JP2001085501A

JP2001085501A - 位置合わせ方法および加工装置

Info

Publication number: JP2001085501A
Application number: JP26191199A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ishino; 隆石野; Katsuyuki Naito; 勝之内藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-09-16
Filing date: 1999-09-16
Publication date: 2001-03-30
Anticipated expiration: 2019-09-16
Also published as: JP4091222B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ナノメートルレベルの精度の加工を可能とす
る、マスクや原盤と基板の位置合わせの方法および加工
装置を提供すること。【解決手段】パターンが形成されたマスク２１もしく
は原盤を保持する手段と、加工される基板３１を保持す
る手段と、マスク２１もしくは原盤と基板３１の特定箇
所にセルフアライン部位を有し、マスク２１もしくは原
盤と基板３１の相対位置の測定を、マスク２１もしく
は原盤上、あるいは基板３１上に形成された、相対位置
を光干渉法で光学的に検出する方法マスク２１もしく
は原盤上、あるいは基板３１上に形成された、蛍光物質
と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出する
方法マスク２１もしくは原盤上、あるいは基板上に形
成された、相対位置を検出するＡＦＭまたはＳＴＭの
からのいずれかの方法で行うことを特徴とする位置合
わせ方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ナノメートルレベ
ルの精度で加工が可能とするマスクもしくは原盤と基板
の位置合わせ方法および加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光の回折限界を越えて、微細なリソグラ
フィーを実現するいわゆる超解像を利用する方法として
近接場光を利用する方法が知られている。これには、微
小な開口を有するプローブを用いる方法（特開平７−１
０６２２９号公報）や、よりスループットを上げるため
にマスクをレジストに極めて近距離に置く方法（特開平
８−１７９４９３号公報）や密着させる方法がある。

【０００３】一方、光や電子線によるリソグラフィーで
はなくナノインプリンティングと呼ばれる方法が新しい
ナノ加工技術として提案されている。これはナノレベル
で凹凸のある原盤を基板上のレジストなどに押しつけて
加工する方法である。

【０００４】近接場光用のマスクやナノインプリンティ
ング用の原盤を用いて基板を加工する方法の欠点はマス
クや原盤と基板との位置合わせが困難であり、そのため
位置合わせの必要のない一回の加工のみに限定される場
合がほとんどであり、通常の光リソグラフィのように何
回も位置合わせを行いながら加工することができなかっ
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ナノ
メートルレベルの精度の加工を可能とする、マスクや原
盤と基板の位置合わせの方法および加工装置を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、原盤の凹凸を
利用したスタンプあるいはマスクからの光学的なパター
ン転写による、ナノメーター精度の加工を実現するため
の位置合わせ方法として、次のような方法を提案する。
すなわち、位置合わせの方法として、パターンが形成さ
れたマスクもしくは原盤を保持する手段と、加工される
基板を保持する手段を有し、マスクもしくは原盤と基板
の相対位置の制御を、まず双方の特定の箇所に形成され
たセルフアラインメント（相対位置の自己制御）部位に
よって行う。ここで述べられるセルフアラインメント部
位とは、立体的な構造として、鍵と鍵穴の関係にあるも
のでもよく、あるいは双方の特定の接触箇所において、
水平方向の距離が増大するに従って、物理的なエネルギ
ー勾配により互いに引力を生ずるもの、例えば双方の特
定の接触箇所を化学的に修飾することで、表面エネルギ
ーの差を生じさせる（メニスカス力を利用した、セルフ
アラインメント機構）ものであってもよい。ここに示さ
れたセルフアラインメントの機構により、仮に異なるパ
ターンを有するマスクもしくは原盤を用いて、すでに同
じ方法でパターンが転写された基板に対して再度パター
ン転写を行う場合にも、パターンが描かれた部分の全て
を転写する際の、全面での相対的な位置関係が保証され
る。

【０００７】さらにパターン部と、加工される基板との
相対位置制御の精度をナノメーターレベルにまで向上さ
せるために、本発明では以下のような方法を提案する。
その第１の方法は、パターンが形成されたマスクもしく
は原盤を保持する手段と、加工される基板を保持する手
段を有し、マスクもしくは原盤と基板の相対位置の測定
を、マスクもしくは原盤上、および基板上に形成された
傾斜台間の光干渉縞の変化を検出することによって行う
ことを特徴とするものである。

【０００８】その第２の方法として本発明が提案する方
法は、マスクもしくは原盤上、あるいは基板上にマーク
された蛍光物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の
変化を検出することによって行うことを特徴とする。

【０００９】蛍光物質と蛍光消光物質の距離はエネルギ
ー移動による消光の場合は数十ｎｍから消光が顕著とな
り、電子移動による消光の場合は数ｎｍから消光が顕著
となる。いずれの場合も蛍光強度は距離の指数関数で表
現できる。したがってエネルギー移動と電子移動による
消光を組み合わせた位置制御も可能である。蛍光物質と
しては有機、無機種々の蛍光物質を用いることができ
る。また蛍光消光物質としては、エネルギー移動のため
には金属や色素が好ましい。また電子移動のためには蛍
光物質とはイオン化ポテンシャルや電子親和力が異なる
有機物質や無機物質を用いることができる。一般にエネ
ルギー移動は蛍光物質の蛍光スペクトルが蛍光消光物質
の吸収スペクトルと重なる場合に起こる。

【００１０】本発明が提案する第３の位置合わせ方法
は、パターンが形成されたマスクもしくは原盤を保持す
る手段と、加工される基板を保持する手段を有し、マス
クもしくは原盤と基板の相対位置の測定を、マスクもし
くは原盤上、および基板上に形成された微小チップ間の
トンネル電流、原子間力、もしくは散乱光の変化を検出
することによって行うことを特徴とする。なお１から３
の位置合わせ方法は、最終的に、位置合わせにかかわる
部位間の水平方向の相対位置をナノメートルオーダーで
制御するために、パターンが形成されたマスクもしくは
原盤の側、あるいは加工される側の基板のいずれかある
いは双方に、ＳＴＭ、ＡＦＭ等で用いられる、ピエゾ素
子を用いた位置制御機構によって、水平方向の相対位置
を決定することが望ましい。

【００１１】これら本発明が提案する位置合わせ方法と
前述した双方の基板のセルフアラインメント機構によっ
て、パターンが形成されたマスクもしくは原盤と加工さ
れる基板とのパターンが描かれた全面におけるナノメー
ター精度の相対位置制御を、実現することが可能とな
る。

【００１２】このような機構に基づく、パターンが形成
されたマスクもしくは原盤および加工される基板の双方
の位置合わせ方法の形態として、本発明は、次のような
方法を提案する。

【００１３】すなわち、前述したセルフアラインメント
機構により、マスクもしくは原盤と加工される基板全面
の相対位置制御を行った上で、前述の位置合わせ方法
１、２により、パターン部と加工される基板の間のサブ
ミクロンオーダーから数１０ｎｍに至るまでの相対位置
制御を行う。これらの位置合わせ手段は、パターン部の
周辺付近に形成されることが望ましい。さらに最終的な
パターン転写の精度を、ナノメーター・サブナノメータ
ーレベルまで向上させるために、本発明が提案する位置
合わせ方法では、パターン部と加工される基板の中心部
分において、前述の第３の位置合わせ方法、すなわち、
ＳＴＭ・ＡＦＭの測定法によるトンネル電流、あるいは
原子間力を検出するための部位を設けることによって、
パターンの中心部付近から、パターン全面にわたり、加
工される基板との間の相対的な位置制御の精度をナノメ
ーター・サブナノメーターレベルで保証することが可能
となる。

【００１４】またセルフアラインメント機構、および相
対位置の調整機構の一つの形態として、次のようなもの
であってもよい。すなわち、パターンが形成されたマス
クもしくは原盤および加工される基板のいずれかがディ
スク形状を有する場合、パターンが形成されたマスクも
しくは原盤を保持する手段と、加工される基板を保持す
る手段を有し、マスクもしくは原盤と基板の位置合わせ
を、マスクもしくは原盤の回転中心、および基板の回転
中心を合わせることと、マスクもしくは原盤、あるいは
基板を回転させることにより、相対位置の調整を行うこ
とを特徴とする位置合わせ方法である。

【００１５】以上、本発明が提案する位置合わせ方法を
利用することにより、パターンが形成されたマスクもし
くは原盤を、加工される基板にナノメートルの相対位置
の精度を保った状態で接触させ、凹凸のパターンを有す
る基板に一定の機械的圧力を加える、あるいはマスクの
場合は、一定の間隔を保った状態、あるいは接触させた
状態で、光源からの特定波長の光を照射、あるいは電子
線や粒子線を照射することにより、パターンを基板上に
転写し、その後ＲＩエッチングや化学エッチング等の後
処理（現像工程）を経て、ナノメートル精度の高スルー
プットのパターン転写を行う加工装置を実現することが
できる。また、既に加工を施した基板に対して、異なる
パターンを有するマスクもしくは原盤を用いて、再度同
様の方法で相対位置制御をナノメートル精度で行いなが
ら、パターンの加工を行うことができる。

【００１６】本発明が提案する位置合わせ方法および、
加工装置は、ナノメートル精度の高スループット加工に
必須の技術であり、パターン転写を行う加工方法であれ
ば、フォトン、電子線、粒子線等、エネルギー粒子の種
類や密着、縮小、近接場等の露光方法の種類を問わず、
例えば異なる加工原理に基づく加工方法を、その加工精
度に応じて使い分け、複数回の加工に必要なパターン間
の相対位置を調整することにより、あらゆるサイズの複
雑なパターンを高スループットで形成することが可能と
なる。これにより、数１０ナノメートルオーダーの回路
パターンを有する複雑な量子化デバイスやその他複合デ
バイス、テラビットクラス以上の、超高密度記録媒体の
記録方式やアドレッシングに応じて、トラッキング用の
パターン、プレフォーマット用のパターンやランド＆グ
ルーブのパターンを形成することが可能となる。

【００１７】この装置には、位置合わせ方法の項で既に
述べたように、パターン部と加工される基板の中心部分
において、前述の第３の位置合わせ方法、すなわち、Ｓ
ＴＭ・ＡＦＭの測定法によるトンネル電流、あるいは原
子間力を検出するための部位を設けることによって、よ
り効果的にナノメーター・サブナノメーターレベルの加
工精度を保証することが可能となる。

【００１８】また、位置合わせ方法の項で既に述べたよ
うに、セルフアラインメント機構、および相対位置の調
整機構の一つの形態として、次のようなものであっても
よい。すなわち、パターンが形成されたマスクもしくは
原盤および加工される基板のいずれかがディスク形状を
有する場合、パターンが形成されたマスクもしくは原盤
を保持する手段と、加工される基板を保持する手段を有
し、マスクもしくは原盤と基板の位置合わせを、マスク
もしくは原盤の回転中心、および基板の回転中心を合わ
せることと、マスクもしくは原盤、あるいは基板を回転
させることにより、相対位置の調整を行うことを特徴と
する加工装置である。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。（第１の実施の形態）図１に本実施の形態に係る加工装
置の構成を示した。１１はマスク２１を保持するための
ホルダー、１２は基板３１を保持するためのホルダー、
１３は基板ホルダーをＸ、Ｙ、Ｚ方向に精密に駆動する
ための微動アクチュエーター、１４は微動アクチュエー
ターをＸ、Ｙ、Ｚ方向に大まかに駆動するための粗動ア
クチュエーター、１５はＳＴＭ信号を処理するための計
測系、１６は大まかな位置決めのための光学顕微鏡であ
る。なお、加工装置は加熱できる、真空チャンバー（図
示せず）の中に収納されている。

【００２０】ここで図２で示すようにガラスマスク２１
を、ポリメチルメタクリレートを塗布したＳｉＯ２／Ｓ
ｉ基板上３１に設置した。マスク２１にはパターンを転
写するためのクロムからなる凹凸部２２（凹部は５０ｎ
ｍ角の四角で深さ１００ｎｍで、１００ｎｍ間隔で設
置）と、セルフアラインメントのための凸部２３が設け
られている。また光学的に大まかに位置決めするための
マーク２４が設けられている。またマスクの中央にはナ
ノメートルで制御するための金属製のＳＴＭプローブ２
５が設置されている。なおＳＴＭプローブはマスク２１
に導電スルホール２６を設けて１５と電気接続してい
る。基板３１上にはポリメチルメタクリレート塗布膜３
２、セルフアラインメントのための凹凸部３３が設けら
れている。また、中央にはナノメートルで制御するため
のＳＴＭプローブ２５に対応する、３つの金属製のプロ
ーブ３４が設けられている。また光学的に大まかに位置
決めするためのマーク３５が設けられている。

【００２１】マスク２１と基板３１は光学顕微鏡１７を
用いてマーク２４およびマーク３５が合うように合わせ
た。次にセルフアライメント用の凹凸がかみ合うように
設置した。次にＳＴＭプローブ２５を用いて３つの金属
プローブの位置を測定し、その中央にプローブ２５が来
るようにした。次に、基板３１のみを上昇させ凹凸パタ
ーン２２をポリメチルメタクリレート塗布膜３２に転写
した。なおこれらの操作は真空下、１２０Ｃで行った。
基板３１を静かに下降させマスク２１を剥がした。

【００２２】次に基板３１をＲＩエッチング処理した
後、残ったポリメチルメタクリレートを溶剤で除去し
た。その結果ＳｉＯ２／Ｓｉ基板には５０ｎｍ角の凸部
が１００ｎｍ間隔で形成されていた。

【００２３】次にマスク２１の代わりに、別のパターン
形状の凹凸を持つマスクを設置し、上と同様な方法で基
板３１にパターンを転写し、ＲＩエッチング処理した
後、残ったポリメチルメタクリレートを溶剤で除去し
た。なおパターン凹凸はパターン凹凸２２の四角い凹部
の中央に直径２０ｎｍの丸い凸が来るように設計した。

【００２４】作成されたＳｉＯ２／Ｓｉ基板をＡＦＭで
観測したところ、中央に２０ｎｍの穴を持つ５０ｎｍ角
の凸部が１００ｎｍ間隔で形成されていた。

【００２５】（第２の実施の形態）図３に本実施の形態
に係る加工装置の構成を示した。４１はマスク５１を保
持するためのホルダー、４２は基板６１を保持するため
のホルダー、４３は基板ホルダーをＸ、Ｙ、Ｚ方向に精
密に駆動するための微動アクチュエーター、４４は微動
アクチュエーターをＸ、Ｙ、Ｚ方向に大まかに駆動する
ための粗動アクチュエーター、４５は蛍光信号を検出す
るための光ディテクター、４６は蛍光信号を処理するた
めの計測系、４７は大まかな位置決めのための光学顕微
鏡である。なお、加工装置は加熱できる、真空チャンバ
ー（図示せず）の中に収納されている。

【００２６】ここで図４で示すようにガラス性のマスク
５１を、ポリメチルメタクリレートを塗布したＳｉ０２
／Ｓｉ基板上３１に設置した。マスク５１にはパターン
を転写するためのクロクからなる凹凸部５２（凹部は５
０ｎｍ角の四角で深さ１００ｎｍで、１００ｎｍ間隔で
設置）と、セルフアラインメントのための凸部５３が設
けられている。また光学的に大まかに位置決めするため
のマーク５４が設けられている。またマスクの中央には
ナノメートルで制御するための蛍光色素のスポット（５
ｎｍ径）５５が設置されている。基板６１上にはポリメ
チルメタクリレート塗布膜６２、セルフアラインメント
のための凹凸部６３が設けられている。また、中央には
ナノメートルで制御するための、３つの金属製のプロー
ブ６４が設けられている。また光学的に大まかに位置決
めするためのマーク６５が設けられている。

【００２７】マスク５１と基板６１は光学顕微鏡４７を
用いてマーク５４およびマーク６５が合うように合わせ
た。次にセルフアライメント用の凹凸がかみ合うように
設置した。次に蛍光強度の変化から、３つの金属プロー
ブ６４の位置を測定し、その中央に蛍光スポット５５が
来るようにした。次に、基板６１のみを上昇させ凹凸パ
ターン５２をポリメチルメタクリレート塗布膜６２に転
写した。なおこれらの操作は真空下、１２０Ｃで行っ
た。基板６１を静かに下降させマスク５１を剥がした。

【００２８】次に基板６１をＲＩエッチング処理した
後、残ったポリメチルメタクリレートを溶剤で除去し
た。その結果ＳｉＯ２／Ｓｉ基板には５０ｎｍ角の凸部
が１００ｎｍ間隔で形成されていた。

【００２９】次にマスク５１の代わりに、別のパターン
形状の凹凸を持つマスクを設置し、上と同様な方法で基
板６１にパターンを転写し、ＲＩエッチング処理した
後、残ったポリメチルメタクリレートを溶剤で除去し
た。なおパターン凹凸はパターン凹凸５２の四角い凹部
の中央に直径２０ｎｍの丸い凸が来るように設計した。

【００３０】作成されたＳｉＯ２／Ｓｉ基板をＡＦＭで
観測したところ、中央に２０ｎｍの穴を持つ５０ｎｍ角
の凸部が１００ｎｍ間隔で形成されていた。（第３の実
施の形態）図５に本実施の形態に係る加工装置の構成を
示す。

【００３１】７１は転写するパターンを有するマスク基
板７２を保持するためのホルダー、８１は加工される基
板８２を保持するためのホルダー。７３はマスクパター
ンの位置合わせを行うためのレーザー光照射を行う光学
系、７４は光干渉の信号を検出する計測系。７５はセル
フアラインメントを行うためにマスク基板側に設けられ
た部位、７６はマスク基板の中心部に設けられたピンホ
ール、７７はＡＦＭプローブ、なお図では省略したがＡ
ＦＭプローブの変位検出は、別のレーザー光学系によ
り、マスク基板の中心部に設けられたピンホールを通じ
て行う。また、近接場光露光のための光源は、７３で兼
ねても良いし、別に設けても良い。８３は基板ホルダー
をＸ、Ｙ、Ｚ方向に駆動するための微動アクチュエー
タ、８４は粗動アクチュエータ。８５は加工される基板
をパターン基板に対して、適当な圧力で加圧するための
加圧機構である。

【００３２】この加工装置の詳細は、図６に示される。
９１はガラス基板上に形成された金属Ｃｒからなる転写
用パターン、９２は基板上に塗布されたＰＭＭＡレジス
ト、９３、９４は光学的な位置合わせを行うマーク部、
９５は加工される基板側に設けられたセルフアラインメ
ント部位、９６は転写用パターン側に設けられた、ＡＦ
Ｍのプローブ、９７はＡＦＭによる相対位置制御の基準
となる凹凸のパターン（中心部と周辺部とでは、高さが
異なる）。

【００３３】この装置を用いて次のような加工を行っ
た。ディスク状の５インチ径のＳｉ基板（表面は自然酸
化膜に覆われている）表面にポリメチル・メタクリレー
トのレジストを５０ｎｍの厚さでスピンコートし、この
上から、記載されている装置のマスクパターン（ガラス
基板状に金属Ｃｒによる回路パターンが描かれている、
１００ｎｍピッチ、幅３０ｎｍのライン＆スペース）を
１００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力を加えながら、基板上に押し
付けた。その後基板上面から紫外線を照射し、近接場光
露光によるパターン転写を行った。その後マスクパター
ンを９０度回転させ、まず周辺のセルフアラインメント
部位で全体のパターン基板と、加工される基板側の相対
位置調整を行った後、再度パターン側基板の中心部に設
けられたＡＦＭ探針と加工される基板側の中心部に設け
られた基準点との相対位置を微動ステージによって調整
する。その後再びマスクパターンを同じ条件で基板上に
押し付け、同様の方法で近接場光による露光−パターン
転写を行った。この２回のパターン転写後、現像液でパ
ターンを現像し、基板の形状をＡＦＭで観察したとこ
ろ、高さ５０ｎｍ、一辺の長さ３０ｎｍ、１００ｎｍピ
ッチのドットパターン（正方格子）が形成されているこ
とが確認された。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクあるいは原盤上に形成されたナノメートル・オー
ダーのパターンを他の基板上へ繰り返し、高精度で転写
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る加工装置の構
成を示す図。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る位置合わせ方
法を説明するための図。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係る加工装置の構
成を示す図。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る位置合わせ方
法を説明するための図。

【図５】本発明の第３の実施の形態に係る加工装置の構
成を示す図。

【図６】本発明の第３の実施の形態に係る位置合わせ方
法を説明するための図。

【符号の説明】

１１…マスク２１を保持するためのホルダー１２…基板３１を保持するためのホルダー１３…微動アクチュエーター１４…粗動アクチュエーター１５…ＳＴＭ信号計測系１６…光学顕微鏡２１…マスク２２…パターンを転写するための凹凸部２３…セルフアラインメントのための凸部２４…光学的な位置決めのためのマーク２５…ＳＴＭプローブ２６…導電スルホール３１…ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板３２…ポリメチルメタクリレート塗布膜３３…セルフアラインメントのための凹凸部３４…３つの金属製プローブ３５…光学的な位置決めのためのマーク４１…マスク５１を保持するためのホルダー４２…基板６１を保持するためのホルダー４３…微動アクチュエーター４４…粗動アクチュエーター４５…光ディテクター４６…蛍光信号を処理する計測系４７…位置決めのための光学顕微鏡５１…ガラス性マスク５２…クロムからなる凹凸部５３…セルフアラインメントのための凸部５４…光学的な位置決めのためのマーク５５…蛍光色素のスポット６１…基板６２…ポリメチルメタクリレート塗布膜６３…セルフアラインメントのための凹凸部６４…３つの金属製プローブ６５…光学的な位置決めのためのマーク７１…ホルダー７２…マスク基板７３…レーザー光学系７４…光干渉の信号検出および計測系７５…セルフアラインメント部位７６…ピンホール７７…ＡＦＭプローブ８１…ホルダー８２…基板８３…微動アクチュエータ８４…粗動アクチュエータ８５…加圧機構９１…転写用Ｃｒパターン９２…ポリメチルメタクリレート・レジスト９３，９４…光学的な位置合わせ用のマーク９５…セルフアラインメント部位９６…ＡＦＭプローブ９７…位置制御の基準となるパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F031 CA07 JA02 JA22 JA38 JA50 KA11 MA27 5F046 AA28 BA02 BA10 CC01 CC02 CC03 CC05 EA13 EA18 EA21 EB01 EB02 FA05 FA17 FA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターンが形成されたマスクもしくは原
盤を保持する手段と、加工される基板を保持する手段
と、マスクもしくは原盤と基板の特定箇所にセルフアラ
イン部位を有し、マスクもしくは原盤と基板の相対位置
の測定を、マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成
された相対位置を光干渉法で光学的に検出するか、マス
クもしくは原盤上あるいは基板上に形成された蛍光物質
と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出する
か、またはマスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成
された相対位置を検出するＡＦＭもしくはＳＴＭのいず
れかの方法で行うことを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項２】マスクもしくは原盤と基板の位置合わせ
を、マスクもしくは原盤の中心部に設けられたＡＦＭま
たはＳＴＭのいずれかの方法で行うことを特徴とする請
求項１記載の位置合わせ方法。
【請求項３】パターンが形成されたマスクもしくは原
盤を保持する手段と、加工される基板を保持する手段
と、マスクもしくは原盤と基板の特定箇所にセルフアラ
イン部位を有し、マスクもしくは原盤と基板の相対位置
の測定を、マスクもしくは原盤上、あるいは基板上に形
成された、相対位置を光干渉法で光学的に検出するか、
マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された蛍光
物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出
するか、またはマスクもしくは原盤上、あるいは基板上
に形成された、相対位置を検出するＡＦＭもしくはＳＴ
Ｍのいずれかの方法で行うことを特徴とする加工装置。
【請求項４】マスクもしくは原盤と基板の位置合わせ
を、マスクもしくは原盤の中心部に設けられたＡＦＭま
たはＳＴＭのいずれかの方法で行うことを特徴とする請
求項３記載の加工装置。
【請求項５】光透過・屈折・回折の選択性を有するパ
ターンが形成されたマスクもしくは原盤を保持し、これ
に加圧することで、加工される基板あるいは基板上の塗
布膜へパターンを密着させ、同時にパターン上面からの
光入射により、基板あるいは基板上の塗布膜上への近接
場露光を行うことを特徴とする、請求項３、４記載の加
工装置。