KR101299919B1 - 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법 - Google Patents

나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법 Download PDF

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이재종
임형준
최기봉
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한국기계연구원
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Abstract

본 발명은 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게, 정확한 위치에 다층으로 패터닝 되도록 제1스탬프와 제1기판을 일정위치에 정렬하는 다층패터닝 정렬부와, 작은 크기의 제2스탬프를 이용하여 대면적의 제2기판에 반복적으로 패터닝 할 수 있도록 제2기판을 x축 또는 y축 방향으로 이송하는 기판이송스테이지와, 상기 다층패터닝 정렬부 또는 기판이송스테이지에 놓인 제1기판 또는 제2기판에 패턴이 전사되도록 가압 및 경화기능을 포함하는 임프린팅 스테이션을 포함하여 나노임프린트 장치가 형성됨으로써, 하나의 나노임프린트 장치로 대면적 패턴전사와 다층패터닝이 모두 가능하여 다양한 임프린팅 공정에 적용할 수 있는 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법에 관한 것이다.

Description

나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법{Nano-imprinting apparatus and Nano-imprinting method for using the same}
본 발명은 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게, 정확한 위치에 다층으로 패터닝 되도록 제1스탬프와 제1기판을 일정위치에 정렬하는 다층패터닝 정렬부와, 작은 크기의 제2스탬프를 이용하여 대면적의 제2기판에 반복적으로 패터닝 할 수 있도록 제2기판을 x축 또는 y축 방향으로 이송하는 기판이송스테이지와, 상기 다층패터닝 정렬부 또는 기판이송스테이지에 놓인 제1기판 또는 제2기판에 패턴이 전사되도록 가압 및 경화기능을 포함하는 임프린팅 스테이션을 포함하여 나노임프린트 장치가 형성됨으로써, 하나의 나노임프린트 장치로 대면적 패턴전사와 다층패터닝이 모두 가능하여 다양한 임프린팅 공정에 적용할 수 있는 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체의 제조 공정에서는 실리콘(Silicon)과 유리(Glass) 등의 기판에 마스크(Mask) 또는 스탬프(Stamp)의 형상을 전사시켜 대량으로 마이크로미터 혹은 나노미터 크기의 미세한 형상이 제작된다.
상기 방법 중 마스크 또는 스탬프의 형상을 전사시키는 방법에 있어서, 마스크를 사용하는 포토 리소그래피(Photo Lithography)는 레지스트(Resist)가 도포된 기판 위에 마스크를 정렬하여 위치시킨 후 빛을 조사하여 레지스트를 경화시킨다.
스탬프를 사용하는 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정은 레지스트가 도포된 기판 위에 스탬프를 정렬하여 위치시킨 후, 스탬프와 기판이 밀착된 상태에서 가압을 한 후 가열하거나 빛을 조사하는 등의 방법을 이용하여 레지스트를 경화시킨다.
국내등록특허 제0925762호(등록일 2009.11.02, 명칭 : 임프린트 방법)에는 열 경화에 의한 임프린트 리소그래피 방법이 개시되어 있으며, 국내등록특허 제0558754호(등록일 2006.03.02, 명칭 : UV 나노임프린트 리소그래피 공정 및 이 공정을 수행하는 장치)에는 자외선 조사에 의해 레지스트가 경화되는 임프린트 리소그래피 방법이 개시된 바 있다.
기존의 임프린팅 공정은 사용되는 웨이퍼의 크기에 따라서 약간의 차이는 있으나, 1인치x1인치 또는 1cm x1cm 크기(field size)를 갖는 몰드를 사용하여 스캐닝방식으로 연속적인 몰드 크기로 임프린팅을 하는 방법과, 크기가 큰 스탬프를 사용하여 한 번에 임프린팅 하는 방법이 있다.
이러한 공정의 경우 스탬프의 패턴이 전사되는 기판(기저층 또는 웨이퍼면 위에 레지스트가 코팅된 표면)은 평면의 웨이퍼 척 위에 놓인 상태에서 임프린팅이 이루어진다.
이와 같이 스탬프의 패턴을 기판에 전사할 때 자외선을 이용하여 저하중으로 작업하는 방법과 열과 고하중을 이용하는 방법이 사용된다.
자외선을 이용하는 경우는 자외선에 경화되는 수지만을 이용하여 저하중으로 상온에서 패턴전사 작업이 가능하며, 주로 1bar(또는 1kg/cm2) 이하의 낮은 압력이 사용된다.
열을 이용하는 경우는 열경화성 또는 열가소성 물질을 사용하거나 열에 의해서 경화되는 물질을 사용하여 스탬프의 패턴을 기판에 전사한다.
이러한 공정은 기판에 스탬프의 패턴을 전사할 때 정렬장치를 사용하지 않고, 스탬프와 기판을 대략적으로 맞춰서 패턴전사공정을 하기 때문에 단층의 패턴전사는 문제가 되지 않지만, 여러 층으로 나노패턴을 전사할 경우는 기존 방법만으로 첫 번째 층과 연결하여 두 번째 층을 패터닝 할 수 없으며, 패터닝이 되더라도 전혀 기능을 발휘할 수 없게 되므로 여러 층에서 높은 정렬정밀도를 유지하면서 나노패터닝을 할 수 있는 장치가 요구되고 있는 실정이다.
국내등록특허 제0925762호(등록일 2009.11.02, 명칭 : 임프린트 방법) 국내등록특허 제0558754호(등록일 2006.03.02, 명칭 : UV 나노임프린트 리소그래피 공정 및 이 공정을 수행하는 장치)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 정확한 위치에 다층으로 패터닝 되도록 제1스탬프와 제1기판을 일정위치에 정렬하는 다층패터닝 정렬부와, 작은 크기의 제2스탬프를 이용하여 대면적의 제2기판에 반복적으로 패터닝 할 수 있도록 제2기판을 x축 또는 y축 방향으로 이송하는 기판이송스테이지와, 상기 다층패터닝 정렬부 또는 기판이송스테이지에 놓인 제1기판 또는 제2기판에 패턴이 전사되도록 가압 및 경화기능을 포함하는 임프린팅 스테이션을 포함하여 나노임프린트 장치가 형성됨으로써, 하나의 나노임프린트 장치로 대면적 패턴전사와 다층패터닝이 모두 가능하여 다양한 임프린팅 공정에 적용할 수 있는 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노임프린트 장치는 나노임프린트 장치(1)에 있어서, 자외선 또는 열을 공급하는 경화수단(110)과, 제1스탬프(220) 및 제2스탬프(320)와, 제1기판(210) 및 제2기판(310) 사이에 압력이 가해지도록 상ㆍ하 방향으로 이송되는 가압스테이지(120)를 포함하는 임프린팅 스테이션(100); 상기 제1기판(210) 위에 상기 제1스탬프(220)가 적어도 하나 이상 놓여 패턴이 다층으로 전사되도록 하되, 상기 제1스탬프(220)가 순차적으로 일정 위치에 놓이도록 정렬하는 다층패터닝 정렬부(200); 상기 임프린팅 스테이션(100)에 장착되는 제2스탬프(320)를 이용하여 반복 패터닝이 수행되도록 상기 제2기판(310)을 x축 는 y축 방향으로 이송하는 기판이송 스테이지(300); 및 상기 다층패터닝 정렬부(200) 및 기판이송 스테이지(300)의 위치 및 동작을 제어하는 제어부(400); 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 경화수단(110)은 상측에 설치되어 상기 제1기판(210) 및 제2기판(310)에 자외선을 조사하는 자외선조사장치(111); 및, 상기 가압스테이지(120)의 상측 또는 상기 가압스테이지(120)와 일체로 형성되어 상기 제1기판(210) 및 제2기판(310)을 가열 또는 냉각시키는 온도조절장치(112); 를 포함하여 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 나노임프린트 장치(1)는 상기 온도조절장치(112) 상측면에 구비되며, 블록 형태 또는 스프링을 포함하는 기판 척(130)이 더 구비될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 다층패터닝 정렬부(200)는 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 일측에 설치되어 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)를 정렬한 다음, 상기 가압스테이지(120)로 이송시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 다층패터닝 정렬부(200)는 상기 제1기판(210)을 고정하는 제1기판 척(231)과, 상기 제1스탬프(220)를 고정하는 제1스탬프 척(232)을 포함하는 정렬스테이지(230); 상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)의 상대위치를 측정하는 위치측정장치(240); 및 상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)의 위치를 모니터링 하는 측정모니터(250); 를 포함하며, 상기 위치측정장치(240)를 통해 측정된 값에 따라 상기 정렬스테이지(230)가 x, y축으로 병진운동 및 회전운동할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 나노임프린트 장치(1)는 상기 임프린팅 스테이션(100)에 탈ㆍ장착되며, 탄성힌지 방식의 스프링 및 제2스탬프 척을 포함하여 상기 제2스탬프(320)가 장착되는 스탬프 헤드 유닛(500)을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 기판이송 스테이지(300)는 상기 제2기판(310)이 고정되는 제2기판 척(330)을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 제2기판(310)은 열경화성 또는 자외선 경화성 레지스트가 코팅된 기증기판(311)과, 패턴이 전사되는 수용기판(312)으로 구성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 나노임프린트 장치(1)는 상기 제2스탬프(320)가 상기 기증기판(311)에 접촉하여 상기 기증기판(311)에 코팅된 레지스트의 상측면 일부를 떼어 상기 수용기판(312)에 전사되도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 나노임프린트 장치(1)는 상기 가압스테이지(120) 상측면에 놓여 제1기판(210) 및 제2기판(310)의 높이를 조정하는 높이조정 스테이지(600)를 더 포함할 수 있다.
또한, 나노임프린트 장치(1)를 이용한 나노임프린트 방법은 a) 상기 다층패터닝 정렬부(200)에서 상기 제1기판(210) 위에 상기 제1스탬프(220)가 일정 위치에 정렬되는 단계; b) 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)가 상기 임프린팅 스테이션(100)으로 이송되어 임프린팅 되는 단계; 및 c) 임프린팅이 완료된 다음, 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)가 상기 다층패터닝 정렬부(200)로 이송되어 상기 제1스탬프(220)가 분리되고, 다른 패턴의 상기 제1스탬프(220)가 상기 제1기판(210) 위의 일정 위치에 정렬되는 단계; d) 상기 제1기판(210) 및 다른 패턴의 상기 제1스탬프(220)가 상기 임프린팅 스테이션(100)으로 이송되어 임프린팅 되는 단계; 를 포함하며, 상기 제1스탬프(220)가 구비되는 개수에 따라, c) 단계 및 d)단계가 반복 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 나노임프린트 방법은 상기 제2스탬프(320)보다 상기 제2기판(310)의 면적이 더 클 경우, e) 상기 기판이송 스테이지(300)에 의해 상기 임프린팅 스테이션(100)의 일정위치로 상기 제2기판(310)이 이송되어 상기 제2스탬프(320)에 의해 패턴이 전사되는 단계; f) 상기 기판이송 스테이지(300)에 의해 상기 제2기판(310)이 x축 또는 y축 방향으로 일정거리 이송된 다음, 상기 제2스탬프(320)에 의해 패턴이 전사되는 단계; 를 포함하며, 상기 제2기판(310)에 패턴이 전사될 면적에 따라, f) 단계가 반복 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 나노임프린트 방법은 a) 내지 d) 단계 중 어느 하나가 수행되는 경우, 상기 기판이송 스테이지(300)가 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 타측에 위치되며, 상기 스탬프 헤드 유닛(500)이 탈착된 상태일 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 나노임프린트 방법은 e) 내지 f) 단계 중 어느 하나가 수행되는 경우, 상기 다층패터닝 정렬부(200)가 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 일측에 위치되며, 상기 스탬프 헤드 유닛(500)이 장착된 상태일 수 있다.
본 발명의 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법은 정확한 위치에 다층으로 패터닝 되도록 제1스탬프와 제1기판을 일정위치에 정렬하는 다층패터닝 정렬부와, 작은 크기의 제2스탬프를 이용하여 대면적의 제2기판에 반복적으로 패터닝 할 수 있도록 제2기판을 x축 또는 y축 방향으로 이송하는 고정밀도의 기판이송스테이지와, 상기 다층패터닝 정렬부 또는 기판이송스테이지에 놓인 제1기판 또는 제2기판에 패턴이 전사되도록 가압 및 경화기능을 포함하는 임프린팅 스테이션을 포함하여 나노임프린트 장치가 형성됨으로써, 하나의 나노임프린트 장치로 대면적 패턴전사와 다층패터닝이 모두 가능하여 다양한 임프린팅 공정에 적용할 수 있다는 장점이 있다.
다시 말해, 본 발명의 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법은 다층패터닝 정렬부를 통해 여러 층에서 높은 정렬정밀도를 유지하면서 다층으로 나노패터닝이 가능하며, 제2스탬프, 즉, 하나의 마스터 스탬프를 이용하여 대면적으로 패턴전사가 가능하다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 방법은 마스터 스탬프를 이용하여 쉽게 기증기판에 코팅된 레지스트의 상측면 일부를 떼어 내어 수용기판에 전사하는 공정을 구현할 수 있게 됨에 따라, 반도체메모리 소자, 고기능성 광통신 소자, 솔라 셀 및 나노-마이크로 플루이딕스 칩 등을 제작하는데 다양하게 활용가능하다는 장점이 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 나노임프린트 장치를 나타낸 사시도.
도 3은 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 단층 패터닝 공정의 개념도.
도 4 및 도 5는 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 다층 패터닝 공정에서 제1기판 및 제1스탬프의 정렬 및 이송 단계를 나타낸 개념도.
도 6 및 도 7은 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 대면적 패터닝 공정의 개념도.
도 8 및 도 9는 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 기증 및 수용 공정의 개념도.
도 10은 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 기증 및 수용 공정에 의한 임프린트 공정도.
이하, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 나노임프린트 장치 및 이를 이용한 나노임프린트 공정을 첨부된 도면을 참조로 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 나노임프린트 장치를 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 단층 패터닝 공정의 개념도이며, 도 4 및 도 5는 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 다층 패터닝 공정에서 제1기판 및 제1스탬프의 정렬 및 이송 단계를 나타낸 개념도이고, 도 6 및 도 7은 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 대면적 패터닝 공정의 개념도이며, 도 8 및 도 9는 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 기증 및 수용 공정의 개념도이고, 도 10은 본 발명의 나노임프린트 장치를 이용한 기증 및 수용 공정에 의한 임프린트 공정도이다.
실시예 1
실시예 1에서는 본 발명의 나노임프린트 장치(1)를 전체적으로 설명한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 크게 임프린팅 스테이션(100), 다층패터닝 정렬부(200), 기판이송 스테이지(300) 및 제어부(400)를 포함하여 형성된다.
상기 임프린팅 스테이션(100)은 자외선 또는 열을 공급하여 기판 또는 레지스트를 경화시키는 역할을 하는 경화수단(110)과, 제1스탬프(220)와 제1기판(210) 사이, 제2스탬프(320)와 제2기판(310) 사이에 압력이 가해지도록 상ㆍ하 방향으로 이송되는 가압스테이지(120)를 포함하여 형성된다.
상기 경화수단(110)은 상측에 설치되어 제1기판(210) 및 제2기판(310)에 도포될 수 있는 자외선경화성 레지스트가 경화되도록 자외선을 조사하는 자외선조사장치(111)와, 상기 가압스테이지(120)의 상측 또는 상기 가압스테이지(120)와 일체로 형성되어 상기 제1기판(210) 및 제2기판(310)위에 도포된 열경화성 레지스트가 경화되도록 열을 가하거나 냉각시키는 온도조절장치(112)를 포함하여 형성될 수 있다.
이 때, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 온도조절장치(112) 상측면에 기판 척(130)이 더 구비될 수 있는데, 상기 기판 척(130)은 기판을 고정하는 것으로, 단순한 블록 형태일 수도 있으며, 스프링 구조가 포함되어 있어 저압의 임프린팅 공정압력이 필요한 경우 용이하게 사용되도록 할 수 있다.
상기 기판 척(130)은 단순히 임프린팅 될 기판을 고정시키기 위해 사용될 수도 있으며, 재질에 따라 스탬프 및 기판이 공정압력 값에 민감한 경우, 내부에 포함된 스프링 구조를 통해 미세한 압력변화에 둔감해지도록 하기 위해 사용될 수도 있다.
상기 다층패터닝 정렬부(200)는 상기 제1기판(210) 위에 상기 제1스탬프(220)가 적어도 하나 이상 놓여 패턴이 다층으로 전사되도록 하되, 상기 제1스탬프(220)가 순차적으로 일정 위치에 놓이도록 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)의 상대위치를 정렬한다.
상기 기판이송 스테이지(300)는 상기 임프린팅 스테이션(100)에 장착되는 마스터 스탬프, 즉 제2스탬프(320)를 이용하여 반복 패터닝이 수행되도록 상기 제2기판(310)을 x축 또는 y축으로 이송한다.
상기 제어부(400)는 상기 다층패터닝 정렬부(200) 및 기판이송 스테이지(300)의 위치 및 동작을 제어하며, 상기 임프린팅 스테이션(100)의 가압, 가열 및 자외선 조사와 같이 임프린팅 공정의 제반과정을 제어한다.
이에 따라, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 다층패터닝 정렬부(200)를 통해 다층패터닝 공정을 수행할 수 있으며, 기판이송 스테이지(300)를 통해 대면적의 제2기판(310)에 제2스탬프(320)를 반복적으로 패터닝 할 수 있다.
물론, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 도 3과 같이 단층 패터닝 공정도 가능하다.
이 경우, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 다층패터닝 정렬부(200)를 임프린팅 스테이션(100)의 y축으로 일측에 배치되도록 하고, 상기 기판이송 스테이지(300)를 y축으로 타측에 배치되도록 한다.
이 때, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 가압스테이지(120)의 상측에 상기 기판 척(130)이 설치되어 상기 기판 척(130)에 기판을 고정하고, 상기 기판 위에 스탬프가 놓인 상태에서 상기 가압스테이지(120)가 상측으로 이동되어 스탬프와 기판 사이에 압력이 가해지게 된다.
그 다음, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 기판에 도포된 레지스트의 특성에 따라, 자외선 조사장치(111) 또는 온도조절장치(112)가 작동되어 레지스트가 경화되도록 하며, 일정 시간 이후, 상기 가압스테이지(120)가 하측으로 이동되어 상기 스탬프 및 기판 사이에 압력을 해제시킨다.
실시예 2
실시예 2에서는 상기 다층패터닝 정렬부(200) 및 상기 다층패터닝 정렬부(200)를 이용한 다층패터닝 공정에 대해 좀 더 상세히 설명한다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 다층패터닝 정렬부(200)는 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 일측에 설치되며, 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)의 상대위치를 정렬한 다음, 상기 임프린팅 스테이션(100)의 가압스테이지(120)로 이송시킨다.
더욱 상세하게, 상기 다층패터닝 정렬부(200)는 크게 정렬스테이지(230), 위치측정장치(240) 및 측정모니터(250)를 포함하여 형성된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 정렬스테이지(230)는 고분해능 및 나노-마이크로 수준의 정밀도를 가지며, 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)를 각각 x축 또는 y축으로 이동 및 회전시키는 것으로, 상기 제1스탬프(220)를 고정하는 제1스탬프 척(232)과, 상기 제1기판(210)을 고정하는 제1기판 척(231)을 포함한다.
상기 제1스탬프 척(232) 및 제1기판 척(231)은 탈착 가능한 형태이며, 상기 정렬스테이지(230) 위에 장착되어 상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)의 정렬키(align key)와 같은 수단을 통해 상대위치가 조절될 수 있도록 형성된다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 다층패터닝 정렬부(200)는 상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)을 상기 제1스탬프 척(232) 및 제1기판 척(231)에 고정시키고, 상기 위치측정장치(240)를 통해 상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210) 사이의 상대적인 위치를 측정하는 작업을 수행하게 된다.
상기 다층패터닝 정렬부(200)는 상기 위치측정장치(240)를 통해 상기 제1기판(210)과 제1스탬프(220)의 상대적인 위치를 정밀하게 측정하고, 측정된 값에 따라 상기 정렬스테이지(230)를 조정함으로써, 상기 제1기판(210)이 상기 제1스탬프(220)의 정확한 위치에 위치되도록 한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 다층패터닝 정렬부(200)에서 정렬공정이 끝난 후, 정렬된 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)을 상기 정렬스테이지(230)를 통해 상기 임프린팅 스테이션(100)까지 로딩(loading)시킨 다음, 상기 가압스테이지(120)를 이용하여 가압 한 후, 레지스트의 종류에 따라 자외선 조사장치(111) 또는 온도조절장치(112)를 통해 레지스트를 경화시킨다.
이 때, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 가압스테이지(120) 상측에 높이를 조정하는 높이조정 스테이지(600)가 더 구비되어, 상기 높이조정 스테이지(600)를 통하여 상기 정렬스테이지(230)를 가압하도록 함으로써, 상기 가압스테이지(!20)가 상측으로 많이 움직이지 않도록 할 수 있다.
본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 임프린팅 스테이션(100)에서 패터닝 공정이 끝난 다음, 상기 정렬스테이지(230)를 통해 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)을 상기 다층패터닝 정렬부(200)까지 언로딩(unloading) 시킨 후, 상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)을 분리함으로써 1차 패터닝 공정을 완료하게 된다.
그 다음, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 제1스탬프(220)를 다른 패턴이 형성되어 있는 또 다른 제1스탬프(220)로 교체하여 다시 정렬과정을 거친 다음 동일한 방법으로 2차 패터닝 공정을 수행함으로써, 다층패터닝 공정을 구현하게 된다.
실시예 3
실시예 3에서는 상기 기판이송 스테이지(300) 및 이를 이용한 대면적 패터닝 공정에 대해 좀 더 상세히 설명한다.
상기 기판이송 스테이지(300)는 상기 임프린팅 스테이션(100)을 중심으로 상기 다층패터닝 정렬부(200)와 y축 방향으로 반대되는 측에 위치한다.
상기 기판이송 스테이지(300) 상측에는 상기 제2기판(310)이 고정되는 제2기판 척(330)이 더 구비될 수 있다.
이 때, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 임프린팅 스테이션(100)에 탈 ㆍ장착되며, 탄성힌지 방식의 스프링과, 상기 제2스탬프(320)를 고정하는 제2스탬프 척을 포함하여 형성되는 스탬프 헤드 유닛(500)을 포함한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 마스터 스탬프, 즉, 상기 제2스탬프(320)를 상기 임프린팅 스테이션(100)에 장착시키고, 레지스트가 코팅된 기판을 고정밀도로 x축 또는 y축 방향으로 이송시키는 상기 기판이송 스테이지(300)의 제2기판 척(330)에 제2기판(310)을 고정시킨다.
그 다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 기판이송 스테이지(300)를 상기 임프린팅 스테이션(100)으로 로딩 시켜, 상기 제2기판(310)이 상기 스탬프 헤드 유닛(500) 아래에 위치하도록 한 다음, 상기 기판이송 스테이지(300)가 상측으로 이동되어 상기 제2스탬프(320) 및 제2기판(310) 사이에 압력이 가해지도록 할 수 있다.
본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 제2기판(310)이 6인치 이상의 대면적일 경우, 상기 제2기판(310)의 위치를 이송시켜 반복적으로 패턴이 전사되도록 함으로써, 대면적 패터닝이 가능하도록 할 수 있다.
이 때, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 스탬프 헤드 유닛(500)에 장착된 상기 제2스탬프(320)의 패턴을 1차로 상기 제2기판(310)에 전사한 다음, 상기 기판이송 스테이지(300)를 x축 또는 y축 방향으로 상기 제2스탬프(320)의 패턴 크기 정도 이송시켜, 다시 패터닝 하는 과정을 반복하게 된다.
이에 따라, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 하나의 마스터 스탬프(제2스탬프(320))를 가지고 대면적의 임프린팅 공정을 수행할 수 있다.
실시예 4
실시예 4에서는 상기 기판이송 스테이지(300)를 이용한 또 다른 실시예에 대해 설명한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제2기판(310)은 열경화성 또는 자외선 경화성 레지스트가 코팅된 기증기판(311)과 패턴이 전사되는 수용기판(312)으로 구성될 수 있다.
본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 제2스탬프(320)가 상기 기증기판(311)에 접촉하여 상기 기증기판(311)에 코팅된 레지스트의 상측면 일부를 떼어 상기 수용기판(312)에 전사되도록 하는 공정을 수행할 수 있다.
다시 말해, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 탄성힌지 방식의 스프링과 제2스탬프 척으로 구성된 스탬프 헤드 유닛(500)이 상기 임프린팅 스테이션(100)에 장착된 다음, 상기 기판이송 스테이지(300)에 고정된 제2기판 척(330)을 사용하여 2개의 기판, 즉 레지스트가 코팅된 기증기판(311)과, 패턴이 전사될 수용기판(312)을 장착시킨다.
그 다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 상기 제2스탬프(320)가 상기 기증기판(311)에 접촉된 다음, 상기 기증기판(311)에 코팅된 레지스트의 상측 일부영역을 묻힌 상태에서 분리되고, 상기 기판이송 스테이지(300)에 의해 상기 수용기판(312)이 상기 스탬프 헤드 유닛(500) 하측에 위치되도록 이송된 후, 상기 제2스탬프(320) 및 상기 수용기판(312) 사이에 압력이 가해지고, 자외선 또는 열경화를 통해 패턴이 전사되도록 할 수 있다.
상기와 같은 공정은 반복적으로 수행되어 기증기판(311)의 레지스트를 옮겨 상기 수용기판(312)에 패턴이 전사되도록 할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 기판을 회전시켜 레지스트를 코팅하는 수단(spin-coating)에 의한 일반적인 임프린팅 방법에 비해 더욱 얇은 잔류층(residual)을 가지도록 패턴 전사를 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)는 마스터 스탬프를 이용하여 쉽게 기증기판(311)에 코팅된 레지스트의 상측면 일부를 떼어 내어 수용기판(312)에 전사하는 공정을 구현할 수 있게 됨에 따라, 반도체메모리 소자, 고기능성 광통신 소자, 솔라 셀 및 나노-마이크로 플루이딕스 칩 등을 제작하는데 다양하게 활용가능하다는 장점이 있다.
실시예 5
실시예 5에서는 나노임프린트 장치(1)를 이용한 나노임프린트 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 나노임프린트 방법은 a) 상기 다층패터닝 정렬부(200)에서 상기 제1기판(210) 위에 상기 제1스탬프(220)가 일정 위치에 정렬되는 단계; b) 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)가 상기 임프린팅 스테이션(100)으로 이송되어 임프린팅 되는 단계; c) 임프린팅이 완료된 다음, 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)가 상기 다층패터닝 정렬부(200)로 이송되어 상기 제1스탬프(220)가 분리되고, 다른 패턴의 상기 제1스탬프(220)가 상기 제1기판(210) 위의 일정 위치에 정렬되는 단계; d) 상기 제1기판(210) 및 다른 패턴의 상기 제1스탬프(220)가 상기 임프린팅 스테이션(100)으로 이송되어 임프린팅 되는 단계; 를 포함한다.
이 때, 본 발명의 나노임프린트 방법은 상기 제1스탬프(220)가 구비되는 개수에 따라, c) 단계 및 d)단계가 반복 수행되어 다층 패터닝 공정을 구현할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 나노임프린트 방법은 상기 제2스탬프(320)보다 상기 제2기판(310)의 면적이 더 클 경우, e) 상기 기판이송스테이지에 의해 상기 임프린팅 스테이션(100)의 일정위치로 상기 제2기판(310)이 이송되어 상기 제2스탬프(320)에 의해 패턴이 전사되는 단계; f) 상기 기판이송스테이지에 의해 상기 제2기판(310)이 x축 또는 y축 방향으로 일정거리 이송된 다음, 상기 제2스탬프(320)에 의해 패턴이 전사되는 단계; 를 포함한다.
이 때, 본 발명의 나노임프린트 방법은 상기 제2기판(310)에 패턴이 전사될 면적에 따라, f) 단계가 반복 수행됨으로써, 하나의 마스터 스탬프(제2스탬프(320))를 이용하여 대면적 패터닝 공정을 구현할 수 있다.
한편, 본 발명의 나노임프린트 장치(1)를 이용하여 a) 내지 d) 단계 중 어느 하나가 수행되는 경우, 상기 기판이송스테이지가 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 타측에 위치되며, 상기 스탬프 헤드 유닛(500)이 탈착된 상태인 것이 바람직하다.
또한, e) 내지 f) 단계 중 어느 하나가 수행되는 경우에는 상기 다층패터닝 정렬부(200)가 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 일측에 위치되며, 상기 스탬프 헤드 유닛(500)이 장착된 상태인 것이 바람직하다.
이에 따라, 본 발명의 나노임프린트 장치(1) 및 이를 이용한 나노임프린트 방법은 수행하고자 하는 임프린트 공정의 종류에 따라 사용하지 않는 장치를 임프린팅 스테이션(100)으로부터 이탈된 상태로 대기하도록 함으로써, 상호간섭 없이 독립적으로 작업할 수 있도록 한다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
1 : 나노임프린트 장치
100 : 임프린팅 스테이션
110 : 경화수단
111 : 자외선 조사장치 112 : 온도조절장치
120 : 가압스테이지 130 : 기판 척
200 : 다층패터닝 정렬부
210 : 제1기판 220 : 제1스탬프
230 : 정렬스테이지
231 : 제1기판 척 232 : 제1스탬프 척
240 : 위치측정장치 250 : 측정모니터
300 : 기판이송 스테이지
310 : 제2기판
311 : 기증기판 312 : 수용기판
320 : 제2스탬프 330 : 제2기판 척
400 : 제어부
500 : 스탬프 헤드 유닛
600 : 높이조정 스테이지
S100~S600 : 나노임프린트 방법의 각 단계.

Claims (14)

  1. 나노임프린트 장치(1)에 있어서,
    자외선 또는 열을 공급하는 경화수단(110)과, 제1스탬프(220) 및 제2스탬프(320)와, 제1기판(210) 및 제2기판(310) 사이에 압력이 가해지도록 상ㆍ하 방향으로 이송되는 가압스테이지(120)를 포함하는 임프린팅 스테이션(100);
    상기 제1기판(210) 위에 상기 제1스탬프(220)가 적어도 하나 이상 놓여 패턴이 다층으로 전사되도록 하되, 상기 제1스탬프(220)가 순차적으로 일정 위치에 놓이도록 정렬하는 다층패터닝 정렬부(200);
    상기 임프린팅 스테이션(100)에 장착되는 제2스탬프(320)를 이용하여 반복 패터닝이 수행되도록 상기 제2기판(310)을 x축 는 y축 방향으로 이송하는 기판이송 스테이지(300); 및
    상기 다층패터닝 정렬부(200) 및 기판이송 스테이지(300)의 위치 및 동작을 제어하는 제어부(400); 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 경화수단(110)은
    상측에 설치되어 상기 제1기판(210) 및 제2기판(310)에 자외선을 조사하는 자외선조사장치(111); 및, 상기 가압스테이지(120)의 상측 또는 상기 가압스테이지(120)와 일체로 형성되어 상기 제1기판(210) 및 제2기판(310)을 가열 또는 냉각시키는 온도조절장치(112); 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 나노임프린트 장치(1)는
    상기 온도조절장치(112) 상측면에 구비되며, 블록 형태 또는 스프링을 포함하는 기판 척(130)이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 다층패터닝 정렬부(200)는
    상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 일측에 설치되어 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)를 정렬한 다음, 상기 가압스테이지(120)로 이송시키는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 다층패터닝 정렬부(200)는
    상기 제1기판(210)을 고정하는 제1기판 척(231)과, 상기 제1스탬프(220)를 고정하는 제1스탬프 척(232)을 포함하는 정렬스테이지(230);
    상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)의 상대위치를 측정하는 위치측정장치(240); 및,
    상기 제1스탬프(220) 및 제1기판(210)의 위치를 모니터링 하는 측정모니터(250); 를 포함하며, 상기 위치측정장치(240)를 통해 측정된 값에 따라 상기 정렬스테이지(230)가 x, y축으로 병진운동 및 회전운동하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 나노임프린트 장치(1)는
    상기 임프린팅 스테이션(100)에 탈ㆍ장착되며,
    탄성힌지 방식의 스프링 및 제2스탬프 척을 포함하여 상기 제2스탬프(320)가 장착되는 스탬프 헤드 유닛(500)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 기판이송 스테이지(300)는
    상기 제2기판(310)이 고정되는 제2기판 척(330)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제2기판(310)은
    열경화성 또는 자외선 경화성 레지스트가 코팅된 기증기판(311)과, 패턴이 전사되는 수용기판(312)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 나노임프린트 장치(1)는
    상기 제2스탬프(320)가 상기 기증기판(311)에 접촉하여 상기 기증기판(311)에 코팅된 레지스트의 상측면 일부를 떼어 상기 수용기판(312)에 전사되도록 하는 나노임프린트 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 나노임프린트 장치(1)는
    상기 가압스테이지(120) 상측면에 놓여 제1기판(210) 및 제2기판(310)의 높이를 조정하는 높이조정 스테이지(600)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 장치.
  11. 제 1항에 의한 나노임프린트 장치(1)를 이용한 나노임프린트 방법은,
    a) 상기 다층패터닝 정렬부(200)에서 상기 제1기판(210) 위에 상기 제1스탬프(220)가 일정 위치에 정렬되는 단계;
    b) 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)가 상기 임프린팅 스테이션(100)으로 이송되어 임프린팅 되는 단계; 및
    c) 임프린팅이 완료된 다음, 상기 제1기판(210) 및 제1스탬프(220)가 상기 다층패터닝 정렬부(200)로 이송되어 상기 제1스탬프(220)가 분리되고, 다른 패턴의 상기 제1스탬프(220)가 상기 제1기판(210) 위의 일정 위치에 정렬되는 단계;
    d) 상기 제1기판(210) 및 다른 패턴의 상기 제1스탬프(220)가 상기 임프린팅 스테이션(100)으로 이송되어 임프린팅 되는 단계; 를 포함하며,
    상기 제1스탬프(220)가 구비되는 개수에 따라, c) 단계 및 d)단계가 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 나노임프린트 방법은
    상기 제2스탬프(320)보다 상기 제2기판(310)의 면적이 더 클 경우,
    e) 상기 기판이송 스테이지(300)에 의해 상기 임프린팅 스테이션(100)의 일정위치로 상기 제2기판(310)이 이송되어 상기 제2스탬프(320)에 의해 패턴이 전사되는 단계;
    f) 상기 기판이송 스테이지(300)에 의해 상기 제2기판(310)이 x축 또는 y축 방향으로 일정거리 이송된 다음, 상기 제2스탬프(320)에 의해 패턴이 전사되는 단계; 를 포함하며,
    상기 제2기판(310)에 패턴이 전사될 면적에 따라, f) 단계가 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 나노임프린트 방법은
    a) 내지 d) 단계 중 어느 하나가 수행되는 경우, 상기 기판이송 스테이지(300)가 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 타측에 위치되며, 상기 스탬프 헤드 유닛(500)이 탈착된 상태인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 나노임프린트 방법은
    e) 내지 f) 단계 중 어느 하나가 수행되는 경우, 상기 다층패터닝 정렬부(200)가 상기 임프린팅 스테이션(100)의 y축 방향으로 일측에 위치되며, 상기 스탬프 헤드 유닛(500)이 장착된 상태인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190098405A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 한국기계연구원 순간가열방식 및 용액전사방식의 임프린트 장치와, 그 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070036264A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 (주)화진인더스트리 나노 임프린팅 장치
KR100755235B1 (ko) 2007-03-26 2007-09-05 (주) 예스티 임프린팅장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070036264A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 (주)화진인더스트리 나노 임프린팅 장치
KR100755235B1 (ko) 2007-03-26 2007-09-05 (주) 예스티 임프린팅장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190098405A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 한국기계연구원 순간가열방식 및 용액전사방식의 임프린트 장치와, 그 방법
KR102022268B1 (ko) * 2018-02-14 2019-09-19 한국기계연구원 순간가열방식 및 용액전사방식의 임프린트 장치와, 그 방법

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