CN104538287B - 半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法 - Google Patents

半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104538287B
CN104538287B CN201410683305.7A CN201410683305A CN104538287B CN 104538287 B CN104538287 B CN 104538287B CN 201410683305 A CN201410683305 A CN 201410683305A CN 104538287 B CN104538287 B CN 104538287B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresistance
edge
negativity
semiconductor
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410683305.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104538287A (zh
Inventor
施建根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongfu Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Tongfu Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongfu Microelectronics Co Ltd filed Critical Tongfu Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201410683305.7A priority Critical patent/CN104538287B/zh
Publication of CN104538287A publication Critical patent/CN104538287A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104538287B publication Critical patent/CN104538287B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻；对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除边缘光阻的外侧部分。本发明中在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻以及控制半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。

Description

半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法
技术领域
本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法。
背景技术
在半导体晶圆级封装或凸点制造时，为了在晶圆表面形成设计凸点的金属线路或金属凸点，需要先在晶圆表面通过物理气相沉积的方法形成一层电镀所需要的金属种子层。然后在金属种子层上通过光刻图形转移方法形成有设计图案的负性光阻，而为了电镀工艺要求需要在这层负性光阻的晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域，同时特别的需要在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻。
实现电镀工艺的过程中，渗镀问题增加了电镀治具的预防性维护频率，此外，对半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围的控制不当，易造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况,从而提高了电镀治具的预防性维护频次。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法。
本发明提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：
在半导体晶圆上形成金属种子层；
在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；
遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；
对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；
去除边缘光阻的外侧部分。
与现有技术相比，本发明的有益效果是通过该发明的方法在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。
附图说明
图1为本发明实施例提供的半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的半导体晶圆的金属种子层上涂布形成负性光阻的截面图；
图3为本发明实施例提供的在负性光阻上形成曝光图案以及边缘光阻的截面图；
图4为本发明实施例提供的对边缘光阻曝光处理的截面图；
图5为图4所示结构擦除边缘光阻外侧部分后的截面图；
图6为图5所示结构的局部俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
图1为本发明实施例提供的半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法的流程图，如图1所示，本发明实施例提供的半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法包括以下步骤：
S101，在半导体晶圆上形成金属种子层；
S102，在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；
S103，遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；
S104，对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；
S105，去除边缘光阻的外侧部分。
首先实施步骤S101，在半导体晶圆上形成金属种子层。
在半导体晶圆11的表面通过物理气相沉积的方法形成金属种子层。
接着实施步骤S102，在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐。
在半导体晶圆11的金属种子层上旋转涂布形成负性光阻21，在涂布时注意保持负性光阻21的外圆周面与半导体晶圆11的外圆周面平齐，以防涂布时胶水溢出到晶圆外部。
然后实施步骤S103，遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻。
在形成负性光阻21的同时在负性光阻21的边缘喷洒有机溶剂，保留有机溶剂，遮挡负性光阻21的边缘，负性光阻21的边缘被遮挡部分形成边缘光阻21a，如图2所示。参见图3，第一光罩装置412为具有选择性空白区域的挡板，在挡板区域上方设置有光源，挡板区域能够覆盖半导体晶圆11除去边缘光阻21的剩余区域，通过第一光罩装置412对负性光阻21遮挡区域外的部分有选择性的曝光，形成曝光图案21b。
接下来实施步骤S104，对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理。
参见图4，第二光罩装置311为边缘光阻的上方同轴设置两环形挡板，两环形挡板之间形成环形缝隙，两环形挡板的上方设置有紫外线发射器，紫外线发射器发出的紫外光用于透过环形缝隙照射在所述边缘光阻的内侧，以对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理。
在对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理之前，对边缘光阻21a内侧的部分进行显影预对准，以半导体晶圆11的中心为轴中心，同轴设置两环形挡板与半导体晶圆11同轴放置，对第二光罩装置311的位置进行精确定位，以方便对边缘光阻21a内侧进行曝光。
最后实施步骤S105，去除边缘光阻的外侧部分。
参见图5，对步骤S104所形成的结构，通过显影液对其进行显影，使得曝光的地方不溶于显影液，而被光罩装置的挡板遮挡的地方溶于显影液，边缘光阻21a内侧的部分形成电镀液阻挡区21i,擦去边缘光阻21a的外侧部分，去除边缘光阻21a的外侧部分的宽度为1.2～1.6mm，使得电镀液阻挡区21i的外边缘垂直且与半导体晶圆11的平面成直角，边缘光阻21a的外侧形成规则的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域21f，不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况，所形成的电镀高度共面性为正负7％。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶C2b不会脏污电镀治具的接触电极，大大减少了电镀治具的预防性维护频次。
参见图6，如图5所示结构的局部俯视图，在径向方向上由外到里依次为:规则的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域21f、没有图案的电镀液阻挡区域21i、含有曝光图案21b的负性光阻21。
最后应说明的是：虽然以上已经详细说明了本发明及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本发明的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本发明的公开内容将容易理解，根据本发明可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。

Claims (2)

1.一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
在半导体晶圆上形成金属种子层；
在金属种子层上形成负性光阻，且所述负性光阻的外周面与所述半导体晶圆的外周面平齐；
遮挡所述负性光阻的边缘，并对所述负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；
对所述边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；
去除所述边缘光阻的外侧部分；
所述对所述边缘光阻内侧的部分进行曝光处理，具体为：
在所述边缘光阻的上方同轴设置两环形挡板，两环形挡板之间形成环形缝隙，两所述环形挡板的上方设置有紫外线发射器，紫外线发射器发出的紫外光用于透过所述环形缝隙照射在所述边缘光阻的内侧，以对所述边缘光阻内侧的部分进行曝光处理。
2.根据权利要求1所述的半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法,其特征在于,去除所述边缘光阻外侧部分的宽度为1.2～1.6mm。
CN201410683305.7A 2014-11-24 2014-11-24 半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法 Active CN104538287B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410683305.7A CN104538287B (zh) 2014-11-24 2014-11-24 半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410683305.7A CN104538287B (zh) 2014-11-24 2014-11-24 半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104538287A CN104538287A (zh) 2015-04-22
CN104538287B true CN104538287B (zh) 2017-08-11

Family

ID=52853794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410683305.7A Active CN104538287B (zh) 2014-11-24 2014-11-24 半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104538287B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935482A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种硅片边缘芯片的保护方法及光刻曝光装置
CN114217508A (zh) * 2021-12-06 2022-03-22 江苏芯德半导体科技有限公司 一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005462A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Shinko Electric Ind Co Ltd めっき用電極形成方法
JP3715637B2 (ja) * 2004-03-11 2005-11-09 新光電気工業株式会社 めっき方法
CN101201545A (zh) * 2006-12-13 2008-06-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻制程及通过该光刻制程形成的晶片
CN103384451A (zh) * 2012-05-04 2013-11-06 群康科技(深圳)有限公司 触控面板边缘走线的制作方法、触控面板及触控显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104538287A (zh) 2015-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106245078B (zh) 用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法
US8030767B2 (en) Bump structure with annular support
CN104538287B (zh) 半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法
US10364506B2 (en) Electroplating apparatus with current crowding adapted contact ring seal and thief electrode
CN109072411A (zh) 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
JPH10150096A (ja) ワークピースの縁部をシールドする装置
US10113245B2 (en) Electroplating contact ring with radially offset contact fingers
CN101770162B (zh) 背侧相栅掩模及其制造方法
CN106033802A (zh) 一种蒸镀用掩模板及其制作方法
WO2017114404A1 (zh) 一种硅片边缘的保护方法及光刻曝光装置
CN104795433B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
JP2005005462A (ja) めっき用電極形成方法
CN100449805C (zh) 铝镓铟磷系化合物半导体发光器的制造方法
US8852830B2 (en) Photomask and semiconductor apparatus manufacturing method
CN104576422B (zh) 半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法及接触区域
WO2018000875A1 (zh) 一种封装基板及其制作方法
CN103645609A (zh) 一种改善光刻胶形貌的方法
CN100515160C (zh) 去除基板外围金属残余的方法
KR20160068674A (ko) 스패터링 장치, 스패터링 방법 및 포토마스크 블랭크
KR101244856B1 (ko) 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 제작 방법
US6890813B2 (en) Polymer film metalization
TWI707069B (zh) 具有膜管屏蔽的電鍍裝置
CN105097576B (zh) 一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法
US20230012414A1 (en) Edge removal for through-resist plating
JP2007299960A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 226006 Jiangsu Province, Nantong City Chongchuan District Chongchuan Road No. 288

Applicant after: Tongfu Microelectronics Co., Ltd.

Address before: 226006 Jiangsu Province, Nantong City Chongchuan District Chongchuan Road No. 288

Applicant before: Fujitsu Microelectronics Co., Ltd., Nantong

COR Change of bibliographic data
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant