JP2005303283A5 - - Google Patents
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- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N Fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDTAEYOYAZPLIC-UHFFFAOYSA-N coumarin 152 Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(=O)OC2=CC(N(C)C)=CC=C21 KDTAEYOYAZPLIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N coumarin 153 Chemical compound C12=C3CCCN2CCCC1=CC1=C3OC(=O)C=C1C(F)(F)F VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHXMPURWMSJENN-UHFFFAOYSA-N coumarin 480 Chemical compound C12=C3CCCN2CCCC1=CC1=C3OC(=O)C=C1C XHXMPURWMSJENN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (8)
- 透光性を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、光吸収体を含む物質層を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして用いて、前記基板の裏面から前記光吸収体を含む物質層に前記光吸収体が吸収する波長の光を照射して、前記光吸収体を含む物質層を選択的に改質し、
前記光吸収体を含む物質層の改質した領域及び改質していない領域に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記改質した領域上に前記組成物を残存させることによってソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記光吸収体を含む物質層上に半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 透光性を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、光吸収体を含む物質層を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして用いて、前記基板の裏面から前記光吸収体を含む物質層に前記光吸収体が吸収する波長の光を照射して、前記光吸収体を含む物質層を選択的に改質し、
前記光吸収体を含む物質層の改質していない領域の前記光吸収体を除去し、
前記光吸収体を含む物質層の改質した領域及び改質していない領域に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記改質した領域上に前記組成物を残存させることによってソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記光吸収体を含む物質層上に半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記光吸収体を含む物質層は、前記光吸収体が物質中に溶解していることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記光吸収体を含む物質層は、前記光吸収体が物質中に分散していることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記光吸収体として色素を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記光の波長を300nm以上400nm以下とし、前記光吸収体としてクマリン6H、クマリン30、クマリン102、クマリン152、クマリン153又はクマリン545Tを用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記光吸収体を含む物質層は、フッ化炭素鎖を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記改質した領域は、前記改質していない領域より、前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
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