JP2011037261A - インプリントリソグラフィ装置および方法 - Google Patents
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 192
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 62
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 36
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001494 step-and-flash imprint lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005593 poly(benzyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002776 polycyclohexyl methacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
- B29C2043/023—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves
- B29C2043/025—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves forming a microstructure, i.e. fine patterning
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
- B29C2043/5833—Measuring, controlling or regulating movement of moulds or mould parts, e.g. opening or closing, actuating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
- B29C2043/5891—Measuring, controlling or regulating using imaging devices, e.g. cameras
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
- B29C2059/023—Microembossing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】インプリントテンプレート20を保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダ22と、インプリントテンプレート20のサイズおよび/または形状の変化を測定するように構成された複数の位置センサ28であって、位置センサ28はインプリントテンプレート20から機械的に離されている、複数の位置センサ28とを含む、インプリントリソグラフィ装置が開示される。さらに、パターンを基板34上にインプリントするためにインプリントテンプレート20を使用することと、パターンを基板34上にインプリントする間、インプリントテンプレート20のサイズおよび/または形状の変化を測定することとを含む、リソグラフィ方法。
【選択図】図2a
Description
の各々は、リニアエンコーダとして機能する。各リニアエンコーダは、プレート51a〜dが取り付けられたインプリントテンプレート外周のその部分の位置変化の測定を提供する。測定は、インプリントテンプレートの一部の位置変化の間接測定であると考えてもよい。ラインセット50a〜dはプレート51a〜d上に設けられているが、任意の適切な構造体の上に設けられてもよい。
1.インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、
前記インプリントテンプレートのサイズおよび/または形状の変化を測定するように構成された複数の位置センサであって、前記位置センサは前記インプリントテンプレートから機械的に離されている、複数の位置センサとを含む、インプリントリソグラフィ装置。
2.前記位置センサは、前記インプリントテンプレート外周の一部の位置の変化を測定するように構成されている、前記1に記載の装置。
3.前記位置センサは、ラインセットの位置を測定するように構成されており、前記位置センサおよび前記ラインセットはリニアエンコードとして機能する、前記1または前記2に記載の装置。
4.前記ラインセットは、前記インプリントテンプレートの外周に設けられる、前記3に記載の装置。
5.前記ラインセットは、前記インプリントテンプレートに取り付けられた構造体上に設けられる、前記3に記載の装置。
6.前記位置センサは、前記インプリントテンプレートの前記外周に設けられたアライメントマークの前記位置を測定するように構成されている、前記1に記載の装置。
7.前記インプリントテンプレートホルダは前記インプリントテンプレートの前記外周に設けられた複数のアクチュエータを含んでおり、前記アクチュエータは、前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状を変化させるために前記インプリントテンプレートに力を加えるように構成されている、前記1〜前記6のいずれかに記載の装置。
8.前記位置センサおよび前記アクチュエータは、合わせて、前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状を制御するように構成された制御ループを含む、前記7に記載の装置。
9.前記位置センサは干渉計を含んでおり、前記干渉計は、前記複数のアクチュエータのうちの1つを囲むまたは実質的に囲むがそのアクチュエータと機械的に連通されていないリフレクタにレーザビームを誘導するように構成されている、前記7または前記8に記載の装置。
10.前記ラインセットは前記アクチュエータ上に設けられる、前記3および前記7に記載の装置。
11.第1基板テーブル上に設けられた基板上のアライメントマークの位置を測定するように構成された測定モジュールと、
前記インプリントテンプレートホルダ、前記複数の位置センサ、および第2テーブルを含むインプリントモジュールとを含み、
前記装置は、前記基板アライメントマークの前記位置が一度測定されると前記第1基板テーブルを前記インプリントモジュールに移動させるように構成されており、
前記インプリントモジュールは、前記測定モジュールによって測定された前記基板アライメントマーク位置に対して決定された場所においてパターンを前記基板上にインプリントするように構成されている、前記1〜前記10のいずれかに記載の装置。
12.前記第1基板テーブルにはアライメントマークが設けられており、前記測定モジュールは、前記第1基板テーブルアライメントマークに対する前記基板アライメントマークの前記位置を測定するように構成されており、前記インプリントモジュールは、前記第1基板テーブルアライメントマークに対する前記インプリントテンプレートの前記位置を測定するように構成されたアライメント装置をさらに含む、前記11に記載の装置。
13.前記インプリントモジュールは、前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状を制御するように構成されている、前記11または前記12に記載の装置。
14.前記測定モジュールは、複数の測定モジュールのうちの1つである、前記11〜前記13のいずれかに記載の装置。
15.パターンを基板上にインプリントするためにインプリントテンプレートを使用することと、
前記パターンを前記基板上にインプリントする間、前記インプリントテンプレートのサイズおよび/または形状の変化を測定することとを含む、リソグラフィ方法。
16.前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状の前記変化は、前記インプリントテンプレートが前記基板上に設けられたインプリント可能媒体と接触している間に測定される、前記15に記載のリソグラフィ方法。
17.前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状の前記変化は、前記インプリントテンプレートが前記基板上に設けられたインプリント可能媒体と接触した後に測定される、前記15または前記16に記載のリソグラフィ方法。
18.前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状を制御するためにアクチュエータを使用することをさらに含む、前記15〜前記17のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
19.前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状の前記変化は、前記インプリントテンプレートから機械的に離された複数の位置センサを用いて測定され、前記位置センサは、前記インプリントテンプレート外周の一部の前記位置の変化を測定するように構成されている、前記15〜前記18のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
20.第1基板テーブル上の基板上のアライメントマークの前記位置を測定するために測定モジュールを使用することと、
前記インプリントテンプレートおよび第2テーブルを含むインプリントモジュールに前記第1基板テーブルを移動させることと、
前記測定モジュールによって測定された前記基板アライメントマーク位置に対して決定された場所においてパターンを前記基板上にインプリントすることであって、前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状の前記変化は前記インプリントモジュールにおいて測定される、こととをさらに含む、前記15〜前記19のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
21.前記測定モジュールは、前記基板テーブル上に設けられたアライメントマークに対する前記基板アライメントマークの前記位置を測定し、前記インプリントモジュールは、前記基板テーブルアライメントマークに対する前記インプリントテンプレートの前記位置を測定するように構成されたアライメント装置をさらに含む、前記20に記載のリソグラフィ方法。
22.前記パターンが前記基板上に1回以上インプリントされた後に前記第1基板テーブルを前記インプリントモジュールから前記測定モジュールに移動させることと、前記基板テーブルに対する前記基板の前記位置を測定することと、次いで前記第1基板テーブルを前記インプリントモジュールに戻すように移動させることと、次いで前記パターンを1回以上前記基板上にインプリントすることとをさらに含む、前記20または前記21に記載のリソグラフィ方法。
23.第1基板テーブル上に設けられた基板上のアライメントマークの位置を測定するように構成された測定モジュールと、
インプリントテンプレートおよび第2テーブルを含むインプリントモジュールとを含み、
前記装置は、前記基板アライメントマークの前記位置が一度測定されると、前記第1基板テーブルを前記インプリントモジュールに移動させるように構成されており、
前記インプリントモジュールは、前記測定モジュールによって測定された前記基板アライメントマーク位置に対して決定された場所においてパターンを前記基板上にインプリントするように構成されている、インプリントリソグラフィ装置。
24.前記第1基板テーブルはアライメントマークを含み、前記測定モジュールは、前記基板テーブルアライメントマークに対する前記基板アライメントマークの前記位置を測定するように構成されており、前記インプリントモジュールは、前記基板テーブルアライメントマークに対する前記インプリントテンプレートの位置を測定するように構成されたアライメント装置をさらに含む、前記23に記載の装置。
Claims (16)
- インプリントテンプレートを保持するインプリントテンプレートホルダと、
前記インプリントテンプレートのサイズおよび/または形状の変化を測定する複数の位置センサであって、前記位置センサは前記インプリントテンプレートから機械的に離されている、複数の位置センサと
を含む、インプリントリソグラフィ装置。 - 前記位置センサは、前記インプリントテンプレート外周の一部の位置の変化を測定する、請求項1に記載の装置。
- 前記位置センサは、ラインセットの位置を測定し、前記位置センサおよび前記ラインセットはリニアエンコーダとして機能する、請求項1または2に記載の装置。
- 前記ラインセットは、前記インプリントテンプレートの外周に設けられる、請求項3に記載の装置。
- 前記ラインセットは、前記インプリントテンプレートに取り付けられた構造体上に設けられる、請求項3に記載の装置。
- 前記位置センサは、前記インプリントテンプレートの前記外周に設けられたアライメントマークの前記位置を測定する、請求項1に記載の装置。
- 前記インプリントテンプレートホルダは前記インプリントテンプレートの前記外周に設けられた複数のアクチュエータを含んでおり、前記アクチュエータは、前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状を変化させるために前記インプリントテンプレートに力を加える、請求項1〜6のいずれかに記載の装置。
- 前記位置センサおよび前記アクチュエータは、合わせて、前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状を制御する制御ループを含む、請求項7に記載の装置。
- 前記位置センサは干渉計を含んでおり、前記干渉計は、前記複数のアクチュエータのうちの1つを囲むまたは実質的に囲むがそのアクチュエータと機械的に連通されていないリフレクタにレーザビームを誘導する、請求項7または8に記載の装置。
- 前記ラインセットは前記アクチュエータ上に設けられる、請求項3および7に記載の装置。
- 第1基板テーブル上に設けられた基板上のアライメントマークの位置を測定する測定モジュールと、
前記インプリントテンプレートホルダ、前記複数の位置センサおよび第2テーブルを含むインプリントモジュールとを含み、
前記装置は、前記基板アライメントマークの前記位置が一度測定されると前記第1基板テーブルを前記インプリントモジュールに移動させ、
前記インプリントモジュールは、前記測定モジュールによって測定された前記基板アライメントマーク位置に対して決定された場所においてパターンを前記基板上にインプリントする、請求項1〜10のいずれかに記載の装置。 - 前記第1基板テーブルにはアライメントマークが設けられており、前記測定モジュールは、前記第1基板テーブルアライメントマークに対する前記基板アライメントマークの前記位置を測定し、前記インプリントモジュールは、前記第1基板テーブルアライメントマークに対する前記インプリントテンプレートの前記位置を測定するアライメント装置をさらに含む、請求項11の装置。
- 前記インプリントモジュールは、前記インプリントテンプレートの前記サイズおよび/または形状を制御する、請求項11または12に記載の装置。
- 前記測定モジュールは、複数の測定モジュールのうちの1つである、請求項11〜13のいずれかに記載の装置。
- パターンを基板上にインプリントするためにインプリントテンプレートを使用することと、
前記パターンを前記基板上にインプリントする間、前記インプリントテンプレートのサイズおよび/または形状の変化を測定することと
を含む、リソグラフィ方法。 - 第1基板テーブル上に設けられた基板上のアライメントマークの位置を測定する測定モジュールと、
インプリントテンプレートおよび第2テーブルを含むインプリントモジュールとを含み、
前記装置は、前記基板アライメントマークの前記位置が一度測定されると、前記第1基板テーブルを前記インプリントモジュールに移動させ、
前記インプリントモジュールは、前記測定モジュールによって測定された前記基板アライメントマーク位置に対して決定された場所においてパターンを前記基板上にインプリントする、インプリントリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21370009P | 2009-07-06 | 2009-07-06 | |
US61/213,700 | 2009-07-06 | ||
US30761010P | 2010-02-24 | 2010-02-24 | |
US61/307,610 | 2010-02-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011037261A true JP2011037261A (ja) | 2011-02-24 |
JP5165030B2 JP5165030B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=43412196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010147035A Active JP5165030B2 (ja) | 2009-07-06 | 2010-06-29 | インプリントリソグラフィ装置および方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110001254A1 (ja) |
JP (1) | JP5165030B2 (ja) |
NL (1) | NL2004735A (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20160195823A1 (en) | 2016-07-07 |
US10712678B2 (en) | 2020-07-14 |
NL2004735A (en) | 2011-01-10 |
JP5165030B2 (ja) | 2013-03-21 |
US20110001254A1 (en) | 2011-01-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121218 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5165030 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |