JP2011124612A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、
   前記基板は、ガラス基板であり、
   前記多層反射膜は、イオンビームスパッタリングによって成膜されており、
   前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、導電膜が形成されており、
   該導電膜は、金属窒化膜であることを特徴とする多層反射膜付き基板。
2. 前記多層反射膜は、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に積層した交互積層膜であることを特徴とする請求項１記載の多層反射膜付き基板。
3. 前記導電膜中の金属は、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、珪素（Ｓｉ）のうちから選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
4. 前記導電膜は、ＣｒＮ膜であり、膜中の窒素含有量が４０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
5. 前記導電膜は、ＴａＮ膜であり、膜中の窒素含有量が５〜５０ａｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
6. 前記導電膜は、ＴａＢＮ膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
7. 前記導電膜は、ＭｏＮ、ＳｉＮ、またはＭｏＳｉＮのいずれかからなり、前記導電膜中の窒素含有量は、１０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
8. 前記導電膜は、前記基板の少なくとも周縁部を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の多層反射膜付き基板。
9. 請求項１乃至８の何れかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜が少なくとも形成されていることを特徴とする露光用反射型マスクブランクス。
10. 請求項９記載の反射型マスクブランクスにおける前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする露光用反射型マスク。
11. ガラス基板上に、金属窒化膜からなる導電膜を形成した導電膜付き基板を準備する工程と、該導電膜付き基板の前記導電膜が形成された側を静電チャックにより保持し、前記基板を挟んで前記導電膜と反対側に、露光光を反射する多層反射膜をイオンビームスパッタによって形成する工程と、を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
12. 前記多層反射膜は、静電チャックにより保持された前記導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で回転させながらスパッタ成膜することを特徴とする請求項１１記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
13. 前記多層反射膜は、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に積層した交互積層膜であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
14. 前記導電膜中の金属は、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、珪素（Ｓｉ）のうちから選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
15. 前記導電膜は、ＣｒＮ膜であり、膜中の窒素含有量が４０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
16. 前記導電膜は、ＴａＮ膜であり、膜中の窒素含有量が５〜５０ａｔ％であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
17. 前記導電膜は、ＴａＢＮ膜であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
18. 前記導電膜は、ＭｏＮ、ＳｉＮ、またはＭｏＳｉＮのいずれかからなり、前記導電膜中の窒素含有量は、１０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
19. 前記導電膜は、前記基板の少なくとも周縁部を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１８の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
20. 請求項１１乃至１９の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られた多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする露光用反射型マスクブランクスの製造方法。
21. 請求項２０記載の露光用反射型マスクブランクスの製造方法により得られた反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することを特徴とする露光用反射型マスクの製造方法。