JP2020113563A - インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】凸構造部の寸法管理を容易に行うことのできるインプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びに高い寸法精度の凸構造部を形成可能なインプリントモールド用基板及びインプリントモールドの製造方法を提供する。【解決手段】インプリントモールド用基板は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、基材の第１面から突出し、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部とを備え、第１面における凸構造部の近傍に、凸構造部の大きさを測定するための指標として用いられる凸構造部計測用マークが形成されている。【選択図】図１

Description

本開示は、インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法に関する。

微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを用い、当該微細凹凸パターンを被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化等に伴い、その製造プロセス等においてナノインプリント技術が注目されている。

ナノインプリント技術において一般に用いられるインプリントモールドは、例えば、基材と、基材の表面から突出する凸構造部と、凸構造部の上面に形成されてなる微細凹凸パターンとを備えるものが知られている。このようなインプリントモールドを用い、被転写基板上に供給された被加工物としてのインプリント樹脂にインプリントモールドの微細凹凸パターンを接触させることで、当該微細凹凸パターンにインプリント樹脂を充填させる。そして、その状態で当該インプリント樹脂を硬化させることにより、インプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されてなるパターン構造体が形成される。

上記インプリントモールドは、基材と、基材の表面から突出する凸構造部とを有するインプリントモールド用基板を準備し、当該インプリントモールド用基板の凸構造部の上面部に微細凹凸パターンを形成することにより製造される。このインプリントモールド用基板は、第１面及びそれに対向する第２面を有する平板状の基材を準備し、当該基材の第１面に形成された、凸構造部に対応するマスクパターンを用いて、フッ酸等をエッチャントとして用いたウェットエッチング処理を施すことで製造される。

特許第５４４５７１４号公報 特開２０１１−２２７９５０号公報

特許文献１及び特許文献２に記載のインプリントモールドの製造方法のように、基材の第１面から突出する凸構造部を形成するにあたり、凸構造部に対応するマスクパターンを用いたウェットエッチング処理を当該基材に施すと等方性にエッチングが進行するため、マスクパターンに被覆されている基材に対する横方向へのエッチング（サイドエッチング）が進行する。すなわち、マスクパターンの大きさよりも小さい上面部を有する凸構造部が形成されることになる。

一般的に、上記のようなサイドエッチングによる寸法変動（サイドエッチング量）を見越して、凸構造部の上面部の設計サイズよりも大きいマスクパターンを形成するが、サイドエッチング量は、そのときのエッチング条件（例えば、エッチャントの温度や濃度、エッチャントの循環速度等）に応じて変動するため、サイドエッチング量を正確に把握するのは極めて困難である。近年、上記インプリントモールドの凸構造部の上面部の寸法精度に対する要求が厳しくなってきている一方で、凸構造部の上面部の寸法管理が困難であり、インプリントモールドの歩留りを低下させる一因となっている。

上記課題に鑑みて、本開示は、凸構造部の寸法管理を容易に行うことのできるインプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びに高い寸法精度の凸構造部を形成可能なインプリントモールド用基板及びインプリントモールドの製造方法を提供することを一目的とする。

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面から突出し、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部とを備え、前記第１面における前記凸構造部の近傍に、前記凸構造部の大きさを測定するための指標として用いられる凸構造部計測用マークが形成されているインプリントモールド用基板が提供される。

複数の前記凸構造部計測用マークのそれぞれが、前記凸構造部の前記上面部の少なくとも一つの角部を形成する２辺のそれぞれの延長線上に位置していてもよく、この場合において、前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部計測用マークの幾何学的中心を前記延長線が通るように形成されていればよく、前記各凸構造部計測用マークと所定の間隔を隔てた位置に寸法計測用マークが形成されており、前記寸法計測用マークの幾何学的中心と前記各凸構造部計測用マークの幾何学的中心とを結ぶ線分は、前記凸構造部の前記上面部の前記角部を形成する２辺のうちのいずれか１辺と実質的に平行であればよく、前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部の前記上面部の前記角部から前記凸構造部の高さの２倍以上離間した位置に形成されていればよい。

複数の前記凸構造部計測用マークが、前記凸構造部の前記上面部を構成する少なくとも１辺に沿って形成されていてもよく、この場合において、前記複数の凸構造部計測用マークの各幾何学的中心を通る線分が、前記凸構造部の前記上面部を構成する前記１辺と実質的に平行であればよく、前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部の前記上面部の前記１辺から前記凸構造部の高さの２倍以上離間した位置に形成されていればよい。

前記凸構造部計測用マークは、平面視において回転対称形状を有していればよく、前記基材の前記第１面から突出しており、前記凸構造部計測用マークの高さは、前記凸構造部の高さよりも低ければよく、前記基材の前記第１面には、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークが形成されていてもよい。

本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面に形成されてなり、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークとを備えるインプリントモールド用基板が提供される。

少なくとも３つの前記基材計測用マークのそれぞれが、略方形状の前記基材の角部のそれぞれの近傍に形成されていればよく、前記基材計測用マークは、平面視略十字形状を有することができ、記第１面から突出しており、前記基材計測用マークの高さは、前記凸構造部の高さよりも低く構成され得る。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板の前記第１面に設定されるパターン領域に形成されてなる凹凸パターンを有するインプリントモールドが提供される。

本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材を準備する基材準備工程と、前記基材の前記第１面上の略中央に位置する略方形状の第１マスクパターン形成領域に、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部に対応する第１マスクパターンを形成するとともに、前記第１マスクパターン形成領域の周囲に位置する第２マスクパターン形成領域に、凸構造部計測用マークに対応する第２マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記第１マスクパターン及び前記第２マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第１面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第１面から突出する前記凸構造部及び前記凸構造部計測用マークを形成するエッチング工程とを含み、前記第１マスクパターンの大きさは、平面視における前記凸構造部の前記上面部の大きさよりも大きく、前記凸構造部の前記上面部を包摂可能な大きさであるインプリントモールド用基板の製造方法が提供される。

前記マスクパターン形成工程において、複数の前記凸構造部計測用マークのそれぞれに対応する複数の前記第２マスクパターンを、前記基材の前記第１面上に形成される前記凸構造部の前記上面部の少なくとも一つの角部を形成する２辺のそれぞれの延長線上に位置するように形成すればよい。

前記マスクパターン形成工程において、前記延長線が前記第２マスクパターンの幾何学的中心に重なるように前記第２マスクパターンを形成すればよく、前記マスクパターン形成工程において、前記各第２マスクパターンと所定の間隔を隔てた位置に、寸法計測用マークに対応する第３マスクパターンをさらに形成し、前記エッチング工程において、前記第１〜第３マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第１面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第１面から突出する前記凸構造部、前記凸構造部計測用マーク及び前記寸法計測用マークを形成すればよい。

前記各第２マスクパターンの幾何学的中心と前記第３マスクパターンの幾何学的中心とを結ぶ線分が、前記第１マスクパターンの角部を形成する２辺のうちのいずれか１辺と実質的に平行になるように、前記第３マスクパターンを形成すればよい。

前記エッチング工程の途中に前記凸構造部計測用マークを指標として用いて前記第１マスクパターンの外周縁に対応する位置からの前記基材のサイドエッチング量を計測すればよく、前記エッチング工程は、前記サイドエッチング量の計測前に実施される第１エッチング工程と、前記サイドエッチング量の計測後に実施される第２エッチング工程とを少なくとも含み、前記第１エッチング工程において、前記凸構造部計測用マークと、前記凸構造部の前記上面部よりも大きい上面部を有する仮凸構造部とが少なくとも形成され、前記サイドエッチング量を計測することで、前記第１エッチング工程における第１サイドエッチング量と前記第２エッチング工程において必要となる第２サイドエッチング量とを求め、前記第２エッチング工程において、前記第２サイドエッチング量に従って前記基材のエッチングが実施されればよい。

前記マスクパターン形成工程において、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークに対応する第４マスクパターンをさらに形成し、前記エッチング工程において、前記第１〜第４マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第１面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第１面から突出する前記凸構造部、前記凸構造部計測用マーク、前記寸法計測用マーク及び前記基材計測用マークを形成すればよく、前記第２〜第４マスクパターンは、前記エッチング工程の途中で前記第２〜第４マスクパターンが剥がれ落ちる程度の大きさで形成されればよい。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記凸構造部の前記上面部に凹凸パターンを形成する工程を有するインプリントモールドの製造方法が提供される。

本開示によれば、凸構造部の寸法管理を容易に行うことのできるインプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びに高い寸法精度の凸構造部を形成可能なインプリントモールド用基板及びインプリントモールドの製造方法を提供することができる。

図１は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図である。 図２は、図１に示すインプリントモールド用基板におけるＡ部の概略構成を示す部分拡大平面図である。 図３は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様（その１）における図２のＡ部に相当する部分の概略構成を示す部分拡大平面図である。 図４は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様（その２）における図２のＡ部に相当する部分の概略構成を示す部分拡大平面図である。 図５は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様（その３）の概略構成を示す部分拡大平面図である。 図６（Ａ）は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図６（Ｂ）は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す部分拡大側面図である。 図７は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板において凸構造部の上面部の大きさを計測する方法を説明するための部分拡大平面図である。 図８は、本開示の他の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す側面図である。 図９は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。 図１０は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を示す工程フロー図である。 図１１は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程前における第１〜第３マスクパターンの概略構成を示す部分拡大平面図である。 図１２は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程の途中における第１〜第３マスクパターンの概略構成を示す部分拡大平面図である。 図１３は、図１２におけるＡ−Ａ線断面図である。 図１４は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程の途中において第２マスクパターン及び第３マスクパターンが剥がれ落ちることを説明するための部分拡大平面図である。 図１５は、図１４におけるＢ−Ｂ線断面図である。 図１６は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程終了時における第１マスクパターン、凸構造部計測用パターン５及び寸法計測用パターン６の概略構成を示す部分拡大平面図である。 図１７は、図１６におけるＣ−Ｃ線断面図である。

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

〔インプリントモールド用基板〕
図１は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図２は、図１に示すインプリントモールド用基板におけるＡ部の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図３は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様（その１）における図２のＡ部に相当する部分の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図４は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様（その２）における図２のＡ部に相当する部分の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図５は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様（その３）の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図６は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。

図１〜６に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、第１面２Ａ及び当該第１面２Ａに対向する第２面２Ｂを有する基材２と、基材２の第１面２Ａから突出する凸構造部３と、第２面２Ｂ側に形成されている窪み部４とを備える。

基材２としては、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂を硬化させ得る波長の光を透過可能であることを意味し、波長１５０ｎｍ〜４００ｎｍの光線の透過率が６０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。

基材２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状等が挙げられる。基材２が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基材２の平面視形状は略矩形状である。

基材２の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、基材２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基材２の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基材２の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

基材２の第１面２Ａから突出する凸構造部３は、平面視において基材２の略中央に設けられている。凸構造部３の平面視における形状は、略矩形状である。凸構造部３の大きさは、インプリントモールド用基板１を用いたインプリント処理を経て製造される製品等に応じて適宜設定されるものであり、例えば、３０ｍｍ×２５ｍｍ程度に設定される。

凸構造部３の突出高さＴ３（基材２の第１面２Ａと凸構造部３の上面部３１との間の基材２厚み方向に沿った長さ）は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１が凸構造部３を備える目的を果たし得る限り、特に制限されるものではなく、例えば、１０μｍ〜１００μｍ程度に設定され得る。

凸構造部３は、凹凸パターン１１が形成されるパターン領域ＰＡを有する、平面視略方形状の上面部３１と、上面部３１の外周縁部と基材２の第１面２Ａとの間に連続し、ラウンド形状の側面部３２とを有する。

本実施形態において、基材２の第１面２Ａにおける凸構造部３の近傍には、凸構造部３の大きさ（サイズ）を計測するときの指標として用いられ得る凸構造部計測用マーク５が形成されている。

図１及び図２に示すように、凸構造部計測用マーク５は、上面部３１の４つの角部３１１の近傍であって、各角部３１１を形成するための辺３１２の延長線Ｌ１上に沿って位置している。凸構造部計測用マーク５は、その角部３１１を形成するための２つの辺３１２，３１２のそれぞれの延長線Ｌ１が当該凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１を通るように基材２の第１面２Ａに形成されていているのが好ましいが、辺３１２の延長線Ｌ１が幾何学的中心５１を通らなくてもよい。当該延長線Ｌ１が凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１を通っていれば、凸構造部３の上面部３１が精確な大きさ（サイズ）で形成されていることの指標となり、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）の管理、評価等が可能となる。一方、当該延長線Ｌ１が凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１を通っていなくても、上記延長線Ｌ１と、当該幾何学的中心５１を通る辺３１２に平行な線分との間隔を測定することで、凸構造部３の大きさ（サイズ）を計測することが可能となる。

なお、本実施形態においては、４つの角部３１１のそれぞれの近傍に２つの凸構造部計測用マーク５が形成されているが、この態様に限定されるものではない。例えば、少なくとも１つの角部３１１の近傍に凸構造部計測用マーク５が形成されていればよく、好ましくは互いに対角に位置する２つの角部３１１のそれぞれの近傍に凸構造部計測用マーク５が形成されていてもよいし、任意に選択される３つの角部３１１のそれぞれの近傍に凸構造部計測用マーク５が形成されていてもよい。本実施形態に係るインプリントモールド用基板１を製造する際に、平面視略方形状の第１マスクパターン７１の各辺を基準としたサイドエッチング量（平面視において第１マスクパターン７１の各辺と凸構造部３の上面部３１を構成する各辺３１２との間の長さ）は実質的に同一となる。そのため、少なくとも１つの角部３１１の近傍に凸構造部計測用マーク５が形成されていれば、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を少なくとも推定することができるため、当該凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）の管理、評価等が可能となる。

凸構造部計測用マーク５の平面視形状は、特に限定されるものではなく、例えば、延長線Ｌ１と長手方向とが一致する略長方形状（図１、図２、図４等を参照）、略円形状（図３参照）、略正方形状や略正三角形状（図示省略）等であればよく、２回対称形状、３回対称形状、４回対称形状等の回転対称形状であるのが好ましい。後述するように、凸構造部計測用マーク５の平面視形状が回転対称形状であれば、インプリントモールド用基板１の製造過程においてサイドエッチングが進行しても凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１の位置が変化しないため、凸構造部計測用マーク５を指標として凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を精確に計測することができ、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）の管理が容易となる。

凸構造部計測用マーク５の大きさ（サイズ）は、撮像装置（例えば、光学顕微鏡等）を用いて基材２の第２面２Ｂ側から撮像したときに、当該凸構造部計測用マーク５（特にその幾何学的中心５１）を認識可能な程度の大きさ（サイズ）であればよい。凸構造部計測用マーク５の平面視形状が略長方形状である場合、例えば１０μｍ×２００μｍ〜１００μｍ×２０００μｍ程度であればよく、２０μｍ×２００μｍ〜５０μｍ×２００μｍであればより好ましい。略円形状である場合、その直径が例えば１０μｍ〜２００μｍ程度であればよく、２０μｍ〜５０μｍであればより好ましい。略正方形状や略正三角形状である場合、その一辺の長さが例えば１０μｍ〜２００μｍ程度であればよく、２０μｍ〜５０μｍであればより好ましい。

凸構造部計測用マーク５は、凸構造部３の上面部３１の角部３１１から凸構造部３の高さの２倍〜７００μｍ離間した位置に形成されているのが好ましく、凸構造部３の高さの２倍〜２５０μｍ離間した位置に形成されているのがより好ましい。当該凸構造部計測用マーク５が凸構造部３の上面部３１の角部３１１から、凸構造部３の高さの２倍未満の範囲内に形成されていると、ラウンド形状の側面部３２に凸構造部計測用マーク５の一端部が形成されてしまい、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を精確に計測することが困難となるおそれがある。一方、凸構造部３の上面部３１の大きさを計測する際には、凸構造部計測用マーク５と凸構造部３の上面部３１の角部３１１及び辺３１２とを、撮像装置（例えば、光学顕微鏡等）を用いて基材２の第２面２Ｂ側から撮像することができる。かかる撮像装置（光学顕微鏡）において高倍率レンズ（例えば５００倍以上程度）を用いて撮像すると、ワークディスタンスが短く、基材２の厚みにより干渉してしまい、凸構造部計測用マーク５の観察が困難である。そのため、低倍率レンズ（例えば２００倍以下程度）を用いて撮像する必要がある。よって、凸構造部計測用マーク５は、当該撮像装置において取得可能な一画像の大きさに応じて、当該凸構造部計測用マーク５が凸構造部３の上面部３１の角部３１１及び辺３１２の一部とともに一画像内に収まる程度に離れていてもよいが、角部３１１から７００μｍを超えて離れて形成されていると、凸構造部３の上面部３１の角部３１１及び辺３１２と凸構造部計測用マーク５とを撮像装置にて一画像内に収めることが困難となり、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を計測することが困難となるおそれがある。

凸構造部計測用マーク５は、基材２の第１面２Ａから突出するようにして形成されてなるものであるが、当該凸構造部計測用マーク５の高さＴ５は、凸構造部３の高さＴ３よりも低く構成される。好ましくは、インプリントモールド用基板１の側面視において、凸構造部３の外周縁と基材２の第１面２Ａの外周縁とを結ぶ直線Ｌ２よりも凸構造部計測用マーク５の頂部が低く構成される。凸構造部計測用マーク５の高さＴ５が凸構造部３の高さＴ３よりも高く構成されると、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０を用いたインプリント処理時に、被転写基板に凸構造部計測用マーク５が接触してしまうおそれがある。また、凸構造部３の外周縁と基材２の第１面２Ａの外周縁とを結ぶ直線Ｌ２よりも凸構造部計測用マーク５の頂部が低く構成されていれば、インプリントモールド１０を被転写基板上のインプリント樹脂に押し当てるときに、当該インプリントモールド１０が被転写基板に対して平行でなく傾きをもっていたとしても、凸構造部計測用マーク５が被転写基板やインプリント樹脂に接触してしまうのを抑制することができる。

図５に示すように、本実施形態において、複数の凸構造部計測用マーク５が、凸構造部３の上面部３１を構成する各辺３１２に沿って位置していてもよい。この場合において、各辺３１２に沿って位置する複数の凸構造部計測用マーク５のそれぞれの幾何学的中心５１を通る線分Ｌ３が、凸構造部３の上面部３１を構成する辺３１２と実質的に平行であればよい。上記線分Ｌ３と辺３１２とが実質的に平行であることで、上記線分Ｌ３と辺３１２との間の距離Ｄ（線分及び辺３１２に直交する方向における長さ）を計測し、距離Ｄの計測値と設計値とを対比することで、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を精確に計測することができ、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）の管理が容易となる。

図５に示す態様において、凸構造部計測用マーク５は、辺３１２から当該辺３１２の垂直方向に凸構造部３の高さの２倍〜７００μｍ離間した位置に形成されているのが好ましく、凸構造部３の高さの２倍〜２５０μｍ離間した位置に形成されているのがより好ましい。当該凸構造部計測用マーク５が凸構造部３の上面部３１の辺３１２から、凸構造部３の高さの２倍未満の範囲内に形成されていると、ラウンド形状の側面部３２に凸構造部計測用マーク５が形成されてしまい、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を精確に計測することが困難となるおそれがある。一方、凸構造部３の上面部３１の大きさを計測する際には、凸構造部計測用マーク５と凸構造部３の上面部３１の辺３１２の一部とを、撮像装置（例えば、光学顕微鏡等）を用いて基材２の第２面２Ｂ側から撮像することができる。かかる撮像装置（光学顕微鏡）において高倍率レンズ（例えば５００倍以上程度）を用いて撮像すると、ワークディスタンスが短く、基材２の厚みにより干渉してしまい、凸構造部計測用マーク５の観察が困難である。そのため、低倍率レンズ（例えば２００倍以下程度）を用いて撮像する必要がある。よって、凸構造部計測用マーク５は、当該撮像装置において取得可能な一画像の大きさに応じて、当該凸構造部計測用マーク５が凸構造部３の上面部３１の辺３１２の一部とともに一画像内に収まる程度に離れていてもよいが、辺３１２から７００μｍを超えて離れて形成されていると、凸構造部３の上面部３１の辺３１２の一部と凸構造部計測用マーク５とを撮像装置にて一画像内に収めることが困難となり、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を計測することが困難となるおそれがある。

本実施形態において、凸構造部３の上面部３１の角部３１１の近傍に、寸法計測用マーク６が形成されている。寸法計測用マーク６は、その近傍に位置する２つの凸構造部計測用マーク５の少なくとも一方の幾何学的中心５１を通る、上面部３１の辺３１２に平行な２つの線分Ｌ４が寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１を通るように形成されている。インプリントモールド用基板１の製造過程において、各凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１と寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１との位置は、ウェットエッチング（サイドエッチング）が進行しても実質的に変化しない。そのため、各凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１と寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１との間隔Ｄ１は、凸構造部計測用マーク５及び寸法計測用マーク６を形成するための第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７３のそれぞれの幾何学的中心７２１，７３１の間隔と実質的に同一である。第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７３は、極めて高い位置精度で形成可能であるため、凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１と寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１との間隔は、第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７３の設計値として定義され得る。よって、凸構造部３の上面部３１の角部３１１と、その近傍に位置する凸構造部計測用マーク５及び寸法計測用マーク６とを一画像に含めるように撮像することで、凸構造部３の上面部３１の絶対的な寸法を計測することができる。

例えば、図７に示すように、凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１と寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１との間隔Ｄ１がＹ₁μｍ（すなわち、第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７３のそれぞれの幾何学的中心７２１，７３１の間隔の設計値がＹ₁μｍ）であって、凸構造部３の上面部３１の角部３１１と、その近傍に位置する凸構造部計測用マーク５及び寸法計測用マーク６とを含む画像における上記間隔Ｄ１のピクセル数がＹ₂である場合、当該画像における１ピクセルの長さ（μｍ）がＹ₁／Ｙ₂μｍであるということができる。そのため、凸構造部３の上面部３１の角部３１１を構成する一方の辺３１２と、凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１を通る、当該辺３１２に平行な線分Ｍ１とが一致しない場合、当該辺３１２と当該線分Ｍ１との間隔Ｄ２のピクセル数がＹ₃であれば、当該間隔Ｄ２の長さはＹ₁／Ｙ₂×Ｙ₃μｍとなる。同様に、他方の辺３１２と、凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１を通る、当該辺３１２に平行な線分Ｍ２との間隔Ｄ３のピクセル数がＸ₃であれば、当該間隔Ｄ３の長さはＹ₁／Ｙ₂×Ｘ₃μｍとなる。そして、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）の設計値（Ｘ方向の一辺の長さ＝Ｘ₄μｍ，Ｙ方向の一辺の長さ＝Ｙ₄μｍ）から、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を求めることができる（Ｘ方向の一辺の長さ＝Ｘ₄−２×(Ｙ₁／Ｙ₂×Ｘ₃)μｍ，Ｙ方向の一辺の長さ＝Ｙ₄−２×(Ｙ₁／Ｙ₂×Ｙ₃)μｍ）。

寸法計測用マーク６の平面視形状は、特に限定されるものではなく、例えば、略長方形状（図１、図２等を参照）、略円形状（図３、図４参照）、略正方形状や略正三角形状（図示省略）等であればよく、２回対称形状、３回対称形状、４回対称形状等の回転対称形状であるのが好ましい。後述するように、寸法計測用マーク６の平面視形状が回転対称形状であれば、インプリントモールド用基板１の製造過程においてサイドエッチングが進行しても寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１の位置が変化しないため、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）を精確に計測することができ、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）の管理が容易となる。

寸法計測用マーク６の大きさ（サイズ）は、撮像装置（例えば、光学顕微鏡等）を用いて基材２の第２面２Ｂ側から撮像したときに、当該寸法計測用マーク６（特にその幾何学的中心６１）を認識することのできる程度であればよい。寸法計測用マーク６の平面視形状が略長方形状である場合、例えば１０μｍ×２００μｍ〜１００μｍ×２０００μｍ程度であればよく、略円形状である場合、直径が例えば１０μｍ〜１００μｍ程度であればよく、略正方形状や略正三角形状である場合、一辺の長さが例えば１０μｍ〜１００μｍ程度であればよい。

寸法計測用マーク６は、基材２の第１面２Ａから突出するようにして形成されてなるものであるが、当該寸法計測用マーク６の高さは、凸構造部計測用マーク５と同様に、凸構造部３の高さよりも低く構成される。好ましくは、インプリントモールド用基板１の側面視において、凸構造部３の外周縁と基材２の第１面２Ａの外周縁とを結ぶ直線よりも寸法計測用マーク６の頂部が低く構成される。寸法計測用マーク６の高さが凸構造部３の高さよりも高く構成されると、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０を用いたインプリント処理時に、被転写基板に寸法計測用マーク６が接触してしまうおそれがある。また、凸構造部３の外周縁と基材２の第１面２Ａの外周縁とを結ぶ直線よりも寸法計測用マーク６の頂部が低く構成されると、インプリントモールド１０を被転写基板上のインプリント樹脂に押し当てるときに、当該インプリントモールド１０が被転写基板に対して平行でなく傾きをもっていたとしても、寸法計測用マーク６が被転写基板やインプリント樹脂に接触してしまうのを抑制することができる。

本実施形態において、基材２の第１面２Ａには、基材２の大きさ（サイズ）を測定するための指標として用いられ得る基材計測用マーク７が形成されている。かかる基材計測用マーク７は、平面視略方形状の基材２の４つの角部２１のそれぞれの近傍に形成されている。基材計測用マーク７は、平面視において略十字形状を有する。基材２の一の角部２１及びそれに隣接する角部２１のそれぞれの近傍に位置する略十字形状の基材計測用マーク７の中心（十字の交点）同士を結ぶ線分と、基材２の外周縁を構成する辺２２との間の距離（線分及び辺２２に直交する方向における距離）の計測により、基材２の大きさを正確に計測することができる。また、後述するように、基材計測用マーク７は、インプリントモールド用基板１の製造工程において凸構造部３と同一のエッチング工程にて形成され、当該エッチング工程におけるマスクパターン（第１マスクパターン７１及び第４マスクパターン７４）は、極めて高い位置精度で形成され得る。そのため、一の角部２１及びそれに隣接する角部２１のそれぞれの近傍に位置する略十字形状の基材計測用マーク７の中心（十字の交点）同士を結ぶ線分と、基材２の外周縁を構成する辺２２との平行度を測定することにより、基材２に対する凸構造部３の回転角度（基材２の各辺２２と凸構造部３の上面部３１の各辺３１２との平行度）を評価することができる。

基材計測用マーク７は、基材２の第１面２Ａから突出するようにして形成されてなるものであるが、当該基材計測用マーク７の高さは、凸構造部３の高さＴ３よりも低く構成される。好ましくは、インプリントモールド用基板１の側面視において、凸構造部３の外周縁と基材２の第１面２Ａの外周縁とを結ぶ直線Ｌ２よりも基材計測用マーク７の頂部が低く構成される。基材計測用マーク７の高さが凸構造部３の高さＴ３よりも低く構成されることで、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０を用いたインプリント処理時に、被転写基板に凸構造部計測用マーク５が接触してしまうのを防止することができる。

基材計測用マーク７の形成されている位置（平面視略十字形状の基材計測用マーク７の中心（十字の交点）の位置）は、基材２の第１面２Ａ上であって、各角部２１の近傍であればよく、例えば、近接する基材２の辺２２（２つの辺２２，２２）から１０ｍｍ〜４０ｍｍ程度離間して形成されていればよい。

なお、本実施形態において、４つの基材計測用マーク７が、基材２の４つの角部２１のそれぞれの近傍に形成されているが、このような態様に限定されるものではなく、少なくとも３つの基材計測用マーク７が、基材２の４つの角部２１のうちの３つの角部２１のそれぞれの近傍に形成されていればよい。また、本実施形態において、基材計測用マーク７の平面視形状が略十字形状であるが、この態様に限定されるものではなく、例えば基材計測用マーク７の平面視形状は、略鉤形状、略Ｌ字形状等であってもよい。

基材２の第２面２Ｂには、所定の大きさの窪み部４が形成されていてもよい。窪み部４が形成されていることで、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０（図９参照）を用いたインプリント処理時、特にインプリント樹脂との接触時やインプリントモールド１０の剥離時に、基材２、特に凸構造部３の上面部３１を湾曲させることができる。その結果、凸構造部３の上面部３１とインプリント樹脂とを接触させるときに、凸構造部３の上面部３１に形成されている凹凸パターン１１とインプリント樹脂との間に気体が挟みこまれてしまうのを抑制することができ、また、インプリント樹脂に凹凸パターン１１が転写されてなる転写パターンからインプリントモールド１０を容易に剥離することができる。

窪み部４の平面視形状は、略円形状であるのが好ましい。略円形状であることで、インプリント処理時、特に凸構造部３の上面部３１とインプリント樹脂とを接触させるときやインプリント樹脂からインプリントモールド１０を剥離するときに、インプリントモールド１０の凸構造部３の上面部３１を、その面内において実質的に均一に湾曲させることができる。

窪み部４の平面視における大きさは、窪み部４を基材２の第１面２Ａ側に投影した投影領域内に、凸構造部３が包摂される程度の大きさである限り、特に制限されるものではない。当該投影領域が凸構造部３を包摂不可能な大きさであると、インプリントモールド１０の凸構造部３の上面部３１の全面を効果的に湾曲させることができないおそれがある。

なお、本実施形態において、基材２の第１面２Ａから突出する凸構造部３を有する態様を例に挙げて説明したが、このような態様に限定されるものではなく、例えば、図８に示すように、基材２の第１面２Ａ側に凸構造部３を有していなくてもよい。この場合において、基材計測用マーク７のみが基材２の第１面２Ａに形成されていてもよい（図８参照）。図８に示す態様においては、基材２の一の角部２１及びそれに隣接する角部２１のそれぞれの近傍に位置する略十字形状の基材計測用マーク７の中心（十字の交点）同士を結ぶ線分と、基材２の外周縁を構成する辺２２とが実質的に平行になるように、基材計測用マーク７が形成されていればよい。このインプリントモールド用基板１（図８参照）を用いて、基材２の第１面２Ａに凸構造部３を形成してもよく、これにより、基材２に対する凸構造部３の回転角度（基材２の各辺２２と凸構造部３の上面部３１の各辺３１２との平行度）を評価することができる。また、このインプリントモールド用基板１（図８参照）のパターン領域ＰＡに、凸構造部３を形成することなく凹凸パターン１１（図９参照）を形成してインプリントモールド１０とするのであれば、基材計測用マーク７は、基材２の第１面２Ａに形成された凹状構造により構成されていればよい。

〔インプリントモールド〕
図９は、本実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す断面図である。
本実施形態におけるインプリントモールド１０は、上記インプリントモールド用基板１の凸構造部３の上面部３１に形成されてなる凹凸パターン１１を有する。

凹凸パターン１１の形状、寸法等は、本実施形態におけるインプリントモールドを用いて製造される製品等にて要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、凹凸パターン１１の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。また、凹凸パターン１１の寸法は、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に設定され得る。

〔インプリントモールド用基板の製造方法〕
上述した構成を有するインプリントモールド用基板１の製造方法の一例について説明する。図１０は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を示す工程フロー図であり、図１１は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程前における第１〜第３マスクパターンの概略構成を示す部分拡大平面図であり、図１２は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程の途中における第１〜第３マスクパターンの概略構成を示す部分拡大平面図であり、図１３は、図１２におけるＡ−Ａ線断面図であり、図１４は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程の途中において第２マスクパターン及び第３マスクパターンが剥がれ落ちることを説明するための部分拡大平面図であり、図１５は、図１４におけるＢ−Ｂ線断面図であり、図１６は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程終了時における第１マスクパターン、凸構造部計測用パターン５及び寸法計測用パターン６の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図１７は、図１６におけるＣ−Ｃ線断面図である。

［基板準備工程］
まず、第１面２Ａ’及びそれに対向する第２面２Ｂ’を有する基材２’を準備し、基材２’の第１面２Ａ’にハードマスク層７０及びレジスト層８０をこの順に積層する（図１０（Ａ）参照）。

基材２’としては、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。

基材２’の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状等が挙げられる。基材２’が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基材２’の平面視形状は略矩形状である。

基材２’の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、基材２’が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基材２’の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基材２’の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

ハードマスク層７０を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又は任意に選択した２種以上を組み合わせて用いることができる。

ハードマスク層７０は、後述する工程（図１０（Ｃ）参照）にてパターニングされ、インプリントモールド用基板１の凸構造部３、凸構造部計測用マーク５及び基材計測用マーク７（図１０（Ｄ），（Ｅ）参照）をウェットエッチングにより形成する際のマスクパターンとして用いられるものである。そのため、基材２’の構成材料に応じ、エッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層７０の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、基材２’が石英ガラス基板である場合、ハードマスク層７０として酸化クロム膜等が好適に選択され得る。

ハードマスク層７０の厚さは、基材２’の構成材料に応じたエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。例えば、基材２’が石英ガラス基板であって、ハードマスク層７０が酸化クロム膜である場合、ハードマスク層７０の厚さは、０．５ｎｍ〜２００ｎｍ程度の範囲内で適宜設定され得る。

基材２’の第１面２Ａ’にハードマスク層７０を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の公知の成膜方法が挙げられる。

基材２’の第１面２Ａ’上のハードマスク層７０を覆うレジスト層８０を形成する方法としては、レジスト層８０の膜厚と膜厚分布とを適切に制御可能な方法である限りにおいて特に制限されるものではなく、例えば、スピンコート法、バーコート法、スプレーコート法、インクジェット法、フィルム貼付法等が挙げられる。レジスト層８０を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ネガ型又はポジ型の感光性材料等を用いることができるが、ポジ型の感光性材料を用いるのが好ましい。レジスト層８０の膜厚は、特に限定されるものではなく、ハードマスク層７０の構成材料に応じた選択比等に応じて適宜設定され得る。

〔レジストパターン形成工程〕
上記レジスト層８０に対して所定の開口を有するフォトマスク（図示省略）を介した露光処理及び現像処理を施すことで、凸構造部３に対応する第１レジストパターン８１、凸構造部計測用マーク５に対応する第２レジストパターン８２、寸法計測用マーク６に対応する第３レジストパターン８３及び基材計測用マーク７に対応する第４レジストパターン８４を形成する（図１０（Ｂ）参照）。

本実施形態において、第１レジストパターン８１をマスクとしてハードマスク層７０にドライエッチング処理を施すことで、凸構造部３に対応する第１マスクパターン７１が形成される。すなわち、第１レジストパターン８１の大きさ（サイズ）と第１マスクパターン７１の大きさ（サイズ）とは実質的に同一となる。そして、後述するように、第１マスクパターン７１の大きさ（サイズ）は、サイドエッチング量を考慮して、凸構造部３の大きさ（サイズ）よりも大きく、凸構造部３の上面部３１を包摂可能な大きさで構成される。よって、第１レジストパターン８１の大きさ（サイズ）も、凸構造部３の大きさ（サイズ)よりも大きく、凸構造部３の上面部３１を包摂可能な大きさで構成される。

一方、第２レジストパターン８２、第３レジストパターン８３及び第４レジストパターン８４のそれぞれをマスクとしてハードマスク層７０にドライエッチング処理（又は第二硝酸セリウムアンモニウム等をエッチャントとして用いたウェットエッチング処理）を施すことで、凸構造部計測用マーク５に対応する第２マスクパターン７２、寸法計測用マーク６に対応する第３マスクパターン７３及び基材計測用マーク７に対応する第４マスクパターン７４が形成される。すなわち、第２レジストパターン８２の大きさ（サイズ）と第２マスクパターン７２の大きさ（サイズ）とは実質的に同一となり、第３レジストパターン８３の大きさ（サイズ）と第３マスクパターン７３の大きさ（サイズ）とは実質的に同一となり、第４レジストパターン８４の大きさ（サイズ）と第４マスクパターン７４の大きさ（サイズ）とは実質的に同一となる。そのため、第２レジストパターン８２、第３レジストパターン８３及び第４レジストパターン８４の大きさ（サイズ）は、本実施形態における第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４の機能に応じて適宜設定され得る。

後述するように、第２レジストパターン８２に対応して形成される第２マスクパターン７２は、その幾何学的中心７２１が凸構造部３の上面部３１の各角部３１１を形成するための各辺３１２の形成予定位置（図１１において一点鎖線で示される位置）の延長線Ｌ１上に位置するように形成される。平面視において第２レジストパターン８２の形成される位置に第２マスクパターン７２が形成されることから、第２レジストパターン８２は、その幾何学的中心が凸構造部３の上面部３１の各角部３１１を形成するための各辺３１２の形成予定位置（図１１において一点鎖線で示される位置）の延長線Ｌ１上に位置するように形成される（図１１参照）。

また、第３レジストパターン８３に対応して形成される第３マスクパターン７３は、略方形状の第１マスクパターン７１の一辺７１２の延長線Ｌ５上に位置するように形成される。平面視において第３レジストパターン８３の形成される位置に第３マスクパターン７３が形成されることから、第３レジストパターン８３は、その幾何学的中心が略方形状の第１レジストパターン８１の一辺の延長線上に位置するように形成される（図１１参照）。

〔マスクパターン形成工程〕
上記のようにして形成された第１レジストパターン８１、第２レジストパターン８２、第３レジストパターン８３及び第４レジストパターン８４をエッチングマスクとし、開口部から露出するハードマスク層７０を、例えば、塩素系（Ｃｌ₂＋Ｏ₂）のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、基材２’の第１面２Ａ’上に第１マスクパターン７１、第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４を形成する（図１０（Ｃ）参照）。

第１マスクパターン７１は、後述するウェットエッチング工程において、凸構造部３を形成するためのマスクとして用いられる。そして、凸構造部３を形成するためのウェットエッチング工程においては、いわゆるサイドエッチングが起こり、基材２’が横方向（面内方向）にエッチングされる。そのため、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）は、第１マスクパターン７１の大きさ（サイズ）よりも小さくなる。すなわち、第１マスクパターン７１の大きさ（サイズ）は、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）よりも大きく構成される。第１マスクパターン７１の大きさ（サイズ）は、基材２’のサイドエッチング量等に応じて設定されればよく、例えば、１μｍ〜２００μｍ程度大きければよい。

一方、第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４は、後述するウェットエッチング工程において凸構造部計測用マーク５、寸法計測用マーク６及び基材計測用マーク７を形成するためのマスクとして用いられ、ウェットエッチング工程の途中に剥がれ落ちる。第２〜第４マスクパターン７２〜７４が剥がれ落ちた後、基材２’の第１面２Ａ’において第２〜第４マスクパターン７２〜７４によりマスクされていた部分が基材２’の厚さ方向にエッチングされ始めるため、第２〜第４マスクパターン７２〜７４に対応して形成される凸構造部計測用マーク５、寸法計測用マーク６及び基材計測用マーク７の高さが凸構造部３の高さよりも低くなる。このことから、凸構造部計測用マーク５、寸法計測用マーク６及び基材計測用マーク７の高さは、第２〜第４マスクパターン７２〜７４の剥がれ落ちるタイミングによって決定される。したがって、第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４のそれぞれの寸法（平面視形状が略長方形状である場合には短手方向の幅、略正方形状及び略正三角形状である場合には一辺の長さ、略円形状である場合には直径）は、凸構造部計測用マーク５、寸法計測用マーク６及び基材計測用マーク７に要求される高さの観点から、いわゆるサイドエッチングにより、平面視において第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４内における第１面２Ａの、第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４に当接する部分が消失し、第２〜第４マスクパターン７２〜７４が剥がれ落ちるタイミングを考慮して適宜設定され得る。

第２マスクパターン７２の平面視形状は、凸構造部形成用マーク５の形状に応じて設定され得るものであり、例えば、略長方形状、略円形状、略正方形状、略正三角形状等の回転対象形状であればよい。第２マスクパターン７２の平面視形状がこれらの回転対称形状であれば、第２マスクパターン７２をマスクとしたウェットエッチングにより形成される凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１の位置が実質的に変化しない。そのため、後述のウェットエッチング工程におけるインラインモニタリングにより、当該ウェットエッチング工程にて形成される凸構造部３の上面部３１が所望とする大きさ（サイズ）になったこと、すなわちウェットエッチング工程の終了のタイミングを精確に判断することができる。

第２マスクパターン７２は、凸構造部３の上面部３１の各角部３１１を形成するための各辺３１２の形成予定位置（図１１において一点鎖線で示される位置）の延長線Ｌ１上に当該第２マスクパターン７２の幾何学的中心７２１が位置するように形成される。第２マスクパターン７２は極めて高い位置精度で基材２’の第１面２Ａ’上に形成され得るため、第２マスクパターン７２の幾何学的中心７２１が上記延長線Ｌ１上に位置していれば、後述のウェットエッチング工程にて形成される凸構造部３の上面部３１が所望とする大きさ（サイズ）になって当該ウェットエッチング工程を終了するタイミングを精確に判断することができる。

第３マスクパターン７３の平面視形状は、寸法計測用マーク６の形状に応じて設定され得るものであるが、例えば、第２マスクパターン７２と同様、略長方形状、略円形状、略正方形状、略正三角形状等の回転対象形状であればよい。図１１に示す態様において、第３マスクパターン７３は、その幾何学的中心７３１が第１マスクパターン７１の角部７１１を構成する辺７１２の延長線上に位置するように形成される。第３マスクパターン７３の平面視形状が回転対称形状であることで、ウェットエッチングの進行により第３マスクパターン７３が剥がれ落ちて形成される寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１が、第３マスクパターン７３の幾何学的中心７３１と実質的に一致する。そのため、第３マスクパターン７３が剥がれ落ちた後においても、寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１の位置により、ウェットエッチング工程の途中においてサイドエッチング量（サイドエッチングの進行の程度）を精確に判断することができる。

また、第３マスクパターン７３は、第３マスクパターン７３の幾何学的中心７３１及び第２マスクパターン７２の幾何学的中心７２１を結ぶ線分と、第１マスクパターン７１の角部７１１を構成する辺７１２とが実質的に平行になるように形成されている。第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７３がともに回転対象形状であることで、それらの幾何学的中心７２１，７３１がウェットエッチングの進行により変化することがなく、ウェットエッチングの進行により第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７３が剥がれ落ちて形成される凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１及び寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１のそれぞれが、第２マスクパターン７２の幾何学的中心７２１及び第３マスクパターン７３の幾何学的中心７３１のそれぞれと実質的に一致する。そのため、第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７３が剥がれ落ちた後においても、凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１及び寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１の位置により、サイドエッチング量を精確に計測することができる。

第４マスクパターン７４の平面視形状は、略十字形状である。これにより、後述するウェットエッチング工程を経て、平面視略十字形状の基材計測用マーク７を形成することができる。なお、第４マスクパターン７４が、第２マスクパターン７２及び第３マスクパターン７４よりも早いタイミングで剥がれ落ちるような寸法で形成されていれば、凸構造部計測用マーク５及び寸法計測用マーク６の高さよりも低い高さで基材計測用マーク７を形成することができる。

〔ウェットエッチング工程〕
上記のようにして形成された第１マスクパターン７１、第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４をマスクとして基材２’にウェットエッチング処理を施す（図１０（Ｄ），（Ｅ）参照）。ウェットエッチング処理におけるエッチング液としては、例えばフッ酸等が好適に用いられる。

ウェットエッチング処理の開始当初、第１マスクパターン７１、第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４の外縁から下方（基材２’の厚み方向）に向かってエッチングが進行し、次第に、基材２’の面内方向にエッチングが進行する（図１２，１３参照）。すなわち、等方的にエッチングが進行する。そして、第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４が剥がれ落ちたタイミングで、凸構造部計測用マーク５、寸法計測用マーク６及び基材計測用マーク７と、インプリントモールド用基板１の凸構造部３の上面部３１の大きさよりも大きい上面部３１’を有する仮凸構造部３’とが形成される。

ウェットエッチング処理中に基材２’の第２面２Ｂ’側から光学顕微鏡にて低倍率（例えば、５０〜２００倍程度）で撮像すると、第２〜第４マスクパターン７２〜７４が剥がれ落ちるタイミングにおいて、仮凸構造部３’の上面部３１’の各辺３１２’の延長線Ｌ６は、寸法計測用マーク６の幾何学的中心６１を通る線分（第１マスクパターン７１の一辺７１２の延長線Ｌ５）と、凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１を通る線分（第１マスクパターン７１の辺７１２に平行な線分であって、凸構造部３の上面部３１の各辺３１２の形成予定位置（図１４において一点鎖線で示される位置）の延長線Ｌ１）との間に位置していることが観察される（図１４，１５参照）。そのため、これらの位置関係により、ウェットエッチング工程を終了するタイミングを求めることができる。例えば、基材２’の第２面２Ｂ’側からの撮像を通じたインラインモニタリングにより、仮凸構造部３’の上面部３１’の辺３１２’の延長線Ｌ６が、凸構造部計測用マーク５の幾何学的中心５１を通る線分（延長線Ｌ１）と一致したタイミングで、ウェットエッチング工程を終了することができる。

また、基材２’の第２面２Ｂ’側から光学顕微鏡にて低倍率（例えば、５０〜２００倍程度）で観察し、第１マスクパターン７１の辺７１２と仮凸構造部３’の上面部３１’の辺３１２’との間の長さ及びウェットエッチング処理の開始からの時間に基づいてウェットエッチング工程の終了タイミングを求めてもよい。第１マスクパターン７１の辺７１２と仮凸構造部３’の上面部３１’の辺３１２’との間の長さは、ウェットエッチング処理の開始から観察時までにサイドエッチングされた量を意味する。そして、仮凸構造部３’の上面部３１’の辺３１２’と、凸構造部３の上面部３１の各辺３１２の形成予定位置との間の長さＬ₂は、これからサイドエッチングされるべき量を意味する。サイドエッチング量とウェットエッチング工程の処理時間とは実質的に比例関係にあるため、上記のようにして求めたサイドエッチング量及びサイドエッチングされるべき量と、ウェットエッチング処理の開始から観察までの時間とに基づき、これからのウェットエッチング工程の処理時間が求められる。なお、サイドエッチング量及びサイドエッチングされるべき量としての上記長さは、仮凸構造部３’の上面部３１’の４つの辺３１２’についてそれぞれ求めてもよいが、任意に選択した１つの辺３１２’について求めてもよい。第１マスクパターン７１の４つの辺７１２からサイドエッチングされる量は実質的に同一であるためである。２つ以上の辺３１２’についてサイドエッチング量及びサイドエッチングされるべき量としての上記長さを求めた場合には、それらの長さの算術平均値をサイドエッチング量及びサイドエッチングされるべき量として用いればよい。

第１マスクパターン７１をマスクとして基材２’にウェットエッチング処理を継続し、所定のタイミング（凸構造部３の上面部３１が所望の大きさ（サイズ）で形成されたタイミング）でウェットエッチング処理を終了する（図１０（Ｅ），図１６，図１７参照）。その後、第１マスクパターン７１を剥離し、基材２’の第２面２Ｂ’側に窪み部４を形成する。これにより、寸法精度の高い凸構造部３を有するインプリントモールド用基板１を製造することができる（図１０（Ｆ）参照）。

第２マスクパターン７２、第３マスクパターン７３及び第４マスクパターン７４は、ウェットエッチング工程の途中で剥がれ落ちているため、凸構造部計測用マーク５、寸法計測用マーク６及び基材計測用マーク７の高さは、第２ウェットエッチング工程により形成される凸構造部３の高さよりも低く構成されることになる。

なお、ウェットエッチング工程の終了後、第１マスクパターン７１を剥離することなく基材２’の第２面２Ｂ’側から光学顕微鏡による観察を行い、凸構造部３が高い寸法精度で形成されているか否かを確認してもよい。そして、ウェットエッチング工程におけるサイドエッチング量が不十分であれば、さらにウェットエッチング工程を追加で実施してもよい。これによって、より寸法精度の高い凸構造部３を有するインプリントモールド用基板１を、歩留りよく製造することができる。

〔インプリントモールドの製造方法〕
上記のようにして凸構造部３が形成された後、当該凸構造部３の上面部３１（パターン領域ＰＡ）に、凹凸パターン１１に対応するハードマスクパターンを形成し、ハードマスクパターンをマスクとしてインプリントモールド用基板１０にドライエッチング処理を施し、凸構造部３の上面に凹凸パターン１１を形成することで、インプリントモールド１０（図９参照）が製造される。インプリントモールド用基板１のドライエッチングは、当該インプリントモールド用基板１の構成材料の種類に応じて適宜エッチングガスを選択して行なわれ得る。エッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガス等を用いることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

１…インプリントモールド用基板
２…基材
２Ａ…第１面
２Ｂ…第２面
３…凸構造部
３１…上面部
３２…側面部
５…凸構造部計測用マーク
６…寸法計測用マーク
７…基材計測用マーク
１０…インプリントモールド
１１…凹凸パターン

Claims (26)

1. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、
   前記基材の前記第１面から突出し、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部と
   を備え、
   前記第１面における前記凸構造部の近傍に、前記凸構造部の大きさを測定するための指標として用いられる凸構造部計測用マークが形成されている
   インプリントモールド用基板。
2. 複数の前記凸構造部計測用マークのそれぞれが、前記凸構造部の前記上面部の少なくとも一つの角部を形成する２辺のそれぞれの延長線上に位置する
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
3. 前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部計測用マークの幾何学的中心を前記延長線が通るように形成されている
   請求項２に記載のインプリントモールド用基板。
4. 前記各凸構造部計測用マークと所定の間隔を隔てた位置に寸法計測用マークが形成されており、
   前記寸法計測用マークの幾何学的中心と前記各凸構造部計測用マークの幾何学的中心とを結ぶ線分は、前記凸構造部の前記上面部の前記角部を形成する２辺のうちのいずれか１辺と実質的に平行である
   請求項２又は３に記載のインプリントモールド用基板。
5. 前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部の前記上面部の前記角部から前記凸構造部の高さの２倍以上離間した位置に形成されている
   請求項２〜４のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
6. 複数の前記凸構造部計測用マークが、前記凸構造部の前記上面部を構成する少なくとも１辺に沿って形成されている
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
7. 前記複数の凸構造部計測用マークの各幾何学的中心を通る線分が、前記凸構造部の前記上面部を構成する前記１辺と実質的に平行である
   請求項６に記載のインプリントモールド用基板。
8. 前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部の前記上面部の前記１辺から前記凸構造部の高さの２倍以上離間した位置に形成されている
   請求項６又は７に記載のインプリントモールド用基板。
9. 前記凸構造部計測用マークは、平面視において回転対称形状を有する
   請求項１〜８のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
10. 前記凸構造部計測用マークは、前記基材の前記第１面から突出しており、
    前記凸構造部計測用マークの高さは、前記凸構造部の高さよりも低い
    請求項１〜９のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
11. 前記基材の前記第１面には、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークが形成されている
    請求項１〜１０のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
12. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、
    前記基材の前記第１面に形成されてなり、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークと
    を備えるインプリントモールド用基板。
13. 少なくとも３つの前記基材計測用マークのそれぞれが、略方形状の前記基材の角部のそれぞれの近傍に形成されている
    請求項１１又は１２に記載のインプリントモールド用基板。
14. 前記基材計測用マークは、平面視略十字形状を有する
    請求項１１〜１３のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
15. 前記基材計測用マークは、前記第１面から突出しており、
    前記基材計測用マークの高さは、前記凸構造部の高さよりも低い
    請求項１１〜１４のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
16. 請求項１〜１５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記第１面に設定されるパターン領域に形成されてなる凹凸パターンを有する
    インプリントモールド。
17. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材を準備する基材準備工程と、
    前記基材の前記第１面上の略中央に位置する略方形状の第１マスクパターン形成領域に、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部に対応する第１マスクパターンを形成するとともに、前記第１マスクパターン形成領域の周囲に位置する第２マスクパターン形成領域に、凸構造部計測用マークに対応する第２マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
    前記第１マスクパターン及び前記第２マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第１面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第１面から突出する前記凸構造部及び前記凸構造部計測用マークを形成するエッチング工程と
    を含み、
    前記第１マスクパターンの大きさは、平面視における前記凸構造部の前記上面部の大きさよりも大きく、前記凸構造部の前記上面部を包摂可能な大きさである
    インプリントモールド用基板の製造方法。
18. 前記マスクパターン形成工程において、複数の前記凸構造部計測用マークのそれぞれに対応する複数の前記第２マスクパターンを、前記基材の前記第１面上に形成される前記凸構造部の前記上面部の少なくとも一つの角部を形成する２辺のそれぞれの延長線上に位置するように形成する
    請求項１７に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
19. 前記マスクパターン形成工程において、前記延長線が前記第２マスクパターンの幾何学的中心に重なるように前記第２マスクパターンを形成する
    請求項１８に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
20. 前記マスクパターン形成工程において、前記各第２マスクパターンと所定の間隔を隔てた位置に、寸法計測用マークに対応する第３マスクパターンをさらに形成し、
    前記エッチング工程において、前記第１〜第３マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第１面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第１面から突出する前記凸構造部、前記凸構造部計測用マーク及び前記寸法計測用マークを形成する
    請求項１８又は１９に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
21. 前記各第２マスクパターンの幾何学的中心と前記第３マスクパターンの幾何学的中心とを結ぶ線分が、前記第１マスクパターンの角部を形成する２辺のうちのいずれか１辺と実質的に平行になるように、前記第３マスクパターンを形成する
    請求項２０に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
22. 前記エッチング工程の途中に前記凸構造部計測用マークを指標として用いて前記第１マスクパターンの外周縁に対応する位置からの前記基材のサイドエッチング量を計測する
    請求項１７〜２１のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
23. 前記エッチング工程は、前記サイドエッチング量の計測前に実施される第１エッチング工程と、前記サイドエッチング量の計測後に実施される第２エッチング工程とを少なくとも含み、
    前記第１エッチング工程において、前記凸構造部計測用マークと、前記凸構造部の前記上面部よりも大きい上面部を有する仮凸構造部とが少なくとも形成され、
    前記サイドエッチング量を計測することで、前記第１エッチング工程における第１サイドエッチング量と前記第２エッチング工程において必要となる第２サイドエッチング量とを求め、
    前記第２エッチング工程において、前記第２サイドエッチング量に従って前記基材のエッチングが実施される
    請求項２２に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
24. 前記マスクパターン形成工程において、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークに対応する第４マスクパターンをさらに形成し、
    前記エッチング工程において、前記第１〜第４マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第１面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第１面から突出する前記凸構造部、前記凸構造部計測用マーク、前記寸法計測用マーク及び前記基材計測用マークを形成する
    請求項１７〜２３のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
25. 前記第２〜第４マスクパターンは、前記エッチング工程の途中で前記第２〜第４マスクパターンが剥がれ落ちる程度の大きさで形成される
    請求項２４に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
26. 請求項１７〜２５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記凸構造部の前記上面部に凹凸パターンを形成する工程を有するインプリントモールドの製造方法。

Images