KR101244856B1 - 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 제작 방법 - Google Patents

원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 제작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 원통형 스탬프 제작 방법에 관한 것으로, Ni-P를 도금한 원통형 금형에 하나 이상의 반원통형 패턴 마스크를 결합하여 UV 노광을 수행함에 수 마이크로미터 급의 다양한 패턴을 연속적인 자동화 공정을 통해 제작할 수 있는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 원통형 스탬프 제작 방법에 관한 것이다.
본 발명의 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치는 UV 노광을 위해 전처리가 수행되는 원통형 금형과 상기 원통형 금형을 이동하기 위한 이송 장치와 상기 원통형 금형에 패턴을 형성하기 위한 하나 이상의 패턴 마스크 및 상기 UV 노광을 실시하기 위한 UV 광원을 포함함에 기술적 특징이 있다.

Description

원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 제작 방법{A cylindrical stamp production apparatus using cylindrical pattern mask and manufacturing method for the same}
본 발명은 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 원통형 스탬프 제작 방법에 관한 것으로, Ni-P를 도금한 원통형 금형에 하나 이상의 반원통형 패턴 마스크를 결합하여 UV 노광을 수행함에 수 마이크로미터 급의 다양한 패턴을 연속적인 자동화 공정을 통해 제작할 수 있는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치 및 원통형 스탬프 제작 방법에 관한 것이다.
반도체 및 디스플레이에서 일반적인 노광 공정으로는 증착, 노광(마스크), 현상, 식각 등의 기본 공정을 수차례 내지 수십 차례에 걸쳐 반복해야할 뿐만 아니라, 나노미터 단위의 초정밀 인쇄를 실현할 수 없었으며, 나노 패턴을 인쇄하기 위해서는 평판형 임프린트(imprint) 공정을 통해 나노패턴이 새겨진 평판 금형을 이용해 소형 기판 위에 마치 도장을 찍듯이 눌러서 인쇄를 하였다.
이러한 평판 인쇄 공정을 대면적에 적용할 경우 패턴의 균일도 및 제작비용이 상승하는 문제점이 발생하여 현재는 원통형 금형을 이용한 나노 인쇄공정이 적용되고 있다. 따라서, 원통형 금형을 이용한 나노 인쇄공정은 대면적 적용시 패턴의 균일도 확보가 용이하며, 이음매 없는 원통형 금형을 이용한 대면적화에 유리한 장점이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 원통형 금형의 노광 방법을 나타내는 구성도이다. 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 평면 형태의 필름 마스크(10)에는 원통형 금형(20)에 전사할 패턴(11)이 형성되어 있으며, (b)와 같이 원통형 금형(20)에 감광액(30)을 코팅 처리를 수행한다. 이후, 평면 형태의 필름 마스크(10)를 원통형 금형(20)에 테이프(미도시) 등을 이용하여 접착한 후, 필름 마스크(10)가 접착된 원통형 금형(20)에 광원(40)을 이용하여 노광을 수행한 후, 필름 마스크(10)를 제거하면 (e)와 같은 패턴(12)이 원통형 금형(20)에 형성된다.
이러한 종래기술은 평면 형태의 필름 마스크(10)를 원통형 금형(20)에 접착하는 경우, 정확한 위치에 접착하기 어려우며, 필름 마스크(10)를 원통형 금형(20)에 고정함에 있어서도 테이프(미도시) 등을 이용하여 접착하므로 제작 공정이 복잡하고 제작 시간도 오래 걸리는 문제점이 있다.
도 2는 다른 종래기술에 따른 원통형 금형의 노광 방법을 나타내는 구성도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 광조사 수단(50)과 광유도 수단(60)을 통해 UV 광을 원통형 금형(90)에 조사할 수 있도록 구비하며, 광유도 수단(60)과 원통형 금형(90) 사이에는 포토 마스크(70)를 구비한다. 이때, 광조사 수단(50)은 광유도 수단(60)을 통해 UV 광을 원통형 금형(90)에 조사하며, UV 광은 포토 마스크(70)를 통해 회전하는 원통형 금형(90)에 패턴(80)을 형성시킬 수 있다.
이러한 종래기술은 빠른 시간 내에 원통형 금형(90)에 패턴(80)을 제작할 수 있는 장점이 있으나, 원통형 금형(90)과 포토 마스크(70)와의 거리 차이가 발생함에 따라 정밀한 패턴(80)을 구현하기 어려운 문제가 있으며, 광유도 수단(60)의 한계에 따라 다양한 패턴(80)을 원통형 금형(90)에 제작하기 어려운 문제가 있다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 원통형 금형에 하나 이상으로 형성된 패턴 마스크를 결합한 후, 패턴 마스크에 UV 노광을 실시함으로써, 원통형 금형에 용이하게 패턴이 형성된 원통형 스탬프를 제작하기 위한 목적이 있다.
또한, 본 발명은 원통형 금형에 패턴을 형성함으로써, 마이크로미터급의 다양한 패턴을 형성하는 경우 연속적이고 자동화 공정이 가능하도록 하는 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 원통형 금형의 지름이 큰 경우에 원통형 금형에 둘 이상의 패턴 마스크를 결합함으로써 다양한 크기의 대면적 패턴이 형성된 원통형 스탬프를 제작하기 위한 또 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 원통형 금형에 둘 이상의 패턴 마스크를 결합함으로써, 결합되는 패턴 마스크의 크기를 조정함으로써, 각각의 패턴 마스크의 크기에 따라 인쇄된 패턴의 분할을 용이하게 하기 위한 또 다른 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 원통형 스탬프 제작 장치에 있어서, UV 노광을 위해 전처리가 수행되는 원통형 금형과 상기 원통형 금형을 이동하기 위한 이송 장치와 상기 원통형 금형에 패턴을 형성하기 위한 하나 이상의 패턴 마스크 및 상기 UV 노광을 실시하기 위한 UV 광원을 포함하여 이루어지는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치에 의해 달성된다.
본 발명의 다른 목적은 원통형 스탬프 제작 방법에 있어서, 상기 원통형 금형을 전처리하는 제1단계와 상기 원통형 금형에 포토레지스트를 도포하는 제2단계와 상기 원통형 금형에 패턴 마스크를 결합하는 제3단계와 상기 원통형 금형에 UV 노광을 수행하는 제4단계 및 상기 원통형 금형에 결합된 상기 패턴 마스크를 분리하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 원통형 패턴 마스크를 이용한 Ni-P 실린더의 UV 노광 장치 및 노광 방법은 원통형 금형에 둘 이상으로 형성된 패턴 마스크를 결합한 후, 패턴 마스크에 UV 노광을 실시함으로써, 원통형 금형에 용이하게 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 원통형 금형에 패턴을 형성함으로써, 마이크로미터급의 다양한 패턴을 형성하는 경우 연속적이고 자동화 공정이 가능한 다른 효과가 있다.
또한, 본 발명은 원통형 금형의 지름이 큰 경우에 원통형 금형에 둘 이상의 패턴 마스크를 결합함으로써 다양한 크기의 대면적 패턴을 형성할 수 있는 또 다른 효과가 있다.
또한, 본 발명은 원통형 금형에 둘 이상의 패턴 마스크를 결합함으로써, 결합되는 패턴 마스크의 크기를 조정함으로써, 각각의 패턴 마스크의 크기에 따라 인쇄된 패턴의 분할을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 원통형 금형의 노광 방법을 나타내는 구성도,
도 2는 다른 종래기술에 따른 원통형 금형의 노광 방법을 나타내는 구성도,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프를 제작하기 위한 구성도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 원통형 스탬프를 제작하기 위한 UV 노광 구성도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프를 제작하기 위한 구성도,
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 원통형 스탬프를 제작하기 위한 UV 노광 구성도,
도 7은 본 발명에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프의 제작 방법을 나타내는 순서도,
도 8은 본 발명에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프의 제작 방법에서의 전처리 순서도이다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프를 제작하기 위한 구성도이다. 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 소정 크기의 지름의 원통형 금형(110)은 패턴 마스크(130)와 결합되기 위해 이송장치(120)에 의해 이동된다.
이송장치(120)는 결합된 원통형 금형(110)을 좌우 수평 이송하거나, 상하 수직 이송할 수 있다.
패턴 마스크(130)는 둘 이상으로 형성되어 원통형 금형(110)의 축 방향으로 결합되며, 원통형 금형(110)의 일측 외주면 및 타측 외주면을 감싸면서 결합된다.
한편, 원통형 금형(110)과 패턴 마스크(130)에는 상호 간에 결합을 용이하게 하기 위한 얼라인(align) 포인트 마크(미도시)가 하나 이상 표시되어 있으며, 얼라인 포인트 마크는 원통형 금형(110)과 패턴 마스크(130)의 측면부에 표시되는 것이 바람직하다.
또한, 패턴 마스크(130)는 둘 이상으로 구비될 수 있는데, 둘 이상으로 구비되는 패턴 마스크(130)는 원통형 금형(110)의 외주면을 감싸면서 결합되며, 인쇄될 패턴의 형태 및 크기에 따라 둘 이상으로 제작될 수 있다.
(b)는 이송장치(120)에 의해 이송된 원통형 금형(110)에 두 개의 패턴 마스크(130)가 결합된 모습을 나타내고 있다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 원통형 스탬프를 제작하기 위한 UV 노광 구성도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 이송장치(120)에 의해 이송된 원통형 금형(110)에 패턴을 형성하는 공정에서 UV 노광을 실시하는 경우, 원통형 금형의 표면에 둘 이상으로 결합된 원통형 패턴 마스크(130)를 균일하게 노광하기 위해 설치되는 UV 광원(150)은 (a)와 같이 상하좌우 위치, (b)와 같이 상하좌우 및 대각 위치 또는 (c)와 같이 원통형 금형의 둘레 전체에 UV 광원(150)을 설치한 후, UV 노광을 실시하여 패턴 마스크(130)에 형성된 패턴에 따라 원통형 금형(110)의 표면에 마이크로미터급의 다양한 패턴을 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프를 제작하기 위한 구성도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, (a)는 이송장치(120)에 의해 이송된 원통형 금형(110)의 일측면에 하나의 패턴 마스크(130)를 결합하고, 패턴 마스크(130)가 결합된 원통형 금형(110)의 타측면에 쉴드 스테이지(140)를 결합하기 위해 쉴드 스테이지(140)가 원통형 금형(110)의 하부에 위치한 상태이다.
(b)는 원통형 금형(110)의 하부에 위치한 쉴드 스테이지(140)를 원통형 금형(110)의 타측면에 결합한 상태를 나타내고 있으며, (c)는 원통형 금형(110)에 패턴 마스크(130)와 쉴드 스테이지(140)를 결합한 후, 쉴드 스테이지(140)가 결합되지 않은 원통형 금형(110)의 일측면(상부면)의 패턴 마스크(130)에 UV 노광을 실시하는 상태를 나타내고 있다. UV 노광은 원통형 금형(110)의 상부에 위치하는 UV 광원(150)으로부터 실시되는 것이 바람직하다.
쉴드 스테이지(140)가 결합되지 않은 원통형 금형(110)의 일측면(상부면)의 패턴 마스크(130)에 제1차 UV 노광이 실시된 이후, 일측면(상부면)의 패턴 마스크(130)와 타측면(하부면)의 쉴드 스테이지(140)는 분리되고, 원통형 금형(110)은 이송장치(120)에 의해 180° 회전하게 된다.
회전된 원통형 금형(110)의 타측면은 쉴드 스테이지(140)에 의해 UV 노광이 실시되지 않았기 때문에 UV 노광을 실시하기 위해 패턴 마스크(130)가 위치하게 되며, 회전된 원통형 금형(110)의 일측면은 패턴 마스크(130) 결합에 따라 UV 노광이 실시되었기 때문에 쉴드 스테이지(140)가 결합된다.
이후, 원통형 금형(110)의 타측면에 결합된 패턴 마스크(130)에 UV 광원(150)을 통해 제2차 UV 노광이 실시된다.
즉, 제1차 UV 노광이 실시된 원통형 금형(110)의 일측면은 이송장치(120)에 의해 180° 회전하여 표면에 형성된 패턴을 제2차 UV 노광으로부터 보호하기 위해 쉴드 스테이지(130)가 결합되며, 제1차 UV 노광이 실시된 원통형 금형(110)의 타측면은 이송장치(120)에 의해 180° 회전되고 패턴 마스크(130)가 결합되어 제2차 UV 노광에 따라 표면에 패턴을 형성할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 원통형 스탬프를 제작하기 위한 UV 노광 구성도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, UV 광원(150)은 이송장치(120)에 의해 이송된 원통형 금형(110)의 일측면(상부면)에 위치한 패턴 마스크(130)에 UV 노광하기 위해 구비되며, 원통형 금형(110)의 타측면(하부면)에 위치한 패턴 마스크(130)와 결합된 쉴드 스테이지(140)는 UV 광원(150)으로부터 조사되는 UV 노광으로부터 원통혀어 금형(110)의 타측면(하부면)을 보호할 수 있다.
즉, (a)는 원통형 금형(110)의 일측면(상부면)에 결합된 패턴 마스크(130)에 UV 노광을 실시하기 위한 평면형 UV 광원(150)을 나타내고 있으며, (b)는 둘 이상의 평면형 UV 광원(150)을 나타내고 있으며, (c)는 반원통형 UV 광원을 나타내고 있다.
각각의 실시예는 UV 광원(150)을 통한 노광 정도에 따라 선택적으로 사용가능하다.
도 7은 본 발명에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프의 제작 방법을 나타내는 순서도이며, 도 8은 본 발명에 따른 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프의 제작 방법에서의 전처리 순서도이다. 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, UV 노광이 수행될 원통형 금형은 전처리 단계가 수행(S210)되며, 전처리가 완료된 원통형 금형의 표면에 포토레지스트를 도포하기 위해 스프레이 코터의 노즐 위치를 설정한다(S220).
이후, 포토레지스트 도포 공정값을 설정하고(S230), 설정된 공정값에 의해 원통형 금형의 표면에 포토레지스트를 도포하고 이를 건조한다(S240).
포토레지스트가 도포된 원통형 금형은 UV 노광을 실시하기 위해 UV 광원이 위치한 곳으로 이송장치에 의해 이동한 후, 원통형 금형의 외주면을 감싸도록 구비되는 하나 이상의 패턴 마스크를 결합한다(S250).
이때, 원통형 금형의 일측면에 하나의 패턴 마스크가 결합된 경우, UV 노광으로부터 원통형 금형의 타측면을 보호하기 위하여 원통형 금형의 타측면에는 쉴드 스테이지를 결합한다.
쉴드 스테이지는 원통형 금형의 타측면에 위치한 패턴 마스크를 UV 노광으로부터 보호하기 위해 하부면 패턴 마스크에 밀착되어 결합된다.
한편, 쉴드 스테이지는 패턴 마스크의 크기와 동일하여 원통형 금형에 결합된 패턴 마스크 이음매 부분과 매칭되어 결합되는 것이 바람직하다.
원통형 금형의 일측면에 패턴 마스크 및 타측면에 쉴드 스테이지의 결합이 완료된 경우, 원통형 금형의 일측면에 위치한 패턴 마스크에 UV 광원을 이용하여 제1차 UV 노광을 실시한다(S260). 제1차 UV 노광을 완료한 이후, 원통형 금형의 일측면에 결합되었던 패턴 마스크와 타측면에 결합되었던 쉴드 마스크를 제거한다(S270).
이후, 원통형 금형은 이송장치에 의해 180° 회전되고, 제2차 UV 노광을 위해 원통형 금형의 타측면에는 패턴 마스크가 결합되며, 일측면에는 쉴드 스테이지가 결합되어, UV 광원으로부터 제2차 UV 노광을 실시한다(S260).
즉, 원통형 금형의 일측면과 타측면의 위치교환이 완료된 이후, 원통형 금형의 일측면은 형성된 패턴을 보호하기 위해 쉴드 스테이지를 결합하며, 원통형 금형의 타측면은 UV 노광을 실시하기 위해 패턴 마스크를 결합한다. 이에 따라 제2차 UV 노광을 실시하고 하부측 패턴 마스크에 결합된 쉴드 스테이지를 제거한다(S270).
한편, UV 노광의 수행 횟수는 원통형 금형의 외주면에 결합된 패턴 마스크의 크기에 따라 결정된다. 예를 들어 원통형 금형의 외주면에 결합되는 패턴 마스크의 크기가 원통형 금형의 외주면의 1/3 크기인 경우, 1/3 크기의 패턴 마스크를 원통형 금형의 일측면에 결합하고, 2/3 크기의 원통형 금형의 타측면에는 쉴드 스테이지를 결합하여 제1차 UV 노광을 실시한다.
이후, 원통형 금형을 120° 회전하여 UV 노광이 실시되지 않은 원통형 금형의 타측면 중 어느 하나의 부분에 패턴 마스크를 결합하고, UV 노광이 실시된 원통형 금형의 일측면과 UV 노광이 실시되지 않은 원통형 금형의 타측면 중 다른 하나의 부분에 쉴드 스테이지를 결합하여 제2차 UV 노광을 실시한다.
마지막으로 원통형 금형을 120° 회전하여 UV 노광이 실시되지 않은 원통형 금형의 타측면 중 다른 하나의 부분에 패턴 마스크를 결합하고, 제1차 및 제2차 UV 노광이 실시된 원통형 금형의 일측면 및 타측면 중 어느 하나의 부분에 쉴드 스테이지를 결합하여 제3차 UV 노광을 실시한다.
또한, S250 단계에서 패턴 마스크가 둘 이상 결합되어 원통형 금형의 외주면을 모두 감싸는 경우, 원통형 금형의 외주면에 결합된 패턴 마스크를 이용하여 원통형 금형에 패턴을 형성하기 위하여 원통형 금형의 외주면에 대응하는 UV 광원을 이용하여 UV 노광을 실시한다(S260).
S260 단계에서의 UV 노광은 원통형 금형의 외주면을 따라 결합된 패턴 마스크에 실시되는 것이 바람직하며 UV 노광이 실시된 이후, 결합된 패턴 마스크를 제거한다(S270).
원통형 금형의 외주면에 UV 노광이 모두 수행된 이후에는 UV 노광이 실시된 원통형 금형의 현상을 실시하고(S280), 필요에 따라 에칭공정을 추가로 수행할 수 있다(S290). S290 단계의 에칭공정은 습식에칭 또는 건식에칭 중 어느 하나 이상으로 수행되는 것이 바람직하다.
한편, 원통형 금형의 전처리 단계(S210)는 도 8에 도시된 것과 같은 공정으로 수행될 수 있다.
이송장치에 결합된 원통형 금형을 전처리 공정을 수행할 수 있는 곳으로 이송한 후(S211), 원통형 금형의 표면에 무전해 니켈 도금 및 열처리를 수행한다(S212).
무전해 니켈 도금은 인(P) 함유량이 8 내지 20wt%인 니켈(Ni)층이 형성되도록 수행하며, 열처리는 원통형 금형 표면 경도가 600 내지 950Hv가 되는 것이 바람직하다.
이후, 원통형 금형의 표면에 표면처리를 수행한다(S213). 표면처리는 원통형 금형의 표면 조도(Ra)가 1 내지 5㎚가 되도록 경면 처리를 실시하는 것으로써, 경면처리는 랩핑 공정과 폴리싱 공정으로 나뉘어 실시되며, 각각의 공정은 모두 공작기계에서 실시된다.
랩핑 공정은 입도 크기 30㎛ 내지 1㎛의 규격을 갖는 알루미나(AL203) 랩핑필름 중 5 내지 7 종류의 서로 다른 입도 크기의 알루미나(AL203) 랩핑필름을 선택하여 입도 크기가 작은 순으로 3 내지 8회 단계적으로 실시한다.
폴리싱 공정은 입도 크기 3㎛ 내지 0.05㎛의 규격을 갖는 다이아몬드 서스펜션 중 3 내지 5 종류의 서로 다른 입도 크기의 다이아몬드 서스펜션을 선택하여 입도 크기가 작은 순으로 각각 25 내지 35분간 단계적으로 실시한다.
원통형 금형의 표면처리가 완료된 이후, 원통형 금형의 표면을 세정하고(S214), 필요에 따라 질소 블로잉 단계(S215)를 추가적으로 수행할 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
10 : 필름 마스크 11, 12, 80 : 패턴
20, 90, 110 : 원통형 금형 30: 감광액
40, 150 : UV 광원 50 : 광조사 수단
60 : 광유도 수단 70 : 포토 마스크
120 : 이송장치 130 : 패턴 마스크
140 : 쉴드 스테이지 150 : UV 광원

Claims (26)

  1. 원통형 스탬프 제작 장치에 있어서,
    UV 노광을 위해 전처리가 수행되는 원통형 금형;
    상기 원통형 금형을 이동하기 위한 이송 장치;
    상기 원통형 금형에 패턴을 형성하기 위한 하나 이상의 패턴 마스크; 및
    상기 UV 노광을 실시하기 위한 UV 광원
    을 포함하여 이루어지며,
    상기 원통형 금형의 일측면에 상기 패턴 마스크가 하나 결합되는 경우, 상기 원통형 금형의 타측면에는 상기 UV 노광을 차단하기 위한 반원통 형태의 쉴드 스테이지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴 마스크는 상기 원통형 금형의 축을 중심으로 반원통 형태로 하나 이상이 결합되어 원통형 금형의 일측면을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 쉴드 스테이지는 하나의 상기 패턴 마스크가 상기 원통형 금형의 일측면에 결합되는 경우, 상기 패턴 마스크가 결합된 상기 원통형 금형의 타측면에 결합되는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 UV 광원은 상기 원통형 금형에 결합된 상기 패턴 마스크에 UV 노광을 수행할 수 있도록 구비되는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 UV 노광은 상기 쉴드 스테이지가 결합되지 않은 상기 패턴 마스크에 실시되는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전처리는 무전해 니켈 도금, 열처리, 경면처리, 세정 또는 질소 블로잉 중 어느 하나 이상을 수행하는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 무전해 니켈 도금은 인(P) 함유량이 8 내지 20 wt%인 니켈(Ni) 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 열처리는 상기 원통형 금형의 표면경도가 600 내지 950 HV인 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 경면처리는 표면 조도(Ra) 1 내지 5㎚인 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송 장치는 상기 원통형 금형의 중심 축에 결합되어 상기 원통형 금형을 좌우 방향으로 수평 이동시키거나 상하 방향으로 수직 이동이 시키는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 원통형 금형 및 상기 패턴 마스크는 상호 매칭되는 위치에 결합되기 위해 얼라인(align) 포인트 마크가 하나 이상 표시되어 있는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 장치.
  13. 원통형 스탬프 제작 방법에 있어서,
    원통형 금형을 전처리하는 제1단계;
    상기 원통형 금형에 포토레지스트를 도포하는 제2단계;
    상기 원통형 금형에 패턴 마스크를 결합하는 제3단계;
    상기 원통형 금형에 UV 노광을 수행하는 제4단계; 및
    상기 원통형 금형에 결합된 상기 패턴 마스크를 분리하는 제5단계;
    를 포함하여 이루어지되,
    상기 패턴 마스크를 결합하는 상기 제3단계는
    상기 원통형 금형에 하나 이상의 반원통 형태의 패턴 마스크를 결합하는 제1과정; 및
    상기 원통형 금형의 일측면에 하나의 패턴 마스크가 결합되는 경우, 상기 원통형 금형의 타측면에 쉴드 스테이지를 결합하거나, 상기 원통형 금형의 일측 및 타측에 상기 패턴 마스크가 각각 결합되는 경우, 상기 쉴드 스테이지 결합을 생략하는 제2과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2단계 이후 또는 제3단계 이전에
    상기 원통형 금형이 이송장치를 통해 UV 노광 장치로 이송되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 이송 장치는 상기 원통형 금형의 중심 축에 결합되어 상기 원통형 금형을 좌우 방향으로 수평 이동시키거나 상하 방향으로 수직 이동시키는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.

  16. 삭제
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 원통형 금형의 일측에 하나의 패턴 마스크가 결합되는 경우에 상기 UV 노광을 수행하는 제4단계는
    상기 패턴 마스크에 제1차 UV 노광을 수행하는 제1과정;
    상기 패턴 마스크 및 상기 쉴드 스테이지를 분리하는 제2과정;
    상기 원통형 금형을 회전한 후, 상기 제1차 UV 노광이 수행된 상기 원통형 금형의 일측에 상기 쉴드 스테이지를 결합하며, 상기 UV 노광이 수행되지 않은 상기 원통형 금형의 타측에 상기 패턴 마스크를 결합하는 제3과정;
    상기 패턴 마스크에 제2차 UV 노광을 수행하는 제4과정; 및
    상기 패턴 마스크 및 상기 쉴드 스테이지를 분리하는 제5과정
    을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 제5단계 이후에
    상기 UV 노광이 실시된 상기 원통형 금형을 현상하는 단계; 및
    상기 원통형 금형을 에칭하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 전처리하는 제1단계는
    상기 원통형 금형의 표면에 무전해 니켈 도금하는 제1과정;
    상기 원통형 금형의 표면에 열처리 및 경면처리를 수행하는 제2과정;
    상기 원통형 금형의 표면을 세정하는 제3과정; 및
    상기 원통형 금형의 표면을 질소 블로잉하는 제4과정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 무전해 니켈 도금은 인(P) 함유량의 8 내지 20 wt%인 니켈(Ni) 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 열처리는 상기 원통형 금형의 표면경도가 600 내지 950HV 되도록 하는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 경면처리는 표면 조도(Ra)가 1 내지 5㎚인 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 포토레지스트를 도포하는 제2단계는
    상기 포토레지스트를 도포하기 위한 스프레이코터의 노즐 위치를 설정하는 제1과정;
    상기 포토레지스트의 도포를 위한 공정 값을 설정하는 제2과정;
    상기 스프레이코터를 이용하여 상기 포토레지스트를 도포하는 제3과정; 및
    도포된 상기 포토레지스트를 건조하는 제4과정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  24. 제 13 항에 있어서,
    상기 패턴 마스크는 상기 원통형 금형의 축을 중심으로 반원통 형태로 하나 이상이 결합되어 원통형 금형의 외주면을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 원통형 금형 및 상기 패턴 마스크는 상호 매칭되는 위치에 결합되기 위해 얼라인(align) 포인트 마크가 하나 이상 표시되어 있는 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
  26. 제 18 항에 있어서,
    상기 에칭은 건식 또는 습식 에칭 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 원통형 패턴 마스크를 이용한 원통형 스탬프 제작 방법.
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