JP7215174B2 - インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
本開示の一実施形態として、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基材と、前記基材の前記第1面から突出し、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部とを備え、前記第1面における前記凸構造部の近傍に、前記凸構造部の大きさを測定するための指標として用いられる複数の凸構造部計測用マークが形成されており、前記複数の凸構造部計測用マークが、前記凸構造部の前記上面部を構成する少なくとも1辺に沿って形成されており、前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部の前記上面部の前記1辺から前記凸構造部の高さの2倍以上離間した位置に形成されているインプリントモールド用基板が提供される。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
図1は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図2は、図1に示すインプリントモールド用基板におけるA部の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図3は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様(その1)における図2のA部に相当する部分の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図4は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様(その2)における図2のA部に相当する部分の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図5は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の他の態様(その3)の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図6は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。
図9は、本実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す断面図である。
本実施形態におけるインプリントモールド10は、上記インプリントモールド用基板1の凸構造部3の上面部31に形成されてなる凹凸パターン11を有する。
上述した構成を有するインプリントモールド用基板1の製造方法の一例について説明する。図10は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を示す工程フロー図であり、図11は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程前における第1~第3マスクパターンの概略構成を示す部分拡大平面図であり、図12は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程の途中における第1~第3マスクパターンの概略構成を示す部分拡大平面図であり、図13は、図12におけるA-A線断面図であり、図14は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程の途中において第2マスクパターン及び第3マスクパターンが剥がれ落ちることを説明するための部分拡大平面図であり、図15は、図14におけるB-B線断面図であり、図16は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のウェットエッチング工程終了時における第1マスクパターン、凸構造部計測用パターン5及び寸法計測用パターン6の概略構成を示す部分拡大平面図であり、図17は、図16におけるC-C線断面図である。
まず、第1面2A’及びそれに対向する第2面2B’を有する基材2’を準備し、基材2’の第1面2A’にハードマスク層70及びレジスト層80をこの順に積層する(図10(A)参照)。
上記レジスト層80に対して所定の開口を有するフォトマスク(図示省略)を介した露光処理及び現像処理を施すことで、凸構造部3に対応する第1レジストパターン81、凸構造部計測用マーク5に対応する第2レジストパターン82、寸法計測用マーク6に対応する第3レジストパターン83及び基材計測用マーク7に対応する第4レジストパターン84を形成する(図10(B)参照)。
上記のようにして形成された第1レジストパターン81、第2レジストパターン82、第3レジストパターン83及び第4レジストパターン84をエッチングマスクとし、開口部から露出するハードマスク層70を、例えば、塩素系(Cl2+O2)のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、基材2’の第1面2A’上に第1マスクパターン71、第2マスクパターン72、第3マスクパターン73及び第4マスクパターン74を形成する(図10(C)参照)。
上記のようにして形成された第1マスクパターン71、第2マスクパターン72、第3マスクパターン73及び第4マスクパターン74をマスクとして基材2’にウェットエッチング処理を施す(図10(D),(E)参照)。ウェットエッチング処理におけるエッチング液としては、例えばフッ酸等が好適に用いられる。
上記のようにして凸構造部3が形成された後、当該凸構造部3の上面部31(パターン領域PA)に、凹凸パターン11に対応するハードマスクパターンを形成し、ハードマスクパターンをマスクとしてインプリントモールド用基板10にドライエッチング処理を施し、凸構造部3の上面に凹凸パターン11を形成することで、インプリントモールド10(図9参照)が製造される。インプリントモールド用基板1のドライエッチングは、当該インプリントモールド用基板1の構成材料の種類に応じて適宜エッチングガスを選択して行なわれ得る。エッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガス等を用いることができる。
2…基材
2A…第1面
2B…第2面
3…凸構造部
31…上面部
32…側面部
5…凸構造部計測用マーク
6…寸法計測用マーク
7…基材計測用マーク
10…インプリントモールド
11…凹凸パターン
Claims (19)
- 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基材と、
前記基材の前記第1面から突出し、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部と
を備え、
前記第1面における前記凸構造部の近傍に、前記凸構造部の大きさを測定するための指標として用いられる複数の凸構造部計測用マークが形成されており、
前記複数の凸構造部計測用マークのそれぞれが、前記凸構造部の前記上面部の少なくとも一つの角部を形成する2辺のそれぞれの延長線上であって、前記凸構造部計測用マークの幾何学的中心を前記延長線が通るように形成されている
インプリントモールド用基板。 - 前記各凸構造部計測用マークと所定の間隔を隔てた位置に寸法計測用マークが形成されており、
前記寸法計測用マークの幾何学的中心と前記各凸構造部計測用マークの幾何学的中心とを結ぶ線分は、前記凸構造部の前記上面部の前記角部を形成する2辺のうちのいずれか1辺と実質的に平行である
請求項1に記載のインプリントモールド用基板。 - 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基材と、
前記基材の前記第1面から突出し、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部と
を備え、
前記第1面における前記凸構造部の近傍に、前記凸構造部の大きさを測定するための指標として用いられる複数の凸構造部計測用マークが形成されており、
前記複数の凸構造部計測用マークのそれぞれが、前記凸構造部の前記上面部の少なくとも一つの角部を形成する2辺のそれぞれの延長線上に位置し、
前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部の前記上面部の前記角部から前記凸構造部の高さの2倍以上離間した位置に形成されている
インプリントモールド用基板。 - 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基材と、
前記基材の前記第1面から突出し、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部と
を備え、
前記第1面における前記凸構造部の近傍に、前記凸構造部の大きさを測定するための指標として用いられる複数の凸構造部計測用マークが形成されており、
前記複数の凸構造部計測用マークが、前記凸構造部の前記上面部を構成する少なくとも1辺に沿って形成されており、
前記凸構造部計測用マークは、前記凸構造部の前記上面部の前記1辺から前記凸構造部の高さの2倍以上離間した位置に形成されている
インプリントモールド用基板。 - 前記複数の凸構造部計測用マークの各幾何学的中心を通る線分が、前記凸構造部の前記上面部を構成する前記1辺と実質的に平行である
請求項4に記載のインプリントモールド用基板。 - 前記凸構造部計測用マークは、平面視において回転対称形状を有する
請求項1~5のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。 - 前記凸構造部計測用マークは、前記基材の前記第1面から突出しており、
前記凸構造部計測用マークの高さは、前記凸構造部の高さよりも低い
請求項1~6のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。 - 前記基材の前記第1面には、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークが形成されている
請求項1~7のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。 - 請求項1~8のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記第1面に設定されるパターン領域に形成されてなる凹凸パターンを有する
インプリントモールド。 - 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基材を準備する基材準備工程と、
前記基材の前記第1面上の略中央に位置する略方形状の第1マスクパターン形成領域に、平面視略方形状の上面部を有する凸構造部に対応する第1マスクパターンを形成するとともに、前記第1マスクパターン形成領域の周囲に位置する第2マスクパターン形成領域に、凸構造部計測用マークに対応する第2マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
前記第1マスクパターン及び前記第2マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第1面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第1面から突出する前記凸構造部及び前記凸構造部計測用マークを形成するエッチング工程と
を含み、
前記第1マスクパターンの大きさは、平面視における前記凸構造部の前記上面部の大きさよりも大きく、前記凸構造部の前記上面部を包摂可能な大きさである
インプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記マスクパターン形成工程において、複数の前記凸構造部計測用マークのそれぞれに対応する複数の前記第2マスクパターンを、前記基材の前記第1面上に形成される前記凸構造部の前記上面部の少なくとも一つの角部を形成する2辺のそれぞれの延長線上に位置するように形成する
請求項10に記載のインプリントモールド用基板。 - 前記マスクパターン形成工程において、前記延長線が前記第2マスクパターンの幾何学的中心に重なるように前記第2マスクパターンを形成する
請求項11に記載のインプリントモールド用基板。 - 前記マスクパターン形成工程において、前記各第2マスクパターンと所定の間隔を隔てた位置に、寸法計測用マークに対応する第3マスクパターンをさらに形成し、
前記エッチング工程において、前記第1~第3マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第1面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第1面から突出する前記凸構造部、前記凸構造部計測用マーク及び前記寸法計測用マークを形成する
請求項11又は12に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記各第2マスクパターンの幾何学的中心と前記第3マスクパターンの幾何学的中心とを結ぶ線分が、前記第1マスクパターンの角部を形成する2辺のうちのいずれか1辺と実質的に平行になるように、前記第3マスクパターンを形成する
請求項13に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程の途中に前記凸構造部計測用マークを指標として用いて前記第1マスクパターンの外周縁に対応する位置からの前記基材のサイドエッチング量を計測する
請求項10~14のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程は、前記サイドエッチング量の計測前に実施される第1エッチング工程と、前記サイドエッチング量の計測後に実施される第2エッチング工程とを少なくとも含み、
前記第1エッチング工程において、前記凸構造部計測用マークと、前記凸構造部の前記上面部よりも大きい上面部を有する仮凸構造部とが少なくとも形成され、
前記サイドエッチング量を計測することで、前記第1エッチング工程における第1サイドエッチング量と前記第2エッチング工程において必要となる第2サイドエッチング量とを求め、
前記第2エッチング工程において、前記第2サイドエッチング量に従って前記基材のエッチングが実施される
請求項15に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記マスクパターン形成工程において、少なくとも前記基材の大きさを測定するための指標として用いられる基材計測用マークに対応する第4マスクパターンをさらに形成し、
前記エッチング工程において、前記第1~第4マスクパターンをマスクとして前記基材の前記第1面にウェットエッチング処理を施すことで、前記基材の前記第1面から突出する前記凸構造部、前記凸構造部計測用マーク、前記寸法計測用マーク及び前記基材計測用マークを形成する
請求項10~16のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 前記第2~第4マスクパターンは、前記エッチング工程の途中で前記第2~第4マスクパターンが剥がれ落ちる程度の大きさで形成される
請求項17に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。 - 請求項10~18のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記凸構造部の前記上面部に凹凸パターンを形成する工程を有するインプリントモールドの製造方法。
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