JP2004241769A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 導電層を形成し、
   前記導電層上に、減圧下で、感光剤を含む組成物を吐出して第１のレジストパターンを形成し、
   前記第１のレジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第１のレジストパターンを現像して第２のレジストパターンを形成し、
   前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記導電層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 導電層を形成し、
   前記導電層上に、減圧下で、第１の感光剤を含む第１の組成物を吐出して第１のレジストパターンを形成し、
   前記第１のレジストパターンに、第１のフォトマスクを介して前記第１の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第１のレジストパターンを現像して第２のレジストパターンを形成し、
   前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記導電層をエッチングし、
   前記導電層上にゲート絶縁膜、第１の半導体膜及びチャネル保護膜を順に形成し、
   前記チャネル保護膜上に、減圧下で、第２の感光剤を含む第２の組成物を吐出して第３のレジストパターンを形成し、
   前記第３のレジストパターンに、第２のフォトマスクを介して前記第２の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第３のレジストパターンを現像して第４のレジストパターンを形成し、
   前記第４のレジストパターンをマスクとして、前記チャネル保護膜をエッチングし、
   エッチングした前記チャネル保護膜上に、第２の半導体膜を形成し、
   前記第２の半導体膜上に、減圧下で、第３の感光剤を含む第３の組成物を吐出して第５のレジストパターンを形成し、
   前記第５のレジストパターンに、第３のフォトマスクを介して前記第３の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第５のレジストパターンを現像して第６のレジストパターンを形成し、
   前記第６のレジストパターンをマスクとして、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 減圧下で、導電性材料を含む第１の組成物を吐出して、導電層を形成し、
   前記導電層上に、減圧下で、第１の感光剤を含む第２の組成物を吐出して第１のレジストパターンを形成し、
   前記第１のレジストパターンに、第１のフォトマスクを介して前記第１の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第１のレジストパターンを現像して第２のレジストパターンを形成し、
   前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記導電層をエッチングし、
   前記導電層上にゲート絶縁膜、第１の半導体膜及びチャネル保護膜を順に形成し、
   前記チャネル保護膜上に、減圧下で、第２の感光剤を含む第３の組成物を吐出して第３のレジストパターンを形成し、
   前記第３のレジストパターンに、第２のフォトマスクを介して前記第２の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第３のレジストパターンを現像して第４のレジストパターンを形成し、
   前記第４のレジストパターンをマスクとして、前記チャネル保護膜をエッチングし、
   エッチングした前記チャネル保護膜上に、第２の半導体膜を形成し、
   前記第２の半導体膜上に、減圧下で、第３の感光剤を含む第４の組成物を吐出して第５のレジストパターンを形成し、
   前記第５のレジストパターンに、第３のフォトマスクを介して前記第３の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第５のレジストパターンを現像して第６のレジストパターンを形成し、
   前記第６のレジストパターンをマスクとして、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 減圧下で、第１の導電性材料を含む第１の組成物を吐出して、導電層を形成し、
   前記導電層上に、減圧下で、第１の感光剤を含む第２の組成物を吐出して第１のレジストパターンを形成し、
   前記第１のレジストパターンに、第１のフォトマスクを介して前記第１の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第１のレジストパターンを現像して第２のレジストパターンを形成し、
   前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記導電層をエッチングし、
   前記導電層上にゲート絶縁膜、第１の半導体膜及びチャネル保護膜を順に形成し、
   前記チャネル保護膜上に、減圧下で、第２の感光剤を含む第３の組成物を吐出して第３のレジストパターンを形成し、
   前記第３のレジストパターンに、第２のフォトマスクを介して前記第２の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第３のレジストパターンを現像して第４のレジストパターンを形成し、
   前記第４のレジストパターンをマスクとして、前記チャネル保護膜をエッチングし、
   エッチングした前記チャネル保護膜上に、第２の半導体膜を形成し、
   前記第２の半導体膜上に、減圧下で、第３の感光剤を含む第４の組成物を吐出して第５のレジストパターンを形成し、
   前記第５のレジストパターンに、第３のフォトマスクを介して前記第３の感光剤の感光波長域の光を照射し、
   光が照射された前記第５のレジストパターンを現像して第６のレジストパターンを形成し、
   前記第６のレジストパターンをマスクとして、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜をエッチングし、
   減圧下で、第２の導電性材料を含む第５の組成物を吐出して、画素電極を形成し、
   減圧下で、第３の導電性材料を含む第６の組成物を吐出して、ソース及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１において、
   前記組成物は、前記感光剤を溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項２において、
   前記第１の組成物は、前記第１の感光剤を第１の溶媒に分解又は分散させたものであり、
   前記第２の組成物は、前記第２の感光剤を第２の溶媒に分解又は分散させたものであり、
   前記第３の組成物は、前記第３の感光剤を第３の溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項３または請求項４において、
   前記第２の組成物は、前記第１の感光剤を第１の溶媒に分解又は分散させたものであり、
   前記第３の組成物は、前記第２の感光剤を第２の溶媒に分解又は分散させたものであり、
   前記第４の組成物は、前記第３の感光剤を第３の溶媒に分解又は分散させたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項３において、
   前記導電性材料は、金を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項３において、
   前記導電性材料は、銀を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項３において、
    前記導電性材料は、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項４において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、金を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項４において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、銀を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項４において、
    前記第１の導電性材料、前記第２の導電性材料及び前記第３の導電性材料は、それぞれ、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。