JP6761255B2 - エッチング液およびエッチング液により加工されたフォトマスク - Google Patents
エッチング液およびエッチング液により加工されたフォトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP6761255B2 JP6761255B2 JP2016026232A JP2016026232A JP6761255B2 JP 6761255 B2 JP6761255 B2 JP 6761255B2 JP 2016026232 A JP2016026232 A JP 2016026232A JP 2016026232 A JP2016026232 A JP 2016026232A JP 6761255 B2 JP6761255 B2 JP 6761255B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching solution
- etching
- photomask
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 121
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 126
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 39
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 32
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 12
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 chromium nitride, chromium oxide nitride Chemical class 0.000 claims description 8
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P diazanium;cerium(3+);pentanitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 2
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims 1
- KVJOVJBZNJUNMG-UHFFFAOYSA-R [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KVJOVJBZNJUNMG-UHFFFAOYSA-R 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- PMTGXDAKINWIEX-UHFFFAOYSA-N N.N.N.N Chemical compound N.N.N.N PMTGXDAKINWIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 12
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- WVRJUMZHKISIJD-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;disulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O WVRJUMZHKISIJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Weting (AREA)
Description
したがって本発明の課題は、かかる問題点を解消し、膜厚の微調整が可能であり、かつ、均一な膜厚を実現するための低いエッチングレートを有するエッチング液および当該エッチング液を用いた階調マスクの製造方法を提供することにある。
[1]フォトマスクの光学膜のパターン加工に用いるエッチング液であって、前記フォトマスクが3階調以上を有するフォトリソグラフィ用であり、硝酸二アンモニウムセリウム(IV)もしくは硫酸四セリウム(IV)アンモニウムを含む、エッチング液。
[2]フォトマスクが、露光光透過率の異なる第1半透光部と第2半透光部とを有することを特徴とする、[1]に記載のエッチング液。
[3]さらに、酸を含む、[1]または[2]に記載のエッチング液。
[4]酸が、硫酸、メタンスルホン酸、硝酸、酢酸および過塩素酸からなる群から選択される1または2種以上である、[3]に記載のエッチング液。
[5]光学膜が、クロムおよび/またはクロム化合物を含む膜である、[1]〜[4]のいずれか一に記載のエッチング液。
[6]クロム化合物が、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸化窒化物およびクロム酸化窒化炭化物からなる群から選択される1または2種以上である、[5]に記載のエッチング液。
[7]エッチングレートが、0.1nm/min.以上100.0nm/min.以下である、[1]〜[6]のいずれか一に記載のエッチング液。
[8]エッチングレートが、0.1nm/min.以上5.0nm/min以下である、[1]〜[6]のいずれか一に記載のエッチング液。
[9]露光光透過率の異なる複数の領域を有する転写パターンを備える階調マスクを製造する方法であって、[1]〜[8]のいずれか一に記載のエッチング液を用いて光学膜をパターン加工する、前記方法。
[10]パターン加工前の光学膜が、遮光膜および/または半透光膜である、[9]に記載の方法。
[11]半透光領域が露光光透過率が10〜70%で互いに異なる複数の半透光部を有し、少なくとも3階調を有する、[9]または[10]に記載の方法。
[12][9]〜[11]のいずれか一に記載の製造方法により製造された階調マスク。
ここで、エッチング液とは、階調マスクを構成する光学膜、例えばクロム膜またはクロム化合物をエッチングするためのエッチング組成物であって、硝酸二アンモニウムセリウム(IV)もしくは硫酸四セリウム(IV)アンモニウムを含むエッチング液組成物である。
光学膜とは、半透光膜、エッチングストッパ膜、遮光膜を意味し、パターン加工とは、フォトマスク製造工程におけるパターン加工を意味する。
例えば、階調マスクとして有用な、いわゆる省PEP(表示装置パネルを製造する際に、使用するフォトマスクの数を低減する)にも適している。
各評価基板aを2.0cm×2.0cmを割断し、エッチング液浸漬前に蛍光X線分析装置(ZSX100e)を用いて酸化クロム膜の膜厚を測定した。
各エッチング液組成物80mlが入ったガラス容器中に25℃、15〜1800秒間撹拌浸漬し、超純水リンスを1分間行い、窒素ブローにより乾燥させて、各評価基板bが得られた。
各評価基板bについて、蛍光X線分析装置を用いて、酸化クロム膜のエッチング量を測定し、浸漬時間とエッチング量とからエッチングレート(E.R.)を算出した。結晶の析出の有無とエッチングレートの結果を、エッチング液組成物の成分及びその成分の濃度とともに、表1と表2に示す。
Claims (9)
- フォトマスクの光学膜のパターン加工に用いるエッチング液であって、前記フォトマスクが3階調以上を有するフォトリソグラフィ用であり、硝酸二アンモニウムセリウム(IV)ならびに硫酸、メタンスルホン酸および酢酸からなる群から選択される1または2種以上の酸を含む、または硫酸四セリウム(IV)アンモニウムならびに硫酸、メタンスルホン酸、酢酸および硝酸からなる群から選択される1または2種以上の酸を含む、エッチング液。
- フォトマスクが、露光光透過率の異なる第1半透光部と第2半透光部とを有することを特徴とする、請求項1に記載のエッチング液。
- 光学膜が、クロムおよび/またはクロム化合物を含む膜である、請求項1または2に記載のエッチング液。
- クロム化合物が、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム酸化窒化物およびクロム酸化窒化炭化物からなる群から選択される1または2種以上である、請求項3に記載のエッチング液。
- エッチングレートが、0.1nm/min.以上100.0nm/min.以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のエッチング液。
- エッチングレートが、0.1nm/min.以上5.0nm/min.以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のエッチング液。
- 露光光透過率の異なる複数の領域を有する転写パターンを備える階調マスクを製造する方法であって、請求項1〜6のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて光学膜をパターン加工する、前記方法。
- パターン加工前の光学膜が、遮光膜および/または半透光膜である、請求項7に記載の方法。
- 半透光領域の露光光透過率が10〜70%で互いに異なる複数の半透光部を有し、少なくとも3階調を有する、請求項7または8に記載の方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016026232A JP6761255B2 (ja) | 2016-02-15 | 2016-02-15 | エッチング液およびエッチング液により加工されたフォトマスク |
KR1020170020040A KR20170095747A (ko) | 2016-02-15 | 2017-02-14 | 에칭액 및 에칭액에 의해 가공된 포토 마스크 |
CN201710080816.3A CN107085351B (zh) | 2016-02-15 | 2017-02-15 | 蚀刻液及经蚀刻液加工的光掩模 |
TW106104892A TWI718249B (zh) | 2016-02-15 | 2017-02-15 | 蝕刻液及階度罩的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016026232A JP6761255B2 (ja) | 2016-02-15 | 2016-02-15 | エッチング液およびエッチング液により加工されたフォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017146365A JP2017146365A (ja) | 2017-08-24 |
JP6761255B2 true JP6761255B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=59615260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016026232A Active JP6761255B2 (ja) | 2016-02-15 | 2016-02-15 | エッチング液およびエッチング液により加工されたフォトマスク |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6761255B2 (ja) |
KR (1) | KR20170095747A (ja) |
CN (1) | CN107085351B (ja) |
TW (1) | TWI718249B (ja) |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS539060B1 (ja) * | 1971-05-24 | 1978-04-03 | ||
TW275671B (en) * | 1994-11-16 | 1996-05-11 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method for half-tone phase shifting mask |
US6162565A (en) * | 1998-10-23 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Dilute acid rinse after develop for chrome etch |
TW390975B (en) * | 1999-09-14 | 2000-05-21 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method of fabricating high transparency phase-shift-decaying mask |
TW517286B (en) * | 2000-12-19 | 2003-01-11 | Hoya Corp | Gray tone mask and method for producing the same |
JP3749204B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2006-02-22 | 林純薬工業株式会社 | クロムエッチング液からのセリウムの回収方法 |
WO2005124455A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Hoya Corporation | マスクブランク用透光性基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法、並びに露光用マスクの欠陥修正方法 |
KR100848815B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2008-07-28 | 엘지마이크론 주식회사 | 하프톤 마스크 및 그 제조방법 및 이를 이용한평판패널디스플레이 |
TW200639576A (en) * | 2005-02-28 | 2006-11-16 | Hoya Corp | Method of manufacturing gray level mask, gray level mask, and gray level mask blank |
JP5433925B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2014-03-05 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクおよび階調マスク |
JP5407125B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2014-02-05 | 大日本印刷株式会社 | 階調マスク |
KR101242625B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2013-03-19 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | 하프톤 마스크, 하프톤 마스크 블랭크 및 하프톤 마스크의 제조 방법 |
JP2014115675A (ja) * | 2014-02-17 | 2014-06-26 | Hoya Corp | 表示装置製造用多階調フォトマスク、表示装置製造用多階調フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-02-15 JP JP2016026232A patent/JP6761255B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-14 KR KR1020170020040A patent/KR20170095747A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-02-15 CN CN201710080816.3A patent/CN107085351B/zh active Active
- 2017-02-15 TW TW106104892A patent/TWI718249B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107085351B (zh) | 2022-05-31 |
CN107085351A (zh) | 2017-08-22 |
TW201741442A (zh) | 2017-12-01 |
JP2017146365A (ja) | 2017-08-24 |
KR20170095747A (ko) | 2017-08-23 |
TWI718249B (zh) | 2021-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101145453B1 (ko) | 마스크 블랭크 및 포토마스크 | |
JP5306507B2 (ja) | ブランクマスク及びフォトマスク | |
JP2015049282A (ja) | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 | |
US9778560B2 (en) | Method for preparing halftone phase shift photomask blank | |
JP2017182052A (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び表示装置の製造方法 | |
JP6544964B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 | |
JP2017033004A (ja) | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 | |
KR20080106307A (ko) | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크와 그들의 제조 방법 | |
JP2017181545A (ja) | 表示装置製造用フォトマスクの製造方法 | |
CN105717738B (zh) | 光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法 | |
KR100561895B1 (ko) | 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법 | |
KR20180082395A (ko) | 포토마스크 블랭크 | |
JP2018163335A (ja) | フォトマスク、及び表示装置の製造方法 | |
JP7371198B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 | |
CN107229181A (zh) | 相移掩模坯板、相移掩模及显示装置的制造方法 | |
JP6761255B2 (ja) | エッチング液およびエッチング液により加工されたフォトマスク | |
KR100849849B1 (ko) | 평탄 투과율 그레이톤 블랭크마스크 및 이를 이용한포토마스크 | |
KR101182082B1 (ko) | 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 다계조 포토마스크 | |
JP7490485B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 | |
JP2009092840A (ja) | フォトマスクおよびフォトマスクブランクス | |
TWI686663B (zh) | 相移空白罩幕 | |
JP2010243598A (ja) | 階調マスクおよび階調マスクの製造方法 | |
JP7258717B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法 | |
KR20100096650A (ko) | 그레이톤 블랭크 마스크 및 그레이톤 포토마스크 | |
JP2024082468A (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200828 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6761255 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |