JP2016014898A5

JP2016014898A5 - マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランクの製造方法、透過型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2016014898A5
Application number: JP2015202958A
Authority: JP
Filing date: 2015-10-14
Publication date: 2016-05-12
Anticipated expiration: 2033-03-28

Claims

リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の製造方法であって、
前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア（％）とベアリング深さ（ｎｍ）との関係において、ベアリングエリア３０％をＢＡ_３０、ベアリングエリア７０％をＢＡ_７０、ベアリングエリア３０％及び７０％に対応するベアリング深さをそれぞれＢＤ_３０及び
ＢＤ_７０と定義したときに、
前記基板の主表面が、（ＢＡ_７０−ＢＡ_３０）／（ＢＤ_７０−ＢＤ_３０）≧３５０（％／ｎｍ）の関係式を満たし、かつ最大高さ（Ｒｍａｘ）≦１．２ｎｍとなるように表面加工し、
１５０ｎｍ〜３６５ｎｍの波長領域の検査光、又は０．２ｎｍ〜１００ｎｍの波長領域の検査光を用いて、前記基板の主表面の欠陥検査を行うことを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
前記基板の主表面は、前記原子間力顕微鏡で測定して得られたベアリング深さと、得られたベアリング深さの頻度（％）との関係をプロットした度数分布図において、前記プロットした点より求めた近似曲線、或いは前記プロットした点における最高頻度より求められる半値幅の中心に対応するベアリング深さの絶対値が、前記基板の主表面の表面粗さにおける最大高さ（Ｒｍａｘ）の１／２に対応するベアリング深さの絶対値よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
前記基板の主表面は、触媒基準エッチングにより表面加工された表面であることを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランク用基板の製造方法。
リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板の表面における１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア（％）とベアリング深さ（ｎｍ）との関係において、ベアリングエリア３０％をＢＡ _３０、ベアリングエリア７０％をＢＡ _７０、ベアリングエリア３０％及び７０％に対応するベアリング深さをそれぞれＢＤ _３０及びＢＤ _７０と定義したときに、
前記多層反射膜付き基板の表面が、（ＢＡ _７０ −ＢＡ _３０）／（ＢＤ _７０ −ＢＤ _３０）≧２３０（％／ｎｍ）の関係式を満たし、かつ最大高さ（Ｒｍａｘ）≦１．５ｎｍとなるように成膜し、
１５０ｎｍ〜３６５ｎｍの波長領域の検査光、又は０．２ｎｍ〜１００ｎｍの波長領域の検査光を用いて、前記多層反射膜付き基板の表面の欠陥検査を行うことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
前記多層反射膜上に保護膜を有する請求項４に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
前記多層反射膜は、前記基板の主表面における法線に対して、前記低屈折率層の成膜のためのスパッタ粒子の入射角度が、前記高屈折率層の成膜のためのスパッタ粒子の入射角度より大きくなるように、イオンビームスパッタリング法に形成することを特徴とする請求項４又は５記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
前記保護膜は、前記多層反射膜の成膜後、連続して、前記基板の主表面における法線に対して斜めに堆積するようにイオンビームスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項５又は６記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
請求項４〜７のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法で形成された前記多層反射膜又は前記保護膜上に、転写パターンとなる吸収体膜を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
請求項８に記載した反射型マスクブランクの製造方法で形成された前記吸収体膜をパターニングして、前記多層反射膜又は前記保護膜上に吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
リソグラフィーに使用される多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜付き基板は、マスクブランク用基板の主表面上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された保護膜とを有し、
前記保護膜表面における１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア（％）とベアリング深さ（ｎｍ）との関係において、ベアリングエリア３０％をＢＡ_３０、ベアリングエリア７０％をＢＡ_７０、ベアリングエリア３０％及び７０％に対応するベアリング深さをそれぞれＢＤ_３０及びＢＤ_７０と定義したときに、
前記保護膜の表面が、（ＢＡ_７０−ＢＡ_３０）／（ＢＤ_７０−ＢＤ_３０）≧２３０（％／ｎｍ）の関係式を満たし、かつ最大高さ（Ｒｍａｘ）≦１．５ｎｍとしたことを特徴とする多層反射膜付き基板。
請求項１０に記載の多層反射膜付き基板の前記保護膜上に、転写パターンとなる吸収体膜を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
請求項１１に記載した反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして、前記保護膜上に吸収体パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
請求項９に記載の反射型マスクの製造方法で製造された反射型マスク、又は請求項１２の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
マスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンとなる遮光性膜を有する透過型マスクブランクの製造方法であって、
前記遮光性膜の表面における１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア（％）とベアリング深さ（ｎｍ）との関係において、ベアリングエリア３０％をＢＡ _３０、ベアリングエリア７０％をＢＡ _７０、ベアリングエリア３０％及び７０％に対応するベアリング深さをそれぞれＢＤ _３０及びＢＤ _７０と定義したときに、
前記遮光性膜の表面が、（ＢＡ _７０ −ＢＡ _３０）／（ＢＤ _７０ −ＢＤ _３０）≧３５０（％／ｎｍ）の関係式を満足し、かつ最大高さ（Ｒｍａｘ）≦１．２ｎｍとなるように成膜し、
１５０ｎｍ〜３６５ｎｍの波長領域の検査光を用いて、前記遮光性膜の表面の欠陥検査を行うことを特徴とする透過型マスクブランクの製造方法。
前記基板の主表面は、触媒基準エッチングにより表面加工された表面であることを特徴とする請求項１４記載の透過型マスクブランクの製造方法。
前記遮光性膜は、アモルファス構造であることを特徴とする請求項１４又は１５記載の透過型マスクブランクの製造方法。
請求項１４〜１６のいずれか１項に記載した透過型マスクブランクの製造方法で形成された前記遮光性膜をパターニングして、前記基板の主表面上に遮光性膜パターン形成することを特徴とする透過型マスクの製造方法。
請求項１７に記載の透過型マスクの製造方法で製造された透過型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。