JP2014157364A5 - 透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Claims (8)

1. マスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンとなる遮光性膜を有する透過型マスクブランクであって、
   前記遮光性膜の表面における１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア（％）とベアリング深さ（ｎｍ）との関係において、ベアリングエリア３０％をＢＡ_３０、ベアリングエリア７０％をＢＡ_７０、ベアリングエリア３０％及び７０％に対応するベアリング深さをそれぞれＢＤ_３０及びＢＤ_７０と定義したときに、
   前記遮光性膜の表面が、（ＢＡ_７０−ＢＡ_３０）／（ＢＤ_７０−ＢＤ_３０）≧３５０（％／ｎｍ）の関係式を満足し、かつ最大高さ（Ｒｍａｘ）≦１．２ｎｍであることを特徴とする透過型マスクブランク。
2. 前記マスクブランク用基板の主表面は、前記原子間力顕微鏡で測定して得られたベアリング深さと、得られたベアリング深さの頻度（％）との関係をプロットした度数分布図において、前記プロットした点より求めた近似曲線、或いは前記プロットした点における最高頻度より求められる半値幅の中心に対応するベアリング深さの絶対値が、前記表面の表面粗さにおける最大高さ（Ｒｍａｘ）の１／２に対応するベアリング深さの絶対値よりも小さい請求項１記載の透過型マスクブランク。
3. 前記透過型マスクブランクは、前記マスクブランク用基板上に、露光光を遮断する遮光膜が形成されたバイナリー型マスクブランクであることを特徴とする請求項１又は２記載の透過型マスクブランク。
4. 前記透過型マスクブランクは、前記マスクブランク用基板上に露光光の位相差を変化させる位相シフト膜が形成された位相シフト型マスクブランクであることを特徴とする請求項１又は２記載の透過型マスクブランク。
5. 前記位相シフト型マスクブランクは、前記位相シフト膜上に露光光を遮断する遮光膜が形成されたことを特徴とする請求項４記載の透過型マスクブランク。
6. 前記遮光性膜上に、該遮光性膜をパターニングするためのマスクとなるレジスト膜が形成されたレジスト膜付き透過型マスクブランクであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の透過型マスクブランク。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の透過型マスクブランクにおける前記遮光性膜をパターニングして、前記主表面上に遮光性膜パターンを有する透過型マスク。
8. 請求項７に記載の透過型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。