CN101201545A - 光刻制程及通过该光刻制程形成的晶片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光刻制程，首先在晶片表面的金属介质层上涂一层光刻胶，在完成该光刻制程后将晶片置于电镀腔内电镀，该电镀腔内设有一个密封圈和一个电极，其中，该制程还包括如下步骤：a.对晶片边缘选定区域曝光；b.将晶片的边缘保护区域利用一个遮挡物挡住，以便在曝光时不受影响；c.利用专用的图形对该晶片进行曝光，该专用图形间隔设有开孔，使晶片表面光阻间隔曝光；d.对晶片进行显影，溶化没有曝过光的光阻。本发明的光刻制程在涂胶后就先对与密封圈接触的晶片边缘选定区域曝光，密封圈直接接触到的边缘选定区域上没有光刻图形，确保了密封圈的封闭性；此外在电镀过程中也不会产生污染密封圈的污染物，有效提高了生产效率。

Description

光刻制程及通过该光刻制程形成的晶片
技术领域
本发明涉及一种半导体制程，具体地说，涉及光刻制程。
背景技术
在半导体制程中首先进行光刻制程，在晶片表面形成光刻图形，随后进入电镀制程，在晶片上生长锡球。电镀制程中，整个晶片置于一个电镀腔后置于电镀液中电镀，该电镀腔内设有一个电极和一个密封圈。当晶片放入该电镀腔中，电极与晶片边缘的金属介质层接触，用于导电；密封圈用于防止电镀液渗透至晶片边缘的金属介质层。
晶片在进入光刻制程的时候，其表面已经覆盖了一层金属介质层。如图1所示，现有技术中的光刻制程包括如下步骤：首先，在晶片的金属介质层上覆盖一层光阻；再利用专用的清洗装置清洗晶片边缘的光阻，晶片边缘的金属介质层露出；然后利用专用光刻图形对该晶片进行曝光，在晶片表面形成光刻图形，该专用图形间隔设有开孔，则使晶片表面光阻间隔曝光；随后对该晶片进行显影，没有曝过光的光阻就会溶化，晶片表面上的光阻形成间隔分布的空洞，至此，光刻制程已经完成。
随后晶片会进入电镀制程。将晶片置于电镀腔内，由于密封圈接触到的晶片区域存在光刻图形，所以密封圈与晶片接触的区域有开孔。在电镀的过程中，由于开孔的存在，会导致密封圈封闭不严，使电镀液经由开孔渗透至晶片边缘的金属介质层，影响导电性能；此外，电镀过程一些额外的锡球很容易污染密封圈，导致密封圈不能正常的工作，需要频繁地清洗密封圈，降低生产效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新的光刻制程以及通过该光刻制程形成的晶片，有效解决电镀密封圈封闭不严，以及电镀过程中锡球污染封闭圈的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种光刻制程，首先在晶片表面的金属介质层上涂一层光刻胶，在完成该光刻制程后将晶片置于电镀腔内电镀，该电镀腔内设有一个密封圈和一个电极，其中，该制程还包括如下步骤：a.对晶片边缘选定区域曝光；b.将晶片的边缘保护区域利用一个遮挡物挡住，以便在曝光时不受影响；c.利用专用的图形对该晶片进行曝光，该专用图形间隔设有开孔，使晶片表面光阻间隔曝光；d.对晶片进行显影，溶化没有曝过光的光阻。
本发明还提供一种通过该光刻制程形成的晶片，其表面上覆盖有一层金属介质层，中心部分覆盖有形成光刻图形的光阻，边缘保护区域露出金属介质层；在边缘部分和中心部分之间设有一圈边缘选定区域，该边缘选定区域上覆盖有已经曝过光且没有光刻图形的光阻。
与现有技术相比，本发明的光刻制程在涂胶后就先对与密封圈接触的晶片边缘选定区域曝光，密封圈直接接触到的边缘选定区域上没有光刻图形，确保了密封圈的封闭性；此外在电镀过程中也不会产生污染密封圈的污染物，降低了密封圈的清洗频率及时间，有效提高了生产效率。
附图说明
通过以下对本发明的一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：
图1为现有技术中光刻制程的示意图；
图2为本发明光刻制程的示意图。
具体实施方式
请参阅图2，本发明的光刻制程包括涂胶、晶片边缘曝光、曝光及显影四个步骤。
请参阅图2(a)，是对晶片1进行涂胶的示意图。进入光刻制程前的晶片1表面已覆盖一层金属介质层2，对该晶片1进行涂胶处理，即在晶片1的金属介质层2上覆盖一层光阻3。
请参阅图2(b)，是晶片1边缘曝光的示意图。对晶片1可能接触到密封圈(未图示)的区域4进行曝光，在本发明的实施例中，晶片1边缘曝光的宽度大概为1.3毫米。晶片1边缘保护区域6的宽度大概为1.2毫米，所以密封圈和晶片1的接触区域4大致距离晶片1边缘1.2毫米到2.5毫米范围内。
请参阅图2(c)，是晶片1曝光的示意图。在对整个晶片1进行曝光之前，首先将晶片1的边缘保护区域6利用一个遮挡物5挡住，以便晶片1曝光时不会影响到该边缘保护区域6。然后利用专用的图形对该晶片1进行曝光，该专用图形间隔设有开孔，使晶片1表面光阻间隔曝光。在本发明的实施例中，边缘保护区域6是距离晶片1边缘1.2毫米内的区域。此外，由于密封圈与晶片1接触的边缘选定区域4已经曝过光，所以不受此次曝光的影响。
请参阅图2(d)，是晶片1显影的示意图。在显影的过程中，没有曝过光的光阻就会溶化，所以晶片表面上的光阻3形成间隔分布的空洞。此外，晶片上的边缘保护区域6的光阻由于遮挡物5的遮蔽，该部分光阻3也没有曝过光，所以晶片边缘保护区域6上的光阻3也被溶化，露出金属介质层2。
通过该光刻制程，晶片1的表面上除了覆盖有一层金属介质层2，中心部分覆盖有形成光刻图形的光阻，边缘保护区域6露出金属介质层；在边缘保护区域6和中心部分之间还设有一圈边缘选定区域4。密封圈接触到首先曝过光的边缘选定区域4。由于本发明的光刻制程先对晶片1边缘选定区域4曝光并在曝光过程中遮挡晶片1的边缘保护区域6，使密封圈覆盖晶片的边缘选定区域4(大概距离晶片边缘1.5毫米到2.7毫米)是一个没有光刻图形的区域，有效确保了密封圈的封闭性。利用本发明光刻制程形成的晶片进行电镀，可以使密封圈的清洗频率降低75％，清洗时间降低70％。

Claims (7)

1.一种光刻制程，首先在晶片表面的金属介质层上涂一层光刻胶，在完成该光刻制程后将晶片置于电镀腔内电镀，该电镀腔内设有一个密封圈和一个电极，其特征在于：该制程还包括如下步骤：
a.对晶片边缘选定区域曝光；
b.将晶片的边缘保护区域利用一个遮挡物挡住，以便在曝光时不受影响；
c.利用专用的图形对该晶片进行曝光，该专用图形间隔设有开孔，使晶片表面光阻间隔曝光；
d.对晶片进行显影，溶化没有曝过光的光阻。
2.如权利要求1所述的一种光刻制程，其特征在于：步骤a中的边缘选定区域是晶片与电镀密封圈接触的区域。
3.如权利要求1所述的一种光刻制程，其特征在于：步骤a中对边缘选定区域的曝光不会在该区域形成光刻图形。
4.如权利要求1所述的一种光刻制程，其特征在于：步骤b中的边缘保护区域是在电镀过程中需要与电镀的电极接触的区域。
5.如权利要求1所述的一种光刻制程，其特征在于：步骤d中的没有曝过光的光阻包括晶片边缘保护区域的光阻和间隔曝光中没有曝到光的光阻。
6.一种通过权利要求1所述的光刻制程形成的晶片，其表面上覆盖有一层金属介质层，中心部分覆盖有形成光刻图形的光阻，边缘保护区域露出金属介质层；其特征在于：在边缘部分和中心部分之间设有一圈边缘选定区域，该边缘选定区域上覆盖有已经曝过光且没有光刻图形的光阻。
7.如权利要求6所述的一种通过该光刻制程形成的晶片，其特征在于：边缘选定区域是晶片与电镀密封圈接触的区域。
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