JP2011090344A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクであって、二種類の膜厚をもつレジストパターンを形成するためのグレートーンマスクにおいて、
   透明基板上に形成された遮光膜パターンと半透光膜パターンを有し、前記遮光部は、少なくとも前記遮光膜パターンの遮光膜により形成され、前記半透光部は、基板露出部に形成された半透光膜により形成され、
   該グレートーンマスクは、ｇ線、ｈ線、及びｉ線を含む光源を持つ露光装置によって露光されるものであり、かつ、前記半透光膜は、前記ｉ線から前記ｇ線までの露光波長領域において、透過率変化が１．５％以下であることを特徴とするグレートーンマスク。
2. 前記グレートーンマスクは薄膜トランジスタ基板製造用グレートーンマスクであり、かつ、前記二種類の膜厚をもつレジストパターンは、前記薄膜トランジスタ基板のチャネル部形成領域が、ソースドレイン形成領域より薄いレジストパターンであることを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスク。
3. 前記半透光膜は、前記ｉ線に対する前記透光部の透過率を１００％としたとき、２０〜６０％の透過率を有するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のグレートーンマスク。
4. 前記半透光膜は、前記遮光膜と同一のエッチング液によってウェットエッチングされるものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のグレートーンマスク。
5. 前記半透光膜は、クロム（Ｃｒ）と窒素（Ｎ）を含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のグレートーンマスク。
6. 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクであって、二種類の膜厚をもつレジストパターンを形成するためのグレートーンマスクの製造方法であって、
   透明基板上に形成された遮光膜の上に、遮光部を形成するための第１のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をウェットエッチングして遮光膜パターンを形成し、残存した第１のレジストパターンを剥離する工程と、
   前記遮光膜パターン上に半透光膜を形成し、その上に透光部を形成するための第２のレジストパターンを形成する工程と、
   前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をウェットエッチングして半透光膜パターンを形成し、残存した第２のレジストパターンを剥離する工程と、
   を有し、
   該グレートーンマスクは、ｇ線、ｈ線、及びｉ線を含む光源を持つ露光装置によって露光されるものであり、かつ、前記半透光膜は、前記ｉ線から前記ｇ線までの露光波長領域において、透過率変化が１．５％以下であることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
7. 前記グレートーンマスクは薄膜トランジスタ基板製造用グレートーンマスクであり、かつ、前記二種類の膜厚をもつレジストパターンは、前記薄膜トランジスタ基板のチャネル部形成領域が、ソースドレイン形成領域より薄いレジストパターンであることを特徴とする請求項６に記載のグレートーンマスクの製造方法。
8. 請求項１乃至５のいずれかに記載のグレートーンマスクを、ｇ線、ｈ線、及びｉ線を含む光源を持つ露光装置によって露光することにより、前記パターンを被転写体へ転写することを特徴とするパターン転写方法。