層膜又は
積層膜を形成する第６の工程を備えたことが好ましい。
記第１の工程実行後、前記第２の工程実行前に、前記第
１の基板上に、前記半導体素子を覆うように単層膜又は
積層膜を形成する第６の工程を備えたことが好ましい。
【００１１】このように、感光性膜を形成する前に、単
層膜又は積層膜を形成することにより、単層膜又は積層
膜が、半導体素子と感光性膜との間に形成され、半導体
素子の特性変化を効果的に防止することができる。
層膜又は積層膜を形成することにより、単層膜又は積層
膜が、半導体素子と感光性膜との間に形成され、半導体
素子の特性変化を効果的に防止することができる。
【００１２】また、本発明の液晶表示装置は、各画素に
対応する位置に半導体素子が形成された基板を有する液
晶表示装置であって、前記基板上に形成され、前記各画
素に対応する位置に複数の凹部を有する感光性膜と、前
記各画素に対応する位置に、前記感光性膜の前記複数の
凹部を覆うように形成された画素電極とを備えたことを
特徴とする。
対応する位置に半導体素子が形成された基板を有する液
晶表示装置であって、前記基板上に形成され、前記各画
素に対応する位置に複数の凹部を有する感光性膜と、前
記各画素に対応する位置に、前記感光性膜の前記複数の
凹部を覆うように形成された画素電極とを備えたことを
特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１４】尚、ここでは、本発明について、図１乃至
図５を参照しながら、液晶表示装置に用いられる基板
に、各画素に対応する位置に設けられる画素電極を形成
する例を取り上げて説明するが、本発明は、凹凸部を有
する電極が必要な装置であれば、液晶表示装置以外の装
置にも適用することができる。
図５を参照しながら、液晶表示装置に用いられる基板
に、各画素に対応する位置に設けられる画素電極を形成
する例を取り上げて説明するが、本発明は、凹凸部を有
する電極が必要な装置であれば、液晶表示装置以外の装
置にも適用することができる。
【００１５】図１は、液晶表示装置に用いられる基板の
１つの画素に対応する部分を示した拡大断面図である。
１つの画素に対応する部分を示した拡大断面図である。
【００１６】以下、この画素に対応する部分の製造方法
について、図１とともに、図２乃至図５を参照しながら
説明する。
について、図１とともに、図２乃至図５を参照しながら
説明する。
【００１７】図２乃至図５は、図１に示す画素に対応す
る部分の製造工程の説明図である。
る部分の製造工程の説明図である。
【００１８】先ず、図２に示すように、ガラス基板１上
に、ＴＦＴ１００を形成する。このＴＦＴ１００は、ガ
ラス基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ａ−
Ｓｉ：Ｈ又はａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ等の半導体層４、オーミ
ックコンタクト層５、ソース電極６及びドレイン電極７
を形成することにより製造される。半導体層４、オーミ
ックコンタクト層５、ソース電極６及びドレイン電極７
の形成には、様々な方法が考えられる。例えば、半導体
層４を形成し、その後、オーミックコンタクト層５の材
料、ソース電極６及びドレイン電極７の材料を連続的に
順次堆積し、これら堆積した材料を連続的にエッチング
することにより形成することができる。
に、ＴＦＴ１００を形成する。このＴＦＴ１００は、ガ
ラス基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ａ−
Ｓｉ：Ｈ又はａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ等の半導体層４、オーミ
ックコンタクト層５、ソース電極６及びドレイン電極７
を形成することにより製造される。半導体層４、オーミ
ックコンタクト層５、ソース電極６及びドレイン電極７
の形成には、様々な方法が考えられる。例えば、半導体
層４を形成し、その後、オーミックコンタクト層５の材
料、ソース電極６及びドレイン電極７の材料を連続的に
順次堆積し、これら堆積した材料を連続的にエッチング
することにより形成することができる。
【００１９】その後、図３に示すように、パッシベーシ
ョン膜８、及び感光性を有するポジ型の平坦化膜（本発
明にいう感光性膜の一例）９を順次形成する。平坦化膜
９の下層にパッシベーション膜８を形成しておくことに
より、ＴＦＴ１００の特性の劣化を効果的に防止するこ
とができる。平坦化膜９の形成後、フォトマスク２０を
用いてこの平坦化膜９を露光する。このとき、平坦化膜
９の領域Ａには大きな露光エネルギーが与えられるとと
もに、領域Ｂには小さな露光エネルギーが与えられるよ
うに、この平坦化膜９を露光する。平坦化膜９を上記の
ように露光するために、このフォトマスク２０には、領
域Ａに対応する部分に開口部２０ａが設けられ、一方、
領域Ｂ及び領域Ｃが交互に並ぶ領域に対応する部分に、
スリット部２０ｃが設けられている。このフォトマスク
２０の開口部２０ａは、露光機の解像度よりも大きい幅
を有し、スリット部２０ｃには、露光機の解像度よりも
小さい幅を有するスリット２０ｂが形成されている。こ
のように、フォトマスク２０の開口部２０ａは、露光機
の解像度よりも大きい幅を有しているため、領域Ａに対
応する部分には、強度の大きい光３０が照射される。一
方、フォトマスク２０のスリット部２０ｃには、スリッ
ト２０ｂが形成されているため、光がこのスリット２０
ｂを通過することにより光の回折現象が生じて、互いに
強め合う光と弱め合う光とが生じる。このとき、領域Ｂ
には、強め合った光が照射されるが、領域Ｂに挟まれる
領域Ｃには、互いに弱め合う光が照射される。つまり、
領域Ｂには強め合った光３１が照射されるが、領域Ｃに
はほとんど光は照射されないことになる。さらに、スリ
ット２０ｂの幅は、露光機の解像度よりも小さいため、
領域Ｂに照射される光３１の強度は、領域Ａに照射され
る光３０の強度よりも小さい。また、フォトマスク２０
の開口部２０ａ及びスリット部２０ｃ以外の部分は、光
を遮蔽する遮蔽部２０ｄであるため、平坦化膜９の、遮
蔽部２０ｄに対向する領域Ｄには、光が照射されない。
結局、フォトマスク２０を用いることにより、平坦化膜
９の領域Ｃ及びＤには光が照射されず、領域Ａには強い
光３０が照射され、領域Ｂには弱い光３１が照射され
る。従って、フォトマスク２０を用いることにより、領
域Ａには大きな露光エネルギーが与えられ、一方、領域
Ｂには小さい露光エネルギーが与えられる。上記のよう
にして、平坦化膜９を露光した後、この平坦化膜９を現
像する。
ョン膜８、及び感光性を有するポジ型の平坦化膜（本発
明にいう感光性膜の一例）９を順次形成する。平坦化膜
９の下層にパッシベーション膜８を形成しておくことに
より、ＴＦＴ１００の特性の劣化を効果的に防止するこ
とができる。平坦化膜９の形成後、フォトマスク２０を
用いてこの平坦化膜９を露光する。このとき、平坦化膜
９の領域Ａには大きな露光エネルギーが与えられるとと
もに、領域Ｂには小さな露光エネルギーが与えられるよ
うに、この平坦化膜９を露光する。平坦化膜９を上記の
ように露光するために、このフォトマスク２０には、領
域Ａに対応する部分に開口部２０ａが設けられ、一方、
領域Ｂ及び領域Ｃが交互に並ぶ領域に対応する部分に、
スリット部２０ｃが設けられている。このフォトマスク
２０の開口部２０ａは、露光機の解像度よりも大きい幅
を有し、スリット部２０ｃには、露光機の解像度よりも
小さい幅を有するスリット２０ｂが形成されている。こ
のように、フォトマスク２０の開口部２０ａは、露光機
の解像度よりも大きい幅を有しているため、領域Ａに対
応する部分には、強度の大きい光３０が照射される。一
方、フォトマスク２０のスリット部２０ｃには、スリッ
ト２０ｂが形成されているため、光がこのスリット２０
ｂを通過することにより光の回折現象が生じて、互いに
強め合う光と弱め合う光とが生じる。このとき、領域Ｂ
には、強め合った光が照射されるが、領域Ｂに挟まれる
領域Ｃには、互いに弱め合う光が照射される。つまり、
領域Ｂには強め合った光３１が照射されるが、領域Ｃに
はほとんど光は照射されないことになる。さらに、スリ
ット２０ｂの幅は、露光機の解像度よりも小さいため、
領域Ｂに照射される光３１の強度は、領域Ａに照射され
る光３０の強度よりも小さい。また、フォトマスク２０
の開口部２０ａ及びスリット部２０ｃ以外の部分は、光
を遮蔽する遮蔽部２０ｄであるため、平坦化膜９の、遮
蔽部２０ｄに対向する領域Ｄには、光が照射されない。
結局、フォトマスク２０を用いることにより、平坦化膜
９の領域Ｃ及びＤには光が照射されず、領域Ａには強い
光３０が照射され、領域Ｂには弱い光３１が照射され
る。従って、フォトマスク２０を用いることにより、領
域Ａには大きな露光エネルギーが与えられ、一方、領域
Ｂには小さい露光エネルギーが与えられる。上記のよう
にして、平坦化膜９を露光した後、この平坦化膜９を現
像する。
【００２０】図４は、平坦化膜９を現像した後の様子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【００２１】平坦化膜９の領域Ｄ（図３参照）には、フ
ォトマスク２０の遮蔽部２０ｄにより光は照射されない
ため、平坦化膜９を現像しても、この領域Ｄは、図４に
示すように、除去されずにそのまま残る。一方、領域Ａ
は、フォトマスク２０の開口部２０ａを経由した強い光
３０が照射されるため、平坦化膜９を現像すると、この
領域Ａの部分は除去され、パッシベーション膜８が露出
し、コンタクトホール９ａが形成される。また、フォト
マスク２０のスリット部２０ｃにより、領域Ｃには光は
ほとんど照射されないため、平坦化膜９を現像しても、
領域Ｃはほとんど除去されずそのまま残るが、一方、領
域Ｂには弱い光３１が照射されるため、平坦化膜９を現
像すると、領域Ｂの表面は除去され、この平坦化膜９に
凹部９ｂが形成される。
ォトマスク２０の遮蔽部２０ｄにより光は照射されない
ため、平坦化膜９を現像しても、この領域Ｄは、図４に
示すように、除去されずにそのまま残る。一方、領域Ａ
は、フォトマスク２０の開口部２０ａを経由した強い光
３０が照射されるため、平坦化膜９を現像すると、この
領域Ａの部分は除去され、パッシベーション膜８が露出
し、コンタクトホール９ａが形成される。また、フォト
マスク２０のスリット部２０ｃにより、領域Ｃには光は
ほとんど照射されないため、平坦化膜９を現像しても、
領域Ｃはほとんど除去されずそのまま残るが、一方、領
域Ｂには弱い光３１が照射されるため、平坦化膜９を現
像すると、領域Ｂの表面は除去され、この平坦化膜９に
凹部９ｂが形成される。
【００２２】平坦化膜９を現像した後、コンタクトホー
ル９ａ及び凹部９ｂが形成された平坦化膜９をレジスト
膜として用いて、パッシベーション膜８をドライエッチ
ングする。このドライエッチングにより、図５に示すよ
うに、ドレイン電極７が露出し、パッシベーション膜８
にコンタクトホール８ａが形成される。
ル９ａ及び凹部９ｂが形成された平坦化膜９をレジスト
膜として用いて、パッシベーション膜８をドライエッチ
ングする。このドライエッチングにより、図５に示すよ
うに、ドレイン電極７が露出し、パッシベーション膜８
にコンタクトホール８ａが形成される。
【００２３】パッシベーション膜８をドライエッチング
した後、画素電極１０（図１参照）を形成するために、
スパッタ法、蒸着法等により、Ａｌを主成分としたＡｌ
Ｃｕ膜を形成し、このＡｌＣｕ膜をパターニングする。
これにより、図１に示すように画素電極１０が形成され
る。この画素電極１０の直下に形成された平坦化膜９は
凹部９ｂを有しているため、画素電極１０には、平坦化
膜９の凹部９ｂに起因して凹部１０ａが形成される。こ
のように、画素電極１０に凹部１０ａを設けることによ
り、画素電極１０の表面に凹凸部が形成される。
した後、画素電極１０（図１参照）を形成するために、
スパッタ法、蒸着法等により、Ａｌを主成分としたＡｌ
Ｃｕ膜を形成し、このＡｌＣｕ膜をパターニングする。
これにより、図１に示すように画素電極１０が形成され
る。この画素電極１０の直下に形成された平坦化膜９は
凹部９ｂを有しているため、画素電極１０には、平坦化
膜９の凹部９ｂに起因して凹部１０ａが形成される。こ
のように、画素電極１０に凹部１０ａを設けることによ
り、画素電極１０の表面に凹凸部が形成される。
【００２４】本実施形態では、平坦化膜９を露光する
と、領域Ｂに弱い光３１（図３参照）が照射される。従
って、この平坦化膜９を現像することにより、この平坦
化膜９の表面に凹部９ｂを形成することができる。画素
電極１０は、この凹部９ｂを有する平坦化膜９の上に形
成されているため、この画素電極１０は平坦化膜９の表
面の形状に倣い、結局、画素電極１０の表面に凹凸が形
成される。このように、本実施形態では、平坦化膜９自
体に凹部９ｂを形成することで、画素電極１０の表面に
凹凸を形成している。
と、領域Ｂに弱い光３１（図３参照）が照射される。従
って、この平坦化膜９を現像することにより、この平坦
化膜９の表面に凹部９ｂを形成することができる。画素
電極１０は、この凹部９ｂを有する平坦化膜９の上に形
成されているため、この画素電極１０は平坦化膜９の表
面の形状に倣い、結局、画素電極１０の表面に凹凸が形
成される。このように、本実施形態では、平坦化膜９自
体に凹部９ｂを形成することで、画素電極１０の表面に
凹凸を形成している。
【００２５】これに対し、従来では、画素電極１０の表
面に凹凸を形成するために、平坦化膜９とは別に、この
平坦化膜９表面に凹凸を持たせるための突起を形成する
必要がある。
面に凹凸を形成するために、平坦化膜９とは別に、この
平坦化膜９表面に凹凸を持たせるための突起を形成する
必要がある。
【００２６】図６は、その従来の方法を採用して画素電
極が形成されたＴＦＴを示す断面図である。
極が形成されたＴＦＴを示す断面図である。
【００２７】従来では、平坦化膜９０に凹部９０ａを形
成するために、この平坦化膜９０を形成する前に多数の
突起９５を形成しておき、その後、平坦化膜９０を形成
している。この平坦化膜９０は、多数の突起９５の形状
に倣うように形成されるため、この平坦化膜９０には凹
部９０ａが形成される。従って、この凹部９０ａを有す
る平坦化膜９０に画素電極１０を形成することにより、
この画素電極１０に凹凸を持たせることができる。しか
しながら、従来の方法では、上記のように、平坦化膜９
０とは別に、この平坦化膜９０に凹部９０ａを持たせる
ための突起９５を形成する必要があるため、工程数の増
加、コスト高という問題がある。これに対し、本実施形
態では、平坦化膜９を露光するときに、この平坦化膜９
の領域Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤに与えられる露光エネルギーの
大きさを変えることにより、平坦化膜９に凹部９ｂを形
成することが可能となる。従って、平坦化膜９とは別
に、図６に示す突起９５を形成することは不要であり、
工程数の減少、コスト削減が図られる。
成するために、この平坦化膜９０を形成する前に多数の
突起９５を形成しておき、その後、平坦化膜９０を形成
している。この平坦化膜９０は、多数の突起９５の形状
に倣うように形成されるため、この平坦化膜９０には凹
部９０ａが形成される。従って、この凹部９０ａを有す
る平坦化膜９０に画素電極１０を形成することにより、
この画素電極１０に凹凸を持たせることができる。しか
しながら、従来の方法では、上記のように、平坦化膜９
０とは別に、この平坦化膜９０に凹部９０ａを持たせる
ための突起９５を形成する必要があるため、工程数の増
加、コスト高という問題がある。これに対し、本実施形
態では、平坦化膜９を露光するときに、この平坦化膜９
の領域Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤに与えられる露光エネルギーの
大きさを変えることにより、平坦化膜９に凹部９ｂを形
成することが可能となる。従って、平坦化膜９とは別
に、図６に示す突起９５を形成することは不要であり、
工程数の減少、コスト削減が図られる。
【００２８】また、図１では、ＴＦＴ１００（図２参
照）と平坦化膜９との間には、パッシベーション膜８が
単層で備えられているが、パッシベーション膜８を単層
で備える代わりに、例えば、パッシベーション膜の積層
膜や、パッシベーション膜８以外の膜を有する積層膜を
備えることも可能である。
照）と平坦化膜９との間には、パッシベーション膜８が
単層で備えられているが、パッシベーション膜８を単層
で備える代わりに、例えば、パッシベーション膜の積層
膜や、パッシベーション膜８以外の膜を有する積層膜を
備えることも可能である。
【００２９】尚、図１では、平坦化膜９の下層にパッシ
ベーション膜８が形成されているが、このパッシベーシ
ョン膜８は必ずしも備える必要はない。
ベーション膜８が形成されているが、このパッシベーシ
ョン膜８は必ずしも備える必要はない。
【００３０】図７は、パッシベーション膜８を形成しな
い場合のＴＦＴの一例を示す断面図である。
い場合のＴＦＴの一例を示す断面図である。
【００３１】パッシベーション膜８を形成しない場合、
製造工程数及びコストが削減される他に、パッシベーシ
ョン膜８が省略された分だけ基板の薄型化が図られると
いう利点がある。
製造工程数及びコストが削減される他に、パッシベーシ
ョン膜８が省略された分だけ基板の薄型化が図られると
いう利点がある。
【００３２】本実施形態では、平坦化膜９としてポジ型
のものを用いており、この場合、平坦化膜９に凹部９ｂ
を形成するためには、平坦化膜９の領域Ｂに、領域Ａよ
りも小さい露光エネルギーが与えられるように、この平
坦化膜９を露光する必要がある。このため、本実施形態
では、スリット部２０ｃを有するフォトマスク２０を用
いて平坦化膜９を露光している。しかしながら、スリッ
ト部２０ｃを有するフォトマスク２０を用いた露光方法
以外の別の露光方法でも、領域Ａ及びＢにおいて互いに
異なる露光エネルギーを与えることができる。この別の
露光方法としては、例えば、フォトマスクの領域Ｂに対
応する部分の光の透過率が、領域Ａに対応する部分の光
の透過率よりも小さいフォトマスクを用いた露光方法
や、パターンの異なる複数のフォトマスクを用いた露光
方法等が考えられる。
のものを用いており、この場合、平坦化膜９に凹部９ｂ
を形成するためには、平坦化膜９の領域Ｂに、領域Ａよ
りも小さい露光エネルギーが与えられるように、この平
坦化膜９を露光する必要がある。このため、本実施形態
では、スリット部２０ｃを有するフォトマスク２０を用
いて平坦化膜９を露光している。しかしながら、スリッ
ト部２０ｃを有するフォトマスク２０を用いた露光方法
以外の別の露光方法でも、領域Ａ及びＢにおいて互いに
異なる露光エネルギーを与えることができる。この別の
露光方法としては、例えば、フォトマスクの領域Ｂに対
応する部分の光の透過率が、領域Ａに対応する部分の光
の透過率よりも小さいフォトマスクを用いた露光方法
や、パターンの異なる複数のフォトマスクを用いた露光
方法等が考えられる。
【００３３】尚、本実施形態では、平坦化膜９としてポ
ジ型のものを用いているが、この平坦化膜９はネガ型で
あってもよい。ネガ型の平坦化膜を用いた場合は、ポジ
型の場合とは逆に、領域Ａには光が照射されないように
するとともに、領域Ｄに強い光が照射されるようにすれ
ばよい。
ジ型のものを用いているが、この平坦化膜９はネガ型で
あってもよい。ネガ型の平坦化膜を用いた場合は、ポジ
型の場合とは逆に、領域Ａには光が照射されないように
するとともに、領域Ｄに強い光が照射されるようにすれ
ばよい。
【００３４】また、本実施形態では、画素電極１０の材
料として、ＡｌＣｕが用いられているが、ＡｌＣｕの代
わりに、Ａｇ等の材料を用いてもよい。
料として、ＡｌＣｕが用いられているが、ＡｌＣｕの代
わりに、Ａｇ等の材料を用いてもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電極形成
方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置によれば、
製造コストの削減が図られる。
方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置によれば、
製造コストの削減が図られる。
【図１】液晶表示装置に用いられる基板の１つの画素に
対応する部分を示した拡大断面図である。
対応する部分を示した拡大断面図である。
【図２】ＴＦＴが形成された後の様子を示す図である。
【図３】平坦化膜９を露光するときの様子を示す図であ
る。
る。
【図４】平坦化膜９を現像した後の様子を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】パッシベーション膜８にコンタクトホール８ａ
が形成された後の様子を示す図である。
が形成された後の様子を示す図である。
【図６】従来の方法を採用して画素電極が形成されたＴ
ＦＴを示す断面図である。
ＦＴを示す断面図である。
【図７】パッシベーション膜８を形成しない場合のＴＦ
Ｔの一例を示す断面図である。
Ｔの一例を示す断面図である。
１ ガラス基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体層 ５ オーミックコンタクト層 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ パッシベーション膜 ８ａ，９ａ コンタクトホール ９ 平坦化膜 ９ｂ，１０ａ 凹部 １０ 画素電極 ２０ フォトマスク ２０ａ 開口部 ２０ｂ スリット ２０ｃ スリット部 ２０ｄ 遮蔽部 ３０，３１ 光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５２０ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｋ (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 八田 嘉久 兵庫県神戸市西区高塚台４丁目３番１ フ ィリップス コンポーネンツ神戸株式会社 内 Ｆターム(参考） 2H091 FA16Y FB04 FB08 FC10 FC23 FC29 FD04 GA02 LA12 2H092 GA19 HA05 JA26 JB08 JB58 KB22 MA14 MA15 MA16 MA35 NA27 5F110 AA16 BB01 CC07 DD02 GG02 GG15 GG33 HL02 HL06 HL21 HL23 NN03 NN40 QQ01 QQ09 5G435 AA17 BB12 CC09 KK05 KK09 KK10
Claims (4)
- 【請求項１】 感光性を有する感光性膜を形成する第１
の工程と、 前記感光性膜を、該感光性膜の或る領域及び他の領域に
おいて互いに異なる露光エネルギーが与えられるように
露光する第２の工程と、 前記露光された膜を現像する第３の工程と、 前記現像された膜の上に電極を形成する第４の工程とを
備えたことを特徴とする電極形成方法。 - 【請求項２】 基板の各画素に対応する位置に画素電極
を形成する画素電極形成方法であって、 前記基板上の各画素に対応する位置に半導体素子を形成
する第１の工程と、 前記半導体素子が形成された前記基板上に、感光性を有
する感光性膜を形成する第２の工程と、 前記感光性膜を、該感光性膜の或る領域及び他の領域に
おいて互いに異なる露光エネルギーが与えられるように
露光する第３の工程と、 前記露光された感光性膜を現像する第４の工程と、 前記現像された感光性膜に前記画素電極を形成する第５
の工程とを備えたことを特徴とする画素電極形成方法。 - 【請求項３】 前記第１の工程実行後、前記第２の工程
実行前に、前記第１の基板上に、前記半導体素子を覆う
ように単層膜又は積層膜を形成する第６の工程を備えた
ことを特徴とする請求項２に記載の画素電極形成方法。 - 【請求項４】 各画素に対応する位置に半導体素子が形
成された基板を有する液晶表示装置であって、 前記基板上に形成され、前記各画素に対応する位置に複
数の凹部を有する感光性膜と、 前記各画素に対応する位置に、前記感光性膜の前記複数
の凹部を覆うように形成された画素電極とを備えたこと
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000293686A JP2002107744A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 |
| CN01804122A CN1397027A (zh) | 2000-09-27 | 2001-09-26 | 形成电极或像素电极的方法和一种液晶显示设备 |
| US10/148,045 US20020191122A1 (en) | 2000-09-27 | 2001-09-26 | Method of forming electrodes or pixel electrodes and a liquid crystal display device |
| PCT/EP2001/011166 WO2002027390A2 (en) | 2000-09-27 | 2001-09-26 | A method of forming electrodes or pixel electrodes and a liquid crystal display device |
| EP01985760A EP1264208A2 (en) | 2000-09-27 | 2001-09-26 | A method of forming electrodes or pixel electrodes and a liquid crystal display device |
| KR1020027006728A KR20020073134A (ko) | 2000-09-27 | 2001-09-26 | 전극들 또는 픽셀 전극들 및 액정 디스플레이 디바이스를형성하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000293686A JP2002107744A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002107744A true JP2002107744A (ja) | 2002-04-10 |
Family
ID=18776440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000293686A Withdrawn JP2002107744A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020191122A1 (ja) |
| EP (1) | EP1264208A2 (ja) |
| JP (1) | JP2002107744A (ja) |
| KR (1) | KR20020073134A (ja) |
| CN (1) | CN1397027A (ja) |
| WO (1) | WO2002027390A2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004004164A (ja) * | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2004241769A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レジストパターンの作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP2006510068A (ja) * | 2002-12-14 | 2006-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｌｃｄセルの成形構造の製造およびそのためのマスク |
| US7339644B2 (en) | 2002-12-19 | 2008-03-04 | Chi Mei Optoelectronics Corp. | In-plane switching liquid crystal display and liquid crystal display cell comprising a groove formed above the data line |
| JP2010192935A (ja) * | 2003-01-17 | 2010-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8053174B2 (en) | 2003-02-05 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
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| WO2003079107A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositif a semiconducteur, son procede de production, et ecran a cristaux liquides |
| GB0229222D0 (en) * | 2002-12-14 | 2003-01-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacture of thin film transistor and displays,and photomasks therefor |
| WO2004070819A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の製造方法 |
| KR100850519B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2008-08-05 | 주식회사 에스앤에스텍 | 그레이톤 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제조방법 |
| JP2009139672A (ja) | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sony Corp | 液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法 |
| KR102504436B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2023-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN113035916A (zh) | 2021-03-04 | 2021-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其加工方法、显示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2812851B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| JP2000047201A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP2000089217A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示装置とその製造方法 |
| KR20000031459A (ko) * | 1998-11-06 | 2000-06-05 | 윤종용 | 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4239258B2 (ja) * | 1998-11-11 | 2009-03-18 | 凸版印刷株式会社 | 反射電極の製造方法 |
| US6563559B2 (en) * | 2000-02-02 | 2003-05-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel |
| TWI240811B (en) * | 2000-09-13 | 2005-10-01 | Au Optronics Corp | Manufacturing method of liquid crystal display device |
-
2000
- 2000-09-27 JP JP2000293686A patent/JP2002107744A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-09-26 KR KR1020027006728A patent/KR20020073134A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-26 CN CN01804122A patent/CN1397027A/zh active Pending
- 2001-09-26 WO PCT/EP2001/011166 patent/WO2002027390A2/en not_active Application Discontinuation
- 2001-09-26 US US10/148,045 patent/US20020191122A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-26 EP EP01985760A patent/EP1264208A2/en not_active Withdrawn
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| US8053174B2 (en) | 2003-02-05 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
| US8460857B2 (en) | 2003-02-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002027390A2 (en) | 2002-04-04 |
| CN1397027A (zh) | 2003-02-12 |
| US20020191122A1 (en) | 2002-12-19 |
| WO2002027390A3 (en) | 2002-09-12 |
| KR20020073134A (ko) | 2002-09-19 |
| EP1264208A2 (en) | 2002-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |