TWI718249B - 蝕刻液及階度罩的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種在微影用光罩的製造中可精確地控制光罩所具有之半透光部的透光率之蝕刻液、使用該蝕刻液製造階度罩之方法以及藉由該方法所製造之階度罩。本發明的解決手段係一種蝕刻液，其含有硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨。

Description

蝕刻液及階度罩的製造方法
本發明係關於一種用於光罩(photomask)的光學膜的圖案(pattern)加工之蝕刻液及經該蝕刻液加工過的光罩。
近年來，於TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)液晶顯示裝置的製造中，為了將製造步驟簡化而使用階度罩(gradation mask)。雖然通常的光罩係由透光部與遮光部所構成，且透過罩之曝光光線的強度係實質上為遮光及透光的2個值，然而階度罩係由透光部、半透光部以及遮光部所構成，改變由各別的部分所透過之曝光光線的強度，成為遮光、半透光及透光的3個值。使用半色調(halftone)之曝光係使用階度罩以一片光罩來進行通常的複數片份光罩的步驟。
作為這種階度罩的製造方法之一，提案有使用鉻化合物作為遮光膜，而半透光部係將遮光膜局部性地蝕刻以減 少厚度，而作成可獲得預定的透光率之方式(專利文獻1)。然而，在這樣進行局部性地蝕刻之方法中，由於難以將半透光部以遍布光罩全面均勻地蝕刻，因此提案有使用作成遮光膜與半透光膜的2層構造且各自成膜之光罩基胚(photomask blank)之方法。
為了形成3階度(gradation)以上的階度罩，當各自準備複數個具有預先決定半透光率之半透光膜並依序進行蝕刻時，不僅需要因應所期望的透光率的組合設定複數個半透光膜的組成或膜厚並實施複雜之成膜步驟，亦有僅能形成在成膜前經預先設定透光率者之限制。
此外，由於所形成之積層的透光率係實質上由構成積層之各個的單膜所決定，因此無法微調整透光率。此外，由於積層之半透光膜彼此的界面會產生光的作用，因此作為結果之所獲得之透光率的計算係預先進行預備實驗等，而產生進行驗證之負擔。
在此，作為製作透光率不同之階度罩之方法，揭示了設置矽化鉬(MoSix)膜的膜厚差之方法(專利文獻2)。本方法係藉由MoSix所形成之半透光膜的減膜，以成為所期望的透光率之方式進行膜厚調整，藉此作成透光率差較小且相對於第1半透光部及第2半透光部形成所期望的透光率差。專利文獻2中記載了MoSix係與MoSiON或MoSiN等 作比較，以鹼等的藥液調整膜厚的情況下易於進行微調整而更為有效。另一方面，作為遮光膜及半透光膜而被廣泛使用之鉻系化合物膜較薄，而在專利文獻2所揭示之使用經酸或是鹼藥液之表面處理方法中，除了難以微調整膜厚以外，亦存在有蝕刻後的膜厚的均勻性不充分之問題。因此，為了該如何決定減膜步驟的終點，導致要與所期望的透光率一致並非易事。
(先前技術文獻)
(專利文獻)
專利文獻1：日本特開平07-049410號公報。
專利文獻2：日本特開2009-230126號公報。
如此，在光罩的半透光部的透光率調整中，即使於減膜步驟中，理想上亦能進行正確的透光率測定並能正確地掌握到達目標值為止的減膜時間，特別是在由液晶顯示裝置或有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示裝置所代表之顯示裝置中，針對明亮度、運作的速度、省電力以及解析度等而言有著更高品質的要求。
這些器件(device)中，例如由於使用有機絕緣膜等的感光性樹脂且形成接觸孔(contact hole)等立體構造，因此可有 效地應用使用了光罩之微影(lithography)。特別是欲形成具有局部性地高度不同的部分之絕緣膜或彼此高度不同的複數個感光性間隙子(photo spacer)等之立體構造變得複雜化，且產生3階度以上的光罩的需要，為了精確地形成立體構造，重要的是管理所使用之光罩的透光率。
特別是4階度以上，推定可有利地利用例如除了具備有透光部以及遮光部以外還具備有曝光透光率彼此不同的複數個半透光部之階度罩。為了各自精確地形成這些具有彼此不同的透光率之複數個半透光部，重要的是透光率控制。亦即，若複數個透光部的各自的透光率無法正確地如設計值形成，在顯示裝置等最終的器件中無法達到令人滿意的功能。
因此，本發明的課題係在於解決上述問題點，並提供一種用以可微調整膜厚且實現均勻的膜厚之具有低蝕刻速率(Etching rate；E.R.)之蝕刻液以及使用該蝕刻液之階度罩的製造方法。
本發明者為解決上述課題而在致力研究中發現了硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨蝕刻液可以在光罩的光學膜的圖案加工步驟中實現光學膜的膜厚的微調整及均勻之膜厚。此外，將硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨與酸經組合之結果，發現可以實現更高度地微調整光學膜的膜厚 及均勻之膜厚，進一步研究進展的結果，完成了本發明。
亦即，本發明係如下所述。
[1]一種蝕刻液，係用於光罩的光學膜的圖案加工，且為具有3階度以上之前述光罩之光微影法用，並含有硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨。
[2]如[1]所記載之蝕刻液，其中前述光罩係具有曝光透光率不同之第1半透光部及第2半透光部。
[3]如[1]或[2]所記載之蝕刻液，其中進一步含有酸。
[4]如[3]所記載之蝕刻液，其中前述酸係由硫酸、甲烷磺酸、硝酸、乙酸以及過氯酸所構成之群組中所選擇之1種或2種以上。
[5]如[1]至[4]中任一項所記載之蝕刻液，其中前述光學膜係含有鉻以及/或是鉻化合物之膜。
[6]如[5]所記載之蝕刻液，其中前述鉻化合物係由氧化鉻、氮化鉻、鉻氧化氮化物及鉻氧化氮化碳化物所構成之群組所選擇之1種或2種以上。
[7]如[1]至[6]中任一項所記載之蝕刻液，其中蝕刻速率為0.1nm/min以上100.0nm/min以下。
[8]如[1]至[6]中任一項所記載之蝕刻液，其中蝕刻速率為0.1nm/min以上5.0nm/min以下。
[9]一種階度罩的製造方法，係用以製造具備有轉印圖案的階度罩，前述轉印圖案具有曝光透光率不同之複數個區域；前述階度罩的製造方法係使用如[1]至[8]中任一項 所記載之蝕刻液對光學膜進行圖案加工。
[10]如[9]所記載之階度罩的製造方法，其中前述圖案加工前的光學膜為遮光膜以及/或是半透光膜。
[11]如[9]或[10]所記載之階度罩的製造方法，其中具有半透光區域的曝光透光率為10%至70%且彼此不同之複數個半透光部，且至少具有3階度。
[12]一種階度罩，係以如[9]至[11]中任一項所記載之階度罩的製造方法所製造。
藉由本發明之蝕刻液，可在以往具有較薄且膜厚的微調整困難之光學膜之光罩的製造中，特別是具有作為遮光膜及半透光膜而被廣泛使用之鉻系化合物膜之光罩的製造中，可因應所期望的器件的複雜之設計精確地控制光罩所具有之半透光部的透光率。尤其是可在半透光部的形成步驟中進行透光率測定並正確地掌握必要的追加蝕刻時間。
此外，由於可如此作微調整，因此可限定應準備之光罩基胚的種類。雖然所期望的複數個器件在分別要求不同的階度數或不同的透光率值之狀況下，應準備之光罩基胚會成為多種類且交貨日期及成本皆會產生問題，但若使用藉由本發明所製造之光罩，即可以1片光罩來進行複數片份光罩的步驟。另一方面，若應用本發明，則可限定應預先準備之光罩基胚的種類，且在步驟中可調整至所期望的 透光率，因此可以高生產效率來提供多種類的顯示裝置。
圖1係用以說明本發明的光罩的製造方法之第1實施形態之說明圖。
圖2係例示階度罩的製造方法之說明圖，其應用了由半透光膜、蝕刻阻止(etching stopper)膜及遮光膜所構成之積層作為形成於透明基板上之光學膜。
圖3係表示對硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨為2.0質量%之情況的硫酸濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係之圖。
圖4係表示對硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨為2.0質量%之情況的硝酸濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係之圖。
圖5係表示對硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨為2.0質量%之情況的甲烷磺酸濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係之圖。
圖6係表示對硝酸二銨鈰(IV)的濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係之圖。
圖7係表示對硫酸40質量%之情況的硝酸二銨鈰(IV)及硫酸四鈰(IV)銨的濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係之圖。
圖8係表示使用含有硝酸二銨鈰(IV)2.0質量%與硫酸40質量%之蝕刻液蝕刻在玻璃基板的表面分別成膜有氧化 鉻之評價基板c之情況的處理時間與減膜量之關係之圖。
以下針對本發明的實施形態進行詳細說明。
圖1係用以說明本發明的光罩的製造方法之第1實施形態之說明圖。
步驟1：如圖1中的(a)所示，準備在透明基板上形成有光學膜並進一步在表面上形成有第1阻劑膜之光罩基板。在此，光罩基板雖為光罩基胚，但亦可為一部分已進行圖案化者作為光罩基板。
另外，光罩基板中之第1阻劑膜亦可直接形成在光學膜的表面，只要不妨礙本發明的作用功效，亦可在第1阻劑膜與光學膜之間夾設其他的膜。作為光學膜，可為遮光膜，亦可為半透光膜，亦可具有使曝光光線的相位偏移預定量(相移膜)等的機能。此外，亦可於膜表面部分具有抑制光的反射之反射防止層。此外，光學膜亦可為複數個膜所積層。例如，在圖1中例示了光學膜為遮光膜之情況。
光學膜的成膜方法係可使用濺鍍法等習知的成膜手段來進行。
光學膜素材並沒有特別的限制。在此雖例示遮光膜，但作為遮光膜素材，可列舉例如以Cr(鉻)作為主成分之遮光膜。較佳為於表面部分具有Cr氧化物等的反射防止層。
步驟2：使用繪製裝置繪製用以形成透光部之繪製圖案(第1繪製圖案)。繪製後，經第1顯像而形成第1阻劑圖案(圖1中的(b))。在此，由於使用正型的光阻劑作為阻劑，因此可去除繪製部分的阻劑。
步驟3：將在步驟1所形成之第1阻劑圖案作為蝕刻罩(etching mask)，將光學膜(遮光膜)蝕刻去除(圖1中的(c))。在此，使用習知的蝕刻液進行濕式蝕刻。藉此，劃定透光部(第1圖案化步驟)。
步驟4：剝離去除第1阻劑圖案(阻劑膜)(圖1中的(d))。
步驟5：在表面塗布形成新的第2阻劑膜(圖1中的(e))。
步驟6：再度使用繪製裝置，繪製第2繪製圖案，並進行第2顯像。藉此，對應透光部之部分與對應半透光部之部分的第2阻劑膜被去除，形成有透明基板與光學膜的表面的一部分分別露出之第2阻劑圖案(圖1中的(f))。
步驟7：將此第2阻劑圖案作為罩(mask)，使用本發明 的蝕刻液對露出之部分的光學膜蝕刻減膜(第2圖案化步驟)。藉此形成具有所期望的曝光透光率之半透光部(圖1中的(g))。
本發明係關於一種蝕刻液，該蝕刻液係用於光罩的光學膜的圖案加工，且為具有3階度以上之前述光罩之光微影法(photolithographic)用，且含有硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨。
在此，所謂蝕刻液係蝕刻組成物，用以蝕刻構成階度罩之光學膜，例如用以蝕刻鉻膜或是鉻化合物，該蝕刻組成物係含有硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨。
上述蝕刻液亦可含有酸。酸並沒有特別的限定，可列舉例如硫酸、甲烷磺酸、硝酸、乙酸、過氯酸等，由對於鉻膜或是鉻化合物膜之蝕刻速率及藥液的穩定性的觀點來看，較佳為硫酸、甲烷磺酸、乙酸及硝酸，更佳為硫酸、甲烷磺酸及乙酸，尤佳為硫酸及甲烷磺酸。
本發明所使用之硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨的含有量由於會根據酸的種類、鉻膜或是鉻化合物膜而變動，因此雖沒有特別限定，但當設蝕刻液組成物為100質量%時，則較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.5質量%至8.0質量%，又更佳為1.0質量%至6.0質量%。
對於表面具有鉻或是鉻化合物所構成之層(或是膜)之基板，在該層(或是該膜)的厚度方向上，前述蝕刻速率較佳為0.1nm/min以上100.0nm/min以下，更佳為0.1nm/min以上10.0nm/min以下，又更佳為0.1nm/min以上5.0nm/min以下，最佳為0.3nm/min以上1.0nm/min以下。
所屬技術領域中具有通常知識者可適宜進行蝕刻時的溫度、時間、浸漬時的蝕刻液的流動條件及基板的搖動條件(亦含有將蝕刻液組成物以淋浴方式噴霧至基板之條件)的最佳化，特別是針對溫度而言較佳為20.0℃至25.0℃。若溫度在上述範圍內，則因Cr可在室溫下使用，且溫度穩定而適宜。此外，針對浸漬時間而言，較佳為30.0秒至180.0秒。若浸漬時間在上述範圍內，則由易於在裝置處理中獲得面內均勻性及處理所必要之蝕刻液量的觀點來看係適宜。
所謂光學膜係指半透光膜、蝕刻阻止膜、遮光膜；所謂圖案加工係指光罩製造步驟中之圖案加工。
步驟8：剝離第2阻劑圖案，以完成具有透光部、遮光部、半透光部之3階度的光罩(圖1中的(h))。
如圖2所示之光罩的製造方法中，例示有階度罩的製造方法，係應用了由半透光膜、蝕刻阻止膜、遮光膜所構 成之積層作為透明基板上所形成之光學膜。
步驟1：準備在透明基板上具備有由半透光膜、蝕刻阻止膜、遮光膜的積層所構成之光學膜並進一步在表面上形成有第1阻劑膜之光罩基板(圖2中的(a))。該半透光膜係具有用以使曝光光線的一部分透過之預定的曝光透光率之膜，在本實施形態中，曝光透光率例如為50%至60%。
此外，遮光膜與蝕刻阻止膜係由具有蝕刻選擇性且對於彼此的蝕刻劑(在此由於因應用濕式蝕刻，故為蝕刻液)彼此具有蝕刻耐性之素材所構成。此外，半透光膜與蝕刻阻止膜亦由對於彼此的蝕刻劑彼此具有耐性之素材所構成。遮光膜與半透光膜係可彼此具有蝕刻選擇性，亦可彼此不具有蝕刻選擇性。因此，在此，遮光膜與半透光膜的素材皆含有Cr，作成共通之蝕刻特性。
步驟2：使用繪製裝置，繪製用以形成透光部之繪製圖案(第1繪製圖案)。繪製後，經第1顯像而形成第1阻劑圖案(圖2中的(b))。
步驟3：將在步驟2所形成之第1阻劑圖案作為蝕刻罩，蝕刻去除遮光膜(圖2中的(c))。
步驟4：變更成蝕刻阻止膜用的蝕刻劑，蝕刻去除蝕 刻阻止膜(圖2中的(d))。
步驟5：再度變更蝕刻劑，藉由半透光膜用的蝕刻劑蝕刻去除半透光膜。之後，剝離第1阻劑圖案(第1阻劑膜)(圖2中的(e))。
步驟6：在表面形成新的第2阻劑膜(圖2中的(f))。
步驟7：再度使用繪製裝置，繪製第2繪製圖案，並進行第2顯像。藉此，對應於透光部之部分與對應於半透光部(第1半透光部)之部分的第2阻劑膜被去除，形成有透明基板與遮光膜的表面的一部分分別露出之第2阻劑圖案(圖2中的(g))。
步驟8：將第2阻劑圖案作為罩，蝕刻去除露出之部分的遮光膜。進而，變更蝕刻劑蝕刻去除蝕刻阻止膜(圖2中的(h))。
步驟9：然後，變更蝕刻劑，使用本發明的蝕刻液對經露出之半透光膜進行蝕刻減膜(第2圖案化步驟)。藉此，形成具有所期望的曝光透光率之半透光部(第1半透光部)(圖2中的(i))。
步驟10：剝離第2阻劑圖案(第2阻劑膜)，以完成具 有透光部、遮光部及半透光部之3階度的光罩(圖2中的(j))。
另外，在製造除了具備有透光部、遮光部以外亦具備有具有曝光透光率彼此不同的2種類的半透光部(第1半透光部、第2半透光部)之轉印用圖案之4階度的光罩之情況中，能進一步對圖2中的(j)的光罩實施以下的步驟。
步驟11：在表面形成新的第3阻劑膜(圖2中的(k))。
步驟12：使用繪製裝置，繪製用以形成追加之半透光部(第2半透光部)之繪製圖案(第3繪製圖案)，並進行第3顯像，藉此形成第3阻劑圖案(圖2中的(l))。
步驟13：將第3阻劑圖案作為罩，蝕刻去除遮光膜與蝕刻阻止膜，形成第2半透光部(圖2中的(m))。
步驟14：剝離第3阻劑圖案(第3阻劑膜)，以完成具備透光部、遮光部、第1半透光部以及第2半透光部之4階度的光罩(圖2中的(n))。
藉由以上的步驟，能藉由單一的半透光膜形成具有不同曝光透光率之複數個第1半透光部及第2半透光部。
以上，使用圖1至圖2來說明本發明的態様，但本發明並不限定於這些態様，只要不損及發明的功效，亦可包含各種態樣。此外，只要不損及本發明的作用功效，亦可變更上述各實施形態中之步驟，或是加入其他的步驟。
此外，這些實施形態的說明中，所謂「第1」、「第2」之稱呼係為了方便表示步驟的順序，在這些的前後或之間實施其它的步驟之情況下，亦可適當地改稱。
在這些所有的態様中，蝕刻較佳係應用濕式蝕刻。特別是在裝置製造用的光罩中，由於需要生產單邊為300mm以上的大型且具有各種的長寬比或面積之多種的光罩基板，因此應用濕式蝕刻的功效大。
此外，亦可將在透明基板上形成有光學膜及阻劑膜之光罩基胚作為起始材料，亦可將經某些的圖案化或施以其它的加工之光罩中間體作為起始材料而應用。
本發明的光罩的用途並無特別的制限。
例如，亦可應用於作為階度罩而有用之省PEP(Photo Engraving Process；光刻製程)(在製造顯示裝置面板時，可減少使用之光罩的數目)。
進而，可作為用以形成顯示裝置中的構造材(由感光性 樹脂等所構成)的立體形狀之光罩而使用。例如，由於只要形成液晶顯示裝置的感光性間隙子或顯示裝置的絕緣層即能分別精確地進行具有不同高度之複數個構造材的高度控制，因此發明的功效是顯著的。於4階度以上的光罩之中特別有利。
此外，本發明係包含顯示裝置的製造方法，該顯示裝置的製造方法係包含下述步驟：使用根據實施形態中任一者所製造之光罩，並藉由曝光裝置將轉印用圖案轉印至被轉印體。
作為本發明的光罩所使用之光學膜的素材係例示如以下者。
在此所使用之光學膜的素材並沒有特別的制限，但較佳可使用以Cr作為主成分之化合物。例如可使用Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物或是氧化氮化碳化物等，較佳為可使用Cr的氧化物或是氧化氮化物。這些材料可單獨地使用1種，亦可組合2種以上而使用。作為遮光部所利用之部分的膜厚係較佳為作成可獲得充分之遮光性者(光學濃度OD≧3，較佳為OD≧4)。
作為半透光膜而言，該半透光膜與遮光膜之間可具有蝕刻選擇性或亦可不具有蝕刻選擇性。其中，在不具有蝕 刻選擇性(即蝕刻特性共通)的情況下，由於可使用共通的蝕刻劑，因此在生產上的效率良好。
因此，可從上述所例示之遮光膜素材進行選擇。此外，在蝕刻減膜時，為了易於進行到達目標的透光率為止的蝕刻時間控制，更佳為膜厚係50Å至2000Å。
由於期望蝕刻阻止膜對於遮光膜、半透光膜具有蝕刻選擇性，因此可使用由Ta、Mo、W及這些的化合物(例如氧化物、氮化物、氧化氮化物或是TaSi、MoSi、WSi(金屬矽化物類)或是這些的氮化物、氧化氮化物等)之中所選擇之素材。
[實施例]
以下藉由實施例及比較例更進一步具體地說明本發明，但本發明並不限定於這些實施例，在不脫離本發明的技術思想之範圍內可進行各種的變更。
製作已在玻璃基板的表面分別成膜有19nm(透光率17%)及15nm(透光率35.5%)的氧化鉻之評價基板a，且分別調整表1、表2所示之蝕刻液組成物。此時，進行各蝕刻組成物有無結晶析出的觀察。
將各評價基板a切割成2.0cm×2.0cm，在蝕刻液浸漬前使用螢光X射線分析裝置(ZSX100e)測定氧化鉻膜的膜厚。
在裝有各蝕刻液組成物80ml之玻璃容器中以25℃、攪拌浸漬15秒至1800秒，進行超純水沖洗1分鐘，藉由氮氣流使其乾燥，從而獲得各評價基板b。
針對各評價基板b，使用螢光X射線分析裝置測定氧化鉻膜的蝕刻量，由浸漬時間與蝕刻量算出蝕刻速率(E.R.)。將有無結晶的析出與蝕刻速率的結果，與蝕刻液組成物的成分及該成分的濃度一起顯示於表1與表2。
Figure 106104892-A0305-02-0020-1
在使用硝酸二銨鈰(IV)與過氯酸、硝酸、硫酸、乙酸、甲烷磺酸中任一者的酸之情況下，可獲得目的之蝕刻速率。另一方面，使用磷酸作為酸的情況下，與濃度無關而析出結晶，無法測定蝕刻速率。
Figure 106104892-A0305-02-0021-2
在使用硫酸四鈰(IV)銨與硝酸、硫酸、乙酸、甲烷磺酸中任一者的酸之情況下，可獲得目的之蝕刻速率。另一方面，使用過氯酸及磷酸作為酸的情況下，與濃度無關而析出結晶，無法測定蝕刻速率。
圖3係表示對硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨為2.0質量%之情況的硫酸濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係。可確認當硫酸濃度越大，則蝕刻速率有越降低之傾向。
圖4係表示對硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨2.0質量%之情況的硝酸濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係。在硝酸二銨鈰(IV)的情況之中，可確認當硝酸濃度越大，則蝕刻速率有越降低之傾向。另一方面，在硫酸四鈰(IV)銨的情況之中，當硝酸濃度在約40%以內的範圍中，硝酸濃度越大，則蝕刻速率有越増加之傾向；當硝酸濃度在40%以上的範圍中，可確認硝酸濃度越大，則蝕刻速率有越降低之傾向。
圖5係表示對硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨2.0質量%之情況的甲烷磺酸濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係。可確認當甲烷磺酸的濃度越大，則蝕刻速率有越降低之傾向。
圖6係表示對硝酸二銨鈰(IV)的濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係。可確認當硝酸二銨鈰(IV)的濃度越小，則蝕刻速率有越降低之傾向。
圖7係表示對硫酸40質量%之情況的硝酸二銨鈰(IV)及硫酸四鈰(IV)銨的濃度作改變之蝕刻液與蝕刻速率的關係。可確認當硝酸二銨鈰(IV)及硫酸四鈰(IV)銨的濃度越大，則蝕刻速率有越増加之傾向。
圖8係表示使用含有硝酸二銨鈰(IV)2.0質量%與硫酸40質量%之蝕刻液蝕刻在玻璃基板的表面分別成膜有氧化鉻之評價基板c之情況的處理時間與減膜量之關係之圖。由於相對於處理時間會產生線性地膜減少，可確認能藉由處理時間控制氧化鉻的透光率。

Claims (9)

  1. 一種蝕刻液，係用於光罩的光學膜的圖案加工，且為具有3階度以上之前述光罩之光微影法用，並含有硝酸二銨鈰(IV)或是硫酸四鈰(IV)銨、以及由硫酸、甲烷磺酸、硝酸、以及乙酸所構成之群組中所選擇之1種或2種以上的酸。
  2. 如請求項1所記載之蝕刻液，其中前述光罩係具有曝光透光率不同之第1半透光部及第2半透光部。
  3. 如請求項1或2所記載之蝕刻液，其中前述光學膜係含有鉻以及/或是鉻化合物之膜。
  4. 如請求項3所記載之蝕刻液，其中前述鉻化合物係由氧化鉻、氮化鉻、鉻氧化氮化物及鉻氧化氮化碳化物所構成之群組所選擇之1種或2種以上。
  5. 如請求項1或2所記載之蝕刻液，其中蝕刻速率為0.1nm/min以上至100.0nm/min以下。
  6. 如請求項1或2所記載之蝕刻液，其中蝕刻速率為0.1nm/min以上至5.0nm/min以下。
  7. 一種階度罩的製造方法，係用以製造具備有轉印圖案的階度罩，前述轉印圖案具有曝光透光率不同之複數個區域；前述階度罩的製造方法係使用如請求項1至6中任一項所記載之蝕刻液對光學膜進行圖案加工。
  8. 如請求項7所記載之階度罩的製造方法，前述圖案加工前的光學膜為遮光膜以及/或是半透光膜。
  9. 如請求項7或8所記載之階度罩的製造方法，係具有半透光區域的曝光透光率為10%至70%且彼此不同之複數個半透光部，且至少具有3階度。
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