JP2013134435A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 透明基板上に形成された下層膜及び上層膜がそれぞれパターニングされた転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
   透明基板上に、下層膜、上層膜が積層して形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
   前記上層膜の上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記上層膜をエッチングする上層膜予備エッチング工程と、
   少なくともエッチングされた前記上層膜をマスクとして前記下層膜をエッチングし、下層膜パターンを形成する下層膜パターニング工程と、
   少なくとも前記レジストパターンをマスクとして前記上層膜をサイドエッチングし、上層膜パターンを形成する上層膜パターニング工程と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
2. 前記下層膜は、前記転写用パターンを被転写体に転写するときに用いる露光光を一部透過する半透光膜であり、前記上層膜は、前記露光光を実質的に遮光する遮光膜であることを特徴とする請求項１のフォトマスクの製造方法。
3. 前記転写用パターンは、前記透明基板が露出した透光部と、前記透明基板上に下層膜と上層膜が積層して形成された遮光部と、前記透明基板上に下層膜が形成され、上層膜が無い半透光部と、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。
4. 前記転写用パターンは、前記遮光部のエッジに隣接して形成された線幅０．１μｍ〜１．０μｍの前記半透光部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
5. 前記下層膜は、露光光に含まれる代表波長に対し２〜９０％の透過率をもち、かつ、前記代表波長に対する位相シフト量が略１８０°であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
6. 前記下層膜は、露光光に含まれる代表波長に対し２〜６０％の透過率をもち、かつ、前記代表波長に対する位相シフト量が０°を越え９０°以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
7. 前記上層膜パターニング工程と、前記上層膜予備エッチング工程とにおいて、同一のエッチャントを用いたウェットエッチングを実施することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
8. 前記転写用パターンは、ラインアンドスペースパターンを含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
9. 前記ラインアンドスペースパターンは、前記遮光部のエッジに隣接し、前記遮光部を中心として対称に形成された第１半透光部と第２半透光部とを有するラインパターンを含むことを特徴とする、請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。
10. 前記転写用パターンは、ホールパターンを含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
11. 前記ホールパターンは、前記遮光部に開口したホールのエッジに、一定幅の半透光部が形成されてなることを特徴とする、請求項１０に記載のフォトマスクの製造方法。
12. 透明基板上の下層膜及び上層膜がそれぞれパターニングされて形成された透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクであって、
    前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、
    前記遮光部は、前記透明基板上において、前記下層膜上に上層膜が積層して形成されてなり、
    前記半透光部は、前記透明基板上に前記下層膜が形成されてなり、かつ、前記遮光部のエッジに隣接して形成された１．０μｍ以下の一定線幅の部分を有することを特徴とするフォトマスク。
13. 透明基板上の下層膜及び上層膜がそれぞれパターニングされて形成された透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクであって、
    前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、
    前記遮光部は、前記透明基板上において、前記下層膜上に上層膜が積層して形成されてなり、
    前記半透光部は、前記透明基板上に前記下層膜が形成されてなり、かつ、前記遮光部の第１のエッジに隣接して形成された第１半透光部と、前記遮光部の前記第１のエッジに対向する第２のエッジに隣接して形成された第２半透光部と、をそれぞれ有し、
    前記第１半透光部の線幅と前記第２半透光部の線幅との差が０．１μｍ以下であることを特徴とするフォトマスク。
14. 前記下層膜は、露光光に含まれる代表波長に対し２〜９０％の透過率をもち、かつ、前記代表波長に対する位相シフト量が略１８０°であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のフォトマスク。
15. 前記下層膜は、露光光に含まれる代表波長に対し２〜６０％の透過率をもち、かつ、前記代表波長に対する位相シフト量が０°を越え９０°以下であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のフォトマスク。
16. 前記転写用パターンは、ラインアンドスペースパターンを含むことを特徴とする、請求項１２〜１５のいずれかに記載のフォトマスク。
17. 前記ラインアンドスペースパターンは、前記遮光部のエッジに隣接し、前記遮光部を中心として対称に形成された第１半透光部と第２半透光部とを有するラインパターンを含むことを特徴とする、 請求項１６に記載のフォトマスク。
18. 前記転写用パターンは、ホールパターンを有することを特徴とする、請求項１２〜１５のいずれかに記載のフォトマスク。
19. 前記ホールパターンは、前記遮光部に開口したホールのエッジに、一定幅の半透光部が形成されてなることを特徴とする、請求項１８に記載のフォトマスク。
20. 請求項１〜１１のいずれかに記載の製造方法によるフォトマスク、又は請求項１２〜１９のいずれかに記載のフォトマスクを用意する工程と、
    ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを含む露光光源を有する露光装置により、被転写体上に前記転写用パターンを転写する工程と、
    を含むことを特徴とするパターン転写方法。
21. 転写用パターンを備えるフォトマスクを用意する工程と、
    露光装置により、被転写体上に前記転写用パターンを転写する工程とを含む、パターン転写方法であって、
    前記転写用パターンは、透明基板上に形成された下層膜及び上層膜がそれぞれパターニングされてなる透光部、遮光部、及び半透光部を含み、
    前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、
    前記遮光部は、前記透明基板上において、前記下層膜上に上層膜が積層して形成されてなり、
    前記半透光部は、前記透明基板上に前記下層膜が形成されてなるとともに、前記遮光部のエッジに隣接して形成された１．０μｍ以下の一定線幅の部分を有し、
    前記転写用パターンを転写する工程において、ｉ線、ｈ線、ｇ線を含む露光光を用いることを特徴とする、パターン転写方法。
22. 請求項１〜１１のいずれかに記載の製造方法によるフォトマスク、又は請求項１２〜１９のいずれかに記載のフォトマスクを用意する工程と、
    ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを含む露光光源を有する露光装置により、被転写体上に前記転写用パターンを転写する工程を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
23. 転写用パターンを備えるフォトマスクを用意する工程と、
    露光装置により、被転写体上に前記転写用パターンを転写する工程とを含む、フラットパネルディスプレイの製造方法であって、
    前記転写用パターンは、透明基板上に形成された下層膜及び上層膜がそれぞれパターニングされてなる透光部、遮光部、及び半透光部を含み、
    前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、
    前記遮光部は、前記透明基板上において、前記下層膜上に上層膜が積層して形成されてなり、
    前記半透光部は、前記透明基板上に前記下層膜が形成されてなるとともに、前記遮光部のエッジに隣接して形成された１．０μｍ以下の一定線幅の部分を有し、
    前記転写用パターンを転写する工程において、ｉ線、ｈ線、ｇ線を含む露光光を用いることを特徴とする、フラットパネルディスプレイの製造方法。