JP2010276724A5 - - Google Patents

Description

本発明の第３の態様は、前記第２半透光部を透過する前記露光光と、前記透光部を透過
する前記露光光との干渉によって形成される光強度が、前記第２半透光部を透過する前記
露光光の光強度以上となるように、前記第２半透光部を透過する前記露光光と、前記透光
部を透過する前記露光光との位相差が制御されている第１又は第２の態様に記載の多階調
フォトマスクである。

本発明の第５の態様は、前記第１半透光部は、前記透明基板上に第１半透光膜が形成さ
れてなり、前記第２半透光部は、前記透明基板上に第２半透光膜が形成されてなる第１か
ら第３のいずれかの態様に記載の多階調フォトマスクである。

その後、残留している遮光膜１１３及び露出した第１半透光膜１１１を覆う第２のレジ
スト膜１３２を形成する。第２のレジスト膜１３２は、ポジ型フォトレジスト材料或いは
ネガ型フォトレジスト材料により構成することが可能である。以下の説明では、第２のレ
ジスト膜１３２がポジ型フォトレジスト材料より形成されているものとする。第２のレジ
スト膜１３２は、例えばスピン塗布やスリットコータ等の手法を用いて形成することが出
来る。第２のレジスト膜１３２が形成された状態を図２（ｃ）に例示する。

遮光部２２１は、ガラス基板等の透明基板２１０上に順に半透光性の第１半透光膜２１
１、遮光膜２１３、及び半透光性の第２半透光膜２１２が積層されてなる。第１半透光部
２２２は、透明基板２１０上に形成された第１半透光膜２１１がパターニングされてなる
。第２半透光部２２３は、透明基板２１０上に第２半透光膜２１２が形成されてなる。透
光部２２４は、透明基板２１０の表面が露出されてなる。なお、第１半透光膜２１１、遮
光膜２１３、及び第２半透光膜２１２がパターニングされる様子については後述する。

図３（ｂ）に、多階調フォトマスク２００によって被転写体１に形成されるレジストパ
ターン４ｐの部分断面図を例示する。本実施形態に係る多階調フォトマスク２００を用い
ても、上述の実施形態と同様に、被転写体１上に膜厚が段階的に異なるレジストパターン
４ｐを形成することができる。

なお、上記において、第１半透光部２２２を透過する露光光の位相及び光透過率は、第
１半透光膜２１１の材質及び膜厚によって設定される。また、第２半透光部２２３を透過
する露光光の位相及び光透過率は、第２半透光膜２１２の材質及び膜厚によって設定され
る。

遮光膜３１３は、実質的にクロム（Ｃｒ）からなる。なお、遮光膜３１３の表面にＣｒ
化合物（ＣｒＯ、ＣｒＣ，ＣｒＮ等）を積層すれば、遮光膜３１３の表面に反射抑制機能
を持たせることが出来る。遮光膜３１３は、上述のクロム用エッチング液を用いてエッチ
ング可能なように構成されている。

そして、第３のレジストパターン３３３ｐを剥離等して除去し、本実施形態に係る多階
調フォトマスク３００の製造を完了する。第３のレジストパターン３３３ｐは、第３のレ
ジストパターン３３３ｐに剥離液を接触させて剥離させることができる。透明基板３１０
上に遮光部３２１、透光部３２４、第１半透光部３２２及び第２半透光部３２３を含む転
写パターンが形成された多階調フォトマスク３００の部分断面図を図６（ｇ）に例示する
。