JP2021034456A - インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 - Google Patents
インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021034456A JP2021034456A JP2019150712A JP2019150712A JP2021034456A JP 2021034456 A JP2021034456 A JP 2021034456A JP 2019150712 A JP2019150712 A JP 2019150712A JP 2019150712 A JP2019150712 A JP 2019150712A JP 2021034456 A JP2021034456 A JP 2021034456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imprint mold
- convex structure
- substrate
- base material
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 171
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 93
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002585 base Substances 0.000 description 136
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
図1(A)は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図1(B)は、図1(A)に示されるインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。図2は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板における平面視幅について説明するための模式図である。
図5(A)は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。本実施形態におけるインプリントモールド20は、上記インプリントモールド用基板1の凸構造部11の上面部11Aに形成されてなる微細凹凸パターン21を有する。
図6は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面図で示す工程フロー図である。図7は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面図で示す、図6に続く工程フロー図である。図8(A)及び(B)は、図7(A)に示されるウェットエッチング工程の一例を示す模式図である。図9は、図7(A)に示されるウェットエッチング工程の他の例を示す模式図である。
まず、主面12A’及びそれに対向する対向面12B’を有する基材12’を準備し、基材12’の主面12A’にハードマスク層30及びレジスト層40をこの順に積層する(図6(A)参照)。
上記レジスト層40に対して所定の開口を有するフォトマスク(図示省略)を介した露光処理及び現像処理を施すことで、凸構造部11に対応するレジストパターン41を形成する(図6(B)参照)。
上記のようにして形成されたレジストパターン41をエッチングマスクとし、開口部から露出するハードマスク層30を、例えば、塩素系(Cl2+O2)のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、基材12’の主面12A’上にマスクパターン31を形成する(図6(C)参照)。
上記のようにして形成されたマスクパターン31をマスクとして基材12’にウェットエッチング処理を施し、その後、残存するマスクパターン31を除去することで、凸構造部11を形成する(図7(A)参照)。このとき、凸構造部11の上面部11Aの外周と上面部11Aの外周及び第1面12Aを接続する接続部13との間の平面視幅13PWが略均一となるように、基材12’にウェットエッチング処理を施す。なお、ウェットエッチング処理におけるエッチング液は、基材12’及びハードマスク層30(マスクパターン31)の構成材料によって適宜選択され得るものである。例えば、基材12’が石英ガラスにより構成され、ハードマスク層30(マスクパターン31)がクロムにより構成される場合、エッチング液としてはフッ酸等が好適に用いられる。
続いて、基材12’の対向面12B’に研削加工を施すことで、窪み部14を形成してもよい(図7(B)参照)。
上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板1の凸構造部11の上面部11A(パターン領域)に、微細凹凸パターン21に対応するハードマスクパターンを形成し、ハードマスクパターンをマスクとしてインプリントモールド用基板1にドライエッチング処理を施し、凸構造部11の上面部11Aに微細凹凸パターン21を形成することで、インプリントモールド20(図5(A)参照)を製造することができる。インプリントモールド用基板1のドライエッチングは、当該インプリントモールド用基板1の構成材料の種類に応じて適宜エッチングガスを選択して行われ得る。エッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガスを用いることができる。
[インプリントモールド用基板の作製]
インプリントモールド用基板を作製するための基材12’として、主面及びそれに対向する対向面を有する石英ガラス基板(152mm×152mm、厚さ6.35mm)を準備した。
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させることで、石英ガラス基板のエッチング面に沿って相対的に双方向にエッチング液を流動させた以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させることで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を相対的に双方向に流動させる処理を行った以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させ、その後石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させてから往復揺動を繰り返した以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理(第1の揺動処理)、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理(第2の揺動処理)を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理(第1の揺動処理)、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理(第2の揺動処理)を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させた以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液循環処理中に、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理(第1の揺動処理)、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理(第2の揺動処理)を繰り返し行うとともに、途中で石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させ、再び第1の揺動処理及び第2の揺動処理を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させた以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させ、その後石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させてから往復揺動を繰り返した以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をその主面の面内方向に沿って、エッチング槽の底面側からエッチング液の液面側に向かう方向と同一方向及びその逆方向に交互に連続して往復揺動させる処理(第1の揺動処理)、並びにそれに直交する方向に往復揺動させる処理(第2の揺動処理)を繰り返し行うとともに、途中で石英ガラス基板の主面の中心を通る厚さ方向の軸線を回転軸として当該石英ガラス基板を所定の角度、回転させ、再び第1の揺動処理及び第2の揺動処理を繰り返し行うことで、石英ガラス基板のエッチング面に沿ってエッチング液を流動させる処理を行った以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
エッチング液を循環させずに、石英ガラス基板をエッチング液に浸漬させた状態でエッチングした以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。
11…凸構造部
11A…上面部
11B…側壁部
12…基部
12A…第1面
12B…第2面
14…窪み部
20…インプリントモールド
21…微細凹凸パターン
Claims (16)
- 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基部と、
前記第1面から突出する凸構造部と
を備え、
前記凸構造部は、上面部と、当該上面部の外周及び前記基部の前記第1面を接続するラウンド形状の側壁部とを有し、
前記上面部の外周と前記側壁部及び前記第1面を接続する接続部との間の平面視幅が略均一である
インプリントモールド用基板。 - 前記平面視幅のうちの最大値と最小値との差が、前記凸構造部の高さの5%以内である
請求項1に記載のインプリントモールド用基板。 - 前記上面部の平面視形状が略矩形状であり、
前記接続部は、平面視における前記上面部の各辺の外側に当該各辺に対向して位置する略直線状部分を含み、
前記平面視幅は、前記上面部の各辺と、当該上面部の各辺に対向する前記略直線状部分との間の平面視における長さである
請求項1又は2に記載のインプリントモールド用基板。 - 前記平面視幅は、前記上面部の各辺の中点から前記略直線状部分までの平面視における長さである
請求項3に記載のインプリントモールド用基板。 - 前記平面視幅は、前記上面部の各辺上の点のうちから任意に選択される選択点のそれぞれから、前記略直線状部分までの平面視における長さの算術平均値である
請求項3に記載のインプリントモールド用基板。 - 前記基部の前記第2面には窪み部が形成されており、
前記窪み部は、前記基部の前記第1面側に前記窪み部を投影した投影領域内に前記凸構造部が包摂され得るように前記基部の前記第2面に形成されている
請求項1〜5のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。 - 前記インプリントモールド用基板は、石英ガラス基板である
請求項1〜6のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。 - 前記凸構造部の前記上面部から突出する1段以上の凸部をさらに備える
請求項1〜7のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。 - 請求項1〜7のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記上面部に微細凹凸パターンが形成されてなる
インプリントモールド。 - 請求項8に記載のインプリントモールド用基板の最上段に位置する前記凸部の上面に微細凹凸パターンが形成されてなる
インプリントモールド。 - 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基部と、前記第1面から突出する凸構造部とを備え、前記凸構造部は、上面部と、前記上面部の外周及び前記基部の前記第1面を接続するラウンド形状の側壁部とを有するインプリントモールド用基板の製造方法であって、
前記上面部に対応する形状のエッチングマスクが形成されてなる主面及び当該主面に対向する対向面を有する基材をエッチングするエッチング工程を有し、
前記エッチング工程において、前記上面部の外周と前記上面部の外周及び前記第1面を接続する接続部との間の平面視幅が略均一となるように、前記基材をエッチングする
インプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程において、前記平面視幅のうちの最大値と最小値との差が、前記凸構造部の高さの5%以内となるように、前記基材をエッチングする
請求項11に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程において、前記基材の表面のうちのエッチング液が接触するすべての面に沿って前記エッチング液が相対的に流動するように前記基材をエッチングする
請求項11又は12に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程において、前記基材を前記エッチング液に浸漬させた状態で、前記エッチング液が前記基材の表面のうちの前記エッチング液が接触するすべての面に沿って相対的に流動するように前記基材をエッチングする
請求項13に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程において、前記エッチング液に浸漬させた状態の前記基材を前記主面に略平行な方向に揺動させながら前記基材をエッチングする
請求項13又は14に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記基材は石英ガラスで構成されており、前記エッチング液はフッ酸を含む
請求項13〜15のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019150712A JP7310435B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019150712A JP7310435B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021034456A true JP2021034456A (ja) | 2021-03-01 |
JP7310435B2 JP7310435B2 (ja) | 2023-07-19 |
Family
ID=74676038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019150712A Active JP7310435B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7310435B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120069486A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴 플레이트의 제조방법 및 그를 이용한 패턴 형성방법 및 액정표시장치의 제조방법 |
JP2012134319A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィ用モールド、およびその製造方法 |
JP2014232745A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート基板、テンプレートブランク、ナノインプリント用テンプレート、および、テンプレート基板の製造方法、並びに、テンプレート基板の再生方法 |
JP2018113347A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 旭硝子株式会社 | インプリントモールド |
JP2019068051A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | キヤノン株式会社 | 遮光材料を用いたナノインプリントテンプレートと製造方法 |
-
2019
- 2019-08-20 JP JP2019150712A patent/JP7310435B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120069486A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴 플레이트의 제조방법 및 그를 이용한 패턴 형성방법 및 액정표시장치의 제조방법 |
JP2012134319A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィ用モールド、およびその製造方法 |
JP2014232745A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート基板、テンプレートブランク、ナノインプリント用テンプレート、および、テンプレート基板の製造方法、並びに、テンプレート基板の再生方法 |
JP2018113347A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 旭硝子株式会社 | インプリントモールド |
JP2019068051A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | キヤノン株式会社 | 遮光材料を用いたナノインプリントテンプレートと製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7310435B2 (ja) | 2023-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100536072C (zh) | 聚合物或抗蚀剂图案、以及金属膜图案、金属图案和使用图案的塑料模具及其制造方法 | |
JP6028384B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
US6749997B2 (en) | Method for providing an arbitrary three-dimensional microstructure in silicon using an anisotropic deep etch | |
JP6150909B2 (ja) | 露光装置 | |
CN105359255B (zh) | 反射型光掩模及其制造方法 | |
KR20110046438A (ko) | 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템 | |
TWI794584B (zh) | 產生液滴圖案之方法、用於以液滴圖案成型膜之系統以及以液滴圖案製造物品之方法 | |
JP6273860B2 (ja) | インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 | |
WO2019134444A1 (zh) | 掩模板及制备方法、膜层制备方法和封装结构 | |
JP2021034456A (ja) | インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 | |
KR20140095102A (ko) | 임프린트용 몰드 및 그 제조 방법 | |
JP2021034457A (ja) | インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 | |
JP7318224B2 (ja) | インプリントモールド用基板、インプリントモールド、およびインプリントモールド用基板の製造方法 | |
JP7215174B2 (ja) | インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 | |
JP2017152650A (ja) | インプリントモールド用ガラス板、インプリントモールド用積層板、およびインプリントモールド | |
JP2010002757A (ja) | 成形体の成形方法、成形体、及び微細構造体の製造方法 | |
JP2019113714A (ja) | フォトマスク、並びにインプリントモールド用ブランクス及びその製造方法 | |
JP6593504B2 (ja) | インプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板の製造方法及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6972581B2 (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6996333B2 (ja) | ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法 | |
JP6950224B2 (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6988223B2 (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP5428401B2 (ja) | 凸状パターン形成体の製造方法 | |
JP7302347B2 (ja) | インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 | |
JP7205325B2 (ja) | 被加工基板、インプリントモールド用基板及びインプリントモールド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20191223 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220628 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7310435 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |