JP2013254206A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクであって、
   透光性基板上に、光半透過膜を備え、
   前記光半透過膜は、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、
   前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が５％未満であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
2. 前記光半透過膜の窒素の含有量は、４０原子％以上４７原子％以下であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
3. 前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が２％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。
4. 前記不完全窒化膜は、Ｓｉ−Ｎ結合及び遷移金属（Ｍ）−Ｓｉ結合を主として含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
5. 前記光半透過膜の前記露光光の波長に対する透過率が４％以上９％未満であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
6. 前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
7. 前記光半透過膜の膜厚は、７５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
8. 前記光半透過膜上に遮光膜が形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
9. 前記位相シフトマスクブランク上にレジスト膜が形成されることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
10. ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクであって、
    透光性基板上に、光半透過膜パターンを備え、
    前記光半透過膜パターンは、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、
    前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が５％未満であることを特徴とする位相シフトマスク。
11. 前記光半透過膜パターンにおける窒素の含有量は、４０原子％以上４７原子％以下であることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスク。
12. 前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が２％以上であることを特徴とする請求項１０又は１１記載の位相シフトマスク。
13. 前記不完全窒化膜は、Ｓｉ−Ｎ結合及び遷移金属（Ｍ）−Ｓｉ結合を主として含むことを特徴とする請求項１０から１２のいずれかに記載の位相シフトマスク。
14. 前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする請求項１０から１３のいずれかに記載の位相シフトマスク。
15. 前記光半透過膜パターンの膜厚は、７５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０から１４のいずれかに記載の位相シフトマスク。
16. 前記光半透過膜パターン上に遮光膜パターンが形成されることを特徴とする請求項１０から１５のいずれかに記載の位相シフトマスク。
17. ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
    窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングを行うことによって、透光性基板上に、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜する工程を備え、
    前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量よりも少ない流量であり、かつ前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が５％未満である不完全窒化膜が形成される流量であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
18. 前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量に対して、７０％を超え９５％未満の流量であることを特徴とする請求項１７記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
19. 請求項１から９のいずれかに記載の位相シフトマスクブランクを用いて製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
20. 請求項１０から１６のいずれかに記載の位相シフトマスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。