JP7310435B2 - インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法に関する。

微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、微細凹凸パターンをインプリント樹脂等の被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。特に、半導体デバイスにおける配線パターンのさらなる微細化に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。

ナノインプリント技術において一般に用いられるインプリントモールドとしては、例えば、第１面及びそれに対向する第２面を有する基材と、基材の第１面から突出する凸構造部と、凸構造部の上面に形成されてなる微細凹凸パターンとを備えるものが知られている。このようなインプリントモールドを用い、被転写基板上に供給された被加工物としてのインプリント樹脂にインプリントモールドの微細凹凸パターンを接触させることで、微細凹凸パターンにインプリント樹脂を充填させる。そして、その状態でインプリント樹脂を硬化させることにより、インプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されてなる微細凹凸構造を有するパターン構造体が形成される。

特許第５４４５７１４号公報 特開２０１１－２２７９５０号公報

ところで、上述したインプリントモールドにおける凸構造部は、一般に、石英ガラス等のガラス材料で構成される基材を、フッ酸等のエッチング液を用いてエッチングすることによって形成される。具体的には、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有し、第１面に凸構造部に対応するハードマスクパターンが形成された基材をエッチング槽内のエッチング液に浸漬させ、ハードマスクパターンをマスクとして用いて基材の第１面をエッチングすることにより、基材の第１面から突出する凸構造部が形成され得る。

フッ酸等のエッチング液を用いて石英ガラス等の基材に対して行うウェットエッチングは等方的に、すなわちエッチング面（基材表面のうち、エッチング液が接触するすべての面）の法線方向に進行するため、エッチングの進行に伴い、基材とハードマスクパターンとの境界においては、基材の第１面に対して実質的に水平方向にエッチング（サイドエッチング）が進行する。このサイドエッチングにより、基材の第１面側から見たときにハードマスクパターンによって隠れる基材表面と当該ハードマスクパターンとの間に形成される空間にエッチング液が滞留しやすくなる。当該空間の位置によってエッチング液の滞留の程度にばらつき等が生じ、それにより、サイドエッチングの進行の程度にばらつきが生じてしまう。また、基材とハードマスクパターンとの境界において、基材の第１面とハードマスクパターンとの密着状態にばらつきが存在することによっても同様に、サイドエッチングの進行の程度にばらつきが生じてしまう。その結果、凸構造部の上面や側壁の形状が歪んでしまうという問題がある。

インプリントモールドを用いたインプリント処理において、一般に、インプリントモールドの側面を押圧することによって、凸構造部の上面に形成されている微細凹凸パターンの倍率補正が行われる。このとき、凸構造部の上面や側壁の形状に歪みがあると、所望の倍率補正を行うのが困難となる。また、インプリントモールドを用いたインプリント処理において、一般に、基材の第２面に形成されている窪み部内に加圧することで、凸構造部の上面を凸状に湾曲させた状態でインプリント樹脂に微細凹凸パターンを接触させる。このとき、凸構造部の上面や側壁の形状に歪みがあると、所望とする湾曲凸状に凸構造部の上面を変形させ難くなる。その結果、微細凹凸パターンを高精度に転写することができず、転写パターンの位置精度が低下したり、転写不良が起こったりするという問題がある。

上記課題に鑑みて、本開示は、高精度な凸構造部を有するインプリントモールド用基板およびそれから作製されるインプリントモールド、並びに凸構造部を高精度に形成可能なインプリントモールド用基板の製造方法を提供することを一目的とする。

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記第１面から突出する凸構造部とを備え、前記凸構造部は、上面部と、当該上面部の外周及び前記基部の前記第１面の間に連続するラウンド形状の側壁部とを有し、前記上面部の外周と、前記側壁部及び前記第１面を接続する接続部との間の平面視幅が略均一であるインプリントモールド用基板が提供される。前記平面視幅のうちの最大値と最小値との差が、前記凸構造部の高さの５％以内であればよい。

前記上面部の平面視形状を略矩形状とすることができ、この場合、接続部は、平面視における前記上面部の各辺の外側に当該各辺に対向して位置する略直線状部分が含まれ得るものであればよく、前記平面視幅は、前記上面部の各辺と、当該上面部の各辺に対向する前記略直線状部分との間の平面視における長さであればよい。また、前記平面視幅は、前記上面部の各辺の中点から前記略直線状部分までの平面視における長さであってもよく、前記上面部の各辺上の点のうちから任意に選択される選択点のそれぞれから、前記略直線状部分までの平面視における長さの算術平均値であってもよい。

前記基部の前記第２面には窪み部が形成されていてもよく、この場合、前記窪み部は、前記基部の前記第１面側に前記窪み部を投影した投影領域内に前記凸構造部が包摂され得るように前記基部の前記第２面に形成され得る。また、前記インプリントモールド用基板としては、例えば、石英ガラス基板を用いることができる。また、前記凸構造部の前記上面部から突出する１段以上の凸部をさらに備えていてもよい。

また、本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板の前記上面部に微細凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドが提供される。また、本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板の最上段に位置する前記凸部の上面に微細凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドが提供される。

また、本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記第１面から突出する凸構造部とを備え、前記凸構造部は、上面部と、前記上面部の外周及び前記基部の前記第１面の間に連続するラウンド形状の側壁部とを有するインプリントモールド用基板の製造方法であって、前記上面部に対応する形状のエッチングマスクが形成されてなる主面及び当該主面に対向する対向面を有する基材をエッチングするエッチング工程を有し、前記エッチング工程において、前記上面部の外周と前記上面部の外周及び前記第１面を接続する接続部との間の平面視幅が略均一となるように、前記基材をエッチングするインプリントモールド用基板の製造方法が提供される。前記エッチング工程において、前記平面視幅のうちの最大値と最小値との差が、前記凸構造部の高さの５％以内となるように、前記基材はエッチングされ得る。

前記エッチング工程において、前記基材の表面のうちのエッチング液が接触するすべての面に沿って前記エッチング液が相対的に流動するように前記基材をエッチングすればよく、前記基材を前記エッチング液に浸漬させた状態で、前記基材の表面のうちの前記エッチング液が接触するすべての面に沿って前記エッチング液が相対的に流動する前記基材をエッチングすればよい。さらに、前記エッチング工程において、前記エッチング液に浸漬させた状態の前記基材を前記主面に略平行な方向に揺動させながら前記基材をエッチングしてもよい。

前記基材が石英ガラスで構成されている場合には、前記エッチング液としてフッ酸を含むものを用いることができる。

本開示によれば、高精度な凸構造部を有するインプリントモールド用基板およびそれから作製されるインプリントモールド、並びに凸構造部を高精度に形成可能なインプリントモールド用基板の製造方法を提供することができる。

図１（Ａ）は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図２は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板における平面視幅について説明するための模式図である。 図３は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の凸構造部の側壁部と基部の第１面とを接続する接続部を定義する方法を説明するための部分拡大側面図である。 図４は、本開示の他の実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図５（Ａ）は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。図５（Ｂ）は、本開示の他の実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。 図６は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面で示す工程フロー図である。 図７は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面で示す、図６に続く工程フロー図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、図７（Ａ）に示されるウェットエッチング工程において、基材のエッチング面に沿って一方向にエッチング液を流動させる方法の一例を示す模式図である。 図９は、図７（Ａ）に示されるウェットエッチング工程において、基材のエッチング面に沿って一方向にエッチング液を流動させる方法の他の例を示す模式図である。

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。また、本明細書等において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

［インプリントモールド用基板］
図１（Ａ）は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。図２は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板における平面視幅について説明するための模式図である。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、第１面１２Ａ及び当該第１面１２Ａに対向する第２面１２Ｂを有する基部１２と、基部１２の第１面１２Ａから突出する凸構造部１１と、第２面１２Ｂ側に形成されている窪み部１４とを備える。

基部１２としては、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂を硬化させ得る波長の光を透過可能であることを意味し、波長１５０ｎｍ～４００ｎｍの光線の透過率が６０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。

基部１２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状等が挙げられる。基部１２が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基部１２の平面視形状は略矩形状である。

基部１２の大きさ（平面視形状における大きさ）も特に限定されるものではないが、基部１２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基部１２の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基部１２の厚さは、強度、取り扱い適正等を考慮し、例えば、３００μｍ～１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

基部１２の第１面１２Ａから突出する凸構造部１１は、平面視において基部１２の略中央に設けられている。凸構造部１１は、略矩形状の上面部１１Ａと、当該上面部１１Ａの各辺及び基部１２の第１面１２Ａの間に連続するラウンド形状の側壁部１１Ｂとを有する。凸構造部１１の大きさ（平面視形状における大きさ）は、インプリントモールド用基板１を用いたインプリント処理を経て製造される製品等に応じて適宜設定されるものであり、例えば、３０ｍｍ×２５ｍｍ程度に設定される。凸構造部１１の上面部１１Ａの平面視形状は、略矩形状に限定されるものではなく、例えば略円形状やＮ角形状等であってもよい。

凸構造部１１の突出高さ１１_H（基部１２の第１面１２Ａと凸構造部１１の上面部１１Ａとの間の基部１２の厚み方向に沿った長さ）は、本実施形態におけるインプリントモールド用基板１が凸構造部１１を備える目的を果たし得る限り、特に限定されるものではなく、例えば、１０μｍ～１００μｍ程度に設定され得る。凸構造部１１の上面部１１Ａには、微細凹凸パターン２１（図５（Ａ）参照）が形成される予定のパターン領域が設定されている。

本実施形態に係るインプリントモールド用基板１において、上面部１１Ａの外周を構成する各辺１１_AS1～１１_AS4と、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び第１面１２Ａを接続する接続部１３との間の平面視幅１３_PWが略均一である（図１参照）。

本実施形態における接続部１３は、平面視における上面部１１Ａの辺１１_AS1～１１_AS4の外側に当該辺１１_AS1～１１_AS4のそれぞれに対向して位置する、各辺１１_AS1～１１_AS4に略平行な辺１３_S1～１３_S4を含む、平面視略角丸矩形状を有する（図２参照）。上記辺１３_S1～１３_S4のそれぞれは直線形状を有するが、これに限定されるものではなく、上記辺１３_S1～１３_S4のうち、少なくとも上面部１１Ａの辺１１_AS1～１１_AS4に対向して位置する部分が略直線状であればよい。

本実施形態における接続部１３は、例えば、インプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として定義され得る（図３（Ａ），（Ｂ）参照）。なお、側壁部１１Ｂが変極点を有する場合（図３（Ｃ）参照）、側壁部１１Ｂは変極点を境にして複数の側壁部に区分されることができ、各側壁部をそれぞれ異なる円又は長円でフィッティング可能であり、各円又は各長円の接線の傾きがゼロとなる点が複数存在し得る。このような場合には、第１面１２Ａに最も近い円（図３（Ｃ）においては円Ｃ₁₂）の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３が定義されればよい。

本実施形態において、平面視幅１３_PWとは、基部１２の第１面１２Ａ側からの平面視において、凸構造部１１の上面部１１Ａの各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における、当該各辺１１_AS1～１１_AS4と接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さとして定義される。平面視幅１３_PWは、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、光学顕微鏡、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型白色干渉顕微鏡、段差計等を使用して計測され得る。

本実施形態において、平面視幅１３_PWが略均一であるとは、例えば図２を用いて説明すると、上面部１１の辺１１_AS1～１１_AS4のそれぞれに対応する平面視幅１３_PW1～１３_PW4が互いに実質的に同一であることを意味する。平面視幅１３_PW1～１３_PW4が互いに実質的に同一であるというためには、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4が相違していても、その最大値と最小値との差が微差であることを要する。具体的には、上記平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差が、好ましくは凸構造部１１の突出高さ１１_Hの５％以内、より好ましくは凸構造部１１の突出高さ１１_Hの１．７％以内、特に好ましくは凸構造部１１の突出高さ１１_Hの０．８％以内であれば、平面視幅１３_PWが略均一であるということができる。例えば、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの平面視幅１３_PW1が最大値であり、平面視幅１３_PW4が最小値であって、凸構造部１１の突出高さ１１_Hが５０μｍであるときに、１３_PW1－１３_PW4≦１μｍであれば、平面視幅１３_PWが略均一であるということができる。また、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの平面視幅１３_PW1が最大値であり、平面視幅１３_PW4が最小値であって、凸構造部１１の突出高さ１１_Hが２０μｍであるときに、１３_PW1－１３_PW4≦０．４μｍであれば、平面視幅１３_PWが略均一であるということができる。

本実施形態において、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4は、各辺１１_AS1～１１_AS4の中点Ｍ₁～Ｍ₄から接続部１３を構成する各辺１３_S1～１３_S4までの各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向の長さであってもよいし、各辺１１_AS1～１１_AS4上における任意に選択される複数の選択点（例えば５点）のそれぞれから、接続部１３を構成する各辺１３_S1～１３_S4までの各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向の長さの算術平均値であってもよい（図２参照）。

なお、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4は、凸構造部１１の上面１１Ａのエッジを最小二乗法にて近似した直線を各辺１１_AS1～１１_AS4とし、上記フィッティングにより定義される複数の接続部１３を最小二乗法にて近似した直線を各辺１３_S1～１３_S4とし、それらの直線間の距離として算出されてもよい。この場合において、それらの直線間の距離の最小値及び最大値を各平面視幅１３_PW1～１３_PW4の最小値及び最大値とし、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4の最小値（４つの最小値）のうちの最も小さい値と、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4の最大値（４つの最大値）のうちの最も大きい値との差分が凸構造部１１の突出高さ１１_Hの５％以内であれば、平面視幅１３_PWが略均一であるということができる。

基部１２の第２面１２Ｂには、所定の大きさの窪み部１４が形成されている。窪み部１４が形成されていることで、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド２０（図５（Ａ）参照）を用いたインプリント処理時、特にインプリント樹脂との接触時やインプリントモールド２０の剥離時に、基部１２、特に凸構造部１１の上面部１１Ａを湾曲させることができる。その結果、凸構造部１１の上面部１１Ａに形成されている微細凹凸パターン２１とインプリント樹脂との間に気体が挟みこまれてしまうのを抑制することができ、また、インプリント樹脂に凹凸パターン２１が転写されてなる転写パターンからインプリントモールド２０を容易に剥離することができる。

窪み部１４の平面視形状は、略円形状であるのが好ましい。略円形状であることで、インプリント処理時、特に凸構造部１１の上面部１１Ａとインプリント樹脂とを接触させるときや、インプリント樹脂からインプリントモールド２０を剥離するときに、インプリントモールド２０の凸構造部１１の上面部１１Ａを、その面内において実質的に均一に湾曲させることができる。

窪み部１４の平面視における大きさは、窪み部１４を基部１２の第１面１２Ａ側に投影した投影領域内に、凸構造部１１が包摂され得る程度の大きさである限り、特に制限されるものではない。当該投影領域が凸構造部１１を包摂不可能な大きさであると、インプリントモールド２０の凸構造部１１の上面部１１Ａの全面を効果的に湾曲させることができないおそれがある。

なお、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、上述した態様に限定されるものではなく、上面部１１Ａから突出する凸部１１_Sをさらに備える多段の凸構造部１１を有していてもよく（図４参照）、当該凸部１１_Sの側壁面は側面視においてラウンド形状であってもよいし、直線状であってもよい。この態様において、多段の凸構造部１１は、凸部１１_Sの上面１１_SAからさらに凸部が突出するもの、すなわち上面部１１Ａから突出する複数段の凸部を備えるものであってもよい。この多段の凸構造部１１において、上面部１１Ａから突出する複数段の凸部のうちの少なくとも１つ（１段）の凸部の側壁面は、側面視において直線状に形成されていてもよい。

［インプリントモールド］
図５（Ａ）は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。本実施形態におけるインプリントモールド２０は、上記インプリントモールド用基板１の凸構造部１１の上面部１１Ａに形成されてなる微細凹凸パターン２１を有する。

微細凹凸パターン２１の形状、寸法等は、本実施形態におけるインプリントモールドを用いて製造される製品等において要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、微細凹凸パターン２１の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。

図５（Ｂ）は、本開示の他の実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。インプリントモールド２０は、多段の凸構造部１１を有するインプリントモールド用基板１（図４参照）における当該凸構造部１１の最上段に位置する凸部１１_Sの上面１１_SAに微細凹凸パターン２１が形成されてなるものであってもよい（図５（Ｂ）参照）。

［インプリントモールド用基板の製造方法］
図６は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面図で示す工程フロー図である。図７は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面図で示す、図６に続く工程フロー図である。図８（Ａ）及び（Ｂ）は、図７（Ａ）に示されるウェットエッチング工程の一例を示す模式図である。図９は、図７（Ａ）に示されるウェットエッチング工程の他の例を示す模式図である。

［基材準備工程］
まず、主面１２Ａ’及びそれに対向する対向面１２Ｂ’を有する基材１２’を準備し、基材１２’の主面１２Ａ’にハードマスク層３０及びレジスト層４０をこの順に積層する（図６（Ａ）参照）。

基材１２’としては、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。

基材１２’の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状等が挙げられる。基材１２’が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板である場合、通常、基材１２’の平面視形状は略矩形状である。

基材１２’の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、基材１２’が上記石英ガラス基板である場合、例えば、基材１２’の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基材１２’の厚さは、強度、取り扱い適正等を考慮し、例えば、３００μｍ～１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

ハードマスク層３０を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又はこれらから任意に選択した２種以上を組み合わせて用いることができる。

ハードマスク層３０は、後述する工程（図６（Ｃ）参照）にてパターニングされ、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１（図７（Ａ）参照）をエッチングにより形成する際のマスクパターンとして用いられるものである。そのため、基材１２’の構成材料に応じて、エッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層３０の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、基材１２’が石英ガラス基板である場合、ハードマスク層３０として酸化クロム膜等が好適に選択され得る。

ハードマスク層３０の厚さは、基材１２’の構成材料に応じたエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。例えば、基材１２’が石英ガラス基板であって、ハードマスク層３０が酸化クロム膜である場合、ハードマスク層３０の厚さは、０．５ｎｍ～２００ｎｍの範囲内で適宜設定され得る。

基材１２’の主面１２Ａ’にハードマスク層３０を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の公知の成膜方法が挙げられる。

基材１２’の主面１２Ａ’上のハードマスク層３０を覆うようにしてスピンコート法等により形成されるレジスト層４０を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ネガ型又はポジ型の感光性材料等を用いることができるが、ポジ型の感光性材料を用いるのが好ましい。レジスト層４０の膜厚は、特に限定されるものではなく、ハードマスク層３０の構成材料に応じたエッチング選択比等に応じて適宜設定され得る。

［レジストパターン形成工程］
上記レジスト層４０に対して所定の開口を有するフォトマスク（図示省略）を介した露光処理及び現像処理を施すことで、凸構造部１１に対応するレジストパターン４１を形成する（図６（Ｂ）参照）。

本実施形態において、レジストパターン４１をマスクとしてハードマスク層３０にドライエッチング処理を施すことで、凸構造部１１に対応するマスクパターン３１が形成される。すなわち、レジストパターン４１の大きさ（サイズ）とマスクパターン３１の大きさ（サイズ）とは実質的に同一となる。そして、後述するように、マスクパターン３１の大きさ（サイズ）は、凸構造部１１の大きさ（サイズ）よりも大きく、凸構造部１１の上面部１１Ａを包摂可能な大きさで構成される。よって、レジストパターン４１の大きさ（サイズ）も、凸構造部１１の大きさ（サイズ）よりも大きく、凸構造部１１の上面部１１Ａを包摂可能な大きさで構成される。

［マスクパターン形成工程］
上記のようにして形成されたレジストパターン４１をエッチングマスクとし、開口部から露出するハードマスク層３０を、例えば、塩素系（Ｃｌ₂＋Ｏ₂）のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、基材１２’の主面１２Ａ’上にマスクパターン３１を形成する（図６（Ｃ）参照）。

マスクパターン３１は、後述するウェットエッチング工程において、凸構造部１１を形成するためのマスクとして用いられる。そして、凸構造部１１を形成するためのウェットエッチング工程においては、いわゆるサイドエッチングが起こり、基材１２’が横方向（面内方向）にエッチングされる。そのため、凸構造部１１の上面部１１Ａの大きさ（サイズ）は、マスクパターン３１の大きさ（サイズ）よりも小さくなる。すなわち、マスクパターン３１の大きさ（サイズ）は、凸構造部１１の上面部１１Ａの大きさ（サイズ）よりも大きく構成される。マスクパターン３１の大きさ（サイズ）は、基材１２’のサイドエッチング量等に応じて設定されればよく、例えば、凸構造部１１の上面部１１Ａの大きさ（サイズ）より２０μｍ～２００μｍ程度大きければよい。

［ウェットエッチング工程］
上記のようにして形成されたマスクパターン３１をマスクとして基材１２’にウェットエッチング処理を施し、その後、残存するマスクパターン３１を除去することで、凸構造部１１を形成する（図７（Ａ）参照）。このとき、凸構造部１１の上面部１１Ａの外周と上面部１１Ａの外周及び第１面１２Ａを接続する接続部１３との間の平面視幅１３_PWが略均一となるように、基材１２’にウェットエッチング処理を施す。なお、ウェットエッチング処理におけるエッチング液は、基材１２’及びハードマスク層３０（マスクパターン３１）の構成材料によって適宜選択され得るものである。例えば、基材１２’が石英ガラスにより構成され、ハードマスク層３０（マスクパターン３１）がクロムにより構成される場合、エッチング液としてはフッ酸等が好適に用いられる。

本実施形態におけるウェットエッチング工程においては、基材１２’の表面のうち、エッチング液に接触するすべての面（以下「エッチング面」という場合がある。）に沿って一方向に相対的にエッチング液を流動させるようにして基材１２’をエッチングすればよい。これにより、凸構造部１１の上面部１１Ａの外周と上面部１１Ａの外周及び第１面１２Ａを接続する接続部１３との間の平面視幅１３_PWが略均一である凸構造部１１が形成され得る。

基材１２’のエッチング面に沿って相対的にエッチング液を流動させる方法としては、例えば、エッチング槽内のエッチング液に基材１２’を浸漬させた状態において、基材１２’のエッチング面に沿ったエッチング液の流れを形成する方法等が挙げられる。例えば、エッチング槽５０の所望の位置（供給部）５０_Sからエッチング液ＥＬを供給し、エッチング槽５０の所望の位置（排出部）５０_Eからエッチング液ＥＬを排出したり（図８（Ａ）参照）、エッチング槽５０内のエッチング液ＥＬを矢印ＣＦで示すように対流させたり（図８（Ｂ）参照）することで当該エッチング液ＥＬの流れＬＤを形成すればよい。図８（Ａ）に示す態様において、供給部５０_Sと排出部５０_Eとの間に循環経路（図示省略）を設け、エッチング液ＥＬを循環させてもよい。ウェットエッチング工程中、エッチング液ＥＬが基材１２’のエッチング面に沿って流動する限りにおいて、エッチング液ＥＬを一方向に流し続けてもよいし、エッチング液ＥＬの流れＬＤの方向を変化させてもよい。なお、エッチング液ＥＬの流れＬＤを形成する際におけるエッチング液ＥＬの流速、流量等は、エッチング液ＥＬの温度、粘度、反応種の濃度等に応じ、基材１２’のエッチング面をエッチング液ＥＬが一方向に流動するように適宜設定されればよい。また、基材１２’のエッチング面に沿った一方向のエッチング液ＥＬの流れＬＤを形成可能である限りにおいて、上記方法に限定されない。

また、基材１２’のエッチング面に沿って一方向に相対的にエッチング液ＥＬを流動させる他の方法としては、例えば、エッチング槽５０内のエッチング液ＥＬに浸漬させた基材１２’を、その面内方向に沿って一方向（例えば矢印ＳＤ₁方向又は矢印ＳＤ₂方向）に揺動させる方法等が挙げられる。基材１２’を面内方向に沿って一方向（矢印ＳＤ₁方向又は矢印ＳＤ₂方向）に揺動させることで、当該基材１２’のエッチング面に沿って、当該基材１２’の揺動方向と逆方向のエッチング液ＥＬの流れ（ＬＤ₁又はＬＤ₂）を形成することができる（図９参照）。基材１２’の面内方向に沿った一方向及びその逆方向（矢印ＳＤ₁方向又は矢印ＳＤ₂方向、以下「第１の揺動方向」とする。）に交互に連続して基材１２’を揺動させるようにしてもよいし、第１の揺動方向に交互に連続して１回又は複数回基材１２’を揺動させた後、当該第１の揺動方向に交差（例えば直交）する第２の揺動方向（基材１２’の面内方向に沿った一方向及びその逆方向）に交互に連続して１回又は複数回基材１２’を揺動させてもよい。基材１２’の揺動速度は、基材１２’の揺動により基材１２’のエッチング面に沿ってエッチング液ＥＬの流れが形成される程度に適宜設定されればよい。なお、図８に示されるエッチング液ＥＬの流れＬＤの方向は一例であってこれに限定されるものではない。例えば、図８（Ａ）や図８（Ｂ）において、エッチング槽５０の供給部５０_S及び排出部５０_Eの位置を入れ替えたり、図８（Ｃ）における、エッチング液ＥＬの対流の方向ＣＦをこれとは逆方向にしたりすることによって、図８に示されるエッチング液ＥＬの流れＬＤの方向とは逆方向の流れを形成することができる。

また、基材１２’のエッチング面に沿った一方向のエッチング液ＥＬの流れに対して同一方向及び／又は逆方向に基材１２’を揺動させる処理を行ってもよい。

また、基材１２’のエッチング面に沿った一方向のエッチング液の流れを形成し、当該エッチング液の流れを形成する処理（以下「流れ形成処理」という場合がある。）を停止した後、基材１２’の面内方向に沿って、上記エッチング液の流れ方向に対して同一方向及び／又は逆方向に基材１２’を揺動させてもよい。なお、基材１２’を揺動させる処理（以下「基材揺動処理」という場合がある。）を停止した後、再度、流れ形成処理を再開してもよく、流れ形成処理と基材揺動処理とを交互に連続して行ってもよい。

また、基材１２’のエッチング面に沿った一方向のエッチング液の流れを形成し、当該流れ形成処理を停止した後、第１の揺動方向に交互に連続して１回又は複数回基材１２’を揺動させ、その後、当該第１の揺動方向に交差（例えば直交）する第２の揺動方向（基材１２’の面内方向に沿った一方向及びその逆方向）に交互に連続して１回又は複数回基材１２’を移動（揺動）させてもよい。

さらに、ウェットエッチング工程の途中で、基材１２’の平面視における略中心を基材１２’の厚さ方向に通る軸線を回転軸として、基材１２’を所定の角度、回転させてもよい。この場合において、基材１２’のエッチング面におけるエッチング速度の分布を考慮して、基材１２’を回転させればよく、エッチング槽５０内のエッチング液ＥＬに基材１２’を浸漬させてから回転させるまでの時間は、上記エッチング速度の分布等に応じて決定すればよい。エッチング槽５０から取り出した基材１２’を回転させてもよいし、エッチング槽５０内のエッチング液ＥＬに浸漬させたままの状態で基材１２’を回転させてもよいが、後者の方が好ましい。なお、エッチング液ＥＬの流れを形成する処理と、基材１２’を揺動させる処理と、基材１２’を回転させる処理とを適宜組み合わせてもよい。

なお、多段の凸構造部１１を有するインプリントモールド用基板１は、上記のようにして形成された凸構造部１１の上面部１１Ａ上に凸部１１_Sに対応するマスクパターンを形成し、当該マスクパターンをマスクとしたドライエッチング処理により、凸部１１_Sを形成することで作製され得る。

［窪み部形成工程］
続いて、基材１２’の対向面１２Ｂ’に研削加工を施すことで、窪み部１４を形成してもよい（図７（Ｂ）参照）。

［インプリントモールドの製造方法］
上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の凸構造部１１の上面部１１Ａ（パターン領域）に、微細凹凸パターン２１に対応するハードマスクパターンを形成し、ハードマスクパターンをマスクとしてインプリントモールド用基板１にドライエッチング処理を施し、凸構造部１１の上面部１１Ａに微細凹凸パターン２１を形成することで、インプリントモールド２０（図５（Ａ）参照）を製造することができる。インプリントモールド用基板１のドライエッチングは、当該インプリントモールド用基板１の構成材料の種類に応じて適宜エッチングガスを選択して行われ得る。エッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガスを用いることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計思想や均等物をも含む趣旨である。

以下、実施例等により本開示をさらに詳細に説明するが、本開示は、下記の実施例等により何ら限定されるものではない。

［実施例１］
［インプリントモールド用基板の作製］
インプリントモールド用基板を作製するための基材１２’として、主面及びそれに対向する対向面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。

次に、基材１２’の主面１２Ａ’上にクロム（Ｃｒ）からなるハードマスク層（厚さ１００ｎｍ）をスパッタリングにより形成し、当該ハードマスク層上に、凸構造部に対応する平面視矩形状のレジストパターン４１（２５ｍｍ×３０ｍｍ）を形成した。レジストパターン４１をマスクとしたドライエッチング処理によりマスクパターン３１を形成し、当該マスクパターン３１をマスクとし、エッチング液としてフッ酸を用いたウェットエッチング処理により、石英ガラス基板の主面から突出する平面視矩形状の凸構造部１１（突出高さ１１_H：３０μｍ）が形成されてなるインプリントモールド用基板１を作製した。

上記ウェットエッチング処理において、底面側からエッチング液を供給可能な供給部と、上方からエッチング液を排出可能な排出部と、供給部及び排出部を接続する循環経路とを有するエッチング槽内のエッチング液に石英ガラス基板を浸漬させた状態で、エッチング液を循環させることでエッチング槽の底面側から上昇するエッチング液の流れを形成し、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させた。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの４．２％であった。

［実施例２］
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させることで、石英ガラス基板のエッチング面に沿って相対的に双方向にエッチング液を流動させた以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの２．４％であった。

［実施例３］
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させることで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を相対的に双方向に流動させる処理を行った以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの２．１％であった。

［実施例４］
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させ、その後石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させてから往復揺動を繰り返した以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの０．８％であった。

［実施例５］
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理（第１の揺動処理）、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理（第２の揺動処理）を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの１．９％であった。

［実施例６］
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理（第１の揺動処理）、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理（第２の揺動処理）を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの１．５％であった。

［実施例７］
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させた以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの３．６％であった。

［実施例８］
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理（第１の揺動処理）、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理（第２の揺動処理）を繰り返し行うとともに、途中で石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させ、再び第１の揺動処理及び第２の揺動処理を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの０．７％であった。

［実施例９］
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させた以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの５．０％であった。

［実施例１０］
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させ、その後石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させてから往復揺動を繰り返した以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの１．６％であった。

［実施例１１］
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理（第１の揺動処理）、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理（第２の揺動処理）を繰り返し行うとともに、途中で石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させ、再び第１の揺動処理及び第２の揺動処理を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板１を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の側面視において、ラウンド形状の側壁部１１Ｂを円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板１上に位置する点）として接続部１３を定義した。そして、インプリントモールド用基板１の凸構造部１１が形成されてなる第１面１２Ａ側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部１１の上面部１１Ａを構成する各辺１１_AS1～１１_AS4上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部１１の側壁部１１Ｂ及び基部１２の第１面１２Ａを接続する接続部１３の各辺１３_S1～１３_S4との間の長さ（各辺１１_AS1～１１_AS4に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅１３_PW1～１３_PW4とした。そして、各平面視幅１３_PW1～１３_PW4のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部１１の突出高さ１１_Hの１．６％であった。

［比較例］
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をエッチング液に浸漬させた状態でエッチングした以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板の側面視において、ラウンド形状の側壁部を円Ｃ₁又は長円Ｃ₂でフィッティングし、当該円Ｃ₁又は長円Ｃ₂の接線ＴＬの傾きがゼロとなる点（インプリントモールド用基板上に位置する点）として接続部を定義した。そして、インプリントモールド用基板の凸構造部が形成されてなる第１面側を走査型白色干渉顕微鏡により観察し、凸構造部の上面部を構成する各辺上において任意に選択される５つの選択点のそれぞれと、凸構造部の側壁部及び基部の第１面を接続する接続部の各辺との間の長さ（凸構造部の上面部の各辺に直交する方向における長さ）を計測し、計測された長さの算術平均値を求めて各平面視幅とした。そして、各平面視幅のうちの最大値と最小値との差を求めたところ、その差は凸構造部の突出高さの８％であった。

以上から明らかなように、ウェットエッチング処理において、エッチング液の循環処理、石英ガラス基板をその面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理、基板を回転させる処理を施した上記各実施例においては、凸構造部の上面部の外周を構成する各辺上において任意に選択される複数の選択点のそれぞれと、凸構造部の側壁部及び基部の第１面を接続する接続部の各辺との間の長さ（平面視幅）のうちの最大値と最小値との差は、凸構造部の高さの５％以下となり、高精度な凸構造部を有するインプリントモールド用基板が形成され得ることが確認された。一方で、上記のいずれかの処理を施さない比較例においては、平面視幅の最大値と最小値との差は５％を超過しており、高精度な凸構造部を有するインプリントモールド用基板を形成することが極めて困難であることが確認された。

１…インプリントモールド用基板
１１…凸構造部
１１Ａ…上面部
１１Ｂ…側壁部
１２…基部
１２Ａ…第１面
１２Ｂ…第２面
１４…窪み部
２０…インプリントモールド
２１…微細凹凸パターン

Claims (14)

1. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記第１面から突出する凸構造部とを備え、前記凸構造部は、上面部と、前記上面部の外周及び前記基部の前記第１面を接続するラウンド形状の側壁部とを有するインプリントモールド用基板の製造方法であって、
   前記上面部に対応する形状のエッチングマスクが形成されてなる主面及び当該主面に対向する対向面を有する基材をエッチングするエッチング工程を有し、
   前記エッチング工程において、前記基材の表面のうちのエッチング液が接触するすべての面に沿って前記エッチング液が一方向に相対的に流動するように前記基材をエッチングすることで、前記上面部の外周と前記上面部の外周及び前記第１面を接続する接続部との間の平面視幅を略均一とする
   インプリントモールド用基板の製造方法。
2. 前記エッチング工程において、前記平面視幅のうちの最大値と最小値との差が、前記凸構造部の高さの５％以内となるように、前記基材をエッチングする
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
3. 前記エッチング工程において、前記基材を前記エッチング液に浸漬させた状態で、前記エッチング液が前記基材の表面のうちの前記エッチング液が接触するすべての面に沿って一方向に相対的に流動するように前記基材をエッチングする
   請求項１又は２に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
4. 前記エッチング工程において、前記エッチング液に浸漬させた状態の前記基材を前記主面に略平行な一方向に揺動させながら前記基材をエッチングする
   請求項１～３のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
5. 前記エッチング工程において、所定の方向における一方側に位置する供給部と他方側に位置する排出部とを有するエッチング槽内にて前記エッチング液に前記基材を浸漬させ、前記供給部から前記エッチング液を供給させ、前記排出部から前記エッチング液を排出させることで前記基材をエッチングする
   請求項１又は２に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
6. 前記供給部と前記排出部との間に循環経路が設けられ、前記エッチング液を循環させながら前記基材をエッチングする
   請求項５に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
7. 前記基材は石英ガラスで構成されており、前記エッチング液はフッ酸を含む
   請求項１～６のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
8. 前記上面部の平面視形状が略矩形状であり、
   前記接続部は、平面視における前記上面部の各辺の外側に当該各辺に対向して位置する略直線状部分を含み、
   前記平面視幅は、前記上面部の各辺と、当該上面部の各辺に対向する前記略直線状部分との間の平面視における長さである
   請求項１～７のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
9. 前記平面視幅は、前記上面部の各辺の中点から前記略直線状部分までの平面視における長さである
   請求項８に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
10. 前記平面視幅は、前記上面部の各辺上の点のうちから任意に選択される選択点のそれぞれから、前記略直線状部分までの平面視における長さの算術平均値である
    請求項８に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
11. 前記基部の前記第２面には窪み部が形成されており、
    前記窪み部は、前記基部の前記第１面側に前記窪み部を投影した投影領域内に前記凸構造部が包摂され得るように前記基部の前記第２面に形成されている
    請求項１～１０のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
12. 前記エッチング工程後に、前記凸構造部の前記上面部上に凸部を形成する
    請求項１～１１のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
13. 請求項１～１１のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記凸構造部の前記上面部に微細凹凸パターンを形成する工程を有する
    インプリントモールドの製造方法。
14. 請求項１２に記載のインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記凸部の上面に微細凹凸パターンを形成する工程を有する
    インプリントモールドの製造方法。

Images