JP2012134319A - ナノインプリントリソグラフィ用モールド、およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 転写領域を上面とするメサ構造を形成するために非転写領域を掘り下げるエッチング工程において、同時にネームマーク等を構成する識別構造体を形成し、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さに応じた特定の大きさに形成することにより、上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
一度モールドを作製すれば、ナノ構造が簡単に繰り返して成型できるため高いスループットが得られて経済的であるため、近年、半導体デバイスに限らず、さまざまな分野への応用が期待されている。
光インプリント法は、室温で低い印加圧力でパターン転写でき、熱インプリント法のような加熱・冷却サイクルが不要でモールドや樹脂の熱による寸法変化が生じないために、解像性、アライメント精度、生産性などの点で優れていると言われている。
すなわち、ナノインプリントリソグラフィ用モールドは、通常、その転写領域の表面が前記非転写領域の表面から所定の高さの位置に形成されたメサ構造をしている。
従来のフォトマスクでは、上述の露光領域および非露光領域が、同一平面であるため、上述のようなマークは、通常、デバイス・パターンの形成と同一工程で形成されていた。具体的には、上述のようなマークは、デバイス・パターンの描画と同一工程で描画され、デバイス・パターンのエッチング加工と同一工程でエッチング加工されて、形成されていた。
0<W<2×H
となる短辺を有するエッチングマスクを、前記識別構造体形成用のエッチングマスクとし、等方性のエッチング液を用いて前記基板をエッチング加工することにより、前記転写領域を上面とするメサ構造と、前記メサ構造の高さよりも低い高さの前記識別構造体とを、同一工程で形成することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用モールドの製造方法である。
L1×h/H<L2<L1
の関係となるように、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを配設することを特徴とする請求項4に記載のナノインプリントリソグラフィ用モールドの製造方法である。
さらに、ネームマーク等を構成する識別構造体と、転写領域を上面とするメサ構造とを、同一工程で形成することができるため、ネームマーク等を形成する場合でも、別途ネームマーク等を形成するための工程を増やす必要はなく、少ない工程数でモールドを製造することができる。
まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用モールドについて説明する。
図1は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用モールドの例を示す説明図であり、(a)は概略平面図、(b)は(a)におけるA−A断面図、(c)は(b)におけるR部の拡大図を示す。
L1×h/H<L2<L1
となるように、識別構造体5が、形成されていることが好ましい。
図2は、本発明に係る識別構造体の例を示す説明図であり、(a)は識別構造体の概略平面形状、(b)は(a)におけるB−B断面図を示す。
基板7については、ナノインプリントリソグラフィ用モールドに用いられる基板であれば用いることができる。例えば、フォトマスクに用いられている合成石英基板を用いることができ、その大きさは、例えば、縦152mm、横152mm、厚さ0.25インチである。
転写領域2の大きさは、ナノインプリントリソグラフィ用モールドに用いられる大きさであれば、特に制限されないが、例えば、縦26mm、横33mmの大きさである。
また、転写領域2を上面とするメサ構造は、通常、基板7の上にエッチングマスクを形成し、ウェットエッチングにより非転写領域4を掘り下げることで形成され、その高さ(H)は、例えば、30μmである。
次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用モールドの製造方法について説明する。
0<W<2×H
となるように形成する。
L1×h/H<L2<L1
となるように、エッチングマスク8aを配設することが好ましい。
図4は、本発明に係る識別構造体の製造方法の例を示す概略工程図である。図4に示すように、基板7の上に幅Wのエッチングマスク8aを形成し(図4(a))、等方性のエッチングを行うと、エッチングマスク8aに覆われた基板7の部位も時間とともにエッチングが進行する(図4(b))。
なお、前記構造体6の上端の間隔Pは、エッチングマスク8aの中心間隔と同じである。
(H−h)2+(W/2)2=H2
の関係が成り立つことから、前記構造体6の高さhは、概ね
h=H−{H2―(W/2)2}1/2
と予想できる。ただし、現実的には、前記構造体6の高さhは、実験により求められるものである。
(実施例1)
基板7として、縦152mm、横152mm、厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、この合成石英基板の一主面上に、厚さ0.05μmのCr膜をスパッタ成膜し、従来と同様のフォトリソグラフィ製版によって、識別構造体形成用のエッチングマスク8aおよび転写領域2を上面とするメサ構造形成用のエッチングマスク8bを形成した。
一方、エッチングマスク8bは、縦26mm、横33mmの矩形パターンであり、エッチングマスク8bの中心が、基板7の中心と一致するように配設した。
ここで、エッチング深さ、すなわち、転写領域2を上面とするメサ構造の高さ(H)は30μmとした。
2・・・転写領域
3・・・傾斜領域
4・・・非転写領域
5・・・識別構造体
6・・・ライン状構造体
7・・・基板
8・・・エッチングマスク層
8a、8b・・・エッチングマスク
101・・・ナノインプリントリソグラフィ用モールド
102・・・転写領域
103・・・傾斜領域
104・・・非転写領域
105・・・マーク領域
106・・・マーク構造体
107・・・基板
IE・・・転写領域外縁
OE・・・非転写領域外縁
MP・・・構造体断面の頂点
Claims (5)
- 基板上に、転写領域を上面とするメサ構造と、前記メサ構造の周辺に非転写領域とを有するナノインプリントリソグラフィ用モールドであって、
前記非転写領域には、略三角形状の断面を有するライン状若しくはドット状の構造体の群からなる識別構造体が形成されており、前記識別構造体の高さが、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さよりも低く形成されていることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用モールド。 - 前記識別構造体の高さが、前記転写領域の外縁と前記非転写領域の外縁とを結ぶ面よりも低くなる位置に、前記識別構造体が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のナノインプリントリソグラフィ用モールド。
- 前記識別構造体の少なくとも一部が、文字、数字、記号のいずれか一種を認識させるネームマーク、IDコード、またはアライメントマークであることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィ用モールド。
- 基板上に、転写領域を上面とするメサ構造と、前記メサ構造の周辺に非転写領域とを有し、前記非転写領域には識別構造体が形成されているナノインプリントリソグラフィ用モールドの製造方法であって、
短辺の長さWが、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さをHとした場合に、
0<W<2×H
となる短辺を有するエッチングマスクを、前記識別構造体形成用のエッチングマスクとし、等方性のエッチング液を用いて前記基板をエッチング加工することにより、
前記転写領域を上面とするメサ構造と、前記メサ構造の高さよりも低い高さの前記識別構造体とを、同一工程で形成することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用モールドの製造方法。 - 前記転写領域を上面とするメサ構造の高さをHとし、前記識別構造体の高さをhとし、前記転写領域の外縁から前記非転写領域の外縁までの水平方向の距離をL1とし、前記転写領域から最も外側に位置する前記識別構造体の頂点から前記非転写領域の外縁までの水平方向の距離をL2とした場合に、前記距離L2が、
L1×h/H<L2<L1
の関係となるように、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを配設することを特徴とする請求項4に記載のナノインプリントリソグラフィ用モールドの製造方法。
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