JP2004241769A - レジストパターンの作製方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
レジストパターンの作製方法及び半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。尚、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
本実施の形態では、本発明を用いて非晶質半導体(アモルファスシリコン)により構成されるトランジスタを用いて形成する液晶表示パネルについて図面を用いて説明する。本実施の形態では、本発明のレジストパターンの作製方法をゲート電極の形成に適用する。
Claims (6)
- 減圧下で、被処理物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの作製方法。
- 減圧下で、被処理物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして前記被処理物をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 減圧下で、被処理物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンをマスクとして前記被処理物をエッチングし、
前記被処理物上の前記レジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 導電性材料を含む組成物を吐出して導電層を形成し、
減圧下で、前記導電層上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
前記レジストパターンをマスクとして前記導電層をエッチングし、
前記導電層上の前記レジストパターンを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、前記感光剤を含む組成物は、前記感光剤を溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とするレジストパターンの作製方法。
- 請求項2乃至請求項4のいずれか一項において、前記感光剤を含む組成物は、前記感光剤を溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006041153A1 (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 導電性パターンおよび電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイス |
JP2007194641A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Palo Alto Research Center Inc | 電子デバイス製造プロセス |
JP2008177253A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sharp Corp | 電子デバイスの製造方法、レジストパターン形成システム、電子デバイス、及び薄膜トランジスタ |
WO2009116180A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 株式会社Sat | フォトレジスト塗布装置 |
JP2009296000A (ja) * | 2004-01-16 | 2009-12-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2013165278A (ja) * | 2013-03-25 | 2013-08-22 | Canon Inc | 加工装置 |
JP2014106302A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Rainbow Technology Systems Ltd | 改良されたフォトイメージング |
JP2015216233A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | エッチング方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02139972A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH04282839A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH06182980A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | インクジェットプリンターによる印刷装置 |
JP2002107744A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 |
JP2002318394A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02139972A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH04282839A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH06182980A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | インクジェットプリンターによる印刷装置 |
JP2002107744A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | 電極形成方法、画素電極形成方法、及び液晶表示装置 |
JP2002318394A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009296000A (ja) * | 2004-01-16 | 2009-12-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8293457B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
US8624252B2 (en) | 2004-01-16 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and el television |
WO2006041153A1 (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 導電性パターンおよび電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイス |
CN100424831C (zh) * | 2004-10-15 | 2008-10-08 | 松下电器产业株式会社 | 导电性图案、电子器件的制造方法及电子器件 |
JP2007194641A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Palo Alto Research Center Inc | 電子デバイス製造プロセス |
JP2008177253A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sharp Corp | 電子デバイスの製造方法、レジストパターン形成システム、電子デバイス、及び薄膜トランジスタ |
WO2009116180A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 株式会社Sat | フォトレジスト塗布装置 |
JP2014106302A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Rainbow Technology Systems Ltd | 改良されたフォトイメージング |
JP2013165278A (ja) * | 2013-03-25 | 2013-08-22 | Canon Inc | 加工装置 |
JP2015216233A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | エッチング方法 |
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