JP2005256090A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 半導体ウェハの上面に導体層を形成する導体層形成工程と、
   前記導体層の上面にネガ型レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
   ステップ式投影露光装置により、前記ネガ型レジスト層を所定領域毎に露光する第１の露光工程と、
   前記第１の露光工程の実施後に、前記ネガ型レジスト層の外周部を露光する第２の露光工程と、
   露光された前記ネガ型レジスト層に対し現像処理を行ない所定のめっきパターンを形成する現像工程と、
   前記めっきパターンにめっきを行なうめっき工程と、
   を備えることを特徴とするめっき方法。
2. 請求項１記載のめっき方法において、
   前記ネガ型レジスト層として、１０μｍ以上の厚さを有するものを用いたことを特徴とするめっき方法。
3. 請求項２記載のめっき方法において、
   前記ネガ型レジスト層として、ドライフィルムレジストを用いたことを特徴とするめっき方法。
4. 請求項１乃至３の何れか１項に記載のめっき方法において、
   前記めっき工程で実施されるめっき処理時に、シールめっき治具を用いることを特徴とするめっき方法。